半导体材料考试
半导体公司笔试题
半导体公司笔试题
半导体公司笔试题目通常会涵盖半导体技术、半导体市场、半导体工艺等方面的知识点。
以下是一些可能的题目：
1.什么是半导体？请简述半导体的基本特性。
2.什么是PN结？请简述PN结的形成过程。
3.请简述晶体管的放大原理。
4.请简述集成电路的基本构成和分类。
5.请简述半导体制造的基本工艺流程。
6.什么是CMOS图像传感器？请简述其工作原理。
7.请简述半导体存储器的基本分类和特点。
8.请简述集成电路封装的基本类型和作用。
9.请简述半导体的应用领域和发展趋势。
10.请简述半导体的主要生产国家和地区，并分析其优劣势。
以上题目仅供参考，具体的笔试题目还需要根据具体的半导体公司和招聘岗位来确定。
半导体试卷(经典考题).
(15分)
求耗尽层内电势的分布V(x)；(7分)
当Vs=0.4V时的耗尽层宽度Xd和最大耗尽宽度Xdm的表达式；(8分)
解：（1）根据耗尽层近似，空间电荷区的电荷密度为ρ(x)=qND,故泊松方程可写为: (1)
A.变大，变小 ； B.变小，变大； C.变小，变小； D.变大，变大。
12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（ B ）空穴的俘获率，它是（ D ）。 A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复合中心； E. 有效陷阱。
13、在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A）。A. In (Wm=3.8eV) ； B. Cr (Wm=4.6eV)； C. Au (Wm=4.8eV)； D. Al (Wm=4.2eV)。
――由于扩散，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（2分）
――由于漂移，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（2分）
――由于复合，单位时间、单位体积中空穴的消失数；（2分）
――由于其他原因，单位时间、单位体积中空穴的产生数。（2分）
四、计算题（共30分，15＋15，共2题）
1、有一金属与n型Si单晶接触形成肖特基二极管，已知Wm=4.7eV，Xs=4.0eV，Nc=1×1019cm-3,ND=1×1015cm-3，半导体的相对介电常数εr=12。若忽略表面态的影响，试计算在室温下：（ε0=8.85×10-14，q=1.6×10-19C）
1.如金属和一p型半导体形成金属－半导体接触，请简述在什么条件下，形成的哪两种不同电学特性的接触，说明半导体表面的能带情况，并画出对应的I-V曲线。（忽略表面态的影响）（10分）
半导体器件物理与工艺期末考试题
半导体器件物理与工艺期末考试题一、简答题1.什么是半导体器件？半导体器件是利用半导体材料的电子特性来实现电流的控制与放大的电子元件。
常见的半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管等。
2.请简述PN结的工作原理。
PN结是由P型半导体和N型半导体连接而成的结构。
当外加正向偏置时，P端为正极，N端为负极，电子从N端向P端扩散，空穴从P 端向N端扩散，形成扩散电流；当外加反向偏置时，P端为负极，N端为正极，由于能带反向弯曲，形成电势垒，电子与空穴受到电势垒的阻拦，电流几乎为零。
3.简述晶体管的工作原理。
晶体管是一种三极管，由一块绝缘体将N型和P型半导体连接而成。
晶体管分为三个区域：基区、发射区和集电区。
在正常工作状态下，当基极与发射极之间施加一定电压时，发射极注入的电子会受到基区电流的控制，通过基区电流的调节，可以控制从集电区流出的电流，实现电流的放大作用。
4.请简述场效应管的工作原理。
场效应管是利用电场的作用来控制电流的一种半导体器件。
根据电场的不同作用方式，场效应管分为增强型和耗尽型两种。
在增强型场效应管中，通过控制栅极电压，可以调节漏极与源极之间的通导能力，实现电流的控制与放大。
5.简述MOSFET的结构和工作原理。
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）是一种常用的场效应管。
它由金属栅极、氧化物层和P型或N型半导体构成。
MOSFET的工作原理是通过改变栅极电势来控制氧化物层下方的沟道区域的电阻，从而控制漏极与源极之间的电流。
6.什么是集电极电流放大系数？集电极电流放大系数（β）是指集电区电流（Ic）与发射区电流（Ie）之间的比值。
在晶体管中，β值越大，表示电流放大效果越好。
7.简述三极管的放大作用。
三极管作为一种电子元件，具有电流放大的功能。
通过控制基区电流，可以影响发射极与集电极之间的电流，从而实现电流的放大作用。
二、计算题1.已知一个PN结的硅材料的势垒高度为0.7V，求该PN结的电势垒宽度。
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理期末试卷(含部分答案半导体物理,考试,复习,试卷一、填空题1．纯净半导体Si中掺错误！未找到引用源。
族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。
这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
3．nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？不变；当温度变化时，nopo改变否？改变。
4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载n爱因斯坦关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。
前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm-3 乙. 含硼和磷各1017 cm-3 丙含镓1017 cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。
费米能级由高到低的顺序是乙甲丙。
9．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么EC EF 2k0T为非简并条件；0 EC EF 2k0T为弱简并条件；EC EF 010．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。
11．指出下图各表示的是什么类型半导体？12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn与温度的-3/2 次方成正比13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体复习题(带答案)
半导体物理复习题一、选择题1.硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（D）P1A.1B.2C.4D.82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（C）P65A.本征半导体的费米能级E F=E i基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（D）P130A. B. C. D.4．下面pn结中不属于突变结的是（D）P158、159A.合金结B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结5.关于pn结，下列说法中不正确的是（C）P158、160A.pn结是结型半导体器件的心脏。
B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
6.对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（B）P128A. B. C. D.7.关于空穴，下列说法不正确的是（C）P15A.空穴带正电荷B．空穴具有正的有效质量C．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D．半导体中电子空穴共同参与导电8.关于公式，下列说法正确的是（D）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9.对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（C）P177A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比10.关于有效质量，下面说法错误的是（D）P13、14A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C.有效质量可正可负D.电子有效质量就是电子的惯性质量。
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题• 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
• 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
• 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
• 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
• 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。
• 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。
•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。
•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。
•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。
•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。
•11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。
•12.微波混合集成电路是指工作频率从300 ～100 的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。
•13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
•15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、淀积。
半导体器件物理考试重点
一、选择题
1.半导体材料中最常用的元素是：
A.硅（正确答案）
B.铜
C.铁
D.铝
2.在半导体中，载流子主要包括：
A.电子和质子
B.电子和空穴（正确答案）
C.空穴和离子
D.质子和中子
3.PN结的正向偏置是指：
A.P区接高电位，N区接低电位（正确答案）
B.N区接高电位，P区接低电位
C.P区和N区都接高电位
D.P区和N区都接低电位
4.二极管的正向特性是指：
A.正向电压下，电流随电压指数增长（正确答案）
B.正向电压下，电流随电压线性增长
C.反向电压下，电流随电压指数增长
D.反向电压下，电流保持不变
5.MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的栅极电压主要控制：
A.源极和漏极之间的电阻（正确答案）
B.源极和栅极之间的电阻
C.漏极和栅极之间的电阻
D.源极、栅极和漏极之间的总电阻
6.在CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑电路中，主要利用的是：
A.二极管的单向导电性
B.MOSFET的开关特性（正确答案）
C.双极型晶体管的放大特性
D.JFET（结型场效应晶体管）的电压控制特性
7.半导体器件中的“阈值电压”是指：
A.使器件开始导电的最小电压（正确答案）
B.使器件达到最大导电能力的电压
C.器件正常工作时的电压范围
D.器件击穿时的电压
8.在半导体存储器中，DRAM（动态随机存取存储器）需要定期刷新是因为：
A.DRAM中的电容会漏电（正确答案）
B.DRAM的访问速度较慢
C.DRAM的存储容量较小
D.DRAM的制造成本较高。
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造工考试试题半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题•1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
•2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸 )系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
•3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
•4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
•5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧•（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
•15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、PECVD淀积。
•16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（Pn结介质）（Pn结隔离）（Pn 结介质混合）隔离等三种基本方法. •17、最常用的金属膜制备方法有（电阻）加热蒸发、（电子束）蒸发、（溅射）。
•18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
•19 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（替位）扩散和（间隙）扩散两种。
•20 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为（元素）半导体、（化合物）半导体、固溶半导体三大类。
•延生长方法比较多，其中主要的有（化学气相）外延、（液相）外延、金属有机化学气相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。
半导体物理期末试题及答案
半导体物理期末试题及答案第一题：1. 请简述什么是半导体材料？并举例说明。
半导体材料是介于导体和绝缘体之间的材料，具有介于宽禁带和窄禁带之间的带隙能量。
在常温下，半导体材料既可以导电又可以绝缘。
它的导电性质可以通过控制掺杂来改变。
例如，纯净的硅元素是绝缘体，而掺杂的硅元素可以成为半导体材料。
第二题：2. 请解释什么是PN结？并简述其工作原理。
PN结是由P型半导体和N型半导体之间形成的结。
P型半导体中的杂质具有正电荷，被称为施主杂质；N型半导体中的杂质具有负电荷，被称为受主杂质。
PN结的形成是通过将P型半导体和N型半导体紧密接触，使得施主和受主杂质间发生电荷转移。
工作原理：在PN结中，由于施主杂质和受主杂质之间的电荷转移，使得PN结两侧形成了电场。
这个电场导致了电子从N区向P区漂移，同时空穴从P区向N区漂移。
这种漂移现象产生了空间电荷区，称为耗尽层。
在没有外加电压时，由于耗尽层的存在，PN结处于平衡状态。
当施加外加电压时，可以改变耗尽层的宽度。
正偏压（P极接正电，N极接负电）会使得耗尽层变窄，增加电流流过的机会，从而形成导通。
而负偏压（P极接负电，N极接正电）则会使得耗尽层变宽，阻止电流流过，从而形成截止。
第三题：3. 请解释什么是PN结的击穿电压？并说明几种常见的击穿方式。
PN结的击穿电压是指当施加外加电压达到某一临界值时，PN结内的电场强度足以克服材料的绝缘性，导致电流剧增的电压。
击穿电压是PN结失去绝缘特性的临界电压。
常见的击穿方式包括：- 穿越击穿：在高反向电压下，电子从PN结中的价带直接穿越到导带。
这种击穿一般发生在高纯度的材料中。
- 雪崩击穿：在高反向电压下，少数载流子加速并与相邻的原子碰撞，释放更多的载流子。
这种击穿一般发生在掺杂较多的材料中。
- 隧道击穿：在高反向电压下，载流子通过突破禁带形成隧道效应而穿越PN结。
这种击穿一般发生在材料的禁带很窄的情况下。
第四题：4. 请介绍几种常见的半导体器件，并简要说明其原理和应用。
半导体芯片制造中、高级工考试题
半导体芯片制造中、高级工考试题1、填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列2、单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下答案：A3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN 结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。
（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。
同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。
4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。
解析：划片槽5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
解析：半导体；化合物6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。
化学方程式如下：7、填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
解析：酸性；氧化性8、问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。
（2）传输信号和分配电源的作用。
（3）热耗散的作用。
（4）环境保护的作用。
9、填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
解析：化学气相；液相；原子束外延10、填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。
全国半导体工程师认证考试
全国半导体工程师认证考试（SET）是由国家相关部门主办的考试，主要考察半导体领域的相关知识和技能。
考试内容通常包括半导体物理、器件、工艺、集成电路等方面的知识，以及半导体工程实践中的技能和能力。
考试形式一般为笔试和面试，具体要求可能因地区和考试机构而有所不同。
通过全国半导体工程师认证考试，可以证明个人在半导体领域具备一定的专业知识和技能，有助于提高个人的职业竞争力和知名度。
同时，这也是对个人在该领域长期工作的一种肯定和认可，有助于职业发展。
如果您想参加全国半导体工程师认证考试，建议您先了解相关的考试大纲和要求，然后进行针对性的学习和准备。
可以通过参加培训课程、阅读专业书籍、参加行业会议等方式来提高自己的专业知识和技能水平。
半导体物理学期中考试试卷
《半导体物理学》期中试卷一、填空题1、半导体中有和两种载流子，而金属中只有一种载流子。
2、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E的一个量子态，被一个电子占据的概率，表达式为。
3、半导体与导体最大的差别，半导体与绝缘体最大差别。
4、本征半导体定义为：；5、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是杂质和杂质；通常小的杂质原子容易形成杂质，而具有与本体材料类似电子结构的杂质原子容易形成杂质；6、施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中心。
7、半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是和。
前者在下起主要作用，后者在下起主要作用。
8、掺有某种杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由和决定。
9、半导体材料我们有时把它们分为非简并半导体材料和简并半导体材料，差异在于。
10、热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与有关，而与、无关。
11、半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。
12、半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。
判断题与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。
（）砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。
（）室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。
（）4、在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为小于50%。
（）费米分布函数适用于简并的电子系统，玻耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。
（）将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。
（）三、选择题1、下面说法正确的是。
A、空穴是一种真实存在的微观粒子；B、若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定为本征半导体；C、稳态和平衡态含义是一样的；D、同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高。
物理学：半导体材料考试试题
物理学：半导体材料考试试题1、问答题什么是CMOS技术？什么是ASIC？正确答案：CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。
使集成电路有功耗（江南博哥）低，工作电压范围宽，逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强，隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。
ASIC：（Application Specific Integrated Circuits）专用集成电路，是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。
优点是：体积小，重量轻，功耗低，可靠性好，易于获得高性能，保密性好，大批量应用时显著降低成本。
2、单选下列不属于工业吸附要求的是（）。
A.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀C.不易得，昂贵D.容易再生正确答案：C3、问答题解释水的去离子化。
在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？正确答案：用以制造去离子水的去离子化过程是指，用特制的离子交换树脂去除电活性盐类的离子。
18MΩ-cm电阻率级别下水被认为已经去离子化。
4、填空题数字探伤仪测距应使被检部位的最远反射波能够显示在屏幕（）之间。
正确答案：6～9格5、问答题给出投影掩模板的定义。
投影掩模板和光掩模板的区别是什么？正确答案：投影掩膜版是一种透明的平板，在它上面有要转印到硅片上光刻胶层的图形。
投影掩膜版只包括硅片上一部分图形，而光掩膜版包含了整个硅片的芯片阵列并且通过单一曝光转印图形。
6、问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？正确答案：外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。
外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。
半导体材料检测考核试卷
B.四点探针测试
C. CV测试
D.光谱分析
5.半导体材料的光电特性包括以下哪些？（）
A.光生伏特效应
B.光电导效应
C.量子效率
D.介电常数
6.以下哪些材料可以作为半导体器件的绝缘层？（）
A.硅氧化物
B.硅氮化物
C.聚酰亚胺
D.金
7.下列哪些因素会影响PN结的正向电流？（）
A.温度
B.掺杂浓度
C.热电子发射
D.磁阻效应
17.以下哪种技术常用于半导体材料的薄膜制备？（）
A.磁控溅射
B.化学气相沉积
C.热蒸发
D.以上都是
18.下列哪种材料不适合用于高频、高速半导体器件？（）
A.硅
B.砷化镓
C.硅锗合金
D.碳纳米管
19.以下哪种现象是半导体材料的光电导效应？（）
A.光照条件下，电阻率降低
B.光照条件下，电阻率增大
4.讨论半导体材料在光电子器件中的应用，并举例说明半导体材料在光电子技术中的重要作用。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. C
3. C
4. D
5. B
6. D
7. A
8. A
9. D
10. A
11. D
12. B
13. A
14. D
15. C
16. D
17. A
18. C
19. A
20. A
二、多选题
B.电流减小，电压增大
C.电流减小，电压降低
D.电流增大，电压增大
11.下列哪种材料具有最高的热导率？（）
A.硅
B.锗
C.碳纳米管
D.金
同等学力 半导体物理题型
同等学力半导体物理题型
同等学力半导体物理的题型可能因考试机构和考试科目的不同而有所差异。
一般来说，常见的题型包括选择题、填空题、简答题和计算题等。
以下是一些可能的题型示例：
1. 选择题：考查对半导体物理基本概念和原理的理解，例如：
二极管正向偏置时，其电流与电压的关系是怎样的？
哪种半导体材料常用于制造太阳能电池？
2. 填空题：考查对半导体物理基础知识的记忆，例如：
半导体的电阻率与温度的关系是，温度升高时，电阻率将________。
硅的原子序数是________。
3. 简答题：要求简述对某一概念或原理的理解，例如：
简述半导体中载流子的传输机制。
说明PN结的形成过程。
4. 计算题：要求运用半导体物理的基本公式和原理进行计算，例如：
给定一个半导体材料的能带图，计算其导带和价带的宽度。
在一定温度下，计算半导体材料的电阻率。
这只是可能的题型示例，具体题型和内容还需要根据具体的考试大纲和教材来确定。
如果您正在准备相关的考试，建议查阅考试大纲或教材，了解更详细的考试要求和内容。
半导体应聘考试题库及答案
半导体应聘考试题库及答案1. 半导体材料的基本特性是什么？答：半导体材料的基本特性是其导电性介于导体和绝缘体之间，并且可以通过掺杂、温度变化、光照等方式改变其导电性。
2. 什么是PN结？答：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构，它具有单向导电性，是许多半导体器件如二极管、晶体管等的基础。
3. 描述MOSFET的工作原理。
答：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
当栅极电压达到一定阈值时，源极和漏极之间形成导电通道，允许电流通过。
4. 在半导体制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？答：光刻技术在半导体制造过程中的主要作用是将掩模上的电路图案精确地转移到硅片上，为后续的刻蚀和离子注入等工艺步骤奠定基础。
5. 什么是CMOS技术？答：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是一种集成电路制造技术，它结合了N型和P型MOSFET，利用它们的互补特性来实现低功耗、高速度的数字电路。
6. 半导体器件中的寄生电容是如何产生的？答：半导体器件中的寄生电容主要是由于器件结构中的导电层和绝缘层之间的电荷存储效应产生的。
这种电容通常对器件的性能有负面影响，需要在设计时尽量减小。
7. 简述半导体的掺杂过程。
答：半导体的掺杂过程是通过将杂质原子引入纯净的半导体材料中，改变其电学性质。
掺杂可以是P型（增加空穴）或N型（增加电子），从而制造出具有特定导电性的半导体材料。
8. 什么是半导体的能带结构？答：半导体的能带结构是指半导体材料中电子能量的分布情况，包括价带、禁带和导带。
电子在价带中是束缚的，而在导带中可以自由移动，禁带则是电子能量的间隙区域。
9. 描述半导体器件的热稳定性。
答：半导体器件的热稳定性是指器件在高温下工作时，其性能参数（如阈值电压、载流子浓度等）保持稳定的能力。
良好的热稳定性对于提高器件的可靠性和使用寿命至关重要。
10. 简述半导体材料的晶圆制造过程。
半导体工艺工程师考试
选择题：在半导体制造过程中，下列哪一项不是光刻步骤的关键要素？A. 光刻胶的涂覆B. 掩模的对准与曝光C. 刻蚀工艺的实施（正确答案）D. 光刻胶的显影与去除下列哪种材料在半导体工艺中常用作栅极绝缘层？A. 硅（Si）B. 二氧化硅（SiO₂）（正确答案）C. 铝（Al）D. 铜（Cu）在CMOS工艺中，为了减小漏电流和提高器件性能，通常会对栅极氧化层进行哪种处理？A. 增厚处理B. 减薄处理C. 氮化处理（正确答案）D. 氧化处理半导体工艺中的“掺杂”是指什么？A. 在半导体材料中引入杂质以改变其导电性能（正确答案）B. 增加半导体材料的纯度C. 改变半导体材料的晶体结构D. 对半导体材料进行热处理下列哪项不是半导体工艺中清洗步骤的目的？A. 去除表面污染物B. 提高材料表面的润湿性C. 改变材料的电学性能（正确答案）D. 为后续工艺步骤做准备在半导体制造中，哪种技术常用于制造极小尺寸的图案和结构？A. 光刻技术（正确答案）B. 化学气相沉积C. 物理气相沉积D. 湿法刻蚀下列哪项是半导体工艺中常用的薄膜沉积技术？A. 溅射法（正确答案）B. 离子注入法C. 干法刻蚀法D. 湿法腐蚀法在半导体器件的封装过程中，下列哪一项不是必需的步骤？A. 晶圆测试B. 晶圆切割C. 晶圆抛光（正确答案）D. 芯片焊接半导体工艺中的“退火”步骤主要用于什么目的？A. 修复晶格损伤并激活掺杂剂（正确答案）B. 增加材料的电阻率C. 减少材料的导电性D. 改变材料的晶体结构类型。
半导体器件制造过程中的节能减排考核试卷
D.增加生产批次
20.以下哪些做法有助于提高半导体器件制造过程中的环境友好性？（）
A.采用水性粘合剂替代有机溶剂
B.使用低毒性的化学品
C.提高废气和废水的处理效率
D.减少生产过程中的噪声污染
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.半导体器件制造过程中，主要通过优化_________和_________来实现节能减排。
B.优化生产流程
C.减少生产过程中的化学品使用
D.提高生产速度
7.下列哪些气体在半导体制造过程中可以实现节能减排？（）
A.氮气
B.硅烷
C.氩气
D.氯化氢
8.在半导体器件制造过程中，以下哪些技术可以提高能效？（）
A.湿法蚀刻
B.干法蚀刻
C.化学气相沉积
D.离子注入
9.以下哪些措施可以减少半导体器件制造过程中的水污染？（）
13.以下哪种方法可以有效降低半导体器件制造过程中的能耗？（）
A.提高生产线的自动化程度
B.增加生产批次
C.减少生产线的运行时间
D.提高生产线的运行速度
14.以下哪个选项不符合节能减排的原则？（）
A.提倡绿色出行
B.减少一次性用品的使用
C.提高能源利用效率
D.增加化石能源消费
15.在半导体器件制造过程中，以下哪个环节可以通过改进技术实现节能减排？（）
A.提高生产线的自动化程度
B.增加生产批次
C.减少生产线的运行时间
D.提高生产线的运行速度
2.下列哪种材料不属于半导体材料？（）
A.硅
B.锗
C.铜镍
D.砷化镓
3.在半导体器件制造过程中，以下哪种做法有助于减少碳排放？（）
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半导体材料考试提纲DFQQLXV9U
2012-11-7
1、半导体的主要特征？
（1）电阻率在10-3 ~ 109 Ω•cm 范围（2）电阻率的温度系数是负的
（3）通常具有很高的热电势（4）具有整流效应
（5）对光具有敏感性，能产生光伏效应或光电导效应
2、化合物半导体与元素半导体的区别？
3、阅读基于光伏原理的太阳能发电技术的相关文献和资料，掌握光伏发电原理。
光伏发电，其基本原理就是“光伏效应”。
“光生伏特效应”，简称“光伏效应”。
指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。
它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。
有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。
太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。
这就是光电效应太阳能电池的工作原理。
4、硅的化学提纯工艺主要有哪几种？简述其工艺过程？
1）、三氯氢硅还原法2）、硅烷法：
6、比较硅、锗的物理化学性质？
１）物理性质
硅和锗分别具有银白色和灰色金属光泽，其晶体硬而脆。
二者熔体密度比固体密度大，故熔化后会发生体积收缩（锗收缩5.5%，而硅收缩大约为10%）。
硅的禁带宽度比锗大，电阻率也比锗大4个数量级，并且工作温度也比锗高，因此它可以制作高压器件。
但锗的迁移率比硅大，它可做低压大电流和高频器件。
2）化学性质
（1）硅和锗在室温下可以与卤素、卤化氢作用生成相应的卤化物。
这些卤化物具有强烈的水解性，在空气中吸水而冒烟，并随着分子中Si(Ge)−H键的增多其稳定性减弱。
（2）高温下，化学活性大，与氧，水，卤族(第七族)，卤化氢，碳等很多物质起反应，生成相应的化合物。
注：与酸的反应（对多数酸来说硅比锗更稳定）；与碱的反应（硅比锗更容易与碱起反应）。
7、查阅文献和资料，学习多晶硅的生产过程和工艺，了解当前多晶硅制备工艺中存在的主要问题。
8、什么是分凝现象？简述区熔提纯基本原理？
将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的，这种现象称分凝现象或偏析现象。
区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部深化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部，进而达到使中部材料提纯的目的。
9、推导BPS公式，并对公式进行解释？
10、分析影响区熔提纯的各种因素。
11、试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。
12、什么叫临界晶核？它的物理意义及与过冷度的定量关系如何？
13、形核为什么需要形核功？均匀形核与非均匀形核形核功有何差别？
14、简述直拉单晶硅工艺过程及特点？
15、太阳能电池的工作原理是什麽？
16、太阳能电池有那些主要技术指标？
17、示意画出单晶硅太阳能电池的结构。
18、写出单晶硅太阳能电池的主要工艺。
19、目前正在研究那些高效太阳能电池材料和高效太阳能电
池结构？
20、从短期看，太阳能电池的发展趋势怎样？
补充
1、什么是有机半导体体材料，举出2种有机半导体材料的例子。
2、写出用硅镁合金与无机酸或卤铵盐作用制备硅烷的化学反应方程式。
3、写出用石英砂制备工业硅的化学反应式。
4、写出用硅粉制备三氯氢硅的化学反应式。
工艺控制的关键是什么？
5、什么是精馏提纯方法？
6、三氯氢硅还原反应式。
7、什么是基硼量、基磷量。
我国高纯硅的基硼量、基磷量是多少？
8、在硅烷法制备高纯硅的工艺中，硅化镁与氯化铵的反应式及反应条件。
9、目前硅烷的提纯多采用什么方法，提纯工艺中使用了几种分子筛？
10、锗的富集方法有几种。
11、高纯锗的制取分基步，简述每一步的原理。
12、什么是平衡分凝系数，什么是有效分凝系数，写出其表达式。
13、什么是正常凝固？凝固过程中三类杂质在凝固工艺之后分布的特点。
14、写出正常凝固过程中杂质浓度沿锭长的分布公式（P25(2-21)）。
15、什么是区熔提纯，写出一次区熔提纯后锭中杂质的分布规律公式（P27(2-24)。
16、影响多次区熔提纯的主要因素。
区熔长度如何选择，区熔移动速度如何选择，
区熔次数如何选择。
17、晶体生长分几类，并分别写出其生长条件。
18、什么是均匀成核，什么是非均匀成核？
19、单个晶核形成过程中体系自由能总的变化量计算公式（P39(3-11)）。
20、写出单晶成核时晶胚的临界半径的公式（P40(3-12)），在什么条件下晶体才能稳定成核。
21、写出非均匀成核的临界半径（P42（3-25））。
3-1-3节,3-1-4节不考。
22、写出晶体生长速度的估算公式，极限情况下晶体生长的最快速度计算公式。
P55-56。
23、晶体生长速度与晶体生长半径的关系（P56(3-56)），实际生产中是如何控制晶体的半径的。
24、简述直拉单晶生长工艺。
在直拉法单晶工艺中控制单晶生长工艺的两个主要参数是什么。
25、直拉法和区熔法制备单晶硅比较。
26、最大区熔区的计算公式（P65(3-69)）。
27、纯硅材料的电阻率的计算公式（P73(4-3)）。
28、简述霍尔效应测量载流子浓度的原理。
28、P73-74计算例题1-3。
29、P77，例题4
30、杂质掺入的两种方法。
31、硅锗中杂质的分类
32、杂质对材料性能的影响
33、下面两个公式弄明白：
不考P79-101
34、什么是光生伏特效应。
简述描述太阳能电池工作原理。
35、画出硅太阳能电池基本结构。
36、简述硅太阳能电池制造工艺流程。
37、简述硅太阳能电池表面绒面化工艺。
)Cm()C0(W )M(母合金中杂质浓度单晶中杂质浓度锗质量母合金质量⨯=
度)Cm(母合金中杂质浓(熔硅中杂质浓度)C W硅质量M(母合金质量)L 0⨯=
38、硅太阳能电池PN结的形成工艺原理。
39、太阳能电池丝网印刷浆料的主要成分是什么，为什么要进行烧结工艺。
第5章硅外延生长
1.什么叫外延？外延的五种分类？
2.外延生长的特点？
3.硅气相外延生长常用的硅源有哪几种？
4.外延层质量要求？
5.外延层的杂质来源有哪些？
6.衬底材料选择的原则。
7.解释SOS和SOI技术，SOI结构的优点？
第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
1. 砷化镓的应用领域有哪些？
2.InP与GaAs相比具有哪些优势？InP作为衬底材料的两种用途？
3.分述闪锌矿和金刚石结构。
4.直接跃迁和间接跃迁的概念。
直接间隙半导体和间接间隙半导体的定义。
5.间接带隙半导体材料的发光机理。
6.液态密封法所用的惰性密封熔体所具备的条件有哪些？
第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长
1.半导体气相外延主要有哪三种方法？
2.利用图7-1解释卤化物法外延生长GaAs的工艺。
3.液相外延按衬底与溶液接触方式的不同可分为哪几种方法？其中哪种方法最常用？
4.分子束外延的优点有哪些？它的生长过程有哪两个步骤？
补充内容：半导体金刚石
1.半导体金刚石的研究现状？
2.解释高温高压下金刚石生长的膜生长法和温度梯度法？
3.写出下列缩写的中文全称
C VD，PVD，VPE，SOS ，SOI ，MOCVD，MBE，LPE，CBE，ALE ，MLE
什么是同质结？异质结？异质结的分类有哪些？
什么是超晶格？势阱？势垒？量子阱？
同质外延,异质外延,直接外延,间接外延，正外延，反外延，自掺杂，外掺杂气相外延液相外延金属有机物气相沉积分子束外延化学束外延。