不同材质电容特点
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
电容的分类
电容的分类按照材质分:1.名称:聚酯(涤纶)电容符号:(CL) 电容量:40p-4μ 额定电压:63-630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路2.名称:聚苯乙烯电容符号:(CB) 电容量:10p-1μ 额定电压:100V-30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路3.名称:聚丙烯电容符号:(CBB) 电容量:1000p-10μ 额定电压:63-2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路4.名称:云母电容符号:(CY) 电容量:10p-0.1μ 额定电压:100V-7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小 应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路5.名称：高频瓷介电容 符号:(CC) 电容量:1-6800p 额定电压:63-500V主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路6.名称:低频瓷介电容 符号:(CT) 电容量:10p-4.7μ 额定电压:50V-100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差 应用:要求不高的低频电路7.名称:玻璃釉电容 符号:(CI) 电容量:10p-0.1μ 额定电压:63-400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度) 应用:脉冲,耦合,旁路等电路8.名称:铝电解电容 符号(CD) 电容量:0.47-10000μ 额定电压:6.3-450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等9.名称:钽电解电容符号(CA) 电容量:0.1-1000μ 额定电压:6.3-125V 主要特点:损耗,漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容10.名称:空气介质可变电容器 符号: 可变电容量:100-1500p主要特点:损耗小，效率高；可根据要求制成直线式,直线波长式,直线频率式及对数式等 应用:电子仪器,广播电视设备等11.名称:薄膜介质可变电容器 符号: 可变电容量:15-550p 主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大 应用:通讯,广播接收机等12.名称:薄膜介质微调电容器 符号: 可变电容量:1-29p主要特点:损耗较大:体积小 应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿13.名称:陶瓷介质微调电容器 符号: 可变电容量:0.3-22p 主要特点:损耗较小,体积较小 应用:精密调谐的高频振荡回路14.名称:独石电容容量范围:0.5PF-22μF 耐压:二倍额定电压.应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振,耦合,滤波,旁路.独石电容的特点:电容量大,体积小,可靠性高,电容量稳定,耐高温耐湿性好等.最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的温漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.就温漂而言：独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低.但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵,云母电容Q值较高,也稍贵.片状多层瓷介电容又叫片状独石电容，主流分三种类型，I型（COG）性能很好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫II型(X7R)，容量大，性能较好，III型(Y5V)材料，容量更大，但性能一般。
电容简介
JENSEN 铜泊纸管油浸电
Jensen纸管电容除拥有铜箔电容的全部优点外，背景更显得宁静一些，声音的细致程度更好和颗粒更细，中高频更为飘逸，声音密度高的同时更具形体感。那种流动的音乐非常迷人。
JENSEN 铜泊瓷管油浸电容
瓷管电容的高频段有接近于银箔电容的声音表现，高频是细腻通透、传神和有着优秀的延伸度，且高频段的声音厚度很令人惊讶。音色上也一如银箔电容般透出一种亮丽的贵气。中频段瓷管电容又有点像铜管电容，声音中充满着活力，令人跟着音乐拍子去跳动的声音魅力真是太迷人了。低频段又像纸管电容般有充足的量感、下潜力及弹跳力。瓷管电容 就像集合了银箔电容 、铜箔电容、纸管电容优点于一身一般。
2010-02-09 09:01回复
AFK玩家 xoqiu
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6楼
薄膜两
关于油浸电容
Sprague在六十年代推出的维他命Q(Vitamin Q ) 油浸电容，已经成为传奇的零件，DIY族莫不以加上几颗Vitamin Q来自我炫耀一番。的确，加上Vitamin Q之后的直热式三极胆机，有种难以形容的华丽音色与松软质感，非常好听。过去人们并不像现在一样认为油浸电容是好东西，有时不会在外面注明它是油浸的，现在则刻意标示paper capacitance或paper in oil来强调其价值。以前的油浸电容多采用多氯联苯等材料，这些材料是有剧毒的，多年前在台湾曾发生过严重的“可乐儿”事件，就是它惹的祸。孕妇因多氯联苯中毒，使婴儿透过胎盘受到多氯联苯影响，以致胎儿出生时皮肤深棕色素沈著，全身粘膜黑色素沈著，发育较慢，很像一瓶可口可乐，故以“可乐儿”称之。多氯联苯是人工合脂肪几乎完全无法自体内排出，对免疫系统、肝脏、荷尔蒙分泌造成重大影响，患者因慢性肝病死亡及皮肤发生氯疮持续排脓、生殖器官也会糜烂生疮，而多氯联苯的一个“多氯夫喃”结构与世纪之毒：“载奥辛”相似，有然后是丹麦 JENSEN 电容 我们叫它“战神”
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
电容器规格详细介绍
电容器规格详细介绍电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容,电解质芯片电容,塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1.电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2.电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 4.陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型,Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5.陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF 以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.(Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中,电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异,即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围:需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制:传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值:较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.D. 低漏电流量特性:用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性:用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性:用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性:用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器,而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL 无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C.需注意100 pF-680 pF范围内,Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4.以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性,可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C.聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D.金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性,可适用于一般脉波电路工作.代号MEF者,亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.//**************************************************************//认清电容显卡选购完全手册之电容篇作者：火乌鸦转贴自：ZOL希望对那些还不了解电容的会员们有用电容爆裂事件的背后最近2年来电容爆裂、漏液、失效这样的事件在主板、显卡领域时有发生，不过正因为这样的事件，促进消费者对显卡上电容的认识度。
电容材质分类
属?2类陶瓷介质，具有很高的介电系数，能较容易做到小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。广泛应用于对容量，损耗要求不高的场合。?特性：?
电容范围?1000pF～22uF?(0.3V?1KHz)?环境温度：?-30℃～+85℃?温度特性：?±22%～-82%?
损耗角正切值：?50Volts:?3.5%?25Volts:?5.0%?16Volts:?7.0%?
通常C0G和NPO指的是I?类电介质，温度特性-2-55℃~125℃容量变化率30ppm以内，现在C特性都用C0G来表示，不用NP0表示了。??
二X7R电容器?
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。?
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。?
相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。?NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。?
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用?以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公?司的产品请参照该公司的产品手册。?NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。?
电容器种类分类
电容的种类分类电容就是两块导体（阳极和阴极）中间夹着一块绝缘体（介质）构成的电子元件，由于其结构的特殊性，所以分类方式也有好多种，通常按照介质、阳极、阴极和工艺这四种分类方式，而且各种分类方式互相交叉重叠，可以说比较混乱：电容的分类很复杂，以上只罗列了板卡中常见的一些类型开始详细介绍各类电容的特性和优缺点。
首先按照介质的不同分为无机电容、有机电容和电解电容三大类：● 无机介质电容器：无机电容主要有陶瓷电容和云母电容，其基本结构就是在陶瓷片或者云母片的两面电镀金属材料比如银，电脑配件中陶瓷电容很常见。
陶瓷电容性质非常稳定、高频性能很好、无极性、耐压、耐热、低阻抗、体积小，综合性能好因此使用非常广泛，它可以应用在GHz级别的超高频器件上，比如军用雷达、电磁干扰发射器等精密仪器，当然CPU、GPU、Chipset表面也只能使用陶瓷电容。
CPU背面、GPU表面和GPU四周PCB上的小颗粒都是陶瓷电容陶瓷电容之所以如此普及，这是因为能够在超高频率下正常工作的也只有陶瓷电容。
所以我们可以看到，在主板CPU插槽四周/背面，显卡GPU四周/背面，还有内存、显存、芯片组、PCI-E插槽等，凡是高频器件周围都会有密密麻麻的陶瓷电容！数字供电主要依靠高性能的多层陶瓷电容但是，陶瓷电容的价格比较昂贵，而且容量有限，因此不适合作为供电模块的滤波电容。
不过近年来随着技术的发展，高档数字供电主控芯片也可以使用大量多层陶瓷电容，这可以让抗干扰能力、稳定性和转换效率都得到大幅提高！薄膜电容的基本构造就是2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔膜交替夹杂然后捆绑而成。
这种电容的介质为高分子有机物，所以统称为有机电容，其特点与陶瓷电容类似，无极性、无感、高频特性好、体积小、耐压，但也同样存在容量不大、成本较高的缺点，另外它的介质是有机物，因此耐高温能力一般。
● 电解电容器：电介质的材料除了无机物就是有机物，为什么还会单独分出一个电解电容来呢？这是因为无机电容和有机电容的绝缘材料在生产时就已确定，比如陶瓷、云母、塑料等。
mlcc电容材料标准号及材质大全
mlcc电容材料标准号及材质大全
对于MLCC（多层陶瓷电容器），有许多标准和材质可以参考。
以下是一些常见的MLCC电容材料标准号及材质的列表：
1. 材料标准号：C0G（超稳定型陶瓷材料）
材料特点：低失真，低介电损耗，稳定性好，温度系数（TC）接近于零。
应用领域：高精度应用，例如精密测量仪器，医疗设备等。
2. 材料标准号：X7R（泛用型陶瓷材料）
材料特点：介电常数高，温度系数（TC）适中，稳定性较好。
应用领域：广泛应用于电子领域，例如电源管理，无线通信，汽车电子等。
3. 材料标准号：Y5V（宽温型陶瓷材料）
材料特点：介电常数高，温度系数（TC）较大，稳定性较差。
应用领域：适用于一些一般性的应用，如消费电子产品等。
4. 材料标准号：NPO（零温度系数陶瓷材料）
材料特点：温度系数（TC）接近于零，稳定性非常好，因此也被称为零温度系数材料。
应用领域：高频应用，例如射频天线，卫星通信等。
以上是一些常见的MLCC电容材料标准号及材质的介绍，还有其他材料标准号和材质也可以根据具体需求进行选择。
不同材料电容的材质代号列表
不同材料电容的材质代号列表一、氧化铝电容材料(AL2O3)氧化铝电容材料是一种常见的电容材料，也是目前应用最广泛的一种。
它具有优良的绝缘性能和稳定性，能够在高温环境下工作。
氧化铝电容材料的特点是体积小、容量大、频率特性好，并且具有良好的耐久性和可靠性。
由于氧化铝电容材料价格适中，广泛应用于电子产品、通信设备、电源等领域。
二、钽电容材料(Ta)钽电容材料是一种高性能的电容材料，具有很低的电阻和漏电流，能够在高频率下保持稳定的电容值。
钽电容材料的特点是具有良好的耐久性、抗热性和抗振性能，能够适应各种恶劣的工作环境。
由于钽电容材料价格相对较高，主要应用于高端电子产品、航空航天设备、医疗器械等领域。
三、铝电解电容材料(Al)铝电解电容材料是一种价格便宜、容量大的电容材料，具有优良的电导性和热稳定性。
铝电解电容材料的特点是具有较低的ESR（等效串联电阻）和漏电流，能够在大电流下稳定工作。
然而，铝电解电容材料的工作温度范围相对较窄，容易受到温度和湿度的影响，因此应用范围相对有限，主要用于一些低端电子产品和家用电器。
四、钽氧化物电容材料(Ta2O5)钽氧化物电容材料是一种高性能的电容材料，具有较高的介电常数和极低的漏电流。
钽氧化物电容材料的特点是具有较低的ESR和良好的高频特性，能够在高温环境下工作。
由于钽氧化物电容材料价格较高，主要应用于高端电子产品、航空航天设备和精密仪器等领域。
五、聚酯薄膜电容材料(PET)聚酯薄膜电容材料是一种价格便宜、容量大的电容材料，具有良好的电绝缘性和稳定性。
聚酯薄膜电容材料的特点是具有较低的ESR 和漏电流，能够在较高频率下保持稳定的电容值。
由于聚酯薄膜电容材料价格低廉，广泛应用于计算机、电视机、音响设备等家用电器中。
六、聚丙烯薄膜电容材料(PP)聚丙烯薄膜电容材料是一种价格适中、容量较小的电容材料，具有良好的电绝缘性和稳定性。
聚丙烯薄膜电容材料的特点是具有较低的ESR和漏电流，能够在高温环境下工作。
涤纶电容的识别方法
涤纶电容的识别方法
涤纶电容是一种常用的电子元器件，其特点是稳定性高、质量轻、体积小等。
然而，在实际应用中，由于其外观与其他电容非常相似，因此很容易出现混淆的情况。
为此，本文将介绍涤纶电容的识别方法，包括以下几个方面：
1. 外观特征：涤纶电容通常为白色或黄色，外壳呈圆柱形或方形，表面光滑。
与其他电容相比，涤纶电容的外观更加简洁，没有复杂的结构和装饰。
2. 标识：涤纶电容通常在外壳上标有电容的参数，如电容值、电压等。
这些参数可以通过连接测试仪器进行测量，以进一步确认电容的类型。
3. 尺寸：涤纶电容的尺寸通常比其他电容小，如直径为3mm或5mm，长度为9mm或12mm。
这可以通过比较不同电容的尺寸来判断涤纶电容。
4. 材料：涤纶电容的外壳通常由聚酯薄膜或聚酰胺薄膜制成。
这可以通过观察外壳的材质来判断电容的类型。
总之，通过以上几个方面的判断，可以很好地识别涤纶电容，避免误用其他类型的电容。
- 1 -。
材质不同的三星贴片电容比较
材质不同的三星贴片电容比较
三星贴片电容采用的材质主要分为有：NPO(COG)材质、X5R/X7R材质和Y5V材质等
三种材质组成材料不一，物理性质因此发生了改变，所制成电容器的性能也就只能适合不同的应用环境。
这里就针对几点对其进行比较。
1.物理性质分类：
NPO(COG)材质的贴片电容属于I类高频电容器
X5R/X7R材质的贴片电容属于II类低频电容器
Y5V材质的贴片电容属于II类低频电容器
2.电容量的稳定性：
NPO(COG)材质的贴片电容：几乎不随环境温度、电压和时间的变化而变化，电容量非常稳定。
X5R/X7R材质的贴片电容：对环境温度、电压和时间的变化相对敏感，其电容量相对稳定。
Y5V材质的贴片电容：其电容量受环境、温度、电压和时间的影响变化大，电容量不稳定。
3.性能特点：
NPO(COG)材质：具有高的电容量稳定性。
在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃，
X5R/X7R材质：具有较高的电容量且较稳定。
在-55℃～＋125℃工作范围内，其温度系数为±15％，
Y5V材质：具有较宽的容量范围。
在-55℃～＋85℃工作范围内，其温度系数为＋80-20％4.应用：
三种材质均为叠层独石结构，具有高可靠性、优良的焊接性及布耐焊性。
广泛应用于回流焊和波峰焊。
5.代表品：
NPO(COG)材质：三星贴片电容 3216 1206 20PF NPO 50V COG
X5R/X7R材质：三星贴片电容C0402X5R0J224KT
Y5V材质：三星贴片电容 0805 1-100pf。
电容的种类
双电层电解电容器
它是介于电池和电容器之间的一种特种元件，具有超大容量，被称作超 级电容器。双电层电解电容器除有超大容量外，还具 有充放电能力强、 漏电流小，电荷储存时间长等特点，从而具有电池的特点。但由于等效 电阻大，目前只能应用于直流或低频条件下，常用作瞬时掉电保护电 源、闪光灯及信号灯等大电流电源，以及用作低频滤波、延时电路、定 时器等。 半导体电容器：具有体积小、容量大的特点，粒界层半导体电容器具有 压敏电阻特性，电容器两端电压超过临界值时，其阻值突降，电流剧 增，以便吸收异常高的电压。目前半导体电容器的额定电压范围在12 —50V。 玻 璃釉电容器：此种电容器的性能可与云母电容器媲美，能耐受各种 气候环境，抗潮性较好，在相对湿度为98%的条件下能正常工作；一般 可在200℃或更高温度下工作；额定工作电压可达500V；损耗角正切值 较小；由于介质的介电系数大，电容器的体积可以做得很小，很适合在 半导体电路和小型电子仪器中的交直流和脉冲电路中使用。 另外还有微调电容器，多用在收音机和录音机的输入调谐回路和振荡回 路起补偿作用；可变电容器，多用于电台选择。
1.2 电解质芯片电容器种类:
依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯 片 (105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成 一薄层氧化物作为电介质，以电解质（常为液体、半液体或胶状的电解 液）作为阴极而构成的电容器。电解电容器的阳极通常采用腐蚀箔或者 粉体烧结块结构，其主要特点是单位面积的容量很高，可以做到几万甚 至几十万微法的容量,在小 型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟 的优势。目前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器和钽电解电 容器。 由于构成电解电容器两电 极的材料不同，因此有极性的区分，一般 极性在壳体上有标注,有时也用引线的长短来表示，长线为正，短线为 负,在电路中使用时正、负极不能接错。当极性被反接或两端所加电压 超出规格时因漏电流急剧增大发热，电解液将被气化而爆出,即发生所 谓击穿。电解电容器特性受温度、频率的影响很大。 铝电解电容器
电容器种类
电容器种类电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型(>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型(7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型(Low ESR)等.2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性.电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即+/-20%, 塑料薄膜电容器为J即+/-5%或K即+/-10%, 或M即+/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type 为C即+/-0.25pF (10pF以下时), 或D即+/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即+80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定,为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为+/-60ppm, UJ即为-750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为+/-10%, E (5U)即为+20/-55%, F (5V)即为+30/-80%. 5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下(取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为-40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为-40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为-25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围: 需选定一般型-25℃至+85℃或耐高温型-40℃至+105℃B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为+100/-10%或M型+/-20%.D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型(例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型(例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型(例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯(代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为1KV以上使用, PPN材质为1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯(代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证, 一般称为X2电容.C. 聚乙脂(代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D. 金属化聚乙烯(代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯(代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低, 可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.安规电容器X Cap及Y Cap 附加说明1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3 phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 for AC wall-let impulsed voltage tested at2.5 KV.2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF. small to limit AC leakage current. Y1 for double insulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basic insulation impulsed tested at 5KV.3. Capacitor Discharge: The capacitor discharge test ensures that if an ac plug is abruptly removed from its receptacle, the voltage across the line and neutral terminals will not exceed a safe level. Per UL 1950, voltage across a capacitance greater than 0.1 μF must decay to 37% of the ac-input peak voltage in 1 second for type A equipment and 10 seconds for type B equipment. IEC 61010-1 requires that the pins not be hazardous (live) at 5 seconds after disconnection from the supply.各类电容器参考规格电解质电容Electrolytic Capacitor种类(Mini) >=11mm (Super-Mini) 7mm (Ultra-Mini) 5mm额定电压6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V容值范围(120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf0.1-220uf容值误差(120Hz) M M M M温度范围-40℃——+85℃-25℃——+85℃-40℃——+105℃-40℃——+105℃漏电流(3 Min.) <=0.01 CV 或3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或3 uA <=0.01 CV 或3 uA损失角(120Hz) <=0.08——0.22 <=0.16——0.20 <=0.1——0.24<=0.1——0.24种类(High Temp.) >=11mm (Low leakage) >=11mm (Mini / Low leakage) 7mm额定电压6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V容值范围(120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 容值误差(120Hz) M M M M温度范围-40℃——+105℃-25℃——+105℃-40℃——+105℃-40℃——+105℃漏电流(3 Min.) <=0.01 CV 或3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.002CV或0.4uA <=0.002CV或0.4uA损失角(120Hz) <=0.08——0.22 <=0.15——0.24 <=0.1——0.24<=0.1——0.24种类(Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm (LowESR)额定电压25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V容值范围(120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 4.7-3300uf 3.3-330uf容值误差(120Hz) M M M温度范围-40℃——+85℃-40℃——+105℃-40℃——+85℃-55℃——+105℃-40℃——+105℃漏电流(3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或4 uA <=0.03 CV 或3 uA损失角(120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12——0.24Ripple Current 6-8 Amp电解质芯片电容Electrolytic Chip Capacitor种类Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.) Electrolytic (Non-polar) Tantalun Chip电容值范围0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1——-220 uf额定电压范围6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3——-50 V容值误差范围M M M K / M温度范围-40℃——+85℃-40℃——+105℃-40℃——+85℃-55℃——+125℃漏电流<=0.01 CV 或3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或3 uA 0.01 CV 或5 uA损失角<=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08塑料薄膜电容器Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯种类Polyester 聚乙烯Metallized Polyester Polystrene 聚乙脂电容值范围0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf额定电压范围50/100/200/400V 50/100/250/400/630V 50/100/125/250/500V 容值误差范围J, K, M. J, K, M. G, J, K.温度范围-40℃——+85℃-40℃——+85℃-40℃——+85℃损失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.Inductive / 代号No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No / MPE (Red) No / PS金属化聚丙烯种类Polypropylene 聚丙烯Metallized Polypropylene Metallized Polypropylene 金属化聚丙烯电容值范围0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf额定电压范围50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V 250/275VAC容值误差范围J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf), M(<0.01uf)温度范围-40℃——+85℃-40℃——+85℃-40℃——+85℃损失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V / 1Sec. DC 2000V / 1Sec. Inductive / 代号No, PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MP No / MPX (X2 Cap.)Across the line cap.陶瓷芯片电容(MLCC)Multi-layer Ceramic Chip型号0402 0603 0805 1206尺寸inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W额定电压16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V 25/50/100/200/500V温度系数COG (NPO) X7R Y5V容值范围<=220pf温度范围-55℃——+125℃-55℃——+125℃-30℃——+85℃容值误差F 或G 或J 或K J 或K 或M +80/-20% 或MD值(1KHz) <=0.0015 <=0.025 <=0.05陶瓷电容Ceramic Disc ChipClass-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120) SL (+350/_1000)容值范围<=680pf <=680pf <=680pf温度范围-55℃——+85℃-55℃——+85℃-40℃——+85℃容值误差C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/KQ值(1MHz) <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C <=30pfQ>=400+20C>30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55% F(Z5V) +30/-80%容值范围100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf温度范围-25℃——+85℃+10℃——+85℃+10℃——+85℃容值误差K M +80/-20%额定电压50/63/100/500/630/1KVD值(1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55% F(Y5V) +30/-80% 容值范围0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf温度范围-25℃——+85℃-25℃——+85℃-25℃——+85℃容值误差K M +80/-20%额定电压16/25/50/63VD值(1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05。
电容材质与性能
一、贴片电容-单片陶瓷电容（1）命名规则：0805CG102J500NT 0805:是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为0.05 英寸CG :是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容，102 :是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×100 也就是= 1000PF J:是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的500:是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
N:是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡T:是指包装方式，T 表示编带包装，贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关(贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字)，而贴片电阻是丝印而成(可以印刷标记)。
（2）材质性能就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
云母片 高频电容
云母片高频电容
云母片是一种具有优异电性能和耐热的绝缘材料，因此被广泛应用于电子、电气、通讯、航空航天、军工等领域。
云母电容是用金属箔或者在云母片上喷涂银层做的电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。
云母电容具有介质损耗小、绝缘电阻大、温度系数小、适宜用于高频电路等特点。
高频电容是指用于处理高频信号的电容。
由于高频信号的特性，对电容的参数要求较高，需要选择具有较低的电感、较低的损耗和较高的Q值（品质因数）的电容。
云母电容作为一种高性能的电容器，具有良好的高频特性，因此在高频电路中也有广泛的应用。
总的来说，云母片是一种材料，而云母电容是用这种材料制成的电容器。
云母电容具有良好的高频特性和绝缘性能，因此在电子设备和系统中得到了广泛的应用。
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一、按照功能
1.名称：聚酯（涤纶）电容
符号：（CL）
电容量：40p--4μ
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
2.名称：聚苯乙烯电容
符号：（CB）
电容量：10p--1μ
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
3.名称：聚丙烯电容
符号：（CBB）
电容量：1000p--10μ
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
4.名称：云母电容
符号：（CY）
电容量：10p--0.1μ
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
5.名称：高频瓷介电容
符号：（CC）
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
6.名称：低频瓷介电容
符号：（CT）
电容量：10p--4.7μ
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路
7.名称：玻璃釉电容
符号：（CI）
电容量：10p--0.1μ
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路
8.名称：铝电解电容
符号：(CD)
电容量：0.47--10000μ
额定电压：6.3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
9.名称：钽电解电容
符号：（CA）
电容量：0.1--1000μ
额定电压：6.3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
10.名称：空气介质可变电容器
符号：
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
11.名称：薄膜介质可变电容器
符号：
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
12.名称：薄膜介质微调电容器
符号：
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
13.名称：陶瓷介质微调电容器
符号：
可变电容量：0.3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
14.名称：独石电容
容量范围：0.5PF--1ΜF
耐压：二倍额定电压。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。
各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，我们做的一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后，用示波器看频率，眼看着就慢慢变化，后来换成涤纶电容就好多了。
就温漂而言：独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。
就价格而言：钽、铌电容最贵，独石、CBB较便宜，瓷片最低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也稍贵。
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。
2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。