碳化硅工艺过程

碳化硅工艺过程
碳化硅工艺过程

生产技术

一、生产工艺

1.碳化硅

原理:通过石英砂、石油胶和木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成,主要反应机理是SiO2+3C----SiC+2CO。

碳化硅电阻炉制炼工艺:炉料装在间歇式电阻炉内,电阻炉两端端墙,近中心处是石墨电极。炉芯体连接于两电极之间。炉芯周围装的是参加反应的炉料,外部则是保温料。冶炼时,给电炉供电,炉芯温度上升,达到2600~2700℃。电热通过炉芯表面传给炉料,使之逐渐加热,达到1450℃以上时,即发尘化学反应,生成碳化硅,并逸出一氧化碳。随着时间的推移,炉料高温范围不断扩大,形成碳化硅愈来愈多。碳化硅在炉内不断形成,蒸发移动,晶体长大,聚集成为—个圆筒形的结晶筒。结晶筒的内壁因受高温,超过2600℃的部分就开始分解。分解出的硅又与炉料中的碳结合而成为新的碳化硅。

破碎:把碳化硅砂破碎为微粉,国内目前采用两种方法,一种是间歇的湿式球磨机破碎,一种是用气流粉末磨粉机破碎。我公司已由气流粉末磨碎机代替湿式球磨机破碎。

湿式球磨机破碎时用是用湿式球磨机将碳化硅砂磨成微粉原料,每次需磨6-8小时。所磨出的微粉原料中,微粉约占60%左右。磨的时间越长,则微粉所占的比例越大。但过粉碎也越严重,回收率就会下降。具体的时间,应该与球磨比、球径给配、料浆浓度等工艺参数一起经实验优选确定。该方法最大的优点就是设备简单,缺点是破碎效率较低,后续工序较复杂。

雷蒙磨粉机工作原理是:颚式破碎机将大块物料破碎到所需的粒度后,由提升机将物料输送到储料仓,然后由电磁振动给料机均匀连续地送到主机的磨腔内,由于旋转时离心力作用,磨辊向外摆动,紧压于磨环,铲刀与磨辊同转过程中把物料铲起抛入磨辊与辊环之间,形成填料层,物料在磨辊与磨环之间进行研磨。粉磨后的粉子随风机气流带到分级机进行分选,不合要求的粉子被叶片抛向外壁与气流脱离,粗大颗粒在重力的作用F落入磨腔进行重磨,达到细度要求的细粉随气流经管道进入大旋风收集器,进行分离收集,再经卸料器排出即为成品粉子,气流由大旋风收集器上端回风管吸入鼓风机。在磨腔内因被磨物料中有—定的水分,研磨时发热,水气蒸发,以及各管道接口不严密,外界气体被吸入,使循环风量增高,为保证磨机在负压吠态下工作,增加的气流通过余风管排入除尘器,被净化后排入大气。整个气流系统是密闭循环的,并且是在正负压状态下循环流动的。该法最大的优点是效率较高。而且后续工序较简单。

2、碳化硅微粉

(一)、碳化硅微粉的生产

碳化硅有黑色和绿色两种,相应的微粉亦有两种,两者微粉生产的原则完全一样。

碳化硅微粉生产工艺流程如下所述:

原料一破碎一雷蒙磨机一磁选一超声波筛分一质量检查一包装

碳化硅微粉的生产通常会伴随着生产一部分磨料,先结合本拟建项目的产品大纲对该产品的生产工艺作简要的说明。

(1)原料

绿碳化硅微粉生产采用较粗的绿碳化硅破碎而成,化学成分碳化硅应大于99%,游离碳和氧化铁等都小于0.2%。

(2)破碎

把碳化硅砂破碎为微粉,国内目前采用两种方法,一种是间歇的湿式球磨机破碎,一种是用气流粉末磨粉机破碎。

湿式球磨机破碎时用是用湿式球磨机将碳化硅砂磨成微粉原料,每次需磨

6-8小时。所磨出的微粉原料中,微粉约占60%左右。磨的时间越长,则微粉所占的比例越大。但过粉碎也越严重,回收率就会下降。具体的时间,应该与球磨比、球径给配、料浆浓度等工艺参数一起经实验优选确定。该方法最大的优点就是设备简单,缺点是破碎效率较低,后续工序较复杂。

随着气流磨碎机破碎的技术发展,目前应用逐渐被雷蒙机代替。雷蒙磨粉机工作原理是:颚式破碎机将大块物料破碎到所需的粒度后,山提升机将物料输送到储料仓,然后山电磁振动给料机均匀连续地送到主机的磨腔内,山于旋转时离心力作用,磨辊向外摆动,紧压于磨环,铲刀与磨辊同转过程中把物料铲起抛入磨辊与辊环之间,形成填料层,物料在磨辊与磨环之间进行研磨。粉磨后的粉子随风机气流带到分级机进行分选,不合要求的粉子被叶片抛向外壁与气流脱离,粗大颗粒在重力的作用F落入磨腔进行重磨,达到细度要求的细粉随气流经管道进入大旋风收集器,进行分离收集,再经卸料器排出即为成品粉子,气流由大旋风收集器上端回风管吸入鼓风机。在磨腔内因被磨物料中有—定的水分,研磨时发热,水气蒸发,以及各管道接口不严密,外界气体被吸入,使循环风量增高,为保证磨机在负压吠态下工作,增加的气流通过余风管排入除尘器,被净化后排入大气。整个气流系统是密闭循环的,并且是在正负压状态下循环流动的。该法

最大的优点是效率较高。而且后续工序较简单。

(3)磁选

制造微粉的碳化硅粉末,不论采取何种方法破碎而成,通常都采用湿式磁选及机磁选。这是因为湿式磁选时没有粉尘,磁性物分离彻底,磁选后的产品含铁量少,连同磁性物带走的碳化硅粉末也较少。

(4)水选

水选法的基本原理是利用不同直径的碳化硅颗粒在水中的沉降速度不同而进行粒度分选。

(5)超声波筛分

随着超声技术的发展,在微粉工艺的超声筛分中也得到广泛应用,基本能解决强吸附性、易团聚、高静电、高精细、高密度、轻比重等筛分难题。

(6)质量检查

微粉质量检查包括化学成分、粒度组成等等项目。检查的方法与质量标准参见“碳化硅技术条件。”

(7)磨粉尘产

微粉分组筛选后料头,可以用来制取磨粉。磨粉的生产可以较少浪费,使产品链得到延伸。

(二)、碳化硅磨粉、微粉尘产所需设备

A、鄂式破碎机

鄂式破碎机的结构主要有机架、偏心轴、大皮带轮、飞轮、动颚、边护板、肘板、肘板后座、凋隙螺杆、复位弹簧、固定鄂板与活动鄂板等组成,其中肘板还起到保险作用。其工作原理:电动机驱动皮带和皮带轮,通过偏心轴使动鄂上下运动,当动鄂上升时肘板和动鄂间夹角变大,从而推动活动鄂板向固定鄂板接近,与此同时物料被挤压、搓、碾等多重破碎;当动鄂下行时,肘板和动鄂间夹角变小,活动鄂板在拉杆、弹簧的作用下离开固定鄂板,此时已破碎物料从破碎腔—F门排出,随着电动机连续转动破碎机动鄂作周期性的压碎和排料,实现批量生产。

碳化硅磨粉、微粉生产过程所选用的颚式破碎机破碎方式为曲动挤压型,该系列颚式破碎机性能特点如述,规格参数见表2—6。

表2-6 鄂式破碎机规格参数

型号

进料口尺

寸㎜最大进料

粒度㎜

出料口宽度

调节范围㎜

处理能

力T/H

电机功

率KW

重量T 外形尺寸㎜

PE-250 250×400210 20-80 5-20 15 3.1 2060×1261×1413 PE-400 400×600350 40-160 12-60 30 7.1 1700×1732×1653 PE-600 600×900500 75-200 60-200 75 17.67 2350×2280×2370 PE-750 750×1060630 80-200 90-260 90 24 3000×2466×2592 PEX-150×750150×750120 10-40 8-35 15 4 1480×1630×1040 PEX-175×750175×750140 15-50 10-35 18.5 4.5 1486×1630×1170 PEX250×1000250×1000210 15-50 16-51 37 7 1600×1992×1380 PEX250×1200250×1200210 15-50 20-60 45 9.1 1680×2200×1405

①、破碎腔深而且无死区,提高了进料能力与产量:

②、其破碎比大,产品粒度均匀:

③、弹簧式排料口调整装置,可靠方便,调节范围大,增加了设备的灵活性;

④、润滑系统安全可靠,部件更换方便,保养工作量小;

⑤、结构简单,工作可靠,运营费用低。

⑥、设备节能:单机节能15%~30%,系统节能一倍以上:

⑦、排料门凋整范围大,可满足不同用户的要求:

⑧、噪音低,粉尘少。

⑨、轴承座、机体、动颚采用高质量铸钢构件,偏心轴采用锻造加,颚板采

用锰材料制造,并采用先进的加工、装配工艺,使设备经久耐用,运行可靠,易

损件少,维修量小。

颚式破碎机的破碎能力是指,单位时间内破碎物料的多少,其单位一般用:

吨/小时。影响破碎机的生产能力的因素有很多:

①、物料的硬度。越硬的物料破碎起来越困难,而且对设备的磨损越严重。

破碎的速度慢,当然破碎能力就小。

②、物料的湿度,即物料中含的水分较大时,物料在破碎机内容易粘附,也

容易在下料输送过程中堵塞,造成破碎能力减小。

③、破碎后物料的细度,细度要求高,即要求破碎出来的物料越细,则破碎

能力越小。

④、物料的组成,破碎前物料里含的细粉越多越影响破碎,因为这些细粉容易粘附影响输送。对于细粉含量多的应该提前过—次筛。

⑤、物料的粘度。即物料的粘度越大,越容易粘附。

⑥、破碎设备的破碎件(锤头、鄂板)的耐磨性越好破碎能力越大,如果不耐磨,将影响破碎能力。

B、直线振动筛

直线振动筛简称直线筛,它是利用振动电机激振作为振动源,使物料在筛网上被抛起,同时向前作直线运动,物料从给料机均匀地进入筛分机的进料口,通过多层筛网产生数种规格的筛上物、筛下物、分别从各白的出口排出。

拟建项日所选用的直线筛为DZSF型,它具有以下特点:

①、密封性好、极少粉尘溢散。

②、耗能少、噪音低、筛网使用寿命长。

③、筛分精度高、处理量大、结构简单。

④、个封闭结构、自动排料、更适合于流水线作业。

⑤、筛体各部分均采用轧制钢板及型材焊接而成(部分组体间为螺栓连接)整体刚度好,牢固可靠。

C、雷蒙机

雷蒙磨粉机主要山主机、分级机、鼓风机、成品收集器、管道装置等组成。

雷蒙机的工作原理是颚式破碎机将大块物料破碎到所需的粒度后,山提升机将物料输送到储料仓,然后山电磁振动给料机均匀连续地送到主机的磨腔内,对旋转时离心力作用,磨辊向外摆动,紧压于磨环,铲刀与磨辊同转过程中把物料铲起抛入磨辊与辊环之间,形成填料层,物料在磨辊与磨环之间进行研磨。粉磨后的粉子随风机气流带到分级机进行分选,不合要求的粉子被叶片抛向外壁与气流脱离,粗大颗粒在重力的作用下落入磨腔进行重磨,达到细度要求的细粉随气流经管道进入大旋风收集器,进行分离收集,再经卸料器排出即为成品粉子,

气流山大旋风收集器上端回风管吸入鼓风机。在磨腔内因被磨物料中有一定的水分,研磨时发热,水气蒸发,以及各管道接口不严密,外界气体被吸入,使循环风量增高,为保证磨机在负压状态下工作,增加的气流通过余风管排入除尘器,被净化后排入大气。整个气流系统是密闭循环的,并且是在正负压状态下循环流动的。

雷蒙磨粉机随着行业的不断发展,做为我国粉体行业研磨的主要设备,”高可靠性、节能、精确、自动化是其发展的必然趋势。拟建项目所选用的节能超细

雷蒙磨机除了具有风选气流循环流动作业的特点外,还有以下特点:

①、整机为立式结构,占地面积小,系统性强,从原材料的粗加工到输送

到制粉及最后的包装,可自成一个独立的生产系统。

②、与其他磨粉设备相比,通筛率高达99.5%。

③、主机传动装置采用密闭齿轮箱,传动平稳,运转可靠。

④、磨粉机重要部件均采用优质铸件及型材制造,工艺精细,保证了整套

设备的耐用性。

⑤、磨粉机电气系统采用集中控制系统采用集中控制,选型先进合理自动

化程度高,根据用户需要可采用触摸屏或计算机控制。

雷蒙机的规格技术参数见表2—7

表2-7规格技术参数

参数/型号3R2115 3R2615 3R2715 4R3216-11 5R4119-11 最大进料粒度(㎜)≤15 ≤20 ≤20 ≤25 ≤30

成品粒度(㎜)0.125-0.044 0.125-0.044 0.125-0.044 0.125-0.044 0.125-0.044

成品细(㎜)(不同的物料)0.125 产

(t/h)

1.2-1.8 1.8-

2.5 2.3-2.8

3.2-

4.5 4-6 0.075 0.6-1.2 1.2-1.8 1.8-2.3 2.4-3.1 3.5-4 0.044 0.6-1.0 0.8-1.2 0.9-1.7 1.8-2.5 2.4-3.1

2-3.5主机功率(KW)15 18.5 22 37 75 中心轴转速(转/分)180 150 150 130 103 磨环内径(㎜)?640?780?830?9701280

磨辊

个数 3 3 3 4 5 直径(㎜)?210?260?270?320410 E、超声波筛分机

超声波振动筛的基本原理是振荡器产生的高频电振荡山转换器转换成正弦,和纵向振荡。这些波动被传输到预先调好的棒式共振器,然后均匀传输至筛面。拟建项目选用的超声波筛分已成功用于:400目、500目、600目筛分碳化硅,具有以下特点

*具备自洁功能网孔不堵塞。

*适用于40-635目尤其是筛分100目以下颗粒。

*改变筛分物料的特性。

*筛分粒度可提高1—70%产量最大提高10倍。

*无需添加弹跳等防堵塞装置筛网使用寿命延长。

*筛分粒度特高,有效解决强吸附性、易团聚、高静电、高密度、比重轻等筛分难题。

F、其它设备

碳化硅磨粉、微粉生产除上述的设备外,另外还需要配备提升机,皮带运输机、气流分选机:干洗设备、除尘设备、磁选机件、检化验设备等,这里就不一赘述了,总之设备选型本着“技术先进、安全可靠、经济实用”的原则,在满足工艺,产布置的要求情况下,尽可能节约投资,减少重复投资。

国内外碳化硅的合成研究进展

国内外碳化硅合成研究进展 学院:材料与化工学院 专业:化学工程与工艺 学号:20090411310050 姓名:宋新乐 时间:2011年10月5日

国内外碳化硅的合成研究进展 化学工程与工艺 宋新乐 20090411310050 一、摘要 近年来,随着各项科技的发展,尤其是航海,航空,导弹等高科技的发展,对材料的要求越来越苛刻,而碳化硅材料作为一种新型无机材 料,越来越受到这些领域的欢迎。但天然碳化硅含量极少,根本不能满 足需求,故而对碳化硅合成的研究成为必然的趋势。 二、关键词 碳化硅合成研究发展 三、正文 1、碳化硅的发现 爱德华?古德里希?艾其逊在1893年制造出此化合物,并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉,至今此技术仍为众人使用中。 2、碳化硅的性质 碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物,在高于2000°C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维 锌矿)。β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石相似,则在低于 2000 °C生成,结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用 上,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,但直至今日, 此型态尚未有商业上之应用。因其3.2的比重及高的升华温度(约 2700 °C),碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已 能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性。由于其 高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度,近来在半导体高功率 元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。此外,它与微波辐射有很 强的偶合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。 纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体 上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。 3、碳化硅的用途

碳化硅粉体的制备及改性技术

随着科学技术的发展, 现代国防,空间技术以及汽车工业等领域不仅要求工程材料具备良好的机械性能,而且要求其具有良好的物理性能。碳化硅(SiC)陶瓷具有高温强度和抗氧化性好、耐磨性能和热稳定性高、热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好等优点,因而常常用于制造燃烧室、高温排气装置、耐温贴片、飞机引擎构件、化学反应容器、热交换器管等严酷条件下的机械构件,是一种应用广泛的先进工程材料。它不仅在正在开发的高新技术领域(如陶瓷发动机、航天器等)发挥重要作用,在目前的能源、冶金、机械、建材化工等[1]领域也具有广阔的市场和待开发的应用领域。为此,迫切需要生产不同层次、不同性能的各种碳化硅制品。碳化硅的强共价键导致其熔点很高,进而使SiC粉体的制备、烧结致密化等变得更加困难。本文综述了近些年碳化硅粉体的制备及改性、成型和烧结工艺三个方面的研究进展。 [1]蔡新民,武七德,刘伟安.反应烧结碳化硅过程的数学模型[J].武汉理工大学学报, 2002, 24(4): 48-50 1 碳化硅粉体的制备及改性技术 碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态主要可以分为三大类:固相法、液相法和气相法。 1.1 固相法 固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊(Acheson)法、竖式炉法和高温转炉法。SiC粉体制备最初是采用Acheson法[2],用焦炭在高温下(2400 ℃左右)还原SiO2制备的,但此方法获得的粉末粒径较大(>1mm),耗费能量大、工艺复杂。20世纪70年代发展起来的ESK法对古典Acheson法进行了改进,80年代出现了竖式炉、高温转炉等合成β-SiC粉的新设备。随着微波与固体中的化学物质有效而特殊的聚合作用逐渐被弄清楚,微波加热合成SiC粉体技术也日趋成熟。最近,L N. Satapathy等[3]优化了微波合成SiC的工艺参数。他们以Si+2C为起始反应物,采用2.45 GHz的微波在1200-1300 ℃时保温5分钟即可实现完全反应,再通过650 ℃除碳即可获得纯的β-SiC,其平均粒径约0.4 μm。硅碳直接反应法又包括自蔓延高温合成法(SHS)和机械合金化法。SHS还原合成法利用SiO2与Mg之间的放热反应来弥补热量的不足,该方法得到的SiC粉末纯度高,粒度小,但需要酸洗等后续工序除去产物中的Mg。杨晓云等[4]将Si 粉与C 粉按照n(Si):n(C) = 1:1制成混合粉末,并封装在充满氩气的磨罐中,在WL-1 行星式球磨机上进行机械球磨,球磨25 h 后得到平均晶粒尺寸约为6 nm 的SiC 粉体。 [2] 宋春军,徐光亮. 碳化硅纳米粉体的合成、分散与烧结工艺技术研究进展[J].材料科学与工艺,2009,17(2):168~173 [3] L N. Satapathy,P D. Ramesh,Dinesh Agrawal,et al. Microwave synthesis of phase-pure, fine silicon carbide powder[J].Materials Research Bulletin, 2005, 40(10):1871-1882. [4] 杨晓云, 黄震威. 球磨Si, C 混合粉末合成纳米SiC 的高分辨电镜观察. 金属学报,2000, 36(7): 684-688. 1.2 液相法 液相法主要有溶胶-凝胶(Sol-gel)法和聚合物热分解法。溶胶凝胶法为利用含Si和含C的有机高分子物质,通过适当溶胶凝胶化工艺制取含有混合均匀的Si和C的凝胶,然后进行热解以及高温碳热还原而获得碳化硅的方法。Limin Shi等[5]以粒径9.415 μm的SiO2为起始原料,利用溶胶凝胶法在其表面包覆一层酚醛树脂,通过热解然后1500 ℃于Ar气氛下进行还原反应,获得了粒径在200 nm左右的SiC颗粒。有机聚合物的高温分解是制备碳化硅的有效技术:一类是加热凝胶聚硅氧烷,发生分解反应放出小单体,最终形成SiO2和C,再由碳还原反应制得SiC 粉;另一类是加热聚硅烷或聚碳硅烷放出小单体后生成骨架,最终形成SiC 粉末。

碳化硅陶瓷生产工艺_碳化硅陶瓷烧结方法

碳化硅陶瓷生产工艺_碳化硅陶瓷烧结方法 21世纪是信息化时代,但很多人都开始了传统的生活,注意养生,比如想要逃离城市,进入乡村,因为乡下的空气好;又比如不再吃大鱼大肉,而是吃起了野菜。那么传统的陶瓷自然也受到人们的喜爱了。碳化硅陶瓷生产工艺是什么,碳化硅陶瓷烧结方法有哪些,碳化硅扰动喷嘴清洗剂哪种好,这就是今天小编带来的问题内容。 碳化硅陶瓷-生产工艺 碳化硅陶瓷主要组成物是SiC,这是一种高强度、高硬度的耐高温陶瓷,在1200℃~1400℃使用仍能保持高的抗弯强度,是目前高温强度高的陶瓷,碳化硅陶瓷还具有良好的导热性、抗氧化性、导电性和高的冲击韧度。是良好的高温结构材料,可用于火箭尾喷管喷嘴、热电偶套管、炉管等高温下工作的部件;利用它的导热性可制作高温下的热交换器材料;利用它的高硬度和耐磨性制作砂轮、磨料等。 SiC具有很高的抗氧化性,因为在体材料的氧化过程中会在氧化界面形成SiO2层,从而阻止了氧化

的进行化学方程式:2SiC+3O2=2SiO2+2CO(好的稳定性就包括化学稳定强和物理稳定性强,化学稳定性强包含抗氧化、 耐腐蚀,物理稳定性主要 指热膨胀系数低、抗弯强 度高、耐高温,不容易受 温差和外部环境影响。) 力学性能 陶瓷材料是工程材料中刚 度好、硬度高的材料,其 硬度大多在1500HV以上。 陶瓷的抗压强度较高,但 抗拉强度较低,塑性和韧 性很差。 热性能 陶瓷材料一般具有高的熔点(大多在2000℃以上),且在高温下具有好的化学稳定性;同时陶瓷的线膨胀系数比金属低,当温度发生变化时,陶瓷具有良好的尺寸稳定性。 电性能 陶瓷散热片具有良好的电绝缘性,绝缘阻抗为10GΩ(吉欧) 化学性能 陶瓷材料在高温下不易氧化,因为在体材料的氧化过程中会在氧化界面形成SiO2层,从而阻止了氧化的进行。化学方程式:2SiC+3O2=2SiO2+2CO,并对酸、碱、盐具有良好的抗腐蚀能力。碳化硅扰动喷嘴-清洗剂如何选择 1、碳化硅喷嘴清洗剂应不产生影响清洁过程及现场卫生的泡沫和异味。 2、清洗剂清洁污垢的速度要快要彻底。

国内外碳化硅的研究和发展、

摘要: 随着工业的发展和科学技术的进步,碳化硅的非磨削用途在不断扩大,在耐炎材料方面用于制作各种高级耐炎制品,如垫板、出铁槽、坩锅熔池等;在冶金工业上作为炼钢脱氧剂,可以节电,缩短冶炼时间,改善操作环境;在电气工业方面利用碳化硅导电、导热及抗氧化性来制造发热元件——硅碳棒。碳化硅的烧结制品可作固定电阻器,在工程上还可作防滑防腐蚀剂。碳化硅与环氧树脂混合可涂在耐酸容器中、蜗轮机叶片上起防腐耐磨作用。SiC由于具有优良的耐高温、耐磨耗、耐腐蚀及高的热传导性能,近年来受到人们极大关注。作为一种新型的非氧化物精细陶瓷材料,其研究与应用均取得了长足的发展。 关键词:碳化硅,结构,粉体合成,碳化硅制品 正文: 一、SiC的结构 SiC晶型结构有αβ型二种,α型为六方晶型,β型为立方晶型。α型SiC 的分解温度在2400度左右,称为高温异形体2在温度低于2000度时,SiC以β型方式存在,称为低温异形体。立方晶型的β—SiC可在1450度左右由简单的硅和碳混合物制得,温度高时β—SiC 会转相生成α—SiC。SiC没有一个固定的熔点,在密堆积系中,在1bar 总压力下,约在! 0.3!时分解成石墨和富硅熔融物,此温度是形成SiC晶体的最高温度。在松散的堆积系中,SiC在2300度左右开始分解,形成气态硅和石墨残余物。 二、SiC粉体的制作方法 SiC粉体的制作方法大体可分为两大类。一是把由固相得到的粗粒子进行粉碎的分解方法;另一类是用气相法等直接合成SiC 细粉末的聚集方法。这两大类方法根据原料的种类和加热方式的不同,又被分成几种。 (1)A cheson法 这是一种最古老的工业化生产SiC的方法,把硅石和焦炭进行混合作为原料,充填在石墨炉芯的周围,给炉芯通电加热,使炉芯周围温度达2500度以上,反应生成物在此温度下反复进行再结晶,就得到了从晶粒成长起来达数cm厚度的α—

【CN109748282A】一种低温制备纳米碳化硅的方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910227916.3 (22)申请日 2019.03.25 (71)申请人 东北大学 地址 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路 三巷11号 (72)发明人 孙蔷 王增榕  (74)专利代理机构 大连理工大学专利中心 21200 代理人 陈玲玉 梅洪玉 (51)Int.Cl. C01B 32/97(2017.01) B82Y 40/00(2011.01) H01M 4/58(2010.01) H01M 10/0525(2010.01) B01J 32/00(2006.01) (54)发明名称 一种低温制备纳米碳化硅的方法 (57)摘要 本发明提出了一种低温制备纳米碳化硅的 方法,该方法采用“双限域”过程,首先通过热解 二氧化硅/聚合物的复合物制备二氧化硅/碳的 复合物,然后将得到的复合物与金属镁或钙机械 混合,在密闭的反应器内热处理,最后,用盐酸和 氢氟酸依次清洗可得到纳米结构SiC。在这一合 成路线中二氧化硅/碳复合物中的碳骨架提供第 一限域效应,限制纳米SiC的长大,而密闭反应器 提供第二限域效应,降低碳热还原的温度。该方 法制备的纳米碳化硅具有大的比表面积和丰富 的孔隙,可以作为载体负载金属银催化剂,以及 用于锂离子电池负极材料。本发明提供的纳米碳 化硅制备方法,工艺过程简单、便于实现规模化 生产。权利要求书1页 说明书3页 附图5页CN 109748282 A 2019.05.14 C N 109748282 A

权 利 要 求 书1/1页CN 109748282 A 1.一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,包括步骤如下: (1)采用聚合物以及纳米尺度二氧化硅作为原料,按聚合物与二氧化硅的质量比在1: 5-0.5之间进行机械混合; (2)将(1)制备的混合物在500-900℃内热解1-4h,生成二氧化硅/碳复合物;所述热解气氛为氩气或氮气,气流量为0.2-3L/min,升温速率为1-10℃/min; (3)将(2)得到的二氧化硅/碳复合物与金属还原剂进行机械混合,然后转移到密闭反应器中,随后进行热处理;热处理温度为400-750℃;得到碳热还原产物; (4)将(3)碳热还原产物置于混合酸中,静置3-48h,后用去离子水洗涤,最后置于烘箱干燥,制得纳米碳化硅;所述混合酸为1:1-5体积比混合的氢氟酸与浓盐酸,混酸中氢离子浓度为0.1-1.0M/L。 2.根据权利要求1所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(1)中所述的聚合物为碳含量在30wt%以上的聚合物。 3.根据权利要求2所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(1)中聚合物为酚醛树脂、淀粉、纤维素、甲壳素、脲醛树脂中的一种或两种以上的混合。 4.根据权利要求1或2或3所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(3)中热处理温度为400-550℃。 5.根据权利要求1或2或3所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(1)中纳米尺度二氧化硅的形貌为球型和棒状,且粒径在5-80nm范围内。 6.根据权利要求1或2或3所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(3)中所述金属还原剂为钠、镁或钙中的一种;密闭反应器的材质为不锈钢或铜。 7.根据权利要求1或2或3所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(4)中干燥温度80℃,干燥4-10h。 8.根据权利要求1或2或3所述的一种低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于,(1)和(3)中机械混合方式为球磨或机械搅拌。 9.权利要求1-8任一所述方法制备的纳米碳化硅的应用,其特征在于,介孔结构的纳米碳化硅,应用于锂离子电池电极材料和催化剂载体。 2

第三代半导体面-SiC(碳化硅)器件及其应用

第三代半导体面-SiC(碳化硅)器件及其应用 作为一种新型的半导体材料,SiC以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重要的半导体材料.特别是在极端条件和恶劣条件下应用时,SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件.因此,SiC器件和各类传感器已逐步成为关键器件之一,发挥着越来超重要的作用. 从20世纪80年代起,特别是1989年第一种SiC衬底圆片进入市场以来,SiC器件和电路获得了快速的发展.在某些领域,如发光二极管、高频大功率和高电压器件等,SiC器件已经得到较广泛的商业应用.发展迅速.经过近10年的发展,目前SiC器件工艺已经可以制造商用器件.以Cree为代表的一批公司已经开始提供SiC器件的商业产品.国内的研究所和高校在SiC材料生长和器件制造工艺方面也取得厂可喜的成果.虽然SiC材料具有非常优越的物理化学特性,而且SiC器件工艺也不断成熟,然而目前SiC器件和电路的性能不够优越.除了SiC材料和器件工艺需要不断提高外.更多的努力应该放在如何通过优化S5C器件结构或者提出新型的器件结构以发挥SiC材料的优势方面. 1 SiC分立器件的研究现状 目前.SiC器件的研究主要以分立器件为主.对于每一种器件结构,共最初的研究部是将相应的Si或者GaAs器件结构简单地移植到SiC上,而没有进行器件结构的优化.由于SiC的本征氧化层和Si相同,均为SiO2,这意味着大多数Si器件特别是M帕型器件都能够在Si C上制造出来.尽管只是简单的移植,可是得到的一些器件已经获得了令人满意的结果,而且部分器件已经进入厂市场.S iC光电器件,尤其是蓝光发光二极管在20世纪90年代初期已经进入市场,它是第一种大批量商业生产的SiC器件.日前高电压SiC肖特基二极管、SiC射频功率晶体管以及SiC M OSFET和MESFET等也已经有商业产品.当然所有这些SiC产品的性能还远没有发挥SiC 材料的超强特性,更强功能和性能的SiC器件还有待研究与开发.这种简单的移植往往不能完全发挥SiC材料的优势.即使在SiC器件的一些优势领域.最初制造出来的SiC器件有些还不能和相应的Si或者CaAs器件的性能相比. 为了能够更好地将SiC材料特性的优势转化为SiC器件的优势,目前正在研究如何对器件的制造工艺与器件结构进行优化或者开发新结构和新工艺以提高SiC器件的功能和性能.1.1 SiC肖特基二极管 肖特基二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域有重要的应用.由于肖特基二极管的制造工艺相对比较简单,所以对SiC肖特基二极管的研究较为成熟.普渡大学最近制造出了阻断电压高达4.9kV的4H-SiC肖特基二极管,特征导通电阻为43mΩ?c㎡,这是目前SiC 肖特基二极管的最高水平. 通常限制肖特基二极管阻断电压的主要因素是金—半肖特基接触边沿处的电场集中.所以提高肖特基二极管阻断电压的主要方法就是采用不同的边沿阻断结构以减弱边沿处的电场集中.最常采用的边沿阻断结构有3种:深槽阻断、介质阻断和pn结阻断.普放大学采用的方法是硼注入pn结阻断结构,所选用的肖特基接触金属有Ni,Ti.2000年4月Cree和K ansai联合研制出一只击穿电压高达12.3kV的SiC整流器,主要采用了新的外延工艺和改进的器件设计.该器件具有很低的导通电阻,正向导通电压只有4.9 V ,电流密度高,可以达到100A/c㎡,是同类Si器件的5倍多. 1.2 SiC功率器件 由于SIC的击穿电场强度大约为Si的8倍.所以SiC功率器件的特征导通电阻可以做得小到相应Si器件的1/400.常见的功率器件有功率MOSFET、IGBT以及多种MOS控制闸流管等.为了提高器件阻断电压和降低导通电阻,许多优化的器件结构已经被使用.表1给出了已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据Si功率MOSFET的功率优值的理论极限

碳化硅陶瓷及制备工艺

碳化硅陶瓷性能及制造工艺 碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性强,耐磨性能好,硬度高,热稳定性好,高温强度大,热膨胀系数小,热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此,已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手,日益受到人们的重视。例如,SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。 SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强 的化合物,SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。因此,SiC强度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱 溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化,但氧化时表面形成的 SiO2会抑制氧的进一步扩散,故氧化速率并不高。在电性 能方面,SiC具有半导体性,少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外,SiC还有优良的导热性。 SiC具有α和β两种晶型。β-SiC的晶体结构为立方晶系,Si和C分别组成面心立方晶格;α-SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体,其中,6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在

SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时,SiC以β-SiC形式存在。当高于1600℃时,β-SiC缓慢转变成α-SiC的各种多型体。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成;对于6H-SiC,即使温度超过2200℃,也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小,因此,微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。 现就SiC陶瓷的生产工艺简述如下: 一、SiC粉末的合成: SiC在地球上几乎不存在,仅在陨石中有所发现,因此,工业上应用的SiC粉末都为人工合成。目前,合成SiC粉末的主要方法有:1、Acheson法: 这是工业上采用最多的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈黑色。 2、化合法: 在一定的温度下,使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞 功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓),二者的物理特性均优于现在使用的Si(硅),作为节能王牌受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。将Si换成GaN或SiC等化合物半导体,可大幅提高产品效率并缩小尺寸,这是Si功率半导体元件(以下简称功率元件)无法实现的。 目前,很多领域都将Si二极管、MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶体管用作功率元件,比如供电系统、电力机车、混合动力汽车、工厂内的生产设备、光伏发电系统的功率调节器、空调等白色家电、服务器及个人电脑等。这些领域利用的功率元件的材料也许不久就将被GaN和SiC所替代。 例如,SiC已开始用于铁路车辆用马达的逆变器装置以及空调等。 电能损失可降低50%以上 利用以GaN和SiC为材料的功率元件之所以能降低电能损失,是因为可以降低导通时的损失和开关损失。比如,逆变器采用二极管和晶体管作为功率元件,仅将二极管材料由Si换成SiC,逆变器的电能损失就可以降低15~30%左右,如果晶体管材料也换成SiC,则电能损失可降低一半以上。 有助于产品实现小型化 电能损失降低,发热量就会相应减少,因此可实现电力转换器的小型化。利用GaN和SiC 制作的功率元件具备两个能使电力转换器实现小型化的特性:可进行高速开关动作和耐热性较高。 GaN和SiC功率元件能以Si功率元件数倍的速度进行开关。开关频率越高,电感器等构成电力转换器的部件就越容易实现小型化。 耐热性方面,Si功率元件在200℃就达到了极限,而GaN和SiC功率元件均能在温度更高的环境下工作,这样就可以缩小或者省去电力转换器的冷却机构。 这些优点源于GaN和SiC具备的物理特性。与Si相比,二者均具备击穿电压高、带隙宽、

聚碳硅烷低温制备碳化硅泡沫陶瓷

硅酸盐学报 田 仕 等:TiB 2粒径对BN–TiB 2复相陶瓷致密化和性能的影响 · 1763 · 第39卷第11期 聚碳硅烷低温制备碳化硅泡沫陶瓷 刘 卫1 ,黎 阳1,陈 璐1,2 (1. 贵州师范大学材料与建筑工程学院,贵阳 550014;2. 贵州大学材料与冶金学院,贵阳 550025) 摘 要:采用具有连通气孔的聚氨酯海绵浸渍聚碳硅烷(polycarbosilane ,PCS)、碳化硅微粉与四氢呋喃配制的浆料,挂浆素坯经热氧化不熔化处理后,在惰性气氛中于1 000 ℃热解制备碳化硅泡沫陶瓷。研究了固相含量和PCS 含量对碳化硅泡沫陶瓷微观结构、体积密度、线收缩率和抗弯强度的影响,结果表明:固相含量为43.1%~69.6%、PCS 含量为5%~20%的浆料在烧成过程中均可得到SiC 泡沫陶瓷。随PCS 含量提高,泡沫陶瓷线收缩率逐渐升高;抗弯强度随固相含量的提高而增加,随PCS 含量的增加先升高再降低;固相含量为69.6%、PCS 含量为10%的浆料制备的SiC 泡沫陶瓷抗弯强度达3.9 MPa 。 关键词:聚碳硅烷;碳化硅泡沫陶瓷;聚氨酯海绵 中图分类号:TQ174.1+2 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2011)11–1763–05 网络出版时间:2011–10–25 10:49:06 DOI :CNKI:11-2310/TQ.20111025.1049.009 网络出版地址:https://www.360docs.net/doc/0112235494.html,/kcms/detail/11.2310.TQ.20111025.1049.009.html Silicon Carbide Foamed Ceramics Prepared with Polycarbosilane at Low Sintering Temperature LIU Wei 1 ,LI Yang 1,CHEN Lu 1,2 (1. School of Materials and Architecture Engineering, Guizhou Normal University, Guiyang 550014; 2. Materials and Metallurgical Colloge, Guizhou University, Guiyang 550025, China) Abstract: Polyurethane sponges were dipped into a slurry prepared with polycarbosilane (PCS), silicon carbide powder and tetrahy-drofuran in order to obtain the green body. Silicon carbide foamed ceramics were fabricated of pyrolysis of the thermal oxidation treated green body at 1 000 ℃ under inert atmosphere. Effect of the solid content of slurry and PCS content on microstructure, vol-ume density, linear shrinkage and flexural strength of the foamed ceramics were investigated. The results show that silicon carbide foamed ceramics can be obtained from the slurry with the solid content of slurry from 43.1% to 69.6% and PCS content from 5% to 20%. The linear shrinkage gradually increased with increasing the PCS content. The flexural strength of the foamed ceramics in-creased with the increase of the solid content in slurry, but it increased firstly and then decreased with the increase of the PCS content. The flexural strength of the silicon carbide foamed ceramics prepared from slurry of the solid content of 69.6% and PCS content of 10% reached 3.9 MPa. Key words: polycarbosilane; silicon carbide foamed ceramics; polyurethane sponge 近年来,泡沫陶瓷已广泛用作隔热隔音材料和医用材料,以及工业污水处理、汽车尾气处理、电工电子和生物化学等领域。碳化硅(silicon carbide ,SiC)泡沫陶瓷具有质量轻、介电常数高、比表面积大、抗化学腐蚀性能优良,可在恶劣环境下长时间使用等优异性能,在航空航天、电子、生物医学和 冶金等领域具有广阔的应用前景[1–2]。 传统SiC 泡沫陶瓷制备工艺多以SiC 粉、高岭土粉和氧化铝粉为 原料制成浆料,并利用聚氨酯海绵进行挂浆处理,所制备的SiC 泡沫陶瓷含有一定的杂质,且烧成温度较高[3–5]。 聚碳硅烷(polycarbosilane ,PCS)作为SiC 陶瓷先驱体,已广泛应用于制备陶瓷纤维、纳米复相陶瓷、陶瓷基复合材料和陶瓷涂层,具有陶瓷产率高、合成产物杂质少和烧成温度低等优点[6],是一种理想的低温烧结SiC 泡沫陶瓷的黏合剂。聚氨酯海绵 收稿日期:2011–04–20。 修改稿收到日期:2011–06–06。 基金项目:贵州省教育厅自然科学基金重点项目(2009–0036)和贵阳市 科学技术计划项目(2009第1–055号)资助。 第一作者:刘 卫(1966—),女,硕士,教授。 Received date: 2011–04–20. Approved date: 2011–06–06. First author: LIU Wei (1966–) female, master, professor. E-mail: liyang3300@https://www.360docs.net/doc/0112235494.html, 第39卷第11期 2011年11月 硅 酸 盐 学 报 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol. 39,No. 11 November ,2011

SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景

SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景 近年来,Si功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景,其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题,最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。 SiC功率半导体器件技术发展现状1、碳化硅功率二极管 碳化硅功率二极管有三种类型:肖特基二极管(SBD)、PiN二极管和结势垒控制肖特基二极管(JBS)。由于存在肖特基势垒,SBD具有较低的结势垒高度。因此,SBD具有低正向电压的优势。SiC SBD的出现将SBD的应用范围从250 V提高到了1200 V。同时,其高温特性好,从室温到由管壳限定的175℃,反向漏电流几乎没有增加。在3 kV以上的整流器应用领域,SiC PiN和SiC JBS二极管由于比Si整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。 2、单极型功率晶体管,碳化硅功率MOSFET器件 硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域,是首选的器件。有文献报道已成功研制出阻断电压10 kV 的SiC MOSFET。研究人员认为,碳化硅MOSFET器件在3kV~5 kV领域将占据优势地位。尽管遇到了不少困难,具有较大的电压电流能力的碳化硅MOSFET器件的研发还是取得了显著进展。 另外,有报道介绍,碳化硅MOSFET栅氧层的可靠性已得到明显提高。在350℃条件下有良好的可靠性。这些研究结果表明栅氧层将有希望不再是碳化硅MOSFET的一个显著的问题。 3、碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC BJT、SiC IGBT)和碳化硅晶闸管(SiC Thyristor) 最近报道了阻断电压12kV的碳化硅P型IGBT器件,并具有良好的正向电流能力。碳化硅IGBT器件的导通电阻可以与单极的碳化硅功率器件相比。与Si双极型晶体管相比,SiC 双极型晶体管具有低20~50倍的开关损耗以及更低的导通压降。SiC BJT主要分为外延发

碳化硅陶瓷

碳化硅工艺流程 碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性强,耐磨性能好,硬度高,热稳定性好,高温强度大,热膨胀系数小,热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此,已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手,日益受到人们的重视。例如,SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。 SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物,SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。因此,SiC强度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。纯SiC 不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化,但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散,故氧化速率并不高。在电性能方面,SiC具有半导体性,少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外,SiC还有优良的导热性。 SiC具有α和β两种晶型。β-SiC的晶体结构为立方晶系,Si和C分别组成面心立方晶格;α-SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体,其中,6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时,SiC以β-SiC形式存在。当高于1600℃时,β-SiC缓慢转变成α-SiC的各种多型体。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成;对于6H-SiC,即使温度超过2200℃,也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小,因此,微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。 现就SiC陶瓷的生产工艺简述如下: 一、SiC粉末的合成: SiC在地球上几乎不存在,仅在陨石中有所发现,因此,工业上应用的SiC粉末都为人工合成。目前,合成SiC粉末的主要方法有: 1、Acheson法: 这是工业上采用最多的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈黑色。 2、化合法:

碳化硅的制备与应用

目录 摘要 (1) 关键字 (1) 1碳化硅的合成与制备 (1) 2SiC陶瓷的主要应用领域 (3) 3结束语 (5) 参考书目 (5)

碳化硅陶瓷的制备与应用 摘要:碳化硅陶瓷材料由于抗氧化性强、耐磨性能好、硬度高、热稳定性好、高温强度大、热膨胀系数小、热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,广泛的应用于各个领域。本文通过对碳化硅陶瓷材料的的发展历程,特性及国内外研究状况提出了几种碳化硅陶瓷的烧结方法,并讨论其发展趋势。 关键词:碳化硅;合成与制备;烧结;应用; 1、碳化硅陶瓷的合成与制备 SiC由于其共价键结合的特点,烧结时的扩散速率相当低,即使在的2100℃的高温,C和Si的自扩散系数也仅为1.5×10-10和2.5×10-13cm2/s所以,很难采取通常离子键结合材料所用的单纯化合物常压烧结途径来制取高致密化材料,必须采用一些特殊的工艺手段或依靠第二相物质促进其烧结。 SiC很难烧结。其晶界能与表面能之比很高,不易获得足够的能量形成晶界而烧结成块体。SiC烧结时的扩散速率很低,其表面的氧化膜也起扩散势垒作用。因此,碳化硅需要借助添加剂或压力等才能获得致密材料。本制件采用Al-B-C作为烧结助剂。硼(B)在SiC晶界的选择性偏析减小晶界能,提高烧结推动力,但过量的B会使SiC晶粒异常长大。添加C(碳)可以还原碳化硅表面对烧结起阻碍作用的SiO2膜,并使表面自由能提高。但过多的碳,使制品失重,密度下降。铝(Al)有抑制晶粒长大的作用,并有增强硼的烧结助剂作用,但过量的Al却会使制件的高温强度下降。因此,必须通过试验合理确定Al,B,C的用量。 目前制备SiC陶瓷的主要方法有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、反应烧结等。 1.1 碳化硅陶瓷的无压烧结 无压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法,通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件。根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固 的β-SiC可通过添加B和C进行常压烧结,这相烧结和液相烧结。对含有微量SiO 2 种方法可明显改善SiC的烧结动力学。掺杂适量的B,烧结过程中B处于SiC晶界上,部分与SiC形成固溶体,从而降低了SiC的晶界能。掺杂适量的游离C对固相烧结 生成,加入的适量C有助于使SiC表有利,因为SiC表面通常会被氧化有少量SiO 2 面上的SiO 膜还原除去,从而增加了表面能。然而#对液相烧结会产生不利影响, 2 因为C会与氧化物添加剂反应生成气体,在陶瓷烧结体内形成大量的开孔,影响致密化进程。SiC的烧结工艺中,原料的纯度、细度、相组成十分重要。S.Proehazka 通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2%)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于98%的SiC烧结体。但SiC-B-C系统属于固相烧结的范畴,需要的烧结温度较高,并且断裂韧性较低,断裂模式为典型的穿晶断裂,晶粒粗大且均匀性差。国外对SiC的研究焦点主要集中于液相烧结上,即以一定数量的

碳化硅纳米线的制备与性能研究进展

碳化硅纳米线的制备与性能研究进展 ××× ××××××××××学校西安邮编××× 摘要: SiC半导体材料的禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、饱和漂移速度高等特点使其在高频、高温、高功率、抗辐射等方面有良好的性能,被认为是新一代微电子器件和集成电路的半导体材,因此研究SiC纳米线材料具有重要意义。 Summary: SiC semiconductor materials with the big breakdown electric field width, high, thermal conductivity, saturated drifting velocity higher characteristic in the high frequency and high temperature, high power, resist radiation and good performance, and is considered to be a new generation of microelectronics devices and integrated circuit of the semiconductor material, so the study of SiC nanowires material to have the important meaning. 关键词:纳米线,SiC,场效应晶体管,薄膜晶体管,光催化降解 Key words: Nanowires, SiC, field effect transistor, thin film transistor, photocatalytic degradation .1 纳米材料的性能 纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1—100nm)或由它们作为基本单元构成的材料。纳米材料具有量子尺寸效应、小体积效应、表面效应和宏观量子隧道效应等,这使得纳米体系的光、电、磁、热等物理性质与常规块体材料不同,出现许多新奇的

SiC材料的制备与应用

SiC材料的制备与应用 摘要:本文主要介绍了SiC材料的制备方法,通过不同制备的方法获得不同结构的SiC,其中主要有α-SiC、β-SiC和纳米SiC。并介绍了SiC材料在材料中的应用。 关键词:α-SiC;β-SiC;纳米SiC; 前言: SiC 是人造强共价健化合物材料, 碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。 2、SiC粉末的合成方法及应用: 2.1 Acheson法生产SiC的进展 经过百年发展, 现代SiC 工业生产仍采用的是Acheson 间歇式工艺。这是工业上采用最多的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和文章拷贝于华夏陶瓷网焦炭中通常含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈黑色。目前SiC 冶炼炉改进处于: ①炉体规模增大; 老式冶炼炉长为5~10m ,现在可长至25m ,装料高达以千吨计; ②送电功率增大:现在冶炼炉功率多在3000至7000kW 之间,功率在12 ,000kW的超大型冶炼炉已在我国宁夏北方碳化硅公司正常运行; ③电源由交流改为直流,保证了电网安全和稳定,操作更方便。 工业SiC 生产耗能高、对环境和大气有污染,且劳动量大。因此欧美发达国家尽管SiC 用量不断增大,但生产持续降低,代以从国外进口,同时加大了高性能SiC 材料的开发力度。中国、巴西和委内瑞拉等发展中国家的初级SiC 产量已占全世界的65 %以上。传统的SiC 冶炼炉主要不能完全解决以下环境问题:(1) CO2 、SO2 和扒墙时产生的SiC 粉尘的污染。(2) 解决原料闷燃放出的臭气和石油焦的挥发份,尤其是燃烧时或燃烧后及扒墙时产生的SO2 、H2S 和硫醇类等含硫物质和CO 气体带来的环境问题。(3) 无法收集冶炼时产生的炉内逸出气体用以发电或合成气体。 七十年代德国ESK公司在发展Acheson 工艺方面取得了突破[2 ]。ESK的大型

第三代半导体材料碳化硅

第三代半导体材料碳化硅 一、第三代半导体发展简述 半导体产业的基石是芯片。制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代:第一代半导体材料(主要为目前广泛使用的高纯度硅)、第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)、第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓)。 第三代半导体材料也称为禁带半导体材料,是指禁带宽度在2.3eV(电子伏特)及以上的半导体材料(硅的禁带宽度为1.12eV),其中较为典型的和成熟的包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,其余包括氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等的研究尚处于起步阶段。 第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。 5G基站射频器件对高频材料的需求,以及功率器件正向着大功率化、高频化、集成化方向发展的趋势凸显出了第三代半导体材料的重要性及广阔前景。而该领域基本由美日企业主导,我国相对薄弱,研发仍主要集中于军工领域。 国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件,随着国内多家企业开始重视该领

域,积极布局相关项目,我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。 二、第三代半导体---碳化硅概述 碳化硅是第三代化合物半导体材料的,具有优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率。 半导体芯片分为集成电路和分立器件,但不论是集成电路还是分立器件,基本结构都可以划分为“衬底—外延—器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。 图:碳化硅晶片产业链

射频氮化镓(GaN)技术正在走向主流应用

射频氮化镓(GaN)技术正在走向主流应用 网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高 功率密度的射频器件,这使得市场对于射频氮化镓(GaN)器件的需求不断升温。举个例子,现在的无线基站里面, 已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件,在基站设备上,氮化镓器件的使用得越来越广泛。氮化镓受青睐主要是因为它是宽禁带(wide-bandgap)器件,与硅或者其他三五价器件相比,氮化镓速度更快,击穿电压也更高。现在,为了 把氮化镓器件推到更大的市场去,一些射频氮化镓厂商开始考虑在未来的手持设备中使用氮化镓。对于现在的手机而言,氮化镓的性能过剩,价格又太贵。但将来支持下一代通信标准(即5G)的手机,使用氮化镓是有可能的。氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势 越明显。但对于手机而言,氮化镓材料还有很多难题需要解决,例如功耗、散热与成本。不同工艺比较(数据来源于OKI半导体)射频氮化镓技术是5G的绝配 虽然氮化镓用到手机上还不现实,但业界还是要关注射频 氮化镓技术的发展。“与砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等高频工艺相比,氮化镓器件输出的功率更大;与LDCMOS 和碳化硅(SiC)等功率工艺相比,氮化镓的频率特性更好。” 分析机构Strategy Analytics的分析师Eric Higham说。“氮

化镓器件的瞬时带宽更高,这一点很重要,载波聚合技术的使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带宽。”Higham说,“这意味着覆盖系统的全部波段和频道只需要更少的放大器。” 氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的三五价半导体材料,LDMOS (横向扩散MOS技术)是基于硅的射频技术,碳化硅(SiC)可用于功率或射频领域。可以肯定的是,氮化镓不会统治 整个射频应用,设备厂商会像以前一样,根据应用选择不同的器件和工艺制程技术,包括三五价化合物与硅材料。“(射频领域)还是有砷化镓与硅器件的市场空 间。”GlobalFoundries射频市场总监Peter Rabbeni说道。什么是氮化镓? 氮化镓技术可以追溯到1970年代,美国无线电公司(RCA)开发了一种氮化镓工艺来制造LED。现在市场上销售的很多LED就是使用蓝宝石衬底的氮化镓技术。除了LED,氮化镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。“我们相信,氮化镓在600V功率器件市场将占有主要优势。”英飞凌氮化镓全球应用工程经理Eric Persson说道。氮化镓功率器件还是一个新事物, 一时半会儿不会取代现在600V的主流技术--功率MOSFET。“要最大限度发挥(GaN功率技术的)作用,必须采用新型 拓扑。”Persson说道。

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