§2.3 双极性晶体三极管习题4 -2018-6-1
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
最新1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放
1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
三极管练习题
三极管练习题本页仅作为文档页封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March1三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
二、选择题：1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管工作在截止区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏3. NPN型三极管三个极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）A．饱和区 B．截止区C．放大区 D．击穿区4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）A V C=，V E=0V， V B=B V C=-4V， V E=，V B=C V C=6V， V E=0V， V B=-3VD V C=2V， V E=2V， V B=5.如果三极管工作在饱和区，两个PN结状态（）A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏6. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大B、截止C、饱和D、损坏7、工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12μA增大到22μA时，Ic从1mA变为2mA，那么它的β约为( ) 。
双极型晶体三极管(BJT)作业答案
1 如果在电路中测得放大偏置的BJT 的三个电极的电位为下面四组数据： （1） 7.1V, 2.16V, 1.4V （2） 6.1V, 5.8V, 1V （3） 8.87V, 8.15V, 2V （4） –9.6V, –9.27V, 0V试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（NPN 管或PNP 管）和材料（Si 管或Ge 管）。
[解] 将三电压按从高到低排列，列出如下表：2 如果将BJT 的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，I C ≈I E 的关系是否仍然成立？为什么？[解] 不成立。
集电区较基区不是高掺杂，E i 中有较大的成分是基区多子向集电区注入形成。
这部分电流不能转化为C i ，∴C i 会比E i 明显减小。
3 图示电路可以用来测量晶体管的直流参数。
改变电阻R B 的值，由两支电流表测得两组I B 和I C 的数值如下表所示。
（1） 由数据表计算β﹑I CBO ﹑I CEO 和α （2 ）图中晶体管是S i 管还是G e 管？[解]（1）由(1)C B CBO B CEO I I I I I βββ=++=+ 图P2-3联立 400611208C E O C E O I I ββ⎧=+⎪⎨=+⎪⎩求得60β=，400640CEO I βμ=-= A 0.6561CEO CBO II μβ==+ A （2）是Ge 管。
CBO I 为μA 量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。
4*图为BJT 共射放大原理电路。
输入电压ft Sin V v im i π2=，v i 的幅度可使发射结上的信号电压满足小信号条件。
试推导BJT 集电极平均功耗C p 的表达式。
将C p 与静态（v i =0）时的集电极功耗比较是增大还是减小？电源的平均功耗是增大还是减小？[解] 由（2-20）式在小信号条件下故()CCE CE C C CC C C i TI v V R i V R I v V =-=-+()C CE C P t v i =集电极瞬时管耗∴集电极平均管耗为0011()T TC CCE C P P t dt v i dt T T ==⎰⎰ 图P2-10将C i 和CE V 表式代入上式，可得 注意到010T i v dt T =⎰，22112T i im v dt v T =⎰ 静态时 2C CO CC C C C PP V I R I ==-，∴C CO P P < 即有信号时管耗会减小。
§2.3 双极性晶体三极管习题5 -2018-6-6
1§2.3 双极性晶体三极管习题5考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
*2.3.4晶体三极管的主要参数*1、三极管的主要参数（了解）下面以共射极接法为例，介绍三极管的几种常用参数。
共射极电流放系数 (1) 共射极直流放大系数β(有时写作H FE ) (2) 共射极交流放大系数 β (有时写作h fe )同一个三极管，当I CEO 较小时，ββ≈。
选用管子时，β 值应恰当，β 值太大的管子工作稳定性差。
*2、极间反向饱和电流极间反向饱和电流，是三极管中少数载流子形成的电流，它的大小表明了三极管质量的优劣，直接影响它的工作稳定性。
(1) 集电极—基极反向饱和电流I CBO(2) 集电极—发射极反向饱和电流I CEO (又称穿透电流)I CEO 和I CBO 存在下述关系： I CEO = (1 + β)I CBOI CBO 与I CEO 都随温度的升高而增大。
在选用管子时，应选反向饱和电流小的管子。
*3．极限参数三极管的极限参数是指三极管在正常工作时所允许的最大电流、最大电压和功率的极限数值。
(1) 集电极最大允许电流I CM当I C 过大时，电流放大系数 β 将下降。
在技术上规定，使 β 下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。
(2) 反向击穿电压V (BR)CEO ——当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压，一般是几十伏。
V (BR)CBO ——当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反电压V (BR)CBO 通常比V CEO 大些。
V (BR)EBO ——当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压，一般在5 V 左右。
(3) 集电极最大允许功率损耗P CM技术上规定，在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许功率损耗。
《计算机电路基础》双极性晶体三极管习题
精品文档13级《计算机电路基础》习题二-2§2.3.3 双极性晶体三极管复习填空题1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端 电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端，如图所示。
连接 连接 连接 2、三极管的特性曲线 三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有 曲线两种。
2.1.1 共发射极连接输入特性曲线 输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管 之间的电压V BE 与它产生的 电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。
.2.12输入特性曲线特点： 当U CE =0时，输入特性曲线与 的正向伏安特性相似，这是因为V BE 加在基极与发射极之间的PN 结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V BE 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。
这个开启电压的大小与三极管的材料有关。
硅管约 V ，锗管约 V . 从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约 V.，锗管在 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。
随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。
2.2．共发射极连接输出特性曲线输出特性是指在I B 一定的条件下， 的电压V CE 与 电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
(1) 截止区① IB =0，三极管截止，I B =0曲线以下的区域称为 。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。
10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。
11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。
12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。
13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。
14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。
三、判断题15. 二极管具有单向导电性。
（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。
（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。
（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。
（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案1. 三极管的基本结构包括哪三个部分？答：三极管的基本结构包括发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
2. 描述NPN型三极管和PNP型三极管的工作原理。
答：NPN型三极管在基极施加正向电压时，发射极的电子被吸引到基极，进而到达集电极形成电流。
PNP型三极管则相反，基极施加负向电压时，集电极的空穴被吸引到基极，进而到达发射极形成电流。
3. 三极管的放大作用是如何实现的？答：三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大。
基极电流的微小变化可以导致集电极电流的较大变化，从而实现信号的放大。
4. 什么是三极管的截止状态？答：三极管的截止状态是指基极没有电流流过，导致集电极和发射极之间没有电流流过的状态。
5. 三极管的饱和状态是什么？答：三极管的饱和状态是指基极电流足够大，使得集电极和发射极之间的电压接近于零，集电极电流达到最大值的状态。
6. 三极管的放大区是如何定义的？答：三极管的放大区是指基极电流在一定范围内变化，集电极电流随之成比例变化的区域，此时三极管能够实现信号的放大。
7. 三极管的主要参数有哪些？答：三极管的主要参数包括最大集电极电流（Ic_max）、最大耗散功率（P_max）、集电极-发射极击穿电压（BVceo）等。
8. 如何判断三极管的极性？答：可以通过使用万用表的二极管测试功能，测量三极管的基极与发射极、集电极之间的正向导通电压来判断三极管的极性。
对于NPN型三极管，基极与发射极之间的正向导通电压较低，而PNP型三极管则相反。
9. 三极管的开关作用是如何实现的？答：三极管的开关作用是通过控制基极电流来实现的。
当基极电流足够大时，三极管导通，集电极和发射极之间电流流通；当基极电流为零时，三极管截止，集电极和发射极之间电流被切断。
10. 三极管在电路中的主要应用有哪些？答：三极管在电路中的主要应用包括放大器、开关、振荡器、调制器等。
第3章三极管习题
2019/10/3
3.3.4(a)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常 放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
能放大， 直流通路满足发射结正偏、集电结反 偏； 交流通路信号能顺畅的输入输出。
2019/10/3
3.3.4(b)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流中电容的容抗可忽略不计）。
不能放大， 直流通路满足发射结正偏、集电结反偏； 但交流通路中，三极管的基极被电容Cb短接到交流地，导致信号不能顺 畅的输入。
2019/10/3
3.3.4(c)
图题3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常 放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
不能放大， 直流通路满足发射结正偏、集电结反偏； 交流通路中，从直流稳压电源的阳极输出，导致信号的交 流成分不能顺畅的输出。
⑶ 当接入负载电阻RL=4kΩ时，再求最大不失真输出电压振幅Vom=？
接入负载电阻后，交流负载线仍然过Q点，斜率变为－1/(Rc//RL)。即： ICQ y-ICQ 1
x-VCEQ VCEQ Rc//RL
交流负载线与横、纵轴的交点坐标为（16V，0mA）（0V，8mA），如图所示，
最大不失真输出电压振幅取较小的一个，为5V。
VCC Rc
IB
VC
CVBE30μA Rb
V C C 1 V 2 R c ,2 k ， R b 4k 00
2019/10/3
3.4.1（c）
一个如图题3.4.1（a）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如图题3.4.1 （b）的输出特性，静态工作点Q和直流负载线已在图上标出。
第三章双极结型晶体管习题）
第三章双极结型晶体管习题）第三章双极结型晶体管(习题)第三章3–1．画出PNP晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。
画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。
画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。
3–2．考虑一个NPN硅晶体管，具有这样一些参数：xB?2?m，在均匀掺杂基区Na?5?1016cm?3,?n?1?s,A?。
若集电结被反向偏置，InE?1mA，计算2在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。
3–3．在3–2的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为1018cm?3，xE?2?m，?pE?10ns，发射结空间电荷区中，?0??s。
计算在InE?1mA时的发射效率和hFE。
3–4．一NPN晶体管具有以下规格：发射区面积=1平方密耳，基区面积=10平方密耳，发射区宽度= 2?m，基区宽度= 1?m，发射区薄层电阻为2?/200?/，基区薄层电阻为，集电极电阻率=?.cm，发射区空穴寿命=1ns，基区电子寿命=100ns，假设发射极的复合电流为常数并等于1?A。
还假设为突变结和均匀掺杂。
计算用半对数坐标画出曲线。
IE?10?A、100?A、1mA、10mA、100mA以及1A时的hFE。
中间电流范围的控制因素是什么？3-5．根据式或式，证明对于任意的2xBLn值公式和变成a11??qAni[DnNaLn2(cothxBLnxBLn)?DPENdExE] a12?a21?qADnniNaLn2cscha22??qAni[证明，若xBDnNaLn(cothxBLn)?DPCNdCLPC]Ln 3–6．证明在有源区晶体管发射极电流–电压特性可用下式表示IE?IE01??F?ReVE/VT+qAniWE2?0eVE/VT其中IE0为集电极开路时发射结反向饱和电流。
提示：首先EM方程导出IF0?IE01??F?R。
3–7．忽略空间电荷区的复合电流，证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为 -VCE?VTln注意：首先求出用电流表示结电压的显示解。
双极型半导体器件习题 共32页
2) ui<U2时。由于U1>U2 ，而U2>ui，所以U1>ui ，此时VD1 正向偏置，理想二极管VD1可以视为短路。VD1做短路处理 后UBB`=ui，这时VD2的负极接ui ，VD2的正极经R2接U2。由 于U2>ui ，所以VD2正向偏置，理想二极管VD2亦可视为短 路。
A VD1 B
VD2
由图1-11知，此时uo=ui ， 输出0a段和bc段上的波形与输
图1-11
入电压ui波形是一致的。
R
VD
２） ui正半周，当ui > 5V时。 此时VD正向偏置，理想二极管
ui E
uoVD可视为短路（图1-12）。
5V
图1-12
由图1-12知，uo＝5V。输出电 压uo在ab段上是uo＝5V ，平行于 横轴的直线。
VD2
I E1 8V
R
E2 16V
UO
图1-5 图1-3的等效电路
Ｉ＝E1+E2 /R=(8+16)V /3kΩ=8mA
UＯ＝ -E1= -8V
ＵＯ＝16V - ３kΩ *8mA = -8V
例1-3 图1-6电路中，VD1和VD2均为理想二极管，直流电压
Ｕ1＞Ｕ2，ui、uo是交流电压信号的瞬时值。试求:
12V VSZ1
U0
-
图1-22 题1-21图
+ 10V -
R
VSZ1
VSZ2
U0
1-23 工作在放大区的某三极管, 当IB从20A 增大到40A 时,
Ic从1mA变为2mA, 则它的 值约为( )
a)10
b)50
c)100
20k
4k
+UCC 12V
电子线路单元复习测试题《晶体三极管》
（）
5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使
用。（ ）
6 晶体三极管具有两个 PN 结，二极管具有一个 PN 结，因此可以把两个二极管
反向连接起来当作一只三极管使用
（）
7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。 （ ）
8. NPN 型三极管是由硅材料制成的。
姓名：
考号：
班级：
电子线路单元复习测试题
————《晶体三极管》
一 是非题：（每题 2 分，共 40 分）
1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。
（）
2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结反偏，发射结正偏。（ ）
3.三极管按半导体材料分为 NPN 型和 PNP 型。
（）
4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。
Ｃ. VE >VB> V C Ｄ. VE >VC>VB
9.某放大器中三极管三个极的电位分别是 2V，1.3V，5V，可判断该管为（ ）。
A.PNP 型锗管 B. NPN 型锗管 Ｃ.NPN 型硅管 Ｄ. PNP 型硅管
10.用指针万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻
均较小，则说明该晶体管是（ ）。
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
Ｄ.击穿区
16.三极管管是通过改变（ ）来控制集电极电流的
A.基极电流 B.发射极电流 C.源极电流 Ｄ基极电压
17.下面不是场效应管的管脚的是（ ）
A.，漏极（D） B.栅极（G） C. 源极（S） Ｄ. 基极（B）
18.三极管输出特性曲线可分为三个区，为（ ）。
A. 击穿区 截止区 饱和区
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§2.3 双极性晶体三极管习题4
考核内容
1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
2.3.3 双极性晶体三极管的特性曲线
1、三极管连接方式
三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：
共发射极电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端
共基极电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
共集电极电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端，如图所示。
共发射极连接共基极连接共集电极连接
2、三极管的偏置电压的特点归纳如下：
截止区：发射结和集电结均反偏。
放大区：发射结正偏，集电结反偏。
饱和区：发射结和集电结均正偏。
2.4、三极管的偏置电压的特点
1、截止区：三极管的偏置电压的特点
IB 0，三极管处于截止时，外部提供直流偏置是发射结与集电结处于反向偏置。
NPN型三极管，发射结零偏置或反向偏置：VB≤VE
PNP型三极管，发射结零偏置或反向偏置：VE ≤VB
2、放大区：三极管电流放大作用的实现需要外部提供直流偏置，即必须保证三极管发射结加正向电压（正偏），集
电结加反向电压（反偏）。
(1)、NPN型三极管放大作用外部条件：
发射结加正向偏置电压为：VB＞VE；集电结加反向偏置电压为：VC＞VB。
NPN
V C>V B>V E。
(2)、PNP型三极管放大工作时，其电源电压V CC极性与PNP型管相反，这时，管子三个电极的电流方向也与NPN型管电流方向相反，电位关系则为V E>V B>V C。
PNP型三极管放大作用外部条件：
发射结加正向偏置电压为：VE＞VB；集电结加反向偏置电压为：VB ＞VC 。
PNP型管电位关系应为V E>V B>V C。
3、饱和区：饱和区三极管的偏置电压的特点：发射结和集电结都处于正向偏置。
NPN型三极管，发射结正偏：VB＞VE，集电结正偏：VB＞VC
PNP型三极管，发射结正偏：VE＞VB，集电结正偏：VC＞VB
2.5、三极管偏置电压的特点与工作状态表
三极管偏置电压的特点与工作状态表
2.6.
原则：先求U BE，若U B＞U E，则发射结正偏。
若U B＜U E，则发射结反偏。
再求UBC，若U C＞U B，集电结反偏。
若U C＜U B，集电结正偏。
u i
1
2
双极性晶体三极管自测题4
一、填空题
1、 电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端
2、 电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
3、 电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端
4、根据三极管放大电路输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为 ，共基极，共集电极三种电路。
5、在三极管放大电路中，应保证发射结 偏置，而集电结 偏置。
6、三极管工作于饱和区时，其外部条件是 ， 。
7、三极管工作于放大区时，其外部条件是 ， 。
8、三极管处于截止区时，其外部条件 ， 。
9、如图所示，判断三极管在构成放大器时，三极管连接方式
连接 连接 连接
二、综合题
1、填表分析NPN 型与PNP 型三三极管偏置电压的特点与工作状态。
三极管偏置电压的特点与工作状态表
2、测量某NPN 型BJT 各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？
（1） V C ＝7V V B ＝4.7V V E ＝4V （2
） V C ＝12V V B ＝5V V E ＝7.6V （3） V C ＝3.6V V B ＝4V V E
＝3.3V
3、测量一只 PNP 型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态？
（1）V E = 2.0 V ， V B = 2.7 V
，V C = 9.4 V ； （2）V E = 3.7V ，V B = 3.0 V ，V C =3.4V ； （3）V E = 8.0 V , V B = 7.3 V ，V C =2.0V ；
4、测量一只 PNP 型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，判别晶体管分别工作在什么状态？
（1）V E = 1.0 V ， V B = 1.7 V ，V C = 9.4 V ； （2）V E = 1.7V ，V B = 1.0 V ，V C =1.4V ； （3）V E = 9.0 V , V B = 8.3 V ，V C =2.0V ；
u i。