第3章_存储器系统

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第3章 存储器系统 题库和答案

第3章 存储器系统 题库和答案

第3章存储器系统题库和答案第3章存储器系统一.选择题1.计算机工作中只读不写的存储器是( )。

(A) DRAM (B) ROM (C) SRAM (D) EEPROM2.下面关于主存储器(也称为内存)的叙述中,不正确的是( )。

(A) 当前正在执行的指令与数据都必须存放在主存储器内,否则处理器不能进行处理(B) 存储器的读、写操作,一次仅读出或写入一个字节 (C) 字节是主存储器中信息的基本编址单位(D) 从程序设计的角度来看,cache(高速缓存)也是主存储器3.CPU对存储器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个( )周期。

(A) 指令 (B) 总线 (C) 时钟 (D) 读写 4.存取周期是指( )。

(A)存储器的写入时间 (B) 存储器的读出时间(C) 存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔 (D)存储器进行连续读/写操作允许的最短时间3间隔5.下面的说法中,( )是正确的。

(A) EPROM是不能改写的 (B) EPROM是可改写的,所以也是一种读写存储器(C) EPROM是可改写的,但它不能作为读写存储器 (D) EPROM只能改写一次 6.主存和CPU之间增加高速缓存的目的是( )。

(A) 解决CPU和主存间的速度匹配问题 (B) 扩大主存容量(C) 既扩大主存容量,又提高存取速度 (D) 增强CPU的运算能力 7.采用虚拟存储器的目的是( )。

(A) 提高主存速度 (B) 扩大外存的容量 (C) 扩大内存的寻址空间 (D) 提高外存的速度 8.某数据段位于以70000起始的存储区,若该段的长度为64KB,其末地址是( )。

(A) 70FFFH (B) 80000H (C) 7FFFFH (D) 8FFFFH9.微机系统中的存储器可分为四级,其中存储容量最大的是( )。

(A) 内存 (B) 内部寄存器 (C) 高速缓冲存储器 (D) 外存10.下面的说法中,( )是正确的。

第三章 存储系统03

第三章 存储系统03

现有如下存储器芯片: 现有如下存储器芯片: EPROM:8K×8位(控制端仅有 : × 位 控制端仅有 控制端仅有CS#); SRAM:16K×1位,2K×8位,4K×8位, × 位 × 位 × 位 8K×8位 × 位 请从上述芯片中选择适当芯片设计该计 算机主存,画出主存储器逻辑 算机主存,画出主存储器逻辑.
3.4.2 FLASH闪速存储器 闪速存储器 1.什么是闪速存储器 1.什么是闪速存储器 闪速存储器是一种高密度、非易 闪速存储器是一种高密度、 失性的读/写半导体存储器, 失性的读/写半导体存储器,又叫快擦除 ROM、闪光ROM或简称闪存。 ROM或简称闪存 ROM、闪光ROM或简称闪存。
3.4.2 Flash闪速存储器 闪速存储器
3.4.2 Flash闪速存储器 闪速存储器
3.闪速存储器与 闪速存储器与CPU的连接 闪速存储器与 的连接


重点: ROM存储器的特点和分类 ROM 理解EPRO低电压类似于ROM,只能读不 闪存在某种低电压类似于 低电压类似于 只能读不 能写.但在另外一种较高电压下工作时 但在另外一种较高电压下工作时, 能写 但在另外一种较高电压下工作时,又 类似于RAM,可读可写 可读可写,而且闪存的内容不需 类似于RAM,可读可写,而且闪存的内容不需 要电力支持也能保存. 要电力支持也能保存 它突破了传统的存储器体系,它具有非易 它突破了传统的存储器体系,它具有非易 失性,高密度性,可直接执行,固态性能. 失性,高密度性,可直接执行,固态性能
MROM图(32字X8位):有MOS管处为“1”。
VC A0 A1 A4
地 址 译 码 器
W0 W1 W31
D0
D1
D7
1、ROM分类(续) 、 分类( 分类 可编程PROM 可编程 出厂时存储元或全为1,或全为 , 出厂时存储元或全为 ,或全为0, 用户可根据自己的需要进行一次编程, 用户可根据自己的需要进行一次编程, 之后便无法更改。 结击穿(结破坏) 之后便无法更改。有结击穿(结破坏) 型和熔(断)丝型。 型和熔

第3章 存储系统(四)

第3章   存储系统(四)

四川警安职业学院标准教案纸
图3-8 P沟道EPROM结构示意图
管子用于存储矩阵时,一个基本存储元电路如图3-8(b)所示,这种电路所组成的存储矩阵”。

当写入“0”时,在D和S极之间加上25V高压,另外加上编程脉冲
所选中的单元在这个电压作用下,D,S之间被瞬时击穿,于是有电了通过绝缘层注入到硅栅。

因为硅谷栅被绝缘层包围,故注入的电子无处泄漏,硅谷栅变负,于是就形成了导电沟道。

0”。

图3-9 2716 型EPROM 结构方框图
出于存储器材片容量为2K×8位,故用11条地址线,7条用于行译码,4条用于列译码。

EPROM还可以工作在功耗下降方式。

此时功耗525mW下降到
对机器工作十分有利。

这可以在PD/PGM输入端输入一个TTL的高电平信号来实现,此时
工作在高阻状态。

在正常工作情况下,CS端与PD/PGM端是连在一起的,因此,没有选取中的片子就工作。

第3章 存储系统(三)

第3章   存储系统(三)
4.存储器控制电路
动态MOS存储器的刷新需要有硬件电路的支持,包括刷新计数器、刷新/访存裁决、刷新控制逻辑等。这些控制线路可以集中在一个半导体芯片上,形成DRAM控制器。它是CPU和DRAM片子之间的接口电路,即将CPU的信号变换成适合DRAN片子的信号,借助DRAM控制器,可把DRAM看作像SRAM一样使用,为系统设计带来很大方便。
3.DRAM的刷新
动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。因为在读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷,并保持原单元的内容,所以读出过程就是再生过程。通常,在再生过程中只改变行选择线地址,每次再生一行。依次对存储器的每一行进行读出,就可完成对整个DRAM的刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止,这一段时间间隔叫刷新周期。一般2ms,4ms或8ms。
采用这种方式的整个存储器的平均读/写周期,与单个存储器片的读/写工作所需的周期相差不多,所以这种刷新方式较适用于高速存储器。
分散式刷新方式的时间分配把一个存储系统周期tC分为两半,周期前半段时间tM用来读/写操作或维持信息,周期后半段时间tR作为刷新操作时间。这样,每经过128个系统周期时间,整个存储器便全部刷新一遍。假如存储器片的读/写周期为0.5μs,则存储器系统周期为1μs。由此可见,整个系统的速度降低了。在这种情况下,只需128μs就可将全部存储单元刷新一遍,这比允许的间隔2ms要短得多。当然,在分散式下,不存在有停止读/写操作的死时间。
2.单管动态存储元
为了进一步缩小存储器的体积,提高它们的集成度,人们又设计了单管动态存储元电路。
单管动态存储元电路如图3-7(b)所示,它由一个管子T1和一个电容C构成。写入时,字选择线为“1”,T1管导通,写入信息由位线(数据线)存入电容C中;读出时,字选择线为“1”,存储在电容C上的电荷,通过T1输出到数据线上,通过读出放大器即可得到存储信息。

计算机组成原理:第三章 主存储器和存储系统1

计算机组成原理:第三章 主存储器和存储系统1
低位地址分配给芯片,高位地址形成片选逻辑。
芯片
芯片地址
片选信号
片选逻辑
1K
A9…A0
CS0
A11 A10
1KA9…A0Fra bibliotekCS1
A11 A10
1K
A9…A0
CS2
A11 A10
1K
A9…A0
CS3
A11A10
(6)连接方式:扩展位数,扩展单元数,连接控制线
A11
A10
A9
A8
片选
译码
CS0
CS1
CS2
RAM; 8K×8位RAM; 2K×8位ROM; 4K×8位ROM; 8K×8位ROM及74LS138译码器和
各种门电路,画出CPU与存储器的连接图,要求最小4K为系统程序区,相邻8K为用户程序
区。
(1)写出对应的二进制地址码
(2)确定芯片的数量及类型
(3)分配地址线
(4)确定片选信号
2. P86 — 4.6
A14
A15
MREQ
A0


A13
A12
A11
A10
A9
G1
G2A
G2B
C
B
A
&
Y4

PD/Progr
2K ×8位
ROM



D7
D4
D3
D0
Y5
WE
CPU与存储芯片的连接图

1K ×4位
RAM


1K ×4位
RAM
例2: 设CPU有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WE

第三章 内存储器-教案

第三章 内存储器-教案

第三章内存储器一、教学目的:1、了解内存储器的概念和发展、结构和性能指标。

2、掌握内存条的区分、选购和测试。

二、教学重点、难点:掌握内存条的区分、选购和性能测试。

三、教具使用:计算机一台,多媒体幻灯片演示,内存条若干四、教学方法:分析法和问题讨论法,引导学生分析内存条的结构、选购方法,以及如何测试内存条。

五、教学过程:导入:由人的大脑、书、纸张对比引入到内存储器的知识学习。

幻灯片或板书课题:第三章内存储器一、基础知识-认识内存储器提问:仓库对现代化工厂中的流水线的影响?学生看书、思考并回答;教师归纳总结并由仓库的作用引入内存条的工作原理,并进一步介绍内存条的的组成、分类及主要性能参数。

1. 内存条的工作原理(作用):中转数据2. 内存条的组成:内存条主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等组成。

3. 内存条的分类和区别讲解主流三种内存条引脚和定位键(缺口)4. 内存的封装和技术指标二、制定选购方案-选购原则及分析提问:计算机运行需要什么类型、多大内存才能够发挥最佳性能?学生思考看书进行回答;教师归纳、引导学生根据计算机实际使用条件确定计算机内存的各项参数,进行进一步的分析和选购。

1. 确定内存容量影响内存容量的要素:操作系统、使用模式、硬件设备和用户类型2. 确定内存带宽应保证内存带宽与主板和CPU前端总线一致3. 确定内存种类和条数根据主板内存插槽(定位键)或说明书确定所需内存条种类;应确保使用的内存条数最少,避免多条内存之间出现兼容性故障,方便内存扩充三、实战:内存储器的选购提问:如何购买内存条?教师引导学生思考,并利用幻灯片介绍各种内存颗粒和内存条的鉴别与选择。

1. 如何识别内存利用幻灯片介绍主要的内存厂商和内存颗粒以及内存编号识别2. 内存质量鉴别方法主要使用观察法查看内存条的质量小结:1. 内存条的组成和颗粒封装2. 内存条的选购原则作业:1. 复习本章知识2. 预习下一章知识3. 完成本章书后的习题和实践。

第三章 存储系统02(blue )

第三章 存储系统02(blue )


重点:结来自 理解SRAM、DRAM的存储原理 SRAM芯片内部结构及其扩展 DRAM控制器的作用 DRAM的刷新方法 高性能存储器的构成特点及其访问原理
举例
地址译码方式
B:双地址译码(续) 举例: 1K X 1位 RAM采用双译码结构,则 可以将1K X 1 RAM 的10条地址线中的5 条(A0~A4)用在横向,5条(A5~A9) 用在纵向,则字选信号线线的条数共为: 32+32=64条(相比1024条减少了很多) 双译码结构见下图
地址译码方式
3.3 DRAM存储器
工作原理 和学生一起分析P71图3.6。
3.3 DRAM存储器
DRAM存储芯片逻辑结构 DRAM存储器芯片的结构与SRAM存 储器芯片相似,由存储体与外围电路构成。 但由于要进行刷新,所以外围电路更复杂。 主要增加行地址与列地址锁存器、增加了 刷新计数器及相应的控制电路。
刷新方式(续) 异步刷新:将刷新周期按存储器行数 等分,每一等分内刷新一行。 优点:集成了以上两种方式的优点, 减少了死时间率,同时刷新时间占总时 间的比率较小。

3.3 DRAM存储器
地址多路开关:提供刷新或读写地址, 由多路开关进行选择。 刷新定时器:定时电路用来提供刷新请 求。 刷新地址计数器: 只用RAS信号的刷新 操作,需要提供刷新地址计数器。
具体芯片举例见书本P72图3.7
3.3 DRAM存储器
读写与DRAM的刷新 两个概念: 刷新:由于漏电使电容上的电荷衰减, DRAM需要定期地重新进行存储,这个过 程称为刷新。 刷新周期:从上一次对整个存储器刷新结束 到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止, 这一段时间间隔叫刷新周期。
3.3 DRAM存储器

第三章 存储系统(4)-并行存储器和多模块交叉(1)

第三章 存储系统(4)-并行存储器和多模块交叉(1)
二模块交叉来自储器举例二模块交叉存储器举例
3.5 并行存储器
相联存储器
原理:按内容存取的存储器,可以选择记录 (关键字)的一个字段作为地址 组成:见下一页图 主要用途:在虚拟存储器中存放段表、页表和 快表,也可以作Cache的行地址
3.5 并行存储器
3.5 并行存储器
由于CPU和主存储器之间在速度上是不匹 配的,这种情况便成为限制高速计算机设计 的主要问题。为了提高CPU和主存之间的数 据传输率,除了主存采用更高速的技术来缩 短读出时间外,还可以采用并行技术的存储 器。
空间并行技术 时间并行技术
双端口存储器 多模块交叉存储器
3.5 并行存储器
3.5 并行存储器
两个独立端 口各拥有?
该SRAM容 量大小为?
3.5 并行存储器
2、无冲突读写控制
当两个端口的地址不相同时,在两个端口上进行读写操 作,一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时,就可 对整个存储器进行存取,每一个端口都有自己的片选控制 (CE)和输出驱动控制(OE)。读操作时,端口的OE(低电平 有效)打开输出驱动器,由存储矩阵读出的数据就出现在 I/O线上。
3.5 并行存储器
假设有n个存储体,每个存储体的容量为m个存 储单元 顺序方式:
log
n 2
log
m 2
片选,存储体 选择
每个存储体内 的地址
3.5 并行存储器
1、顺序方式 [例]M0-M3共四个模块,则每模块8字。 顺序方式: M0:0—7 M1:8-15 M2:16-23 M3:24-31 5位地址组织如下: X X X X X 高位选模块,低位选块内地址 特点:某个模块进行存取时,其他模块不工作,优点是某 一模块出现故障时,其他模块可以照常工作,通过增添模 块来扩充存储器容量比较方便。缺点是各模块串行工作, 存储器的带宽受到了限制。

计算机系统结构-第三章(习题解答)

计算机系统结构-第三章(习题解答)

计算机系统结构-第三章(习题解答)1. 什么是存储系统?对于一个由两个存储器M 1和M 2构成的存储系统,假设M1的命中率为h ,两个存储器的存储容量分别为s 1和s 2,存取时间分别为t 1和t 2,每千字节的成本分别为c 1和c 2。

⑴ 在什么条件下,整个存储系统的每千字节平均成本会接近于c 2? ⑵ 该存储系统的等效存取时间t a 是多少?⑶ 假设两层存储器的速度比r=t 2/t 1,并令e=t 1/t a 为存储系统的访问效率。

试以r 和命中率h 来表示访问效率e 。

⑷ 如果r=100,为使访问效率e>0.95,要求命中率h 是多少?⑸ 对于⑷中的命中率实际上很难达到,假设实际的命中率只能达到0.96。

现在采用一种缓冲技术来解决这个问题。

当访问M 1不命中时,把包括被访问数据在内的一个数据块都从M 2取到M 1中,并假设被取到M 1中的每个数据平均可以被重复访问5次。

请设计缓冲深度(即每次从M 2取到M 1中的数据块的大小)。

答:⑴ 整个存储系统的每千字节平均成本为:12s 1s 2c 2s 1s 1c 2s 1s 2s 2c 1s 1c c ++⨯=+⨯+⨯=不难看出:当s1/s2非常小的时候,上式的值约等于c2。

即:s2>>s1时,整个存储器系统的每千字节平均成本会接近于c2。

⑵ 存储系统的等效存取时间t a 为:2t )h 1(1t h t a ⨯-+⨯=⑶r)h 1(h 1t )h 1(t h t t t e 211a 1⨯-+=⨯-+⨯==⑷ 将数值代入上式可以算得:h>99.95% ⑸通过缓冲的方法,我们需要将命中率从0.96提高到0.9995。

假设对存储器的访问次数为5,缓冲块的大小为m 。

那么,不命中率减小到原来的1/5m ,列出等式有:m596.0119995.0--= 解这个方程得:m=16,即要达到⑷中的访问效率,缓冲的深度应该至少是16(个数据单位)。

[计算机硬件及网络]第3章-80C51单片机的存储器结构

[计算机硬件及网络]第3章-80C51单片机的存储器结构
针),用于访问外部数据存储器和程序存储器,一
般用于存放的是外部数据存储器和程序存储器的地 址(外部数据存储器的地址也是16位)。存储器结 构见图3-7所示。
图3-7 外部数据存储器结构
FFFFH
外部数据 储存器64K (SRAM)
0000H
3.3.3 特殊功能寄存器(SFR)
80C51系列单片机内的锁存器、定时器、 串行口、数据缓冲器及各种控制寄存器、状 态寄存器都以特殊功能寄存器(SFR)的形 式出现,它们离散地分布在高128位片内 RAM 80H~FFH中。51子系列共有18个特殊 功能寄存器,占用21个单元,其余107个单 元用户不好使用(AT89C51)。
★ 这32个单元可以使用“直接寻址” 方 式,也可使用“寄存器寻址”方式来进行访 问。
★ 4组中的R0和R1除了“直接寻址”和 “寄存器寻址”外,还可采用“寄存器间接 寻址”方式来访问。
(2) 位寻址区(20H~2FH)
这16个RAM 单元具有双重功能。它们既 可以像普通RAM 单元一样按字节存取,即 “直接寻址(direct)”也可以对每个RAM 单元中的任何一个二进制位单独存取,这就 是位寻址(bit),80C51单片机为这些区域专 门设置了位处理器(一个1位的CPU),用于 这些空间的访问,如图3-6所示。
在指令系统中对于这些空间的访问有以下方法:
● 可以采用“直接寻址”的方式去访问这16个单元; 如:MOV A , 20H (MOV A , direct)
● 也可以采用“位寻址(bit)”的方式去访问这128个二进 制位。
如:MOV C , 00H (MOV C , bit) 该指令就是把00H中的一个二进制数送到C中。 指令中“bit”,指的就是位地址“00H~7FH”。

王道计组第三章存储系统思维导图脑图

王道计组第三章存储系统思维导图脑图

基于闪存技术Flash Memory,属于电可擦除ROM,即EEPROM
原理
每个块包含多个页(page)
负责翻译逻辑块号,找到对应页(Page)
闪存翻译层
每个芯片包含多个块(block)
存储介质:多个闪存芯片(Flash Chip)
组成
相当于磁盘的“扇区”
以页(page)为单位读/写
以块(block)为单位“擦除”,擦干净的块,其中的每页都可以写一次,读无限次
记录介质可以重复使用 记录信息可以长期保存而不丢失,甚至可以脱机存档
优点
非破坏性读出,读出时不需要再生
存取速度慢
机械结构复杂
缺点
对工作环境要求较高
一块硬盘含有若干个记录面,每个记录面划分为若干条磁道,而每条磁道又划分为 若干个扇区,扇区(也称块)是磁盘读写的最小单位,也就是说磁盘按块存取。
即记录面数,表示硬盘总共有多少个磁头,磁头用于读取/写入盘片上记录面的信 息,一个记录面对应一个磁头。
半导体元件的原理
主存储器的基本组成
译码驱动电路
译码器将地址信号转化为字选通线的高低电平
存储矩阵(存储体)
由多个存储单元构成,每个存储单元又由多个存储元构成
存储芯片的基本原理
读写电路
每次读/写一个存储字
由多个存储单元构成,每个存储单元又由多个存储元构成
地址线,数据线,片选线,读写控制线;每根线都会对应一个金属引脚
存储器的层次结构
主存——辅存:实现了虚拟存储系统,解决了主存容量不够的问题 Cache——主存:解决了主存与CPU速度不匹配的问题
按层次
高速缓存(Cache) 主存储器(主存,内存)
可直接被CPU读写
辅助存储器(辅存,外存)

第3章 存储系统(一)

第3章   存储系统(一)
5.按串、并行存取方式分类
目前使用的半导体存储器大多为并行存取方式,但也有以串行存取方式工作的存储器,如电耦合器件(CCD)、串行移位寄存器和镍延迟线构成的存储器等。
6.按在计算机系统中的作用分类
根据存储器在计算机系统中所起的作用,可分为主存储器、辅助存储器、缓冲存储器、控制存储器等。
3.1.2存储器的分级结构
3.1.3主存储器的技术指标
主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间和存储周期。
存放一个机器字的存储单元,通常称为字存储单元,相应的单元地址叫字地址。而存放一个字节的单元,称为字节存储单元,相应的地址称为字节地址。如果计算机中可编址的最小单位是字存储单元,则该计算机称为按字编址的计算机。如果计算机中可编址的最小单位是字节,则该计算机称为按字节编址的计算机。一个机器字可以包含数个字节,所以一个存储单元也可以包含数个能够单独编址的字节地址。例如,PDP-11系列计算机,一个16位二进制的字存储单元可存放两个字节,可以按字地址寻址,也可以按字节地址寻址。当用字节地址寻址时,16位的存储单元占两个字节地址。
作业
根据存储元件的性能及使用方法不同,分为哪几类?
主存储器有哪些性能指标?
P96 3.8题
教学反馈
对存储器的要求是容量大,速度快,成本低,但是在一个存储器中要求同时兼顾这三方面是困难的。为了解决这方面的矛盾,目前在计算机系统中,通常采用三级存储器结构,即使用快速缓冲存储器、主存储器和外存储器。中央处理器能直接访问的存储器称为内存储器,它包括快速缓冲存储器和主存储器。中央处理器不能直接访问外存储器,外存储器的信息必须调入内存储器后才能为中央处理器进行处理。
上述三种类型的存储器形成计算机的三级存储管理,各级存储器承担的职能各不相同。其中快速缓冲存储器主要强调快速存取,以便使存取速度和中央处理器的运算速度相匹配;外存储器主要强调大的存储容量,以满足计算机的大容量存储要求;主存储器介于快存与外存之间,要求选取适当的存储容量和存取周期,使它能容纳系统的核心软件和较多的用户程序。

第3章 存储系统(五)

第3章   存储系统(五)
(1)主存储器采用更高速的技术来缩短存储器的读出时间,或加长存储器的字长;(2)采用并行操作的双端口存储器;(3)在CPU和主存储器之间插入一个高速成缓冲存储器,以缩短读出时间;(4)在每个存储器周期中存取几个字。
本节先介绍双端口存储器,然后介绍多体交叉存储器,最后介绍相联存储器。下一节介绍高速缓冲存储器。
1.双端口存储器的逻辑结构
双端口存储器由于同一个存储器具有两组相互独立的读写控制线路而得名。由于进行的独立操作,因而是一种高速工作的存储器,在科研和工程中非常有用。
2.无冲突读写控制
当两个端口的地址不相同时,在两个端口上进行读写操作,一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时,就可对整个存储器进行存取。每一个端口都有自己的片选取控制(CE)和输出驱动控制(OE)。读操作时,端口的OE打开输出驱动器,由存储矩阵读出的数据就出现在I/O线上。
常常用程序地址交叉的方法来加快指令从存储器读出的速度。通常的做法时把程序中的指令分配在前后相继的地址中,并以书写时的先后次序来执行,只有遇到转移指令假定:在当前执行的指令时才会引起程序执行次序的改变。但由于转移指令所占比例很小,所以CPU可合理地以读出指令,并把它们存放在指令缓冲器中。当采用m路交叉时,可以在一个存储周期中读出m条前后相继的指令。
图3-10多体交叉存储器结构框图Flash演示
2.地址交叉方法
设X0,X1,……,XK-1为一台中央处理器依次所需要的K个字,当把它们分配给主存储器中K个前后相继的物理地址A0,A1,……,AK-1时,可用以下交叉规则在存储模块之间分配这些地址:
如果j = I mod……(m),那么把地址Ai分配给存储模块Mj
总之,当两个端口均为开放状态且存取地址相同时,发生读写冲突。此时判断逻辑可以使地址匹配或片使能匹配下降至5ns,并决定对哪个端口进行存取。判断方式有以下两种:

第3章 存储系统(七)

第3章   存储系统(七)

四川警安职业学院标准教案纸
图3-14 页式虚拟存储器结构Flash演示
假设页表已保存或已调入主存储器中,那么,在访问存储器时,首先要查页表,即使页面命中,也得先访问一次主存去查页表,再访问主存才能取出数据,这就相当于主存速度降低了一倍。

如果页失效,还要进行页面替换、页面修改,访问主存的次数就更多了。

因此,把页表的最活跃部分存放在高速存储器中组成
3-15 进快表和慢表实现内部地址访问Flash演示
3.6.3 段式虚拟存储器
段式虚拟存储系统中,段是按照程序的逻辑结构划分的,各个段的长度因程序而异。

虚拟地址由段号
为了把虚拟地址变换成主存地址,需要一个段表。

装入为“1”表示该中需要有长度指示。

如果段内地址值超过段的长度,则发生地址越界中断。

段表也是一个段,可以存在外存中,需要时再调入主
图3-16 段页式虚拟存储系统 Flash演示
3.6.5 替换算法。

第3章 存储系统(六)

第3章   存储系统(六)

四川警安职业学院标准教案纸
图3-11 CPU与存储器系统的关系Flash演示
在计算机中增加一个快存的目的,就是在性能上要使主存储器的平均读出时间尽可能接近于快存的读出时间,为了达到这个目的,在所有的存储器访问中由快存满足CPU需要的部分应占很高的比例,即快存的命中率应接近于1,由于程序访问的局部性,实现这个目标是可能的。

图3-13直接映象方式Flash演示
假设主存空间被分为2m个页(页号分别为0,1,…,i,…,2m-1), 每页的大小为
页号为0,1,…,j,…,2c-1),每页大小同样为2个字。

在直接映象方式中,主存和Cache中页面号的对应关系如图3.32所示,直接影响函数可定义为:。

微机原理第三章习题及答案

微机原理第三章习题及答案

第 三 章 存 储 器习题答案一、填空题1、某存储器模块的容量为64K 字节,若采用2164(64K ×1位)组成,则需要2164 8 片,若改用2764(8K ×8位),则需 8 片。

解答:容量单个存储器芯片的存储存储器系统的存储容量=片个数构成存储器系统所需芯所以:64*82164=864*1K bitK bit=所需芯片个数片64*82764=88*8K bitK bit=所需芯片个数片2、1K ⅹ8位的RAM 芯片有 10 条地址线, 8 条数据线,若用其组成16K ⅹ8位存储器需要 16 片。

解答:存储单元的个数(字长)通常与地址线的位数相关,每个存储单元存储的二进制位数(位数)与数据线的位数相关。

存储容量为1K*8bit (8K*8位),表示每片RAM 有1K 个存储单元(K 1210=),每个存储单元存储8位二进制数,也可以写为1KB (B 表示8位二进制数,即1个字节Byte ),因此该RAM 芯片有10根地址线(A 0-A 9),8根数据线(D 0-D 7)。

3、现要用6116SRAM 芯片构成8K ×32位的存储器,共需此种芯片 16 片。

解答:8*326116=162*8K bitK bit=所需芯片个数片二、选择题1、SRAM 芯片6116的3个信号CE 、OE 、WE 电平分别为 时,6116的工作方式为读出。

( D )A.1,0,0 B.0,0,0 C.0,1,1 D.0,0,1解答:3个信号CE 、OE 、WE 为6116的控制信号,CE (书中用CS 表示):片选信号,低电平有效,CE 为低电平时,芯片被选中,此时可以进行读写操作,WE :写允许信号,低电平有效时允许将数据写入芯片,OE :输出允许信号,低电平有效时为读操作。

因此当6116处于读工作方式时CE 为0,OE 为0,WE 为1;处于写工作方式时CE 为0,OE 为1,WE 为0。

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第3章
存储器系统
本章重点: 理解存储器的分类 存储器的层次结构:cache、内存、外存。 掌握8086存储器的结构:存储器的物理地 址,逻辑段概念,物理地址的计算。 掌握堆栈与堆栈操作。了解存储器与CPU的 连接及存储芯片的扩展。
3.1 存储器概述



3.1.1 存储器的分类 1.按存储介质分类 (1)半导体存储器 (2)磁表面存储器 (3)光存储器 2.按存取方式分类 (1)随机存取存储器RAM(Random Access Memory) ① 静态随机存取存储器SRAM ② 动态随机存取存储器DRAM (2)只读存储器ROM(Read Only Memory)
3.2 8086存储器结构






[例3.2.3]:计算下列逻辑地址对应的物理地址。 ① 2017:000AH ② 2010:007AH ③ 2410:0031H 分析:逻辑地址是以“段地址:偏移地址”的形式表达存储 器地址的,而物理地址由如下公式计算得出:物理地址 (PA)=段地址×16+偏移地址(EA) 解: ① 物理地址(PA)=2017H×10H+000AH=2017AH ② 物理地址(PA)=2010H×10H+007AH=2017AH ③ 物理地址(PA)=2410H×10H+0021H=24121H.

3.1 存储器概述
(2)主流内存条的类型 ①
SDRAM内存条 ② DDRSDRAM内存条 ③ RDRAM内存条 3.1.2 存储器的主要性能指标 存储器的主要性能指标包括:存储容量、存 取速度、可靠性及性能价格比。
3.1 存储器概述



3.1.3 存储系统的层次结构 为了解决存储容量、存取速度和价格之间的矛盾,通常把各 种不同存储容量、不同存取速度的存储器,按一定的体系结 构组织起来,形成一个统一整体的存储系统。 由高速缓冲存储器、内存储器、外存储器构成的三级存储系 统可以分为两个层次,其中高速缓冲存储器和内存间称为 Cache-内存层次,内存和外存间称为内存-外存层次。 三级存储系统总的效果是:存取速度接近于Cache水平,存 储容量非常之大,整个价格也比较合理。其中快存主要为获 取速度,使存取速度能和中央处理器的速度相匹配;辅存追 求大容量,以满足对计算机的容量要求;内存则介于两者之 间,要求其具有适当的容量,能容纳较多的核心软件和用户 程序,还要满足系统对速度的要求。

物理地址和逻辑地址
对应每个物理存储单元都有一个唯一 的20位编号,就是物理地址,从 00000H~FFFFFH。 分段后在用户编程时,采用逻辑地址, 形式为 段基地址 : 段内偏移地址

分隔符
逻辑地址
段地址说明逻辑段在主存中的起始位置 8086规定段地址必须是模16地址:xxxx0H 省略低4位0000B,段地址就可以用16位数据表 示,就能用16位段寄存器表达段地址
3.2 8086存储器结构
计算机通过存储单元的地址来访问其内容的。8086 /8088CPU是16位的微处理器,访问时既可以按字 节来操作,也可以按字来处理。一个字(即16位) 占据连续的两个存储单元。 若将一个字存入存储器,需要遵循“小端方式”的 规则,即: ① 一个字占据两个相邻的存储单元。 ② 低位字节存入低地址,高位字节存入高地址。 ③ 字的地址由低字节地址来表示,如字3456H的地 址号为20000H。 同样,将一个双字存入存储器时,也需要遵循“小 端方式”的规则
存储器的分段管理

8086CPU有20条地址线
最大可寻址空间为220=1MB 物理地址范围从00000H~FFFFFH
8086CPU将1MB空间分成许多逻辑段 (Segment)

每个段最大限制为64KB 段地址的低4位为0000B
这样,一个存储单元除具有一个唯一的物理 地址外,还具有多个逻辑地址
3.2 8086存储器结构




3.段的种类 8086/088采用分段内存管理机制,允许程序员将程序划分为 相对独立的多个段,这些段各有各的用途。8086/8088主 要包括下列4种类型的段: ① 代码段用来存放正在运行的程序的指令序列。 ② 数据段用来存放当前运行程序所用到的数据。 ③ 堆栈段定义作为堆栈使用的内存区域。堆栈是一种数据 结构,它开辟了一个以‘后进先出’方式访问的存储区。 ④ 附加段是附加的数据段,它是一个辅助的数据区。 例如:取指令时(CS)=2000H,(IP)=3500H,则被取指令的 物理地址=(CS)×10H+(IP)=20000H+3500H=23500H。 又如:取数时(DS)=1000H,段内偏移地址=1000H,则被取 数据的物理地址 =(DS)×10H+1000H=10000H+1000H=11000H。
字节Byte:8个二进制位,D7~D0 字Word:16位,2个字节,D15~D0
双字DWord:32位,4个字节,D31~D0

最低有效位LSB:数据的最低位,D0位
最高有效位MSB:数据的最高位,对应字节、 字、双字分别指D7、D15、D31位
数据的存储格式
D7 D0
D7 D0 字节

偏移地址说明主存单元距离段起始位置的偏移 量 每段不超过64KB,偏移地址也可用16位数据表 示

物理地址和逻辑地址的转换
将逻辑地址中的段地址左移4位,加上 偏移地址就得到20位物理地址 一个物理地址可以有多个逻辑地址 逻辑地址 1460:100、1380:F00 物理地址 14700H 14700H

3.2 8086存储器结构
2.堆栈操作 它可分为两类操作,分别为进栈和出栈。进栈时是 从高地址到低地址,出栈时是从低地址到高地址。 进栈操作指令为PUSH,出栈操作为POP,后面章 节会详细介绍。 (1)进栈 把一个数据压入堆栈,称为进栈。将一个数据压入 堆栈的过程是:SP先自动减2,指出新的栈顶,然 后再将数据入栈。 [例3.2.5]:设AX=1234H,SS=1000H,SP=0040H, 将寄存器AX的内容压入堆栈。 首先SP-1,将高字节数据12H压入1000FH单元, 然后SP再减1,将低字节数据34H压入1000EH单元, 操作后SP=100EH。

3.2 8086存储器结构



3.2.2 存储器分段和物理地址的形成 1.分段方法 存储器是计算机的重要组成部分,当要访问某个存储单元时, 首先必须获得该单元的物理地址。 于8086地址总线为20条,可寻址的最大内存空间为 220(1M)B,其物理地址范围是00000H~FFFFFH。在 8086中,CPU内部寄存器都是16位,直接寻址能力为216 (64KB),地址范围是0000H~FFFFH。 8086/8088又把1MB的存储空间划分成若干个逻辑段,逻 辑地址由段基址和偏移地址两部分组成。段的起始单元地址 叫做段基地址(简称段基址),它为16的整数倍。段地址存放 于段寄存器CS,DS,SS,ES中。 每个逻辑段有相应的逻辑地址LA(Logical Address),表示 为:逻辑地址(LA)=段地址:偏移地址(EA)。
段地址左移4位 加上偏移地址 得到物理地址
14600H + 100H 14700H
13800H + F00H 14700H
段寄存器和逻辑段

8086有4个16位段寄存器
CS(代码段)指明代码段的起始地址 SS(堆栈段)指明堆栈段的起始地址 DS(数据段)指明数据段的起始地址 ES(附加段)指明附加段的起始地址

每个段寄存器用来确定一个逻辑段的起始地 址,每种逻辑段均有各自的用途
3.2 8086存储器结构
2.物理地址的计算 8086/8088CPU中有一个地址加法器,它将段寄 存器提供的段地址自动乘以10H(即左移4位),然 后与16位的偏移地址相加,并锁存在物理地址锁存 器中,如图3.3所示。如逻辑地址0001H:0010H生 成物理地址时,将段地址0001H左移4位为00010H, 再与偏移地址0010H相加即可得到物理地址00020H。 20位的物理地址由16位段地址和16位偏移地址合成。
3.2 8086存储器结构
3.2.1 存储器的组织 8086/8088系统的存储器空间以字节为单位储存信 息。 每个存储单元地址由20位二进制数组成,地址从0 开始编号,依次增1,为了书写方便,用5位十六进 制数表示,其物理地址范围是00000H~FFFFFH, 且地址码为无符号数。 存储器的容量是指存储器所具有的字节数,通常以 210=1024B为基本单位,称为1KB。为了表示更大 的容量,也使用MB(兆字节),GB(吉字节)等为单位, 其中: 1KB =210B=1024B 1MB=220B=1024KB 1GB=230B=1024MB
多字节数据存放方式
多字节数据在存储器中占连续的多个存储单 元:

存放时,低字节存入低地址,高字节存入高地
ห้องสมุดไป่ตู้
80x86处理器采用“低对低、高对 址; 表达时,用它的低地址表示多字节数据占据的 高”的存储形式,被称为“小端方式 地址空间。 Little Endian”。 相 对 应 还 存 在 “ 大 端 方 式 Big Endian”。 图2.3中2号“字”单元的内容为: [0002H] = 1234H 2号“双字”单元的内容为: [0002H] = 78561234H

存储器 的内容
存 储 址器 的 地
2. 逻辑地址与物理地址
逻辑地址:段地址:偏移地址
如:DS:DAT1
物理地址的形成:
取指令:物理地址=CS*24 + IP 取OP数:物理地址=DS(ES)*24 + 偏移量 堆栈OP:物理地址=SS*24 + SP
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