第9章-二极管和晶体管 10
9-1数字电路的特点及分析方法9-2晶体管的开关特性
题新课端,VD导通,它呈现的正向压降很小,相当于开关的接通状态。
端,VD截止,它呈现的反向电阻很大,相当于开关的断开状态。
当二极管的正向电阻和反相电阻有很大差别时,二极管即可作为开关使用。
二极管开关的应用限幅电路又称削波电路。
削波就是指将输入波形中不需要的部分去掉。
)串联型上限幅电路电路及限幅波形如图所示。
② 工作过程1v ≥G V →VD 截止→I O v v = 1v < G V →VD 导通→G O V v =它是限幅电平为G V 的下限幅度电路,又因二极管与负载电阻并联,所以电路全称为“限幅电平为G V 的并联型下限幅电路”。
(3)结论串联型限幅电路是利用二极管截止起限幅作用;而并联限幅电路是利用二极管导通起限幅作用。
2.钳位电路 (1)电路组成把输入信号的底部或顶部钳制在规定电平上的电路称为钳位电路。
顶部电位在零电平的钳位电路如图所示。
(1)三极管的饱和条件条件:基极电流足够大,即BS B I I >>。
BS I 为临界饱和基极电流。
也可表示为:B I ≥cCCBS R V I β=(2)特点三极管处于饱和导通状态相当于开关的接通状态。
2.截止条件及其特点 (1)三极管的截止条件为输入为低电位时,即V 0I =v 时,三极管V 截止,输出为高电位,输入为高电位时,即V 3I =v 时,三极管V 饱和导通,输出为低电位,1R 的两端并联一个适量的电容器S C ,就可达到提高开关速度的V新课 当决定一件事情的几个条件完全具备之后,这件事情才能发生,否则不发生。
能实现与逻辑功能的电路称为与门电路。
两输入端均为高电平时,二极管1VD 、2VD 导通,两输入端均为低电平,或有一个输入端为低电平时,与低电平相连接的二0 V )。
出1 出0Y = A ·B当决定一件事情的几个条件中,只要有一个条件得到满足,这件事情就会发生。
两输入端均为低电平时,二极管1VD 、2VD 截止,两输入端有一个输入端为高电平,或全为高电平时,与高电平相连接的二就高电平(3 V )。
电子技术基础教程第9章光电子器件及其应用优选全文
光敏电阻将光的强弱变化转变为电阻值的差异,从而
可以由流过电流表的不同电流直接显示亮度。其中R1、 R2用于调节表面刻度,RW用于控制表头的灵敏度。
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(2)红外测温仪的前置放大电路
调制光入射光敏电阻后转化为电信号,然后送放大
器进行放大。输出uO的大小即可反映温度的高低。
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光电耦合器件:光电器件与电光器件的组合。
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2
9.1 发光二极管(LED)
9.1.1 发光二极管的工作原理 1.发光二极管的外形、电路符号和伏安特性
外形图:
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3
电路符号和伏安特性
•LED的正向工作电压UF一般为1.5~3V; •反向击穿电压一般大于5V;
•正向工作电流IF为几毫安到几十毫安,且亮度随IF的增加而
10
9.2.1 光电器件及其应用
箭头与
LED符号
1.光电二极管外形、电路符号及工作原理 的区别
外形
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光导模式
电路符号
光伏模式
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2.光电二极管的应用
(1)光电二极管的简单应用电路
光照射,2CU导 通,有电压输出
光照射2CU, VT导通, KA吸合。
简单光控电路
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光控继电器电路
增大;
•发光二极管正向工作电压的大小取决于制作材料;
•不同的半导体材料及工艺使发光二极管的颜色、波长、亮度、
光功率均不相同。
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4
2EF系列发光二极管的主要参数
型号
工作 电流
IF/mA
正向 发光 电压 强度
电工学第三版第9章答案
【解】 由图查得
I C 40 20 50 (1) 1 I B 0.8 0.4 I C 40 30 2 50 I B 0.8 0.6
图9.10
1 .3
返 回 上一题 下一题
9.5.5 已知共集放大电路的 RB = 75 kΩ, RE = 1 kΩ, RL = 1 kΩ, UCC = 12 V ,硅晶体管的 β= 50 ,信号】 (1)静态分析 U CC U BE 12 0.7 IB mA 0.0897 mA RB (1 ) RE 75 (1 50) 1
IC I B 50 0.0897 mA 4.485 mA I E I B IC (0.0897 4.485) mA 4.5747 mA U CE U CC RE I E (12 1 4.5747)V 7.43 V (2)动态分析 1 1 R'L RE // RL 0.5 k 11 26 26 rbe 200 (200 50 ) 490 0.49 k IC 4.482
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(2)空载和有载时的电压放大倍数 (1 ) RE (1 60) 5.6 Au O 0.994 rbe (1 ) RE 2 (1 60) 5.6
5.6 4.4 R'L RE // RL k 2.464 k 5.6 4.4 (1 ) R'L (1 60) 2.464 Au L 0.987 rbe (1 ) R'L 2 (1 60) 2.464
半导体物理与器件习题
半导体物理与器件习题目录半导体物理与器件习题 (1)一、第一章固体晶格结构 (2)二、第二章量子力学初步 (2)三、第三章固体量子理论初步 (2)四、第四章平衡半导体 (3)五、第五章载流子输运现象 (5)六、第六章半导体中的非平衡过剩载流子 (5)七、第七章pn结 (6)八、第八章pn结二极管 (6)九、第九章金属半导体和半导体异质结 (7)十、第十章双极晶体管 (7)十一、第十一章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 (8)十二、第十二章MOSFET概念的深入 (9)十三、第十三章结型场效应晶体管 (9)一、第一章固体晶格结构1.如图是金刚石结构晶胞,若a 是其晶格常数,则其原子密度是。
2.所有晶体都有的一类缺陷是:原子的热振动,另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。
3.半导体的电阻率为10-3~109Ωcm。
4.什么是晶体?晶体主要分几类?5.什么是掺杂?常用的掺杂方法有哪些?答:为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。
常用的掺杂方法有扩散和离子注入。
6.什么是替位杂质?什么是填隙杂质?7.什么是晶格?什么是原胞、晶胞?二、第二章量子力学初步1.量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。
2.什么是概率密度函数?3.描述原子中的电子的四个量子数是:、、、。
三、第三章固体量子理论初步1.能带的基本概念◼能带(energy band)包括允带和禁带。
◼允带(allowed band):允许电子能量存在的能量范围。
◼禁带(forbidden band):不允许电子存在的能量范围。
◼允带又分为空带、满带、导带、价带。
◼空带(empty band):不被电子占据的允带。
◼满带(filled band):允带中的能量状态(能级)均被电子占据。
导带:有电子能够参与导电的能带,但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。
价带:由价电子形成的能带,但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。
模拟电子技术基础目录
模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路(射极输出器)2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读:模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
电子社电子技术工艺基础(第7版)教学课件第9章
9.3 调试的准备工作
(1)确定调试工艺方案,准备好调试工艺指导 卡、产品的电原理图、技术说明书等。
(2)确定整机电路及各单元电路的调试工艺流 程。
(3)正确合理地选择测试仪器、仪表,并按使 用要求将仪器、仪表摆放并连结好。
(4)对调试人员进行培训,使调试人员熟悉所 调电子产品的有关技术指标及本工序的调试 内容。
部分。 (3)先调试产品的独立电路,再调试相互关联的
电路。 (4)先调试电路的静态指标,再调试电路的动态
指标。 (5)先调试基本指标,再调试对整机质量影响较
大的指标。
9.6 调试工艺的过程
1.通电前的检查 2.通电后的检查 3.电源部分的调试 4.单元电路的调试 5.整机电路的调试 6.环境实验 7.对整机进行老化处理 8.老化后参数复查
1. 直流电压的测量 通过直电压的测量:
·可判断各单元电路静态工作的情况 可确定整机工作电 压是否正常
·可判断电路所提供的偏置电压是否正常 ·可以判断集成电路本身及其外围电路是否工作正常。 ·可判断电池的好坏。 ·通过测量电路关键点的直流电压,可大致判断故障所 在的范围。
2. 交流电压的测量 交流电压的测量一般是对输入到电子产品中的市电电
(1)用手触摸一般集成电路塑封包装时,一般都 没有温升或很低的温升。
(2)用手触摸大功率晶体管、功放集成电路和电 源集成电路时有一定的温度,但手放在上面应以不烫 手为正常。
(3)用手触摸电源变压器时仍还是冷冰冰的毫无温 升或温升不明显,应考虑其负载是否有正常的耗能或 存在故障。
(4)用手触摸电阻器、电容器时,其表面温度应能 使手有所感觉,但不感到不适。
3. 通过听觉发现故障所在 就是用耳朵去听电子产品的箱体内是否有异 常的声音出现。
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管(Power Diode)在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流器;它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同,都以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。
其反向恢复时间较长,一般在5s以上,其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
《电工学-电子技术-下册》试题及解答
第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路一、单项选择题*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大,反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5.晶体管的主要特性是具有( D )。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相,输出电压大于输入电压B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°,且大小相等D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变,符号改变 13.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,题2图题9图这种处理方法是( A )。
A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。
晶体管特性图示仪ppt课件
R1R2' )]
16
为使输出电流I0与RL无关,应使 I0应为:
(R1' R2 R1R2' ) 0 , R1 R1' , R2 R2' 选择
I0
R2U i R1 R3
从上式可知,I0与负载RL无关,式中负号表示输入电压Ui为正阶梯 波时,输出电流为负阶梯波。R 1、R2取为固定值的电阻,可改变R3来调 节电流幅值/级。因此R3是步进可变的mA/级选择开关。
其波形变换如图7-4所示,利用三个不同周期的方波T1、T2、T3相加而 得。
此时Tl :T2:T3=l:2:4,幅度为U1:U2:U3=1 : 2:4。
11
图7-4 阶梯波合成波形
12
阶梯波放大电路 阶梯波放大器实际上是一个电压——电流转换电路; 它的作用是将阶梯波电压转换成为不受负载变化影响的恒定阶梯波 电流。 图7-5是一种电压一电流变换电路,A1为对称输入、单端输出的主 放大器电路。接在反馈电路中的放大器A2,实际接成电压跟随器形 式,即U3=U ’。 电压跟随器A2的输入阻抗很高,能减少反馈电阻对输出阶梯电流的 影响,起着缓冲或隔离级的作用。
当旋钮置于
(该档称为基极电流或基极源电压)位置时,可使屏幕
Y轴代表基极电流或电压。
当旋钮置于“外接”时,Y轴系统处于外接收状态,外输入端位于仪器左 侧面。
(2)“增益”电位器
(3)“移位”旋钮
31
4.显示部分 (1)“变换”选择开关用来同时变换集电极电源和阶梯信号的极性, 以简化NPN型管与PNP管转测时的操作。 (2)“⊥”按键开关可使X、Y放大器的输入端同时接地,以便确定零 基准点。 (3)“校准”按键开关是用来校准X轴和Y轴的放大器增益。 开关按下时,在荧光屏有刻度的范围内,亮点应自左下角准确地跳至 右上角,否则,应调节X轴或Y轴的增益电位器来校准。以便达到校正 10div的目的。
第9章功率放大电路习题解答
第9 章自测题、习题解答自测题9一、功率放大器和电压放大器没有本质区别,但也有其特殊问题,试简述功率放大器的特点。
解:功率放大电路与电压放大电路本质上没有区别,功率放大电路既不是单纯追求输出高电压,也不是单纯追求输出大电流,而是追求在电源电压确定的情况下,输出尽可能大的不失真的信号功率,功率放大器的特点: 1. 输出功率要大 2. 转换效率要高 3. 非线性失真要小。
二、分析下列说法是否正确,凡对者在括号内打“V”,凡错者在括号内打“X” 。
(1)在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。
()(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
()(3)功率放大器为了正常工作需要在功率管上装置散热片,功率管的散热片接触面是粗糙些好。
()(4)当OCL 电路的最大输出功率为1W 时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。
()(5)乙类推挽电路只可能存在交越失真,而不可能产生饱和或截止失真。
()(6)功率放大电路,除要求其输出功率要大外,还要求功率损耗小,电源利用率高。
()(7)乙类功放和甲类功放电路一样,输入信号愈大,失真愈严重,输入信号小时,不产生失真。
()(8)在功率放大电路中,电路的输出功率要大和非线性失真要小是对矛盾。
()(9)功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是1)都使输出电压大于输入电压;()2)都使输出电流大于输入电流;()3)都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
()(10)功率放大电路与电压放大电路的区别是1)前者比后者电源电压高;()2)前者比后者电压放大倍数数值大;()3)前者比后者效率高;()4)在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电压大;(11) 功率放大电路与电流放大电路的区别是1 )前者比后者电流放大倍数大;()2)前者比后者效率高;()解:⑴X,当输出电压峰值为0.6Vcc时,功放管的管耗最大约为最大输出功率的五分之一。
电工学第七章 二极管和晶体管
发射结必正偏,集电结必反偏。
返回
用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论
C N
B RB
P
+
N
EC _
E EB _ + 1、发射区向基区扩散电子,形成发射极电流IE。
发射结正偏
发射区的电子向基区发射
形成发射极电流IE
IE由扩散运动形成
返回
C N
B RB
P
+
N
EC _
E EB _ +
2、电子在基区中有复合现象,形成基极电流IB
C
P BN
P
发射 结
P
集电 结
NP
发射区 B(基极基) 集电 区区 B
E
C(集电极) C
E
返回
2、电流分配和放大原理
µA IB
mA
C
B
IC
E
RB
mA IE
+ EC _
+EB_
共发射极接法
共发射极接法:晶体管接成两个电路,基极电路和集
电极电路,其中发射极是公共端。
注:三极管要起放大作用(NPN型
时)
反向击穿电压:产生击 穿时的电压。
I/mA 80
60
正向
40
死区
20 电压
-50 -25 O 0.4
击穿 -20
电压
-40 反向 I/µA
0.8 U/V
二极管的伏安特性曲线 返回
3、主要参数
(1)最大整流电流IOM 二极管长时间使用时,允许流过的最大正向平均
电流。
(2)反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。一般
电子技术基础
图1-1二极管的伏安特性曲线①OA段:死区。
死区电压:硅管为05V,锗管为02V
②AB段:正向导通区。
导通电压:锗管为07V,硅管为03V。
(2)反向特性:
①OC段:反向截止区。
反向截止区的特点:
随反向电压增加,反向电流基本不变,电流值比较小。只有当温度升高时,反向电流才会增加。
(2)求交流放大系数时,取△IB=20μA,△IC=1 mA,则交流放大系数β=△IC/△IB=50。
(3)当基极IB=0时,对应集电极电流即为ICEO的值,根据三极管的输出特性,IB=0的曲线对应的集电极电流IC约为02 mA。
第一章半导体器件的基础知识
第二章二极管应用电路
第三章三极管基本放大电路
第四章负反馈放大器
第五章正弦波振荡器
第六章集成运算放大器
第七章功率放大器
第八章直流稳压电源
第九章晶闸管及应用电路
第十章逻辑门电路
第十一章数字逻辑基础
第十二章组合逻辑电路
第十三章集成触发器
第十四章时序逻辑电路
6 PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面,称为PN结。
7 PN结内电场的方向:由N区指向P区。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散,又称为阻档层或耗尽层。
8 PN结的反向击穿是指PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN结的反向击穿。
半导体器件是各种电子线路的核心,晶体二极管和晶体三极管及场效应管是应用广泛的半导体器件之一,熟悉并掌握这些半导体器件的结构、特性及主要参数是本章的重点。
电工第九章习题讲解学习
电工第九章习题第九章习题一、选择题9.1.1 对半导体而言,起正确的说法是()。
(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。
(2)N型半导体中由于多数载流子为只有电子,所以它带负电。
(3)P型半导体和N型半导体本身都不带电。
9.2.1 在图9.01所示的电路中,Uo为()。
(1)-12V (2)-9V(3)-3V9.2.2在图9.02所示的电路中,Uo为()。
其中,忽略二极管的正向压降。
(1)4V (2)1V (3)10V9.3.1 在图9.03所示的电路中,稳压二极管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和7V,其正向压降课忽略不计,则Uo为()。
(1)5V (2)7V (3)0V9.3.2 在图9.04所示的电路中,稳压二极管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和7V,其正向压降课忽略不计,则Uo为()。
(1)5 V (2)7 V (3)0 V9.4.1 在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为9 V,4 V,3.4 V,则这三个级分别为()。
(1)C,B,E (2)C,E,B (3)E,C,B9.4.2在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为-6 V,-2.3 V,-2 V,则-2.3V那个极为()。
(1)集电极(2)基极(3)发射极9.4.3 在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为6 V,1.2 V,1 V,则此管为()。
(1)NPN型硅管(2)PNP型锗管(3)NPN型锗管9.4.4 对某电路中一个NPN型硅管测试,测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0,则此管工作在()。
(1)放大区(2)饱和区(3)截止区9.4.5 对某电路中一个NPN型硅管测试,测得Ube>0,Ubc<0,Uce>0,则此管工作在()。
(1)放大区(2)饱和区(3)截止区9.4.6 对某电路中一个NPN型硅管测试,测得Ube<0,Ubc<0,Uce>0,则此管工作在()。
第9章 晶闸管电路及其应用..
二、晶闸管的主要参数
1. 晶闸管的电压参数
(1)正向转折电压UBO(Forward break over voltage)
在额定结温(100A以上为115℃,50A以下为100℃)和门 极开路的条件下,阳极和阴极间加正弦半波正向电压使器件由 阻断状态发生正向转折变成导通状态所对应的电压峰值。
(2)断态重复峰值电压UDRM(Blocking recurrence peak voltage) 指门极开路,晶闸管结温为额定值,允许重复施加在晶 闸管上的正向峰值电压。重复频率为每秒50次,每次持续时 间不大于10ms,其值为 UDRM = UBO—100V
(3)反向转折电压UBR 就是反向击穿电压。 (4)反向重复峰值电压URRM 指门极开路,晶闸管结温为额定值,允许重复施加在晶 闸管上的反向峰值电压。
U M和URRM中较小者,再取相应于标准电压等级 中偏小的电压值作为晶闸管的标称额定电压。在1000V以下, 每100V一个等级;在1000~3000V,则是每200V一个等级。为 了防止工作中的晶闸管遭受瞬态过电压的损害,通常取电压安 全系数为2~3,例如器件在工作电路中可能承受到的最大瞬时 值电压为UTM,则取额定电压UT=(2~3)UTM。 (6)通态正向平均电压UF
流),在不同的门极触发电流IG作用下经不同的转折电压UBO
和负阻区(电流增加,电压减小),到达正向导通状态(低 电压,大电流)。
正向导通特性和一般二要管的正向导通特性一样,门极
触发电流IG越大,转折电压UBO越低。
当IG=0时,晶闸管正向电压UAK增大到转折电压UBO前,器 件处于正向阻断状态,其正向漏电流随UAK电压增高而逐渐增 大,当UAK达到UBO时管子将突然从阻断状态转为导通状态, 导通后器件的特性与整流二极管正向伏安特性相似。 当通入门极电流IG且足够大时,正向转折电压降至极小, 使晶闸管像整流二极管一样,一加上正向阳极电压就导通,这
电工与电子技术 -第9章
反向击穿
电压U(BR)
反向特性
P– + N
正向特性
P+ –N
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
U
死区电压
硅管0.5V 锗管0.1V
外加电压大于反向击
外加电压大于死区电
穿电压时,二极管被击 压,二极管才能导通。
穿,失去单向导电《性电。工学简明教程》
9.2.3 主要参数
1. 最大整流电流 IOM
i IZmax
U ZW RL
25mA
1.2ui iR UZW 25R 10 ①
《电工学简明教程》
uimin = 0.8ui → 流过稳压管的电流为 IZmin
i
I Zmin
U ZW RL
10mA
i ui
iL
R
DZ
iZRL uo
0.8ui iR UZW 10R 10 ②
• 往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使 它的导电能力明显改变 -- 掺杂特性。
《电工学简明教程》
9.1.1 本征半导体
1、本征半导体的结构 现代电子学中,用的最多的半导体是硅(Si)和锗(Ge)
,它们的最外层电子(价电子)都是四个。
Ge
Si
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。 《电工学简明教程》
绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷 、塑料和石英。
半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间 ,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化 物、氧化物等。
《电工学简明教程》
半导体的导电机理不同于其它物质,所以它 具有不同于其它物质的特点。例如:
电力电子第二章、第九章、第十章课后习题答案
2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力?答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构为什么 GTO 能够自关断而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α2,由普通晶闸管的分析可得,α1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。
α1 + α 2>1 两个等效晶体管过饱和而导通;α1 + α 2<1 不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:l)GTO 在设计时α 2 较大,这样晶体管 T2 控制灵敏,易于 GTO 关断;2)GTO 导通时α1 + α 2 的更接近于 l,普通晶闸管α1 + α 2 ≥ 1.5 ,而 GTO 则为α1 + α 2 ≈ 1.05 ,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
2-7与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高电压和大电流的能力?1.垂直导电结构:发射极和集电极位于基区两侧,基区面积大,很薄,电流容量很大。
2.N-漂移区:集电区加入轻掺杂N-漂移区,提高耐压。
3.集电极安装于硅片底部,设计方便,封装密度高,耐压特性好。
《半导体物理与器件》课程教学大纲
《半导体物理与器件》课程教学大纲一、课程名称(中英文)中文名称:半导体物理与器件英文名称:Semiconductor Physics and Devices二、课程代码及性质专业选修课程三、学时与学分总学时:40学分:2.5四、先修课程《量子力学》、《统计物理》、《固体物理》、《电路原理》五、授课对象本课程面向功能材料专业学生开设六、课程教学目的(对学生知识、能力、素质培养的贡献和作用)本课程是功能材料专业的选修课之一,其教学目的包括:1、能够应用物理、化学基本原理,识别、表达、并通过文献研究分析复杂半导体物理与器件相关工程问题,获得有效结论。
2、掌握半导体物理与器件相关问题的特征,以及解决复杂工程问题的方法。
3、掌握文献检索、资料查询、现代网络搜索工具的使用方法;具备应用各类文献、信息及资料进行半导体物理与器件领域工程实践的能力。
4、了解半导体物理与器件的专业特征、学科前沿和发展趋势,正确认识本专业对于社会发展的重要性。
5、了解半导体物理与器件领域及其相关行业的国内外的技术现状,具有较强的业务沟通能力与竞争能力。
表1 课程目标对毕业要求的支撑关系七、教学重点与难点课程重点:(1)掌握能带理论以及从能带理论的角度分析半导体的导电机制;熟悉半导体中电子的状态及其运动规律;熟悉实际半导体中的杂质和缺陷的种类、性质及其作用;掌握并且会计算热平衡状态下载流子的浓度问题以及非平衡载流子的概念、产生及其随时间的演化规律(寿命问题);掌握载流子的几种输运机制。
(2)理解和熟悉PN结及其能带图;掌握PN结的电流-电压特性以及电容-电压特性;熟悉PN结的三种击穿机理;理解和掌握PN结二极管的工作原理。
(3)在对PN结二极管工作原理分析的基础上,学会将此分析进行合理的拓宽,即从单结/两端二极管发展到双结/三端晶体管;掌握双极型晶体管(BJT)的基本概念、符号的定义、工作原理的定性分析以及关键的关系表达式等。
(4)系统地了解和掌握MOSFET的基本工作原理与物理机制;掌握MOSFET器件的主要结构形式、工作特性和有关的物理概念;熟悉MOSFET的电容-电压特性、伏-安特性及其交流效应,并能掌握主要参数和特性的分析与计算方法;了解半导体器件制备的方法、过程及几个器件制备的实例。
电子信息类专业-计算机电路基础-第9章门电路和组合逻辑电路1课件
(4) 理解加法器、编码器、译码器、比较器和数据选择
第9章 门电路和组合逻辑电路 9.1 基本逻辑运算 9.2 集成逻辑门电路 9.3 逻辑函数 9.4 组合逻辑电路
模拟电路
9.2.2 CMOS门电路
以场效应晶体管为基础的集成电路
(1)CMOS非门电路
1)CMOS非门电路结构:图9.15所示。
载 输
管 入
V端用TA2增,;制强又作型把在两NM同管O一漏S硅管极晶作相片为连上接驱,,动并引管将出VT两并1,管作用栅为极增输相强出连型端接PYM。,O这引S 管样出作形并为成作
或逻辑运算表明:在决定一事件的各个条件中,只要具备一个 或一个以上的条件,该事件就会发生。或逻辑运算又称为逻辑加运 算。
图 9 . 3 ( c ) 所 示 是图或 逻9.3辑 运 算 的 或 门 符 号 。
2.或门电路
实现或逻辑关系运算的电路称为或门电路. 或门电路可用简单的二极管电路来实现,如图9.4电路。
第9章 门电路和组合逻辑电路
(时间: 5次课 10学时)
教学提示:
数字电路是处理数字信号的电路,研究的是输入信 号状态和输出信号状态之间的逻辑关系。数字信号只有0 和1两个状态。数字电路采用“逻辑代数”这一数学工具 来分析和描述,完全区别于模拟电路的分析、设计方法。
教学目标:
(1) 掌握与门、或门、非门、与非门、或非门的逻辑功 能;
平均传输延迟时间的大小反映了TTL与非门的开关特性,主要说明 了它的工作速度
4.其他类型的TTL门电路
(1) 集电极开路的与非门(OC门)
电子线路_精品文档
电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的(正向)电压时导通,加(反向)电压时(截止)这一导电特性称为二极管的(单相导电)特性。
2、不加杂质的纯净半导体称为(本征半导体)。
3、P型半导体它又称为(空穴)型半导体,其内部(空穴)数量多于(自由电子)数量。
4、加在二极管两端的(电压)和流过二极管的(电流)间的关系称为二极管的(伏安特性)。
5、把(交流)电转换成(直流)电的过程称为整流。
6。
直流电的电路称为二极管单相整流电路,常用的有(单相半波整流)、(单相桥式整流)和(倍压整流)电路。
7。
三极管工作在放大区时,通常在它的发射结加(正向)电压,集电结加(反向)电压。
8。
三极管在电路中的三种基本连接方式是(共发射极接法)、(共基极接法)、(共集电极接法)。
9。
晶体二极管的主要参数有(最大整流电流IFm)、(最高反向工作电压VRm)、(反向漏电流IR)。
10。
导电能力介于(导体)和(绝缘体)之间物体称为半导体。
11、在半导体内部,只有(空穴)和(自由电子)两种载流子。
12、一般来说,硅晶体二极管的死区电压应(大于)锗晶体二极管的死区电压。
13、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是(既有少数载流子,又有多数载流子)。
14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有+号插孔中的测试表笔(通常是红色表笔)所连接的二极管的管脚是二极管的(负)极,另一电极是(正)极。
15、面接触性晶体二极管比较适用(大功率整流)16。
晶体二极管的阳极电位是-10V,阴极电位是-5V,则晶体二极管处于(反偏)17。
用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆档拨到(R1K档)18。
当硅晶体二极管加上0。
3V正向电压时,该晶体管相当于(阻值很大的电阻)19。
晶体二极管加(反向)电压过大而(击穿),并且出现(烧毁)的现象称为热击穿20。
晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流(极小);当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会急速(增大)21、二极管的正极又称(阳)极,负极又称(阴)极。
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电子技术是把电子元器件组成的电子 电路应用到科学、技术、生产、生活各领 域的应用技术,电子电路是信息社会产生、 传送、处理信号的硬件载体。
1
2
3
电工电子学下篇-电子技术
第9章 二极管和晶体管 第10章 基本放大电路 第11章 运算放大器 第12章 直流稳压电源 第13章 门电路和组合逻辑电路 第14章 触发器和时序逻辑电路 第15章 模拟量和数字量转换
RC
IC
EC
35
三极管的电流控制原理
EB正极拉走电
IC
电子流向电源正极形成 IC
C N
集电区收集电子
子,补充被复 合的空穴,形 成 IB
电子在基区 扩散与复合
P
VCC
IB
RB
B
N
发射区向基区 扩散电子
E
电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE
RC
VBB
IE
IC / IB
36
放大的条件: 要使三极管 IB 能放大电流, 必须使发射 结正偏,集 RB 电结反偏。 EB B
38
一、输入特性:
UCE=0V
iB f (uBE ) |uCE 常数
IB(A)
UCE =0.5V UCE 1V 工作压降: 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
80 死区电 压,硅管 0.5V,锗 管0.2V。
60
40 20
0.4
0.8
UBE(V)
39
二、输出特性: IB
22
3. 反向电流 IR
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。 反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此 反向电流越小越好。反向电流受温度的影响, 温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小, 锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
23
4、微变电阻 rD 工作点Q处的直流电阻: R=UD/ID
rD 是二极管特性曲线上工 作点Q 附近电压的变化与 电流的变化之比:
A DA B DB
2.7V -0.3V Y
R
0V
–12V
优先导通判断方法: (1)所有二极管开路,正向电压大的先导通; (2)根据优先导通后的电路,在判断其它二极管导通/截止。
26
例9.2(限幅):下图是二极管限幅电路,D为理想二 极管,ui = 6 sin t V, E= 3V,试画出 uo波形 。
IZ<IZM, 电阻值合适
30
第9章 二极管和晶体管(2)
9.4晶体管 9.4.1基本结构 9.4.2电流分配和放大原理 9.4.3特性曲线 9.4.4主要参数
31
9.4
晶体管
9.4.1 基本结构
集电极C
集电区
1. NPN 型三极管 C
基极B
N P
集电结
基区 (很薄) 发射结 发射区 (掺杂浓 发射极E 度高)
34
9.4.2 电流分配和放大原理
共发射极接法放大电路
三极管具有电流控制作用的外部条件 :
(1)发射结正向偏置; IB B N C (2)集电结反向偏置。 UCE P 对于NPN型三极管应满足: RB N E UCB > 0 UBE > 0 UBE 即 VC > VB > VE EB 对于PNP型三极管应满足: UEB > 0 UBC > 0 输出 即 VC < VB < VE 输入 公 回路 回路 共 端
则:
uO VCC I CQ RC<0
所以T处于饱和状态。 所以 uO≈0V,IC ≈12mA
47
9.4.4 主要参数
1. 电流放大倍数 和 共射直流电流放大倍数:
___
___
IC IB
工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直 流上的交流信号。交流电流放大倍数为:
IC I B
45
(2)当VBB=1V时,因为
I BQ
VBB U BEQ Rb
60A
I CQ I BQ 3mA u O VCC I CQ RC 9V
所以T处于放大状态。
46
(3)当VBB=5V时,因为
I BQ
若: I
VBB U BEQ Rb
860A
CQ
I BQ 43mA
fl as h 1
空间电荷区
少子的漂移 (变薄、电 场驱使) … 扩散=飘移 形成稳定
的PN结
注:PN结的结电容很小
16
2、PN结的特性
(1)PN结外加正向电压
flash2
PN结正偏
PN结变窄 外部电源不断 有利于扩散进行 扩散>飘移 提供电荷 产生较大的扩散电流I正 PN结正向导通
17
外电场与内电场方向相反
iC f (uCE ) |iB 常数
mA
IC
UCE V UBE EC
A
RB
V
EB
实验线路(共射极)
40
二、输出特性: iC IC(mA )
f (uCE ) |iB 常数
100A 80A 当UCE大于一 定的数值时, IC只与IB有关, IC=IB。
4
3 2 1 3 6 9
60A
(4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
29
例9.3.1 求通过稳压二极管 的电流IZ?R是限流电阻, 其阻值合适否? 解:
20 12 Iz A 5mA 3 1.6 10
+20V
IZ
DZ
R=1.6kΩ
UZ =12V IZM =18mA
9.2.2 主要参数 1. 最大整流电流 IF
二极管长期使用时,允许流过 二极管的最大正向平均电流。
二极管符号:
P + U
N
-
2.最高反向工作电压UR
二极管工作是允许外加的最大反向电压值。超过此值 时,二极管有可能因反向击穿而损坏。手册上给出的 最高反向工作电压UR一般是击穿电压U(BR)的一半。
iD
Q
ID
iD
uD
u D rD iD
UD
uD
24
5、 PN结电容
势垒电容 扩散电容
PN结高频小信号时的等效电路: rd
C
25
例9.1(嵌位):下图中,已知VA=3V, VB=0V, DA 、 DB为锗管,求输出端Y的电位并说明二极管的作用。 解: DA优先导通,则 VY=3–0.3=2.7V DA导通后, DB因反偏而截止, 起隔离作用, DA起钳位作用, 将Y端的电位钳制在+2.7V。 3V
4
第9章 二极管和晶体管
9.1 半导体的导电特性
9.2 半导体二极管
9.3 稳压二极管
5
半导体基础知识
导体:自然界中很容易导电的物质称为导体, 金属一般都是导体。
绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体, 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间。如锗、 硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
在以后的计算中,一般作近似处理: =
48
例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA; 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。
IC(mA )
在 Q1 点,有
2、PN结的特性 (2)PN结外加反向电压
fla sh 3
PN结反偏 外电场与内电场方向相同 PN结变厚 外部电源不断 飘移>扩散 有利于漂移进行 提供电荷 产生较小的反向电流I反 PN结反向截止 18
(3)PN结的特性: 加正向电压 导通 单方向导电性
加反向电压
截止
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20
9.2.1 伏安特性
特点:非线性
I
正向特性
P
理想二极管: 反向击穿 导通压降=0 电压U(BR)
iD
+
–
N
硅0.6~0.8V 导通压降 锗0.2~0.3V U 硅管0.5V,锗 死区电压 管0.1V。 外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
21
P
uD
–
+N
反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。
IC C N P N E IE EC
IC=βIB IE=IB+IC
37
9.4.3 特性曲线
用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、 反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。
mA µ A IB RB B
3DG6 +
IC
+
V UBE
+ _
EC
E
C V UCE _
EB _ +
_
以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。
硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。 本征半导体:完全纯净的、 晶体结构的半导体。
Si
8
+4
共价键结构 在热力学温度零度 和没有外界激发时, 本征半导体不导电。 +4
价电子
+4
硅原子
+4
+4
+4
+4
+4
+4
本征半导体的共价键结构
9
在 常 温 下 成对消失 自 复合 由 电 子 和 空 穴 的 形 成
3
2
1 3
6 9
20A IB=0 12 UCE(V)
43
T工作在截止区条件: 输 发射结反偏,集电结反偏; 出 特 性 T工作在放大区条件: 发射结正偏,集电结反 偏; ___