双端口存储器原理实验

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计算机组成原理双端口存储器实验报告

计算机组成原理实验报告实验名称双端口存储器实验专业软件工程学院计算机与软件学院姓名徐振兴班级（2）学号20111344069 指导老师任勇军实验日期2013.5.24 得分一、实验类别原理性+分析性二、实验目的⑵了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；⑵了解半导体存储器怎样存储和读取数据；⑶了解双端口存储器怎样并行读写；⑷熟悉TEC-8模型计算机中存储器部分的数据通路。

三、实验设备⑴TEC-8 实验系统1台⑵双踪示波器1台⑵直流万用表1块⑷逻辑测试笔（在TEC-8 实验台上） 1 支四、实验电路双端口RAM 电路由1 片IDT7132 及少许附加电路组成，存放程序和数据。

IDT7132 有2 个端口，一个称为左端口，一个称为右端口。

2 个端口各有独立的存储器地址线、数据线和3 个读、写控制信号： CE#、R/W#和OE#，可以同时对器件内部的同一存储体同时进行读、写。

IDT7132 容量为2048 字节，TEC-8 实验系统只使用64 字节。

在TEC-8 实验系统中，左端口配置成读、写端口，用于程序的初始装入操作，从存储器中取数到数据总线DBUS，将数据总线DBUS 上的数写入存储器。

当信号MEMW 为1 时，在T2 为1 时，将数据总线DBUS 上的数D7～D0 写入AR7～AR0 指定的存储单元；当MBUS 信号为1 时，AR7～AR0 指定的存储单元的数送数据总线DBUS。

右端口设置成只读方式，从PC7～PC0 指定的存储单元读出指令INS7～INS0，送往指令寄存器IR。

程序计数器PC 由2 片GAL22V10（U53 和U54）组成。

向双端口RAM 的右端口提供存储器地址。

当复位信号CLR#为0 时，程序计数器复位，PC7～PC0 为00H。

当信号LPC 为1 时，在T3 的上升沿，将数据总线DBUS 上的数D7～D0 写入PC。

当信号PCINC 为1 时，在T3 的上升沿，完成PC 加1。

实验4：双端口存储器实验 ----独立方式

河北环境工程学院
《计算机组成原理》实验报告
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成绩：__________________
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一、实验目的
1、了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；
2、了解半导体存储器怎样存储和读取数据；
3、了解双端口存储器怎样并行读写；
4、熟悉LK-TEC-9模型计算机存储器部分的数据通路；
二、预习内容
1.掌握双端口存储器的使用方法
2. 掌握TEC-8模型计算机存储器的部分的数据通路
三、实验环境及主要器件
1．TEC-8实验系统 1台
2. 逻辑测试笔 1支
3. 双踪示波器 1台
4. 逻辑测试笔 1支
四、实验内容
1、从存储器地址10H开始，通过左端口连续向双端口RAM中写入3个数：85H，60H，38H。

在写的过程中，在右端口检测写的数据是否正确。

2、从存储器地址10H开始，连续从双端口RAM的左端口和右端口同时读出存储器的内容。

五、实验步骤
六、实验结果分析与讨论。

TEC-8实验指导书

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前言……………………………………………………………………………………..1 第 1 章 TEC-8 计算机硬件综合实验系统…………………………………………….…..5 1.1 TEC-8 实验系统的用途…………………………………………………………….…5 1.2 TEC-8 实验系统技术特点…………………………………………………….………5 1.3 TEC-8 实验系统组成………………………………………………………….………6 1.4 逻辑测试笔……………………………………………………………………………6 1.5 TEC-8 实验系统结构和操作……………………………………………….…………7 1.5.1 模型计算机时序信号………………………………………………………………7 1.5.2 模型计算机组成……………………………………………………………………7 1.6 模型计算机指令系统………………………………………………………………… 10 1.7 开关、按钮、指示灯……………………………………………………..…………11 1.8 数字逻辑和数字系统实验部分…………………………………..…………………12 1.8.1 基本实验通用区…………………………………………………………………...12 1.8.2 大型综合设计实验装臵………………………………………………………..….13 2 1.9 E PROM 中微代码的修改………………………………………………….……….…13 第 2 章计算机组织与体系结构基本实验………………………………………………18 2.1 运算器组成实验……………………………………………………………………..18 2.2 双端口存储器实验…………………………………………………………………..22 2.3 数据通路实验………………………………………………………………………..26 2.4 微程序控制器实验…………………………………………………………………..30 2.5 CPU 组成与机器指令的执行…………………………………………………………36 2.6 中断原理实验………………………………………………………………………..39 第 3 章课程综合设计…………………………………………………………………....43 3.1 模型机硬连线控制器设计…………………………………………………………..43 3.2 模型机流水微程序控制器设计……………………………………………………..47 3.3 模型机流水硬连线控制器设计……………………………………………………..50 3.4 含有阵列乘法器的 ALU 设计………………………………………………………..51 第 4 章数字逻辑与数字系统基本实验…………………………………………………55 4.1 基本逻辑门逻辑实验………………………………………………………………..55 4.2 TTL、HC 和 HCT 器件的电压传输特性实验………………………………………..56 4.3 三态门实验…………………………………………………………………….…….59 4.4 数据选择器和译码器实验……………………………………………………….….61 4.5 全加器构成及测试实验………………………………………………………….….63 4.6 组合逻辑中的冒险现象实验…………………………………………………….….64 4.7 触发器实验……………………………………………………………………….….66 4.8 简单时序电路实验…………………………………………………………………..69 4.9 计数器和数码管实验………………………………………………………………..70 4.10 四相时钟分配器实验………………………………………………………………74 第 5 章数字逻辑与数字系统综合设计实验…………………………………………...76 5.1 简易电子琴实验……………………………………………………………………..76

双端口存储器原理实验报告

双端口存储器原理实验报告————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：一、实验内容、方法和步骤１．接线IAR_BＵS 接 GNＤ，ALU＿BUＳ接 GND,RＳ＿ＢUS 接GＮD,禁止中断地址寄存器、运算器、多端口寄存器堆ＲF 向数据总线 DBUS 送数据。

AR1_INC 接 GND,Ｍ3 接ＶCＣ,使地址寄存器 AR1 和ＡＲ2 从数据总线ＤBUS 取得地址数据。

信号IAR_BUS ALU_BUS RS_BUS AR1_INC M3开关GND GND GND GND VCC信号LDIR SW_BUS LDAR2 LDAR1 CER LRW CEL开关K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0２.置 DＰ = 1,DB = 0，DZ = 0，使实验台处于单拍状态。

工作模式开关=“脱机”合上电源。

按复位按钮 CLR#,使实验系统处于初始状态。

置ＤＰ = 1，DB = 0，DZ = ０，使实验台处于单拍状态。

工作模式开关＝“脱机”合上电源。

按复位按钮CLR#,使实验系统处于初始状态。

(1）写地址寄存器 AR１=00信号SW7~0 LDIR SW_BUS LDAR2 LDAR1 CER LRW CEL 开关K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0状态 / 00H 0 10 1 0 0 0 值按一次 QD，将 00H 写入 AR1。

（2）向存储器 00H 地址写数 00H信SW7~0 LDIR SW_BUS LDAR2 LDAR1 CER LRW CEL 号开关K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0状态 / 00H 0 1 0 0 0 0 1 值按一次 QD，将 00H 写入存储器 00H 地址。

（3）写地址寄存器 AR1=10信号SW7~0 LDIR SW_BUS LDAR2 LDAR1 CER LRW CEL 开关K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0状态 / 10H 0 10 1 0 0 0 值按一次ＱD,将 1０Ｈ写入 AR1。

计算机组成原理实验（接线、实验步骤）方案

实验一运算器[实验目的]1.掌握算术逻辑运算加、减、乘、与的工作原理；2.熟悉简单运算器的数据传送通路；3.验证实验台运算器的8位加、减、与、直通功能；4.验证实验台4位乘4位功能。

[接线]功能开关：DB=0 DZ=0 DP=1 IR/DBUS=DBUS接线：LRW：GND（接地）IAR-BUS# 、M1、M2、RS-BUS#：接+5V控制开关：K0：SW-BUS# K1：ALU-BUSK2：S0 K3：S1 K4：S2K5：LDDR1 K6：LDDR2[实验步骤]一、(81)H与(82)H运算1.K0=0：SW开关与数据总线接通K1=0：ALU输出与数据总线断开2.开电源，按CLR#复位3.置数（81）H：在SW7—SW0输入10000001→LDDR2=1，LDDR1=0→按QD：数据送DR2置数（82）H：在SW7—SW0输入10000010→LDDR2=0，LDDR1=1→按QD：数据送DR1 4.K0=1：SW开关与数据总线断开K1=1：ALU输出与数据总线接通5. S2S1S0=010：运算器做加法（观察结果在显示灯的显示与进位结果C的显示）6.改变S2S1S0的值，对同一组数做不同的运算，观察显示灯的结果。

二、乘法、减法、直通等运算1.K0K1=002.按CLR#复位3.分别给DR1和DR2置数4.K0K1=115. S2S1S0取不同的值，执行不同的运算[思考]M1、M2控制信号的作用是什么？运算器运算类型选择表选择操作S2 S1 S00 0 0 A&B0 0 1 A&A(直通)0 1 0 A+B0 1 1 A-B1 0 0 A(低位)ΧB(低位)完成以下表格ALU-BUS SW-BUS# 存储器内容S2S1S0 DBUS C输入时：计算时：DR1：01100011DR2：10110100（与）DR1：10110100DR2：01100011（直通）DR1：01100011DR2：01100011（加）DR1：01001100DR2：10110011（减）DR1：11111111DR2：11111111（乘）实验二双端口存储器[实验目的]1.了解双端口存储器的读写；2.了解双端口存储器的读写并行读写及产生冲突的情况。

双端口存储器

率减少
4
3.1.3主存储器的技术指标
字节存储单元：存放一个字节的单元，相应的地址称为字节地址。
字存储单元：存放一个机器字的存储单元，相应的单元地址叫字地址。
存储容量：指一个存储器中可以容纳的存储单元总数。
1TB=1024GB 1GB=1024MB 1MB=1024KB 1KB=1024B 1B=8 bit
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3.2.1基本的静态存储元阵列
1、使用锁存器作为存储位元 2、三组信号线
地址线数据线
行线列线
控制线
容量64*4Bit
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3.2.2基本的SRAM逻辑结构
SRAM芯大多采用双译码方式，以便组织更大的存储容量。采用了二级译码：将地址分成x向、y 向两部分如图所示。
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存储器分级结构
目前存储器的特点是：
• 速度快的存储器价格贵，容量小； • 价格低的存储器速度慢，容量大。
在计算机存储器体系结构设计时，希望存储器系统的性能高、价格低，那么在存储器系统设计时，应当在存储器容量，速度和价格方面的因素作折中考虑，建立了分层次的存储器体系结构如下图所示。
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3.1.2 存储器分级结构
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3.3 DRAM存储器
4、图(c)表示从存储位元读出1。输入缓冲器和刷新缓冲器关闭，输出缓冲器/读放打开（R/W为高）。行选线为高，打开MOS管，电容上所存储的1送到位线上，通过输出缓冲器/读出放大器发送到DOUT,即DOUT =1
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3.3 DRAM存储器
5、图(d)表示(c)读出1后存储位元重写 1。由于(c)中读出1 是破坏性读出，必须恢复存储位元中原存的1。此时输入缓冲器关闭，刷新缓冲器打开，输出缓冲器/读放打开， DOUT=1经刷新缓冲器送到位线上，再经MOS管写到电容上。注意，输入缓冲器与输出缓冲器总是互锁的。这是因为读操作和写操作是互斥的，不会同时发生。

TEC-8运算器组成实验

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五、实验任务 1．用双踪示波器和逻辑测试笔测试节拍脉冲
信号T1、T2、T3。 2．对下述7组数据进行加、减、与、或运算。 ⑴A=0F0H, B=10H ⑸A=0FFH, B=0AAH ⑵A=10H, B=0F0H ⑹A=55H, B=0AAH ⑶A=03H, B=05H ⑺A=0C5H, B=61H ⑷A=0AH, B=0AH
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它由2片GAL22V10组成，产生节拍脉冲T1、T2、 T3，节拍电位W1、W2、W3，以及中断请求信号ITNQ。主时钟MF采用石英晶体振荡器产生的 1MHz时钟信号。T1、T2、T3的脉宽为1 µS。一个机器周期包含一组T1、T2、T3。
当DP=1时，处于单微指令运行方式，每按一次 QD按钮，只产生一组T1、T2、T3；当DP=0时，处于连续运行方式，每按一次QD按钮，开始连续产生T1、T2、T3，直到按一次CLR按钮或者控制器产生STOP信号为止。
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数码管
交通灯喇叭
逻辑笔
电源指示 LOG
硬布线/独立/微程序转换
VGA 接口
微程序控制器单片机
LED 显示
运算器
存储器
EPM7128
VCC GND
时钟源
电位器
单脉冲
时序
操作模式
数据开关
电平控制信号开关
TEC-8 北京邮电大学计算机学院实验中心系统结构实验室
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控制转换开关、指示灯微命令指示灯
TEC-8 北京邮电大学计算机学院实验中心系统结构实验室
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TEC-8 北京邮电大学计算机学院实验中心系统结构实验室
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MF周期1μS，占空比50%，T1~T3的脉宽1μS。微指令周期3μS。

8t sram dual port工作原理

8t sram dual port工作原理SRAM（Static Random Access Memory）是一种常见的存储器类型，在计算机系统中被广泛应用。

而8T SRAM是SRAM的一种实现方式，它具有双端口（Dual Port）的特点，使得多个处理器或外设可以同时读写存储器。

1. 什么是8T SRAM Dual Port？8T SRAM是指使用8个传输门（Transmission Gate）和6个存储单元（Storage Cell）构成的一种存储器单元。

而Dual Port表示该SRAM具有两个独立的输入/输出端口，可以同时进行读写操作。

2. 8T SRAM Dual Port的结构8T SRAM Dual Port由两部分组成：存储单元和访问逻辑。

存储单元由6个传输门和一个电容组成，每个传输门的控制端连接了对应比特位的读或写端口。

访问逻辑包括输入/输出端口和行选通电路、列选择电路。

3. 读操作过程当需要进行读操作时，首先使用地址线来选取特定的行和列。

行选通电路根据地址信号控制传输门的打开与关闭，使得需要读取的数据从存储单元中传递到输出端口。

此时，另一个端口可以继续进行写操作，保证了同时读写的功能。

4. 写操作过程在进行写操作时，首先通过地址线选择具体的行和列。

接着输入端口将要写入的数据传递到输入端的传输门，通过列选择电路将数据写入到相应的存储单元。

与此同时，另一个端口可以持续进行读取操作。

5. 时序控制为了保证读写的正确性和稳定性，8T SRAM Dual Port需要进行一定的时序控制。

具体来说，读操作需要保证选通信号在读取过程中始终有效，而写操作需要保证传输门在进行写入时打开，传输完毕后关闭。

时序控制的设计需要考虑到信号延迟和操作间的冲突。

6. 数据一致性由于8T SRAM Dual Port具有双端口的特性，同时读写可能导致数据一致性的问题。

为了解决这个问题，需要在系统设计中引入其他的同步机制或者使用特定的读写协议，如互锁（handshaking）协议，保证多个端口之间的操作按照先后顺序执行。

实验二双端口存储器原理实验

实验二双端口存储器原理实验实验目的：1.了解双端口存储器的工作原理；2.了解双端口存储器的读写时序；3.掌握双端口存储器的控制方式。

实验器材：1.双端口RAM芯片；2.数字逻辑实验箱；3.示波器。

实验原理：双端口存储器是一种具有两个访问端口的存储器，其中一个端口用于读数据，另一个端口用于写数据。

两个端口可以同时进行读写操作，且可以独立操作，互不干扰。

双端口存储器广泛应用于多核处理器、高速路由器、交换机等领域，其性能优越，能提供更高的并行处理能力。

双端口存储器的读写时序如下：1.读操作时序：1)使能端CE1置低，选中读数据的端口；2)地址信号输入地址端口AD1；3)等待一段时间，取数据端口的读数据。

2.写操作时序：1)使能端CE2置低，选中写数据的端口；2)地址信号输入地址端口AD2；3)数据输入数据端口D；4)等待一段时间，完成写操作。

实验步骤：1.连接双端口RAM芯片到数字逻辑实验箱上，确保电路连接正确；2.连接示波器到仪表箱，用于监测信号波形；3.按照双端口存储器的读写时序，设置实验箱上的信号发生器；4.编写控制代码，控制实验箱上的信号发生器模拟读写操作；5.观察示波器上的波形，验证读写操作的正确性；6.分析实验结果，总结双端口存储器的工作原理和性能。

实验注意事项：1.操作实验箱时要小心谨慎，防止损坏实验箱和芯片；2.实验过程中需要观察示波器上的波形，确保信号发生器的设置正确；3.根据实验目的和步骤设定实验结果的收集和分析方式；4.实验后及时关闭实验箱和示波器，保持实验室整洁。

实验结果与分析：根据实验步骤设置好实验箱上的信号发生器，并编写相应的控制代码后，进行实验。

通过示波器监测到的信号波形可以验证读写操作的正确性。

实验结果的收集和分析主要包括以下内容：1.读操作时序的验证：通过示波器观察到CE1端信号在读操作开始时置低，地址信号AD1输入正确，数据端口读数据正确。

2.写操作时序的验证：通过示波器观察到CE2端信号在写操作开始时置低，地址信号AD2输入正确，数据端口D输入正确。

计算机组成原理TEC-4实验手册(含实验步骤)完整6个实验-三个程序设计

7．地址寄存器AR1和AR2
地址寄存器AR1（U37）和AR2（U27、U28）提供双端口存储器的地址。AR1是1片GAL22V10，具有加1功能，提供双端口存储器左端口的地址。AR1从数据总线DBUS接收数据。AR1的控制信号是LDAR1和AR1_INC。当AR1_INC = 1时,在T4的上升沿，AR1的值加1；当LDAR1 = 1时,在T4的上升沿，将数据总线DBUS的数据打入地址寄存器AR1。AR2由2片74HC298组成，有两个数据输入端，一个来自程序计数器PC，另一个来自数据总线DBUS。AR2的控制信号是LDAR2和M3。M3选择数据来源，当M3 = 1时，选中数据总线DBUS；当M3 = 0时，选中程序计数器PC。LDAR2控制何时接收地址，当LDAR2 = 1时，在T2的下降沿将选中的数据源上的数据打入AR2。
一、TEC—4计算机组成原理实验系统特点
1．计算机模型简单、实用，运算器数据通路、控制器、控制台各部分划分清晰。
2．计算机模型采用了数据总线和指令总线双总线体制，能够实现流水控制。
3．控制器有微程序控制器或者硬布线控制器两种类型，每种类型又有流水和非流水两种方案。
4．寄存器堆由1片ispLSI1016组成，运算器由1片ispLSI1024组成，设计新颖。
1．运算器ALU
运算器ALU由一片ispLSI1024（U47）组成，在选择端S2、S1、S0控制下，对数据A和B进行加、减、与、直通、乘五种运算,功能如下：
表1运算器功能表
选择
操作
S2
S1
S0
0
0
0
A & B
0
0
1
A & A（直通）
0
1
0
A + B

双端口存储器原理

双端口存储器原理
双端口存储器是一种具有两组相互独立读写控制电路的存储器，使得同一存储器能同时满足两个不同端口的同时访问。

每个端口都拥有独立的地址线、数据线和控制线，因此两个端口可以独立地进行读写操作，不会发生冲突。

当两个端口同时访问同一存储单元时，会发生读写冲突。

为了解决这个问题，双端口存储器引入了一个BUSY标志。

当一个端口正在进行读写
操作时，该端口的BUSY标志会被置为高电平，暂时关闭该端口的访问。

而当另一个端口需要访问时，判断逻辑会根据一定的规则决定哪个端口优先进行读写操作。

例如，可以根据地址匹配或片使能匹配等条件来决定。

此外，双端口存储器在逻辑结构上也有其特点。

例如，2K×16位双
端口存储器IDT7133的逻辑功能方框图演示了当两个端口的地址不相同时，可以在两个端口上进行读写操作，一定不会发生冲突。

每个端口都有自己的片选控制和输出驱动控制，使得每个端口可以独立地进行读写操作。

总的来说，双端口存储器通过引入独立的读写控制电路和BUSY标志
来解决读写冲突问题，并提供了更高的并行性和带宽，使得存储器的性能得到了显著提升。

1。

双端口存储器

3、有冲突读写控制
当两个端口同时存取存储器同一存储单元时，便发生读写冲突。为解决此问题，特设置了BUSY 标志。在这种情况下，片上的判断逻辑可以决定对哪个端口优先进行读写操作，而对另一个被延迟的端口置BUSY标志(BUSY变为低电平)，即暂时关闭此端口。
3ห้องสมุดไป่ตู้
4、有冲突读写控制判断方法
(1)如果地址匹配且在CE之前有效，片上的控制逻辑在CEL和CER之间进行判断来选择端口(CE判断)。 (2)如果CE在地址匹配之前变低，片上的控制逻辑在左、右地址间进行判断来选择端口 (地址有效判断)。无论采用哪种判断方式，延迟端口的 BUSY标志都将置位而关闭此端口，而当允许存取的端口完成操作时，延迟端口BUSY 标志才进行复位而打开此端口。
一、双端口存储器 1、双端口存储器的逻辑结构
双端口存储器由于同一个存储器具有两组相互独立的读写控制电路而得名。由于进行并行的独立操作，因而是一种高速工作的存储器，在科研和工程中非常有用。举例说明，双端口存储器IDT7133的逻辑框图。如下页图。
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2、无冲突读写控制
当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作，一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时，就可对整个存储器进行存取，每一个端口都有自己的片选控制(CE)和输出驱动控制(OE)。读操作时，端口的OE(低电平有效)打开输出驱动器，由存储矩阵读出的数据就出现在I/O线上。
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双端口存储器读写时序
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双端口sram和单端口sram原理

双端口sram和单端口sram原理双端口SRAM和单端口SRAM原理一、引言SRAM是一种静态随机存储器，广泛应用于计算机和其他数字电子设备中。

它具有快速读写速度、易于集成和较低的功耗等优点，因此在存储器领域有着重要的地位。

在SRAM中，双端口SRAM和单端口SRAM是两种常见的类型。

本文将分别介绍双端口SRAM 和单端口SRAM的原理及其特点。

二、双端口SRAM原理双端口SRAM是指具有两个独立的读写端口的SRAM。

这两个端口分别用于读取和写入数据，可以同时进行读写操作。

双端口SRAM 通常由一个存储单元阵列和控制电路组成。

1. 存储单元阵列双端口SRAM的存储单元阵列由多个存储单元组成，每个存储单元由一个存储电路和一个传输门组成。

存储电路用于存储数据，传输门用于控制数据的读写。

存储电路一般由多个触发器构成，可以存储一个比特的数据。

2. 控制电路双端口SRAM的控制电路用于控制读写操作。

它包括地址解码器、写使能线路和读使能线路等。

地址解码器根据输入的地址信号选择相应的存储单元，将数据写入或读出。

写使能线路和读使能线路用于控制写入和读取操作的时序。

3. 读写操作双端口SRAM的读写操作可以同时进行，通过控制电路的读使能线路和写使能线路来实现。

当读使能信号有效时，地址解码器会选择相应的存储单元，将数据读出到输出端口。

当写使能信号有效时，地址解码器会选择相应的存储单元，将输入端口的数据写入到存储单元中。

4. 特点双端口SRAM具有以下特点：（1）具有较高的读写速度，可以满足高速数据处理的需求；（2）具有独立的读写端口，可以同时进行读写操作，提高了数据访问的效率；（3）需要较多的引脚和控制线，占用了较多的芯片资源。

三、单端口SRAM原理单端口SRAM是指只有一个读写端口的SRAM。

它与双端口SRAM相比，只能进行读取或写入操作，不能同时进行。

单端口SRAM也由存储单元阵列和控制电路组成。

1. 存储单元阵列单端口SRAM的存储单元阵列与双端口SRAM相似，由多个存储单元组成。

一种构建双端口共享存储器的方法

・计算机与自动化技术・
该存储器具有目前市场上双端口存储器的特点：
享存储器并没有什么区别。
提供了两路完全独立的数据端口、地址端口和控制端口，允许两个ＣＵ对双端口存储器的同一个单元进行Ｐ
ＩＴ０５的接口电路设计进行了讨论，现了中断方Ｄ７２实式对ＩＴ０５进行数据块读写。上述文献都是采用市Ｄ７２
２双端口共享存储器原理
图１是利用单端口存储器构建的双端口共享 Байду номын сангаас储
器。
场上现成的双端口存储器，成本较高、其容量有限。对于低成本、大容量的系统设计而言，如何利用目前市场
双ＣＵ系统间的信息交换可根据具体情况采用Ｐ
收稿日期：０８０－；修回日期：０８６２。２０－５２６２０－ —００
・
图１双端口共享存储器原理
４・６
第３４卷第１期１
曹生明：一种构建双端口共享存储器的方法
上容量大、成本低的单端口存储器，构建双端口共享ＲＭ，Ａ实现多个ＣＵ之间的数据共享和数据交换，Ｐ是
双ＣＵ技术系统设计的关键。本文介绍了一种利用Ｐ单端口存储器构建双端口共享存储器的方法。
１双ＣＵ共享ＲＭ技术ＰＡ
部ＲＭ所用的时间一样，两个ＣＵ中的任何一个Ａ对Ｐ

双端口存储器原理实验心得

双端口存储器原理实验心得
在计算机中，存储器是至关重要的系统组件之一。

双端口存储器是具有两个独立访问
口的存储器，它可以同时支持两个不同的操作。

这种存储器常常用于多处理器系统、缓存
存储器以及通信系统中。

在本次实验中，我深入研究了双端口存储器的工作原理，并对实
验过程中遇到的问题和心得做了总结。

首先，本次实验我使用了仿真软件进行测试，验证了双端口存储器的读写功能。

此外，我了解了双端口存储器的结构和工作原理。

在实验中，存储器有两个独立的读写端口，每
个端口都有自己的控制信号。

其中一个端口作为主控制端口，用于接受控制信号，读写数据。

而另一个端口则是辅助端口，用于接受读写数据的请求并返回结果。

因此，这种存储
器具有高度的灵活性和可用性，可以同时执行多个读写命令。

在实验过程中，我发现了一些重要的问题。

首先，由于双端口存储器需要处理并行读
写请求，因此必须仔细计划时序，以确保所有请求都能被正确执行。

其次，为保证存储器
的正确性和稳定性，需要正确地选择存储器的时序和信号传递规则。

最后，为了避免并发
读写时的数据冲突，需要使用合适的数据交换策略，使读写请求可以相互协调。

总的来说，这次实验让我更深入地了解了双端口存储器的工作原理以及如何正确使用它。

通过这次实验，我不仅学会了使用仿真软件模拟实现双端口存储器，还学会了如何处
理并发读写请求，正确选择时序和信号传递规则，并且更好地理解了访问数据存储器的方
式和机制。

8管 sram 工作原理

8管 sram 工作原理SRAM（Static Random Access Memory）是一种静态随机存取存储器，它是由一系列的存储单元组成的，用于存储和读取数据。

它的工作原理可以通过以下几个方面来解释。

SRAM的存储单元是由一对互补的存储节点组成的。

其中一个节点是一个存储电容器，另一个节点是一个放大器。

这种存储方式使得SRAM可以在不断电的情况下保持数据的存储状态，因此被称为静态存储器。

SRAM使用了一种称为“双端口”的存储器结构。

这意味着SRAM 可以同时进行读取和写入操作。

具体而言，SRAM的每个存储单元都有两个输入端口和一个输出端口。

其中一个输入端口用于写入数据，另一个输入端口用于控制写入操作；输出端口用于读取数据。

SRAM的读取操作是通过将读取地址应用到存储器中的存储单元来实现的。

当读取地址与存储单元的地址匹配时，存储单元中的数据将被放大器放大并输出。

这种方式使得SRAM的读取速度非常快，因为它不需要进行复杂的电荷传输操作。

SRAM的写入操作是通过将写入数据和写入地址应用到存储器中的存储单元来实现的。

当写入地址与存储单元的地址匹配时，写入数据将被存储在存储单元的电容器中。

在写入操作期间，存储单元的另一个输入端口用于控制写入操作，以确保数据被正确地写入。

SRAM还具有一种称为“刷新”的操作。

由于SRAM的存储单元是由电容器组成的，电容器会逐渐失去电荷，从而导致数据丢失。

为了防止数据丢失，SRAM需要定期进行刷新操作。

刷新操作的原理是将存储单元中的数据读取出来，然后重新写入，以恢复电容器的电荷。

总结一下，SRAM的工作原理可以归纳为以下几个关键点：静态存储方式、双端口结构、读取和写入操作、以及刷新操作。

这些特点使得SRAM成为一种快速、可靠的存储器，广泛应用于计算机和其他电子设备中。