ACF使用之接合原理

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ACF资料

ACF资料

COB実装 (IC/PWB)
COF実装 (IC/FPC)
SONY A.C.F 保存 / 使用条件
(1) 冷藏库 取出常温放置 回温约30分钟 5℃ / 95%RH 以下 (目视包装袋外所附水气消失为止) (2) 未开封 / 保存条件 / 寿命 (a) 5℃ / 95%RH 以下 制造后7个月 (b) 23℃ / 65%RH 以下 1个月 (3) 已开封 / 保存条件 / 寿命 (a) 5℃ / 95%RH 以下 1个月(参考) (b)23℃ / 65%RH 以下 3天内(参考)
推力=1 bump面积×1 chip内bump数×400 =0.005×0.015×522×400 =15.66kgf
接着力(peel)测定 glass
TCP X方向 Y方向 贴合宽度 通常2mm
10mm 拉力测试机 : TENSILON UCT-2.5T (或RTC-1210) 测定条件 : 拉引速度 5mm/min 90゜peel 环境 23℃/65% 接着力测定法
FP11411
976
1980
1984
随著LCD高精细化 可对应0.2mm Pitch
1988
1992
低成本 Bare chip实装
1996
2000
客要求 要求
无焊药,伴随Fine pitch 化可对应Fine pitch
接合所有玻璃基板上之 attern
随著Dot matrix LCD 之实装.可达Fine pitch
Product shape
Base film
Triple layer type
ACF
ACF thickness : 15~45μm litting width : 1.5~3.5mm ength Length : 25,50,100m

ACF压着技术标准

ACF压着技术标准

(COG 作业标准书)
文书编号: 名称
热压着加工 技术标准书
版本编号: 01
生效日期: ACF(异方性导电膜)
7.压着部平行度的管理
7-1)平行度• 测试/管理基准
①用感压纸确认压着头及受取台的平行度
*[目的:热压着使压力分布均匀]
②测试时安上加热头的胶片。
(注意)本压着测试时,装上铁氟龙(防止感压纸溶化)
版本编号: 01
生效日期: ACF(异方性导电膜)
页数:11/15
10-2)压着外观判定 (1) 接着部外观判定 ACF 热压着后,按下列项目确认压着外观和品质 ①在聚酰铵胶纸侧,确认压着外观部有无异物及压着幅度是否适中 ②确认玻璃面有无附着异物 ③确认压着幅度• PATTERN 错位• ACF 硬化色• 粒子形状• 气泡(实体显微镜ⅹ20∽80) (2) 接着部外观
(COG 作业标准书)
文书编号: 名称
热压着加工 技术标准书
版本编号: 01
生效日期: ACF(异方性导电膜)
页数:12/15
10-3)导电粒子的偏平状态 ①导电粒子和接着部的横断面
金属薄膜 高分子核体
10um
接着厚度 10 4
接着部的横断面
电极 接着剂 导电粒子
电极
②导电粒子的偏平状态 (照片)
方法·对策 作业前点检用量产品用适中的条件接续 (温度 压力 时间)
‹ (参考)空间部气泡› (1) 用适当的压着条件计算出的结果
为空间 30%以上无连通的气泡,可 满足接着强度 (2) 气泡的管理,在作业标准书有记录
COPY NO.________
承认
检认
作成
Guangzhou Seiko Instruments Ltd.

ACF

ACF
ACF拉出及切斷
假壓著(Pre Bonding)
温度:70℃、圧力:0.5Mpa 時間:1秒(CP9631の場合)
9
ACF之接合步驟(2)
Seperator Film剝離
TCP搭載
本圧着(Final Bonding)
温度:200℃、圧力:45N 時間:12秒
10
圧着後之良好與否的判定標準(1)圧力
ACF材料及Bonding原理介紹
講 師: 王 明
1
ACF:Anisotropic Conductive Film (它是一種導電性微粒子均勻分佈在其中的黏性薄膜)
Au
樹脂
Ni
製品形態
顯微鏡下觀察到圖像
電子顯微鏡下觀察到圖像
2
ACF結構
三層
CARRIER FILM ACF 厚
兩層
SONY
保護膜
HITACHI
電容TP FPC Bonding MARK对位示意图
A-side
B-side
机台作业时显示屏上至少显示3根FPC金手 指,且金手指与ITO线路之间上下错位距离 不可超过相邻2根ITO线路间距(g)的1/2,即 :偏位≦1/2g
16
7
ACF接合之因素
温度 圧力 時間
ACF之接合,由時間,溫度, 壓力組合而成。
Exp.)160℃-4Mpa-10sec ⇒ 温度&時間 :10秒後,到達160度

力 :(推力)/(接続總面積)が4Mpa
即使設定正確,但溫度或壓力不均,仍會造 成接合不良的情形.
8
ACF之接合步驟(1)
端子清潔(Cleaning)
(1)配線之場合
適当(粒子破裂良好)
過大圧力(粒子破壊)

ACF的原理和使用

ACF的原理和使用

ACF的原理和使用ACF(梯度相关滤波器)是一种用于图像处理和计算机视觉的滤波器,用于检测和定位图像中的特定特征。

ACF算法通过在图像上滑动一系列滤波器来分析图像的特征以及它们的位置。

它被广泛应用于许多计算机视觉任务,如物体检测、人脸检测和姿势估计等。

ACF算法的原理基于滑窗检测器和积分图像的概念。

滑窗检测器是一种在图像上滑动的小方框,用于检测和定位特征。

积分图像是一种预处理技术,用于快速计算图像中各个区域的和。

ACF算法通过滑窗检测器和积分图像的组合,有效地计算滤波器响应,并将其用于特征检测。

ACF算法的使用通常需要以下步骤:1.数据准备:首先,需要准备包含正样本和负样本的训练集。

正样本是指包含目标特征的图像区域,负样本是指与目标特征无关的图像区域。

训练集的数量要足够大,并且应该具有足够的变化以覆盖真实世界中的不同情况。

2.特征提取:ACF算法使用梯度相关滤波器来提取图像特征。

这些滤波器通常基于图像的梯度信息,用于检测边缘、角点和纹理等特征。

特征提取的目的是将图像转换为一组高维特征向量,以便后续的分类操作。

3. 训练分类器:在通过滤波器提取图像特征后,需要使用机器学习算法来训练一个分类器。

常见的分类器包括支持向量机(SVM)和随机森林(Random Forest)等。

训练过程中,分类器通过正样本和负样本的特征向量进行训练,并学习将它们区分开来的决策边界。

4.特征匹配:训练完成后,可以将分类器应用于新的图像以进行特征匹配。

ACF算法通过在图像上滑动滤波器来计算特征响应,并将其传递给分类器进行判断。

如果滤波器响应超过一些阈值,则将其判定为包含目标特征的区域。

ACF算法的优点是能够高效地检测和定位图像中的特定特征。

它通过梯度相关滤波器的组合,在计算特征响应时具有较高的速度和准确性。

此外,ACF算法还可以通过调整滤波器的参数来适应不同类型的特征和任务。

然而,ACF算法也存在一些局限性。

首先,滤波器的设计对算法的性能影响很大,需要根据具体任务进行调整。

ACF的原理和使用

ACF的原理和使用

ACF的原理和使用杨旭2008.06.20主要内容�ACF的用途和简介�ACF的结构及原理�ACF的使用�ACF的发展趋势一. ACF的用途和介绍1.ACF (Anisotropic Conductive Film)介绍异方性导电胶ACF is connection material atshort time between electricterminals with less than 100um.Sony Chemicals succeeded indeveloping and selling ACF first1973.in the world in 1973in the world in(COG、COB、FOG、FOB、FOF等)二、ACF 的结构及原理1、ACF的结构示意图FOG ACF无此层FOG ACF无此层2、ACF的结构介绍1)COG使用的ACF主要是三层结构:Cover film,Base film,ACF2)FOG使用的ACF主要是两层结构: Base film,ACF3)其中ACF尺寸及卷轴主要规格如下:a. ACF长度:一般使用为50m。

其他规格包括:25m,100m,200m。

b. ACF宽度:ACF可以提供的宽度1.0~20mm。

现在COG使用最多的规格主要为:1.5mm,2.0mm,2.5mm,3.0mm,3.5mm。

c. 卷轴规格:标准外径为:Φ 125mm (其他可能有Φ 95,135,145,155,230mm)标准内径为:Φ 25.4mm(除此外可能有Φ 18.5mm)注:关于产品宽度,长度,卷轴尺寸等若有特殊要求,可以与供应商协商制作。

d. 导电粒子规格:导电粒子的直径大小主要有: 2.8um3um、3.5um、4um、5um等3、ACF的主要原材料介绍1)ACF主要的两种原材料是:金球和树脂A、树脂作用:树脂黏着剂除了防湿气、接着、耐热及绝缘等功能外主要作为固定IC晶片与基板间电极相对位置,并提供一定压迫力量以维持电极与导电粒子间的接触面积特性:ACF所使用的树脂是属于热固性树脂类的环氧树脂,具有高温稳定性、热膨胀性低和吸湿性低等优点,但由于高温固化的特性不易重工B、金球:作用:主要是起导通作用,有效连接两者的相对应的电路种类:主要是以金属粉末和高分子塑胶球(具有弹性)表面涂布金属为主,常见的金属粉末为镍、金、镍上镀金、银和锡等,目前COG所使用的ACF,其导电粒子多为在高分子塑胶球表面镀镍镀金导电金球的表面处理:导电金球表面绝缘处理和导电金球表面不加绝缘处理而导电粒子根据表面的处理,可以大概分为两类,一为表面经过绝缘处理措施或者增加绝缘层,此种粒子在防止横向短路有着非常的优势。

ACF常识

ACF常识

What is ACF1999 . 4 . 9Sony Chemicals Corp.Ver.1021.異方性導電膜(ACF) 接続• 原理、構成、使用方法 • 開発過程 • 種類、用途Sony Chemicals Corp.Ver.103異方性導電膜ACF:Anisotropic Conductive Film (在接着性薄膜膠帶中散佈導電性粒子)樹脂 Au Ni樹脂 coatφ5μm樹脂 Au Ni絶縁coatSony Chemicals Corp.φ5μmVer.104ACF 製造流程圖粒子 (導電材料) 分散 接著劑 (Resin) 溶解 混合攪拌 塗佈 Cover film 乾燥 貼合 裁切base film Cover filmProduct shapeBase filmTriple layer typeACFACF thickness : 15~45μm Slitting width : 1.5~3.5mm Length : 25,50,100m卷取及目檢 出貨base filmDouble layer typeSony Chemicals Corp.Ver.105ACF的封裝方法 ・ 接著原理TAB封裝接続条件 温度 150~210 ℃ 圧力 30~50 kg/cm2 時間 10~20 secFLIP CHIP 的封裝温度、圧力、時間温度、圧力、時間 LCDIC TCPBumpLSI電極接頭ACF電路Glass、樹脂基板FPC封裝接続条件 温度 150~210 ℃ 圧力 30~50 kg/cm2 時間 10~20 sec絶縁FPC温度、圧力、時間 PDP電極接頭ACF導通Sony Chemicals Corp.Ver.106ACF製程的封裝方法基板PDP PWB FPC等等預壓著ヒーターツール為了防止ACF在壓著之 後回到常溫時發生溢 膠的情況,在被壓著體 上覆蓋緩衝材保護膜的剝離依據自動機台的情況 封裝和壓著同時被進行条件:温度 60~90℃、圧力 0.20~0.29MPa (2~3kg/cm2)、時間 3~5sec完成實際壓著条件:温度 150~210℃、 圧力 2.9~4.9MPa(30~ 50kg/cm2)、時間 10~ 20sec 因加熱壓著造成 Binder硬化,上下 pattern因此接合在 一起。

acf

acf
網頁架構
ACF( Anisotropic Conductive Film ) 異方性導電膠 -產品介紹
- ACF for LCD FOG ( Film on Glass )
- ACF for LCD FOB ( Film on Board )
- ACF for LCD COG ( Chip on Glass )
MPa
2~4
時間
sec
10
*寬度應客戶要求變化,可提供 0.8/1.0/1.2/1.5/2.0/2.5 mm…等。
**實際物性以送樣規格為準。
***提供之數值為 U-Pak 廠內載具量測出之參考數據,並非保證的數據,實際壓
合條件需依機台特性之不同而調整。
- ACF for LCD COG ( Chip on Glass)
合條件需依機台特性之不同而調整。
第二層
-認證實績
-瑋鋒科技是目前大中華地區第一家有能力量產 ACF 的廠商,我們投入 ACF 的研發 已有多年時間,經過多年的努力,我們目前更已經取得大中華地區超過三十家客 戶的認證,並已陸續出貨,包括台灣,大陸等面板模組廠,並且已經通過 1000 小時 的信賴性測試.且已有多種產品出貨,應用在手機與數碼相框等商品中。
18.5
溫度

80±10
預壓合
壓力
MPa
0.5~1.0
時間
Sec
1~ 2
溫度

180±10
180±10
190±10
本壓合
壓力
MPa
1~3
2~4
3
時間
Sec
15
15
≧7
*實際物性以送樣規格為準。
**寬度應客戶要求變化,可提供 0.8/1.0/1.2/1.5/2.0/2.5 mm…等。

(1)何谓ACF

(1)何谓ACF
温度:70℃、圧力:0.5Mpa 時間:1秒(CP9631の場合)
6
1-5.ACF之接合步驟(2) 之接合步驟 Seperator Film剝離
TCP搭載
本圧着(Final Bonding)
温度:180℃、圧力:4Mpa 時間:10秒(CP9631の場合)
7
1-6.圧着後之良好與否的判定標準 圧力 圧着後之良好與否的判定標準 圧着後之良好與否的判定標準(1)圧力
(1)ITO配線之場合
過小圧力(粒子破裂少)
適当(粒子破裂良好)
過大圧力(粒子破壊)
(2)金属配線之場合
過小圧力(無壓痕)
過小圧力(壓痕少)
適当(圧痕良)
8
1-7.圧着後の良否判定見本 温度&時間 圧着後の 温度& 圧着後 良否判定見本(2)温度
(1)ITO配線の場合
※因ACF種類不 同,Pattern間氣泡也會有 差異
Exp.)160℃-4Mpa-10sec ⇒ 温度&時間 :10秒後,到達160度 圧力 :(推力)/(接続總面積)が4Mpa
即使設定正確,但溫度或壓力不均,仍會造 成接合不良的情形.
5
1-5.ACF之接合步驟(1) 之接合步驟 端子清潔(Cleaning)
ACF拉出及切斷
假壓著(Pre Bonding)
1.何謂ACF
Sony Chemicals CORP. SIP Device Div. 2002.7
1
1-1.ACF使用例 使用例
所謂ACF係為一種可短時間接 合100um以下之端子的材料。 於1973年由Sony首先開發出來
2
1-2.ACF之外觀
製品形態
5µmφ
Binder與導電粒子 (光学顕微鏡) 電鍍Ni/Au Plastic或金属 導電粒子(SEM)

ACF异方性导电胶的分类、性能、特点、配方及制备方法

ACF异方性导电胶的分类、性能、特点、配方及制备方法

ACF异方性导电胶的分类、性能、特点、配方及制备方法:异方性导电胶(AnisotropicConductiveFilm;ACF),是一种基材A与基材B之间涂布贴合,限定电流只能由垂直轴Z方向流通于基材A、B之间的一种特殊涂布物质。

目前ACF常用到的例如软式排线、FilmOnGlass(FOG)薄膜软板╱玻璃贴合制程等,不同材质的电极藉由ACF的黏合,同时限定电流只能从黏合方向(垂直方向)导通流动,可以解决一些以往连接器无法处理的细微导线连接问题。

其特点在于Z轴电气导通方向与XY绝缘平面的电阻特性具有明显的差异性。

当Z轴导通电阻值与XY平面绝缘电阻值的差异超过一定比值后,既可称为良好的导电异方性。

导通原理:利用导电粒子连接IC芯片与基板两者之间的电极使之成为导通,同时又能避免相邻两电极间导通短路,而达成只在Z轴方向导通之目的。

产品分类:1.异方性导电膏。

2.异方性导电膜。

异方性导电膜(ACF)具有可以连续加工(Tape-on-Reel)极低材料损失的特性,因此成为目前较普遍使用的产品形式。

主要组成:主要包括树脂黏着剂、导电粒子两大部分。

树脂黏着剂功能除了防湿气,接着,耐热及绝缘功能外主要为固定IC芯片与基板间电极相对位置,并提供一压迫力量已维持电极与导电粒子间的接触面积。

一般树脂分为热塑性树脂与热固性树脂两大类。

热塑性材料主要具有低温接着,组装快速极容易重工之优点,但亦具有高热膨胀性和高吸湿性缺点,使其处于高温下易劣化,无法符合可靠性、信赖性之需求。

而热固性树脂如环氧树脂(Epoxy)、Polyimide等,则具有高温安定性且热膨胀性和吸湿性低等优点,但加工温度高且不易重工为其缺点,但其可靠性高的优点仍为目前采用最广泛之材料。

在导电粒子方面,异方导电特性主要取决于导电粒子的充填率。

虽然异方性导电胶其导电率会随着导电粒子充填率的增加而提高,但同时也会提升导电粒子互相接触造成短路的机率。

另外,导电粒子的粒径分布和分布均匀性亦会对异方导电特性有所影响。

ACF接合介绍

ACF接合介绍

微粒连接技术相关设备
ACF贴付机↓ 作用: 将ACF平整地贴付在FPC/Panel上, 实现ACF的转移。
Panel电极清洁机↑
作用: 清除Panel电极部异物,以保证COG压着质量。
微粒连接技术相关设备
显示器左 显示器右
IC
Panel
IC
Panel
IC本压机↓
作用: 对IC预压后的组件进行本压,应用 一定的温度/压力,使ACF导电粒子 导通/固定。
ACF连接原理
导电粒子导电原理: 导电粒子被夹在上下电极之间并受一定温度/压力时,导电粒子表层的导电层 (Ni/Au层)被压扁/压裂,并接触上下电极间,因此使上下电极被导通。
不导电 受压 导电
粒子压裂状态
扩大
扩大
连续变化
ACF状态图片
ACF实装工艺
COG型实装工艺: 1、清洗 2、ACF贴付 3、IC预压 4、IC本压着 FOG型实装工艺: 1、ACF贴付 2、FPC本压着
ACF连接原理
连接原理: 利用一定的温度、压力、时间,将 ACF中的导电粒子压扁并固化;因导电 粒子直径很小,因而被压扁处的两层基 板导通,而未被压着的部分不导通,从 而实现异方向导电。
当导电粒子被夹在上下电 极之间时,通过导电粒子 表层的导电层(Ni/Au层) 的作用,上下电极间被导 通。
ACF连接原理
COG工程
IC 预压着 IC 本压着 下偏光板 贴付 上偏光板 贴付
高 温 高 压
Module2
偏光板 目视检查 ACF 贴付
FOG工程
Aging
FPC 本压着 UV 接着 防湿剂 涂布 Flicker 调整 BL 组立 双面胶 贴付 透明胶 贴付 两滴胶 接着

ACF使用的接合原理

ACF使用的接合原理
ACF使用接合原理
2011.10.22
■ ACF发展概况 ■ 驱动IC脚距缩小,ACF架构须持续改良以提升横向绝缘之特性
1、Hitachi Chemical的架构 2、Sony Chemical的架构
■ 驱动IC外型窄长化,ACF胶材之固化温度须持续降低以减少Warpage效应 ■ 贴子相关图片:
为降低Warpage效应,目前解决方案主要仍朝降低ACF的固化温度来著手。以膨胀系数 的单位ppm/℃来看,假使AC越小,Warpage效应也将降低。
ACF固化温度之特性主要受到绝缘胶材的成分所影响。绝缘胶材成分目前以B-Stage (胶态)之环氧树脂加上硬化剂为主流,惟各家配方仍多有差异。在胶材成分方面虽然 较无专利侵权的问题,但种类及成分对产品之特性影响重大,故各家厂商均视配方为机 密。ACF的许多规格如硬化速度、黏度流变性、接著强度乃至於ACF固化温度等,莫不受 到绝缘胶材的成分所决定。目前在诸多特性之中,降低ACF固化温度已成为各家厂商最 重要的努力方向,此特性也是关乎厂商技术高低的重要指标。
ACF主要应用在无法透过高温铅锡焊接的制程,如FPC、Plastic Card及LCD等之线路连 接,其中尤以驱动IC相关应用为大宗。举凡TCP/COF封装时连接至LCD之OLB (Outer Lead Bonding)以及驱动IC接著於TCP/COF载板的ILB(Inner Lead Bonding)制 程,亦或采COG封装时驱动IC与玻璃基板接合之制程,目前均以ACF导电胶膜为主流材料。
除了上述以结构改良的方式来避免横向绝缘失效以外,透过导电粒子的直径缩小也可达成 部分效果。导电粒子的直径已从过去12um一路缩小至目前的3um,主要就在配合Fine Pitch的 要求。随著粒径的缩小,粒径及金凸块厚度的误差值也必须同步降低,目前粒径误差值已由 过去的±1um降低至±0.2um。

ACF简介

ACF简介

3.5 机台&热压头压合水平度调试
①机台水平度调试:机台的支架是垂直方向可调整的,借助水平仪微调 即可,确定水平后将机台的四个脚固定。 ②热压头压合的水平度调整:热压头压合在放有感压纸的PCB金手指处, 观察三个support pin位置颜色的均匀度,再通過調整carrier的螺絲的的 高度調整水平度
1.1 何谓异方性导电胶:在于Z轴电气导通方向与XY绝缘平面的电阻特性具有明显的差异性。 当Z轴导通电阻值与XY平面绝缘电阻值的差异超过一定比值后,既可称为良好的导电异方 性。 1.2 导通原理:利用导电粒子连接IC芯片与基板两者之间的电极使之成为导通,同时又能避免 相邻两电极间导通短路,而达成只在Z轴方向导通之目的。 1.3 主要组成:主要包括树脂黏着剂、导电粒子两大部分。树脂黏着剂功能除了防湿气,接着, 耐热及绝缘功能外主要为固定IC芯片与基板间电极相对位置,并提供一压迫力量已维持电 极与导电粒子间的接触面积。
Range:-500~+500(ue) • Red curve max value:427.72ue • Blue curve max value:65.90ue • Green curve max value :109.37ue Conclusion: all the values are in the spec
Buffer material: 15mm width, balance the pressure and temperature
14
3.设备参数调试 3.1 carrier尺寸量测(omm)
3.2 压头尺寸量测 本压机热压头平面尺寸2x18mm 预压机热压头平面尺寸3x25mm
15
3.3 热压头气缸压力调试 Spec:9.8kgf(机台经验者设置为 0.8Mpa) 量测方法如图所示

ACF使用的接合原理_图文.

ACF使用的接合原理_图文.

2.Sony Chemical的架构除了上述以结构改良的方式来避免横向绝缘失效以外,透过导电粒子的直径缩小也可达成部分效果。

导电粒子的直径已从过去12um 一路缩小至目前的3um,主要就在配合Fine Pitch的要求。

随著粒径的缩小,粒径及金凸块厚度的误差值也必须同步降低,目前粒径误差值已由过去的±1um降低至±0.2um。

随著驱动IC细脚距的要求,金凸块的最小间距也持续压低,目前凸块厂商已经可以做到 20um左右的凸块脚距。

20um的脚距已使ACF横向绝缘的特性备受挑战,Fine Pitch的技术瓶颈压力似乎已经落在ACF胶材的身上了。

Sony Chemical的方法是在导电粒子的表层吸附一些细微颗粒之树脂,目的在使导电粒子的表面产生一层具绝缘功能的薄膜结构。

此结构的特性是,粒子外围的绝缘薄膜在凸块接点热压合时将被破坏,使得垂直方向导通;至於横向空间的导电粒子绝缘膜则将持续存在,如此即可避免横向粒子直接碰触而造成短路的现象。

Sony 架构的缺点是,当导电粒子的绝缘薄膜在热压合时若破坏不完全,将使得垂直方向的接触电阻变大,就会影响ACF的垂直导通特性。

目前该结构的专利属於Sony Chemical。

■ 驱动IC外型窄长化,ACF胶材之固化温度须持续降低以减少Warpage效应当驱动IC以COG形式贴附在LCD玻璃基板上时,为避免占用太多LCD面板的额缘面积,并同时减少IC数目以降低成本,使得驱动IC持续朝多脚数及窄长型的趋势来发展。

然而, LCD无碱玻璃的膨胀系数约4ppm/℃远高於IC的3ppm/℃,当ACF胶材加热至固化温度反应後再降回室温时,IC与玻璃基板将因收缩比例不一致而使产生翘曲的情况,此即Warpage效应。

Warpage效应将使ACF垂直导通的效果变差,严重时更将产生Mura。

Mura即画面显示因亮度不均而出现各种亮暗区块的现象。

为降低Warpage效应,目前解决方案主要仍朝降低ACF的固化温度来著手。

ACF简介

ACF简介

Deformation: 60~80% Particle size: 1~2µ m
Deformation: 90% Particle size: 0.5µ m
Deformation: 100% Particle size: 0µ m
Failure
Excellent
Good
Failure
2013/6/27
(a)Pitch---> 50m (b)Low expansion coefficient (c)Rework by solvent of various usage (d)High reliability
• ACF bonding for TCP input--->CP7652K
(a)Pitch--->0.2mm and less (b)It is friendly to the environment (c)Rework by solvent of various usage--->binder for CP7621 system (d)Bonding resistance is low level (e)High reliability (f) Respond to a big electricity in output
V
R1 r1
R2 r2 r1
R2 r2
1mA
2013/6/27
1mA
23
r1 , r2 : wiring resistance R1 , R2 : connection resistance r3 : ITO resistance R=V/I (1)2-terminal : R=r1+R1+r3+r2+R2 (2)4-terminal : R=R1+r3+R2

ACF使用之接合原理

ACF使用之接合原理

■ 驱动IC脚距缩小,ACF架构须持续改良以提升横向绝缘之特性
ACF中之导电粒子扮演垂直导通的关键角色,胶材中导电粒子数目越多或导电粒子的体 积越大,垂直方向的接触电阻越小,导通效果也就越好。然而,过多或过大的导电粒子可能 会在压合的过程中,在横向的电极凸块间彼此接触连结,而造成横向导通的短路,使得电气 功能不正常。 随著驱动IC的脚距(Pitch)持续微缩,横向脚位电极之凸块间距(Space)也越来越 窄,大大地增加ACF在横向绝缘的难度。为了解决这个问题,许多ACF结构已陆续被提出, 以下针对目前两大领导厂商的主要架构做介绍:
■ 贴子相关图片:

除了上述以结构改良的方式来避免横向绝缘失效以外,透过导电粒子的直径缩小也可达成 部分效果。导电粒子的直径已从过去12um一路缩小至目前的3um,主要就在配合Fine Pitch的 要求。随著粒径的缩小,粒径及金凸块厚度的误差值也必须同步降低,目前粒径误差值已由 过去的±1um降低至±0.2um。 随著驱动IC细脚距的要求,金凸块的最小间距也持续压低,目前凸块厂商已经可以做到 20um左右的凸块脚距。20um的脚距已使ACF横向绝缘的特性备受挑战,Fine Pitch的技术瓶颈 压力似乎已经落在ACF胶材的身上了。
目前,双层结构的ACF胶膜为Hitachi Chemical的专利。除了双层结构之外,Hitachi也使用 绝缘粒子,将绝缘粒子散布在导电粒子周围。当脚位金凸块下压时,由於绝缘粒子的直径远 小於导电粒子,因此绝缘粒子在垂直压合方向不会影响导通;但在横向空间却有降低导电粒 子碰触的机会。
2.Sony Chemical的架构
■ ACF发展概况
ACF的组成主要包含导电粒子及绝缘胶材两部分,上下各有一层保护膜来保护主成分。 使用时先将上膜(Cover Film)撕去,将ACF胶膜贴附至Substrate的电极上,再把另一层 PET底膜(Base Film)也撕掉。在精准对位後将上方物件与下方板材压合,经加热及加压 一段时间後使绝缘胶材固化,最後形成垂直导通、横向绝缘的稳定结构。 ACF主要应用在无法透过高温铅锡焊接的制程,如FPC、Plastic Card及LCD等之线路连 接,其中尤以驱动IC相关应用为大宗。举凡TCP/COF封装时连接至LCD之OLB (Outer Lead Bonding)以及驱动IC接著於TCP/COF载板的ILB(Inner Lead Bonding)制 程,亦或采COG封装时驱动IC与玻璃基板接合之制程,目前均以ACF导电胶膜为主流材料。

ACF反激电路工作原理

ACF反激电路工作原理

ACF反激电路⼯作原理有源钳位反激电路⼯作原理1、前⾔传统的硬开关反激变换器功率开关管电压、电流应⼒⼤,变压器的漏感引起电压尖峰,必须采⽤⽆源RCD吸收电路进⾏箝位限制,RCD吸收电路的电阻R产⽣额外的功率损耗,降低系统效率,如图1所⽰。

如果将RCD吸收电路的电阻R去掉,同时将⼆极管换成功率MOSFET,这样就变成了有源箝位反激变换器,通过磁化曲线在第⼀、第三象限交替⼯作,将吸收电路的电容Cc吸收的电压尖峰能量,回馈到输⼊电压,从⽽实现系统的正常⼯作。

2、有源箝位反激变换器⼯作原理⾮连续模式DCM有源箝位反激变换器电路结构及相关波形如上所⽰,图中的各个元件定义如下:Lm:变压器初级激磁电感Lr:变压器初级漏感Lp:变压器初级总电感,Lp=Lm+Lrn:变压器初级和次级的匝⽐,n=Np/NsQ1:主功率开关管,DQ1、CQ1为Q1寄⽣体⼆极管和寄⽣输出电容Cc1:Cc1=Cc+CQ1+Cto Qc:箝位开关管,DQc、CQc 为Qc寄⽣体⼆极管和寄⽣输出电容Do:次级输出整流⼆极管Cc:箝位电容Cr:CQ1、CQc以及其它杂散谐振电容Cto总和,Cr=CQ1+CQc+Cto Vsw:Q1的D、S两端电压Vin:输⼊直流电压Vo:输出直流电压Vc:箝位电容3、有源箝位反激变换器开关周期时序分解每个开关周期根据其⼯作状态可以分为8个⼯作状态,各个⼯作模式的状态及等效电路图分别讨论如下:图2:有源箝位反激变换器波形(⾮连续模式DCM)在t0时刻,Q1处于导通状态,Qc、Do保持关断状态。

Lp两端所加的电压为Vin,上端为Vin,下端为0V电位。

Lp激磁,其电流从0开始,随着时间线性上升。

磁芯内磁通量?与激磁电流成正⽐,随着时间线性上升。

副边电感反向截⽌,整流⼆极管反向电压为-(Vin/n+Vo)。

图3:模式1(Q1导通,Qc、Do关断)在t1时刻,Q1关断,Qc 、Do 保持关断状态。

Q1关断后,Lp 和Cr 谐振,激磁电流对1Q C 充电,对QC C 放电,Vsw 电压谐振上升。

acf拓扑电路原理

acf拓扑电路原理

acf拓扑电路原理ACF电路主要由运算放大器(OP-AMP)和一组电容、电阻组成。

运算放大器是一个高增益、差分放大的电路,具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性。

在ACF电路中,运算放大器的正输入端和负输入端分别与电容、电阻网络连接。

ACF电路的原理可以通过多种方式进行分析和讲解,其中一种常用的方法是基于频率域。

我们将通过以下步骤详细介绍ACF电路的工作原理。

首先,我们需要明确ACF电路的输入和输出。

输入是我们想要滤波和处理的信号,输出是经过滤波后的信号。

ACF电路的目标是在特定的频率范围内对输入信号进行滤波,削弱或消除不需要的频率成分,同时增强需要的频率成分。

第二步是根据所需的滤波特性选择合适的电容和电阻值。

电容和电阻的选择取决于所需的截止频率、通频带、增益等指标。

通常,我们可以通过调整电阻和电容的比例来改变滤波特性。

第三步是运算放大器的配置。

在ACF电路中,运算放大器实际上是用来放大、增强和处理信号的。

可以通过调整运算放大器的增益和增益频率特性来改变滤波特性。

运算放大器通常以负反馈的方式配置,以提高稳定性和减小非线性失真。

接下来,我们将根据电容和电阻值的选择、运算放大器的配置以及频率特性,使用频率域分析方法来分析ACF电路的滤波特性。

频率域分析是一种将信号从时域转换为频域的方法,可帮助我们理解信号的频谱特性。

在频率域分析中,我们可以计算ACF电路的传输函数,即输入信号与输出信号之间的关系。

传输函数可以用于计算ACF电路的频率响应,包括增益、衰减、相移等特性。

最后,我们可以通过调整电容和电阻的值、运算放大器的配置以及频率特性,来优化ACF电路的滤波效果。

通过合理选择元件参数和设计方法,可以实现对不同频率和幅度范围的信号进行滤波和处理。

总结而言,ACF拓扑电路通过结合运算放大器和电容、电阻网络,实现对信号的滤波和处理。

通过选择合适的电容和电阻、配置运算放大器以及调整频率特性,可以实现不同频率范围内的滤波效果。

acf热压合工艺流程

acf热压合工艺流程

acf热压合工艺流程一、概述ACF(Anisotropic Conductive Film)热压合工艺是一种广泛应用于电子产品连接的技术。

ACF 是一种特殊的导电胶膜,在一定的温度和压力下,可以将IC 芯片、PCB 板以及FPC (Flex Printed Circuit)等电子元件连接在一起,实现信号传输和电气连接。

ACF 热压合工艺适用于各种电子产品的生产,如手机、平板电脑、液晶显示屏等。

二、ACF 热压合工艺流程1. 准备工作在进行ACF 热压合之前,首先需要准备好所需的设备和材料,包括ACF 胶膜、IC 芯片、PCB 板、FPC 等元件,以及热压合机、温控设备等工具。

在准备工作中,需要确保设备和材料的质量稳定,以保证热压合过程的可靠性和稳定性。

2. 温度控制在ACF 热压合过程中,温度是至关重要的参数。

一般情况下,热压合温度在150-200°C 之间。

温度过高或过低都会影响热压合效果。

因此,在进行热压合之前,需要先对热压合机进行温度校准,确保温度的准确性和稳定性。

3. 压力控制除了温度之外,压力也是影响热压合效果的重要参数。

在进行热压合之前,需要调整热压合机的压力参数,以保证IC 芯片和PCB 板能够完全贴合在一起,并确保信号传输的可靠性。

4. 涂覆ACF 胶膜在进行热压合之前,需要先将ACF 胶膜涂覆在IC 芯片和PCB 板的连接部位。

涂覆ACF 胶膜需要一定的技术和经验,过程中需要确保胶膜的均匀性和完整性。

5. 热压合在完成ACF 胶膜的涂覆之后,可以进行热压合的过程。

热压合的过程一般包括预热、热压和冷却三个阶段。

在预热阶段,热压合机会将IC 芯片和PCB 板加热至设定的温度,以软化ACF 胶膜。

在热压阶段,热压合机会施加一定的压力,将IC 芯片和PCB 板压合在一起。

在冷却阶段,热压合机会逐渐降低温度,使得ACF 胶膜固化,完成热压合过程。

6. 质量检查在完成热压合之后,需要进行质量检查。

acf 拓扑电路原理

acf 拓扑电路原理

acf 拓扑电路原理
ACF(Active Component Filter)是一种使用主动元件(如运算放大器)构建的电路,用于对输入信号进行滤波的一种方法。

ACF的拓扑电路原理是通过在滤波器电路中引入主动元件
(通常是运算放大器)来增强滤波器的性能。

传统的滤波器使用被动元件(如电阻、电容、电感等)进行滤波,但其性能受到被动元件本身的限制,例如频率响应、幅频特性等。


ACF利用了主动元件的放大和反馈特性,可以在一定程度上
弥补被动元件的不足。

常见的ACF拓扑电路包括巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。

这些滤波器均使用了运算放大器作为主要的放大和反馈元件,在滤波器电路中起到关键作用。

运算放大器可以对输入信号进行放大,同时通过反馈回路来控制滤波器的传递函数,从而实现滤波器的设计要求。

ACF的拓扑电路原理可以根据具体的滤波器类型和设计要求
进行调整和优化。

通过合理地选择主动元件的放大倍数、反馈电路的类型和参数,可以实现不同类型的滤波器,如低通、高通、带通、带阻等。

总之,ACF拓扑电路原理是利用主动元件构建的电路,通过
放大和反馈来实现滤波器的设计要求,提高滤波器性能。

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Sony Chemical的方法是在导电粒子的表层吸附一些细微颗粒之树脂,目的在使导电粒子 的表面产生一层具绝缘功能的薄膜结构。此结构的特性是,粒子外围的绝缘薄膜在凸块接 点热压合时将被破坏,使得垂直方向导通;至於横向空间的导电粒子绝缘膜则将持续存在, 如此即可避免横向粒子直接碰触而造成短路的现象。 Sony架构的缺点是,当导电粒子的绝缘薄膜在热压合时若破坏不完全,将使得垂直方向 的接触电阻变大,就会影响ACF的垂直导通特性。目前该结构的专利属於Sony Chemical。
除了上述以结构改良的方式来避免横向绝缘失效以外,透过导电粒子的直径缩小也可达成 部分效果。导电粒子的直径已从过去12um一路缩小至目前的3um,主要就在配合Fine Pitch的 要求。随著粒径的缩小,粒径及金凸块厚度的误差值也必须同步降低,目前粒径误差值已由 过去的±1um降低至±0.2um。 随著驱动IC细脚距的要求,金凸块的最小间距也持续压低,目前凸块厂商已经可以做到 20um左右的凸块脚距。20um的脚距已使ACF横向绝缘的特性备受挑战,Fine Pitch的技术瓶颈 压力似乎已经落在ACF胶材的身上了。
目前,双层结构的ACF胶膜为Hitachi Chemical的专利。除了双层结构之外,Hitachi也使用 绝缘粒子,将绝缘粒子散布在导电粒子周围。当脚位金凸块下压时,由於绝缘粒子的直径远 小於导电粒子,因此绝缘粒子在垂直压合方向不会影响导通;但在横向空间却有降低导电粒 子碰触的机会。
2.Sony Chemical的架构
■ 驱动IC外IC以COG形式贴附在LCD玻璃基板上时,为避免占用太多LCD面板的额缘面积, 并同时减少IC数目以降低成本,使得驱动IC持续朝多脚数及窄长型的趋势来发展。然而, LCD无碱玻璃的膨胀系数约4ppm/℃远高於IC的3ppm/℃,当ACF胶材加热至固化温度反应後 再降回室温时,IC与玻璃基板将因收缩比例不一致而使产生翘曲的情况,此即Warpage效应。 Warpage效应将使ACF垂直导通的效果变差,严重时更将产生Mura。Mura即画面显示因亮度 不均而出现各种亮暗区块的现象。 为降低Warpage效应,目前解决方案主要仍朝降低ACF的固化温度来著手。以膨胀系数 的单位ppm/℃来看,假使ACF固化温度与室温的差距降低,作业过程中IC及玻璃基板产生热 胀冷缩的差距比就会越小,Warpage效应也将降低。 ACF固化温度之特性主要受到绝缘胶材的成分所影响。绝缘胶材成分目前以B-Stage (胶态)之环氧树脂加上硬化剂为主流,惟各家配方仍多有差异。在胶材成分方面虽然 较无专利侵权的问题,但种类及成分对产品之特性影响重大,故各家厂商均视配方为机 密。ACF的许多规格如硬化速度、黏度流变性、接著强度乃至於ACF固化温度等,莫不受 到绝缘胶材的成分所决定。目前在诸多特性之中,降低ACF固化温度已成为各家厂商最 重要的努力方向,此特性也是关乎厂商技术高低的重要指标。
ACF使用接合原理
2011.10.22
■ ACF发展概况 ■ 驱动IC脚距缩小,ACF架构须持续改良以提升横向绝缘之特性
1、Hitachi Chemical的架构 2、Sony Chemical的架构
■ 驱动IC外型窄长化,ACF胶材之固化温度须持续降低以减少Warpage效应 ■ 贴子相关图片:
■ 驱动IC脚距缩小,ACF架构须持续改良以提升横向绝缘之特性
ACF中之导电粒子扮演垂直导通的关键角色,胶材中导电粒子数目越多或导电粒子的体 积越大,垂直方向的接触电阻越小,导通效果也就越好。然而,过多或过大的导电粒子可能 会在压合的过程中,在横向的电极凸块间彼此接触连结,而造成横向导通的短路,使得电气 功能不正常。 随著驱动IC的脚距(Pitch)持续微缩,横向脚位电极之凸块间距(Space)也越来越 窄,大大地增加ACF在横向绝缘的难度。为了解决这个问题,许多ACF结构已陆续被提出, 以下针对目前两大领导厂商的主要架构做介绍:
1. Hitachi Chemical的架构 为了降低横向导通的机率,Hitachi使用了两个方法,其一是导入两层式结构,两层式的 ACF产品上层不含导电粒子而仅有绝缘胶材,下层则仍为传统ACF胶膜结构。透过双层结构的 使用,可以降低导电粒子横向触碰的机率。然而,双层结构除了加工难度提高之外,由於下 层ACF膜的厚度须减半,导电粒子的均匀化难度也提高。
■ ACF发展概况
ACF的组成主要包含导电粒子及绝缘胶材两部分,上下各有一层保护膜来保护主成分。 使用时先将上膜(Cover Film)撕去,将ACF胶膜贴附至Substrate的电极上,再把另一层 PET底膜(Base Film)也撕掉。在精准对位後将上方物件与下方板材压合,经加热及加压 一段时间後使绝缘胶材固化,最後形成垂直导通、横向绝缘的稳定结构。 ACF主要应用在无法透过高温铅锡焊接的制程,如FPC、Plastic Card及LCD等之线路连 接,其中尤以驱动IC相关应用为大宗。举凡TCP/COF封装时连接至LCD之OLB (Outer Lead Bonding)以及驱动IC接著於TCP/COF载板的ILB(Inner Lead Bonding)制 程,亦或采COG封装时驱动IC与玻璃基板接合之制程,目前均以ACF导电胶膜为主流材料。
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