TL4451A芯片在LCD背光源逆变器的应用

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TC4451(Microchip)中文数据手册「EasyDatasheet」

18V
100000
图 2-4：下降时间－容性负载曲线
Rise Time (ns)
300 250 200 150 100
50 0 100
5V 10V
18V
1000
10000
Capacitive Load (pF)
100000
图 2-2：上升时间－容性负载曲线
Rise and Fall Times (ns)
电源电流
IS
—பைடு நூலகம்
140
—
40
输入工作电压
VDD
4.5
—
注 1：设计可确保开关时间。
2：测试数据仅为特征值，未经生产测试。
3：仅对 AT 和 MF 封装有效。 TA = +25°C。
200 100 18.0
µA VIN = 3V µA VIN = 0V V
2006 Microchip Technology Inc.
40
VDD = 18V
30
20
tRISE tFALL
10
0 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 Temperature (°C)
图 2-5：上升和下降时间－温度曲线
Fall Time (ns)
220
200
47,000 pF
180
160
140
120
100
22,000 pF
注：
以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，不作任何保证。一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（如，超出了规定的电源范围），因此不在担保范围内。

阳光电源 SG110HX-CN 光伏并网逆变器用户手册说明书

3 拆包与存储 ..................................................................................................... 13
3.1 拆包与检查 ................................................................................................. 13 3.2 逆变器存储 ................................................................................................. 13
表示有高度潜在危险，如果未能避免将会导致人员死亡或严重伤害的情况。
表示有中度潜在危险，如果未能避免可能导致人员死亡或严重伤害的情况。
表示有低度潜在危险，如果未能避免将可能导致人员中度或轻度伤害的情况。
II
表示有潜在风险，如果未能避免可能导致产品无法正常运行或造成财产损失的情况。 “说明”是手册中的附加信息，对内容的强调和补充，也可能提供了产品优化使用的技巧或窍门，能帮助您解决某个问题或节省您的时间。
V
4.5.1 支架安装 ........................................................................................... 22 4.5.2 挂墙安装 .ห้องสมุดไป่ตู้......................................................................................... 23 4.6 安装逆变器 ................................................................................................. 24

主逆变器IGBT系列模块应用(PPT only)

Collector
Wafer back side
The IGBT is the preferred device for higher currents in typical inverter applications The trench + field-stop cell design enables lower switching losses and high robustness Increasing the junction temperature is the future road for higher power density
22uF/6.3V/X7R 10n/16V/X7R C105
u c_ T C1 7 67 FLT _ Un FLT _ Vn FLT _ Wn FLT _ n FLT _ Un FLT _ Vn FLT _ Wn FLT _ n P 1_ 5 P 1_ 6 P 1_ 7 G PT A2 0 Clk G PT A8 G PT A9 G PT A1 8 G PT A1 9 P 1_ 9 T RS Tn T CK T DI T DO T MS B RK OUT n B RK INn P ORST n P 3_ 1 3 S CL K 0 M RS T0 M TS R0 S LS O0
18.03.2012
Copyright © Infineon Technologies 2010. rights reserved. Copyright © Infineon ogies 2011.All All rights reserved.
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大量长期的实车应用中HybridPack™的零缺陷实践
HP2 800A/650V, Current Curve @ different motor frequency

一种带MOS管驱动电路的特种背光源驱动电路[实用新型专利]

专利名称：一种带MOS管驱动电路的特种背光源驱动电路专利类型：实用新型专利
发明人：章小兵,刘波,赵小珍,陈召全,王峰,邵楠琦
申请号：CN201020289367.7
申请日：20100805
公开号：CN201773565U
公开日：
20110323
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种带MOS管驱动电路的特种背光源驱动电路，包括由FPGA芯片构成的主控制器，多位的A/D转换器，第一、第二MOS管，第一、第二MOS管分别与背光源接线端一一对应连接，A/D转换器引入电压反馈、电路反馈、亮度信号，并与FPGA芯片通讯连接，FPGA通过RS232接口与用户通讯。

本实用新型可通过设定各种亮度级别下的亮度值，根据亮度传感器的反馈值，控制PWM调光占空比，从而保证背光亮度稳定。

申请人：中航华东光电有限公司
地址：241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区华夏科技园
国籍：CN
代理机构：安徽合肥华信知识产权代理有限公司
代理人：余成俊
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一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器[实用新型专利]

专利名称：一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器专利类型：实用新型专利
发明人：何鹏飞,易建超
申请号：CN201922020277.1
申请日：20191121
公开号：CN211125386U
公开日：
20200728
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型涉及电容技术领域，尤其涉及一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器。

耐高压陶瓷电容芯片包括管状的陶瓷体，陶瓷体的外侧面中部设有环形的凹孔，凹孔的两侧分别形成绝缘凸环，所述环形的凹孔的底面覆盖有外电极，所述陶瓷体的内孔侧面覆盖有内电极，且内电极的表面积为外电极的表面积的1.0倍~1.1倍。

通过在陶瓷体的两端设置绝缘凸环，可提高其爬电距离，进而可提高其耐压性，有利于提高柱状电容器的耐高压性。

申请人：东莞市美志电子有限公司,湖南美志科技有限公司
地址：523000 广东省东莞市东城街道莞樟路东城段57号
国籍：CN
代理机构：东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：肖冬
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一种精密的3V参考电源电路[实用新型专利]

专利名称：一种精密的3V参考电源电路专利类型：实用新型专利
发明人：李庆松,吴茂刚
申请号：CN201922370545.2
申请日：20191225
公开号：CN211123818U
公开日：
20200728
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种精密的3V参考电源电路，用于模拟量运算电路，具有600mA的电流输出能力。

该电路包括基于可控精密稳压源TL431芯片的基准电压产生电路、基于MMBT5551三极管的功率放大电路、由电解电容和普通电容组成的滤波电路。

TL431芯片产生的2.5V基准电压经过电阻R4、R5形成的比例电路，产生精密的3.0V电压，并通过E1和C2进行滤波；通过功率放大电路提高3.0V参考电源的电流输出能力，输出电流可达到600mA。

申请人：浙江布科伺服科技有限公司
地址：311100 浙江省杭州市余杭区东湖街道东湖北路488-1号20幢101室
国籍：CN
代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：杨舟涛
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鳍式晶体管结构及其制作方法[发明专利]

专利名称：鳍式晶体管结构及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：骆志炯,朱慧珑,尹海洲
申请号：CN200910244515.5
申请日：20091230
公开号：CN102117829A
公开日：
20110706
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请公开了一种鳍式晶体管结构及其制作方法。

该鳍式晶体管结构包括在半导体衬底上形成的鳍，其中，该鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位通过绝缘体材料与衬底接触，而该鳍的其余部位通过体半导体材料与衬底接触。

根据本发明的鳍式晶体管结构，既能保持低成本、高热传送率的优点，又能减小漏电流。

申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
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TL1451A芯片在LCD背光源逆变器的应用

TL1451A芯片在LCD背光源逆变器的应用
张志锋
【期刊名称】《电子质量》
【年(卷),期】2006(000)009
【摘要】TL1451A芯片是一种适合OC-AC逆变器控制的开关芯片,本文介绍了TL1451A芯片的特点和功能,并且把它应用在液晶显示器的背光源逆变器中.
【总页数】2页(P19-20)
【作者】张志锋
【作者单位】梅雁电子科技工业有限公司
【正文语种】中文
【中图分类】TM4
【相关文献】
1.LCD背光源的特点、驱动方式及其应用 [J], 涂扬;
2.影响飞机驾驶舱显示器背光源LED的效率和输出量的因素——LED为LCD屏幕在驾驶舱的应用带来了新的维度 [J], Francis Nguyen;赵立晴
3.圆锥反光面与抛物面反光面组成的边发射型LED及其在LCD背光源中的应用[J], 易业文;陈志忠;于彤军;秦志新;何仲恺;张国义
4.LCD背光源的应用及发展动向 [J], 陈红;谢莉;孙可;程超
5.CdSe纳米片在显示背光源上的应用 [J], 贾平平;张雷
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

IXA55I1200HJ IGBTXPT IGBT 产品说明书

6
g
20
120 N
2.7
mm
4.1
mm
3600
V
3000
V
Product Marking
Logo
Part No. Assembly Line Assembly Code
Date Code
IXYS
ISOPLUS® XXXXXXXXX
Zyyww abcd
Part number
I = IGBT X = XPT IGBT A = Gen 1 / std 55 = Current Rating [A] I = Single IGBT 1200 = Reverse Voltage [V] HJ = ISOPLUS247 (3)
VGE = ±15 V; RG= 15 Ω VCEmax = 1200 V VCEmax = 900 V VCE = 900 V; VGE = ±15 V RG= 15 Ω; non-repetitive
TVJ = 25°C
TC = 25°C TC = 80°C TC = 25°C TVJ = 25°C TVJ = 125°C TVJ = 25°C TVJ = 25°C TVJ = 125°C 50 A
Conditions
per terminal
FC d Spp/App d Spb/Apb V
ISOL
mounting force with clip
creepage distance on surface | striking distance through air
terminal to terminal terminal to backside
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

尖峰电压测试方法

富士450A IGBT模块测试结果测试项目：1.大电流时，关断的尖峰电压波形Vcep。

2.短路状态下，关断尖峰电压Vcep，以及短路保护反应时间。

3.不同吸收电容，关断尖峰差异对比。

一、8月15日，英飞凌450A模块测试结果。

1.大电流下关断尖峰电测试。

测试条件：Vce=540V,下管用线圈短路。

CH1：Vge; CH2:Vce; CH3:Ic;双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=14us,Ic=488A时，关断尖峰电压Vcep=948V双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=32us,Ic=798A时，关断尖峰电压Vcep=1010V2.英飞凌模块短路测试结果。

测试条件：Vce=540V, 下管用1m长导线短路起来。

CH1：Vge; CH2:Vce;CH3:Ic; CH4:Vge(信号源)。

短路时，关断尖峰电压Vcep=928V，从测试结果看，英飞凌短路测试短路电流Isc=1590A，基本为3.6倍的额定电流Ic.二、8月16日，富士450A模块测试结果。

2.大电流下关断尖峰电测试。

测试条件：Vce=540V,下管用线圈短路。

CH1：Vge; CH2:Vce; CH3:Ic。

双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=14us,Ic=523A时，关断尖峰电压Vcep=719V,ΔVcep=179V双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=28us, Ic=767A时，关断尖峰电压Vcep=731V，ΔVcep=187V。

3.富士450A模块短路测试结果。

测试条件：Vce=540V, 下管用1m长导线短路起来。

CH1：Vge; CH2:Vce;CH3:Ic; CH4:Vge(信号源)。

富士模块短路时，短路电流为Isc=2000A, 基本为4.5倍的额定电流Ic。

短路时关断尖峰电压为756V，ΔVcep=210V。

短路时产生的ΔVcep=210V富士IGBT关断尖峰电压的软关特性4.不同吸收电容，关断尖峰差异对比。

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２４，５．００
操作员可以通过沿线移动电流跟踪
器观察电流跟踪器显示的变化米判明十扰或靠近的线间中扰。
［］华容茂，过军３
主编．电工、电
子技术实习与课程设计［北京：子Ｍ］电
液品显示器（ＣＤ）有完＿平Ｉ伞
１０００一】００ＶＡＶ４ＡＣ电Ｊ土，启动以后，
保护及短路保护功能，能提供稳定
的参考电压输出ＤＣ２．内置放大５Ｖ，
需６０Ａ一ＯＶＣ的电压维持，冈０ＶＣ７ＯＡ此要求Ｄ —Ａ逆变器在冷极荧光灯ＣＣ破损及灯与ＤＣ —ＡＣ逆变器未接绕的０ＥＮ状态时会立刻停Ｉ＿作，小会Ｐ卜Ｌ继续发生高Ｊ防ｌ产生烟、火、触土，卜电事故；时Ｄ —Ａ同ＣＣ逆变器应由ＰＭＷ
流跟踪器找出没有旱观高阻电流激励的故障元件。
使用电流跟踪器时，应避免串
电路故障的具体情况，选择合适的检测方法，从而排除故障，使电路
能够』Ｆ常的＿［作。 ◆
扰问题。也就是说，若跟踪一个导体巾的小电流，而此导体非常靠近
参考文献：
［］高泽涵编电子电路故障诊断１技术［Ｍ］．西安：安电子科技大学出版西
社，２０００，１１．
跟踪器顶部的传感器就能反映出这个附近导体的电流。电流跟踪器的传感器可以最大限度地减小这种影响，但是不能完全消除中扰。然而，
阻断状态，并注意对各Ｒ０Ｍ或ＲＡＭ复上述测试直至不正常电平被定
位为ｆ上。如电流跟踪器指示所有元
［］朱大奇著．电子设备故障诊断２原理与实践［］．北京：子工业出版社，Ｍ电
一
个（大可能只是一个）元件可能最
定低阻抗状态。为确定有缺陷
的元件，红Ｒ０Ｍ或ＲＡ的制输入 Ⅵ
线上ｌ一个适当的电平，使其处于ＪＪｕ
个载有很大电流的导体，【Ｊ流Ｊ电｛Ｉ
维普资讯
＿；贝ｌＪ
技…
ＴｅｓｔＴｅｃｈｎｏＩｏ
ａｎｕｎｔｄｆｃｉｓｏｏｎｆＣｈｉｐＴＬ１５１ｓｉｔｏ４ＡｉｎｄｕｅｉｐｐｉｄｔｈｎｅｒｆｂｃｋｌｔｉＣＤｒｃｄ，ａｓｌｏｔｅｉｖｔｅｅｒｏａｉｇｈｎＬ
Ｔ２４１管脚示意图Ｌ１５… Ａ
路故障的检洲方法有比较详细的了
解。在实际的检测过氍巾，应根据
阻抗
（对地短路）的方法，用电如
此很准将总线上造成这种阻褒的一
个元件（ＯＭ或ＲＲＭ）隔离出来，如果电流跟踪器指示一个Ｒ０Ｍ或ＲＡＭ的儿个输出端上有大电流，那么一
器可输入１ｏＶ．５范围的电压。．５一】４
２．脚介绍管
Ｔ５Ｉ４１１Ａ是１６引脚封装，图一
液晶扭ｌ１透光。闪此Ｉ的背光Ｉ朱｝ＣＤ
系统是小可缺少的技术要求，其巾
Ｒ＼连接仵一起这样一个事实，冈
种适合Ｄ —ＡＣ逆变器控制的，：：Ｃ【荚
片，可州于ＤＣ—ＤＣ上升、下降，具
有Ｐｗ电源制，பைடு நூலகம்内置低电压闭锁Ｍ
● … 一一 … … ｌｌ● … … ｌ＿■ … … … … … … … … …
挖制信号米动态调整输出电压，以适应ＬＣＤ亮度调节。ＴＩ】４５】是一Ａ
面、省电、薄型、轻量、几射线辐射等特长，液晶本身小发光，靠内
置冷极荧光灯（）背光源通过ＣＣＦＩ
Ｋｅｙｏｒｗｄｓ：ＬＣＤ
●
●
●
●
●
ＣＬＣｕｍｂｏ￣ＴＮ４ｎ１
Ｄｏｃｕｍｅｔｃｏｎｄｏ：Ａ
Ａｒｉｅ－１３０７（００）９０－２ｔｃｌＤ：－１０００２６０－０１０９
：
：
１。言引
ＤＣ一１逆变器是驱动冷极荧光灯、Ｃ
（ＣＩ）的电源。液品显示器内最冷ＣＦ极荧光灯的性能，如寿命和亮度节，很大程度受Ｄ一Ｃ逆变器性能Ｃ影响。由于冷极荧光灯瞬间启动需