贴片封装TO-263
塑封TO-220、TO-263产品封装工艺改进
合金 材料 的热膨 胀系 数 : C、焊 料 本 身 的 工 艺 操 作 窗 口较 宽 ,与 碳 化 硅 芯 片 的 背 面 银
采 用4顶针 结 构 可防 止 大芯 片 单顶 针 工艺 造 成 的 的芯 片背 裂 。顶 针 高度 在保 证 可吸 起芯 片 的条件 下应 尽 可能 小 ,避免 顶针 应力 。根 据 蓝膜 粘 附性状 态 不 同,其 工艺 参数 需要 进 行调整 。优 化 后芯 片背 裂 的失 效率 由0.1 o提 升 到O.01 0以下 。
【关键词 】粘片;焊料;拍锡头;塑封分层;塑封料;引线框架
芯片 的背面 电极与 引线 框 架 的物理 连接 及 电连 接 是通 过粘 片工 艺实 现 的 。粘 片工 艺实 现情 况 的好 坏直 接 影响 到器 件 的参 数与 可靠 性 ,特 别 是对 于 功 率 器件 的影 响 更加 明显 。对 于 TO.220、TO.263 封 装 的 功 率 型器 件 而 言 ,现 在 一 般采 用 融 点焊 锡 丝 ,焊 锡拍 扁 成 型 ,芯片 放置 ,焊锡 冷 却成 型等 几个 步 骤来 实现 粘 片工 艺 。我们 发 现器 件生 产 中或 者器 件 可靠 性 的多种 失 效模 式 都产 生于 粘 片工 艺 。 我们 认为 以下缺 陷 与粘 片工 艺有 关 :a、焊料 缩锡 ,b、焊料 空洞 率 高 ,C、焊料 热 疲劳 能力 差 ,d、芯片 背裂 。
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to-263封装背部导热差
to-263封装背部导热差
TO-263封装是一种常用的背部导热差封装,具有较好的散热性能和适应性。
它采用铜基板和铝外壳的结构,能够有效地导热,降低元件温度,提高元件的可靠性和寿命。
TO-263封装的背部导热差主要是指铜基板与外壳之间的热阻。
由于铜的导热性能较好,而外壳的导热性能较差,因此在TO-263封装中,背部导热差的存在会导致一定的温度升高。
为了降低背部导热差,减少温度升高,可以采取以下措施:
可以通过优化TO-263封装的结构来减小背部导热差。
例如,可以增加铜基板的厚度,提高其导热性能;同时,可以增加外壳的散热面积,增强其散热能力。
这些措施可以有效地降低背部导热差,提高TO-263封装的散热效果。
可以采用合适的散热材料来填充TO-263封装的背部空隙,以提高导热性能。
常见的散热材料有硅胶脂、导热胶等。
这些散热材料可以填充背部空隙,填平背部导热差,从而提高TO-263封装的散热效果。
合理设计PCB板布局也能够减小背部导热差。
通过合理布局元件和散热结构,可以减少TO-263封装与其他元件之间的热阻,提高整体散热效果。
TO-263封装背部导热差是影响其散热性能的重要因素。
通过优化封
装结构、选择合适的散热材料和合理设计PCB布局,可以有效地降低背部导热差,提高TO-263封装的散热效果。
这将有助于提高电子器件的可靠性和寿命,满足各种工业和消费电子产品对散热性能的要求。
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TO-263中文资料
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RθJC RθJA
Thermal Resistance Junction to Case Max. Thermal Resistance Junction to Ambient Max.
Value
TO-263
1.7
TO-220AB
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
VGS=10V
VGS=15V
1.1
1.0
0.9
0.8 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Drain Current-ID (A)
3 2 1
3-Lead Plastic TO-220FP Package Code: F Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source
3 2 1
D
H06N60 Series
G
Symbol:
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Description
This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional and saafety margin against unexpected voltage transients.
(2020年编辑)贴片元件封装尺寸图
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SOT428封装尺寸图。
to263封装的mos管塑封壳与晶圆的热阻参数
to263封装的mos管塑封壳与晶圆的热阻参数TO-263封装是一种表面安装技术(SMT)封装,也被称为D2PAK封装。
它是一种带有金属外壳的功率MOSFET封装,用于高功率应用。
TO-263封装具有较低的热阻特性,使其能够有效地将热量传递至外部环境,以确保器件正常工作。
现在我们来讨论TO-263封装与晶圆的热阻参数。
首先,让我们了解一下热阻的概念。
热阻是材料或结构对热传导的阻碍程度的度量。
它表示单位面积或体积内的温度差异。
热阻的单位通常是度/瓦特(°C/W)。
TO-263封装主要由金属外壳和塑封材料组成。
金属外壳通常由铜或铝制成,具有良好的热导性能。
塑封材料通常是环氧树脂,它们在热传导性能上相对较差。
TO-263封装与晶圆之间的热阻主要取决于以下几个因素:1.封装结构:TO-263封装的金属外壳能够有效地吸收并传导器件产生的热量。
其结构相对简单,通过金属外壳将热量引导到封装的底部,然后通过PCB板传导至散热器。
2.封装材料:TO-263封装通常使用环氧树脂作为塑封材料,其热传导性能相对较差。
由于塑封材料的热传导性能限制,TO-263封装与晶圆之间的热阻较高。
3.散热器:在高功率应用中,为了进一步降低热阻,通常会在TO-263封装上安装散热器。
散热器能够有效地增加散热表面积,并提高热量传递效率。
通过选择合适的散热器材料和设计优化散热器结构,可以进一步降低TO-263封装与晶圆之间的热阻。
总的来说,TO-263封装具有相对较低的热阻特性。
尽管塑封材料的热导性能相对较差,但金属外壳和散热器的设计可以有效地降低热阻。
此外,通过合理的散热设计和散热规范,也可以改善TO-263封装与晶圆的热导性能。
总结起来,TO-263封装具有良好的热阻特性,能够将热量有效地传导到外部环境。
然而,为了进一步优化散热性能,需要综合考虑封装结构、材料选择和散热设计等因素。
通过合理的设计和优化,可以获得较低的热阻,确保器件正常工作。
Resistor.Today-RNP20E系列TO263(D2-PAK)封装平面无感功率电阻规格书
绝缘电压
2000VAC 2000VAC 2000VAC
最大工作 电流
25A 25A 25A
工作温度
-55~+175℃ -55~+175℃ -55~+175℃
频率特性
并联电容 串联电感
2pF
10nH
2pF
10nH
2pF
10nH
尺寸单位:mm 1.5
5.08
0.75 1.5
10.1
0.75 0.5 2.75
4.5
2.5
2.2
5.0 10.3
11.0
1.6 5.08
3.50 10.0 15.8
峰值温度时间 20-40s
温度 ℃
350
超过 217 ℃允许60s-180s
300
250
200
150
从 150℃- 200℃
100
120s Байду номын сангаас 180s
50 升温到峰值温度 400s
RNP20E
平面无感功率电阻
TO263(D2-PAK)封装,符合AEC-Q200认证 厚膜和薄膜技术,功率可达35W,热阻3.3℃/W,极好的频率特性
使用厚膜和薄膜两种电阻技术的D2-PAK封装功率电阻
相比较厚膜电阻技术,薄膜电阻可以提供更好的温飘和精度。RNP20E系 列产品在10R-51KΩ的阻值范围内使用金属化薄膜电阻技术,不仅可以实 现高达35W的功率,而且可以提供50ppm的温飘和1%的阻值精度。本系 列在0.02-510KΩ的阻值范围内也可以提供标准厚膜电阻技术。
规格和参数
系列 功率 阻值范围 阻值标准 温飘 可选精度 电阻技术