微电子技术综合实践
微电子生产实习报告
微电子生产实习报告导语：随着科技的不断发展，微电子技术已经成为了现代社会的重要组成部分。
为了更好地了解微电子生产过程和技术，提高自己的实践能力，我参加了为期一个月的微电子生产实习。
本文将对我实习的经历和收获进行总结和反思。
一、实习目的和要求实习的目的是通过参与微电子生产过程，了解和掌握微电子生产的基本工艺和技术，提高自己的动手能力和实践能力。
实习要求我们熟悉微电子生产线的运作流程，掌握光刻、蚀刻、镀膜等基本工艺，并能对生产过程中的问题进行分析和解决。
二、实习内容和过程在实习期间，我参与了微电子生产线的各个环节，包括光刻、蚀刻、镀膜、清洗和测试等。
以下是我对实习过程的简要描述：1. 光刻：光刻是微电子制造中的关键步骤，通过使用光刻机将电路图案转移到硅片上。
我在光刻过程中学习了如何操作光刻机，调整曝光时间和焦距，并掌握了光刻胶的配制和固化方法。
2. 蚀刻：蚀刻是将硅片上的不需要的材料去除，形成微电子器件的轮廓。
我在蚀刻过程中学习了如何选择合适的蚀刻液和蚀刻条件，并掌握了蚀刻速率和深度的控制方法。
3. 镀膜：镀膜是为了在硅片上形成一层保护膜或导电膜，以增强器件的性能。
我在镀膜过程中学习了如何操作镀膜设备，选择合适的材料和厚度，并掌握了镀膜过程中的温度和压力的控制方法。
4. 清洗：清洗是为了去除硅片上的杂质和污染物，保证器件的质量和性能。
我在清洗过程中学习了如何使用清洗设备和清洗液，并掌握了清洗过程中的时间和温度的控制方法。
5. 测试：测试是为了检查微电子器件的性能和功能是否符合要求。
我在测试过程中学习了如何使用测试设备和仪器，并掌握了测试方法和数据分析的方法。
三、实习收获和反思通过这次微电子生产实习，我获得了以下几方面的收获：1. 实践能力：通过参与生产过程，我提高了自己的动手能力，学会了如何操作各种设备和仪器，并掌握了基本工艺的技术要点。
2. 团队合作：在实习过程中，我与同学们一起合作完成各种任务，学会了与他人沟通和协作，提高了自己的团队协作能力。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子实习报告
微电子实习报告第一篇：微电子实习报告课程名称认识实习课程编号A200001A实习地点光电学院1101微电子工艺实验室实习时间2020年11月14日校外指导教师校内指导教师王智鹏、周围评阅人签字王智鹏成绩实习内容微电子工艺认识实习一、实习目的和意义学习光刻机原理，硅片的制作和加工，简单MOS器件的制备二、实习单位和岗位重庆邮电大学三、实习内容和过程实验内容：在2020年11月14日的下午我们班聚集在实验室门口等待，在老师的带领下我们进入实验室并且按规矩穿好实验服。
在将近半小时的参观下我们了解到半导体的制作原理。
半导体制作原理：图1.1半导体构造组成制造流程半导体工业所使用之材料包含单一组成的半导体元素，如硅(Si)、锗(Ge)(属化学周期表上第四族元素)及多成分组成的半导体含二至三种元素，如镓砷(GaAs)半导体是由第三族的镓与第五族的砷所组成。
在1950年代早期，锗为主要半导体材料，但锗制品在不甚高温情况下，有高漏失电流现象。
因此，1960年代起硅晶制品取代锗成为半导体制造主要材料。
半导体产业结构可区分为材料加工制造、晶圆之集成电路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圆切割、构装(wafer package)等三大类完整制造流程，如图1.2所示。
其中材料加工制造，是指从硅晶石原料提炼硅多晶体(polycrystalline silicon)直到晶圆(wafer)产出，此为半导体之上游工业。
此类硅芯片再经过研磨加工及多次磊晶炉(Epitaxial reactor)则可制成研磨晶圆成长成为磊晶晶圆，其用途更为特殊，且附加价值极高。
其次晶圆之体积电路制造，则由上述各种规格晶圆，经由电路设计、光罩设计、蚀刻、扩散等制程，生产各种用途之晶圆，此为中游工业。
而晶圆切割、构装业系将制造完成的晶圆，切割成片状的晶粒(dice)，再经焊接、电镀、包装及测试后即为半导体成品。
图1.2 半导体产业结构上、中、下游完整制造流程制程单元集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料，经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后，结合光罩进行曝光、显像，使晶圆上形成各类型的电路，再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后，进行金属蒸发，使各元件的线路及电极得以形成，最后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片，再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。
微电子毕业实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子信息产业的核心技术，在我国得到了广泛的关注和应用。
为了更好地了解微电子技术在实际工程中的应用，提高自己的实践能力，我于2023年7月至9月在XX科技有限公司进行了为期两个月的毕业实习。
二、实习目的1. 了解微电子技术的基本原理和应用领域；2. 掌握微电子产品的生产流程和工艺技术；3. 提高自己的动手能力和团队协作能力；4. 为今后的工作打下坚实基础。
三、实习单位简介XX科技有限公司成立于2005年，是一家专业从事微电子技术研发、生产和销售的高新技术企业。
公司主要产品包括各类集成电路、电子元器件等，广泛应用于通信、家电、汽车等领域。
四、实习内容1. 理论学习在实习期间，我首先对公司微电子技术的基本原理和应用领域进行了系统学习。
通过查阅资料、参加技术培训等方式，了解了微电子技术的基本概念、电路设计、生产工艺等知识。
2. 生产实习在生产实习环节，我主要参与了以下几个方面的学习：（1）芯片制造：参观了芯片制造生产线，了解了晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、氧化、抛光等工艺流程。
（2）封装测试：学习了封装材料、封装工艺、测试方法等知识，了解了封装、焊接、测试等过程。
（3）产品应用：了解了公司主要产品的应用领域和性能特点，学习了产品设计和开发的基本流程。
3. 项目实践在项目实践环节，我参与了公司一个实际项目的研发工作。
在导师的指导下，我负责编写部分软件代码，参与调试和测试。
通过这个过程，我学会了如何将理论知识应用于实际项目，提高了自己的编程能力和团队协作能力。
五、实习收获1. 知识储备：通过实习，我对微电子技术的基本原理和应用领域有了更深入的了解，为今后的工作打下了坚实基础。
2. 技能提升：在实习过程中，我学会了芯片制造、封装测试等工艺技术，提高了自己的动手能力。
3. 团队协作：在项目实践中，我学会了与团队成员沟通、协作，提高了自己的团队协作能力。
4. 职业素养：通过实习，我认识到职场中的责任感和敬业精神的重要性，为今后的职业生涯奠定了基础。
微电子技术综合实践
3 2 16 4 3
QSD(max)
ε ox t ox
估算得 N D 2.210 cm ，由经验公式BVDS 60(Eg 1.1eV) ( NB 10 )
16 3 得出 NB 2.1310 cm ，由于外延层掺杂浓度为 2.1310 cm
16 3
故PMOS管可以直接做在外延层上。
N-Si外延层
N-Si衬底
2、初始氧化
为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入工艺做准备，阱区掩蔽 氧化层介质的厚度为1.24um，即可达到的掩蔽效果为99.999%，这是 制造工艺流程中的第一次氧化。
SiO2
N-Si外延层
3、P阱光刻 是整个工艺流程中第一次光刻，采用典型常规湿法光刻工艺，应该 包括：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等工序。P阱光刻 完成P型阱区的注入窗口。
p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压 VTp -1V ，漏极 饱和电流ID(sat) 1mA ，漏源饱和电压 VD(sat) 3V ， 漏源击穿电压 BVDS 35V ，栅源击穿电压 BVGS 25V 跨导 g m 2ms ，截止频率f max 3GHz ，（迁移率 2 μ p 220cm vs ）
二、设计内容
1、MOS管的器件特性参数设计计算； 2、p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、 方法、条件、结果；分析光刻工艺，画出整套光刻版 图）； 3、薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化， 栅氧化，多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等工艺方法和工艺 条件，进行结深或掩蔽有效性验证。 选做了4、掺杂工艺参数计算：分析设计实现P阱、PMOS、 PMOS源漏区掺杂工艺方法和工艺条件。
实际中掩蔽膜厚度取1.5~2倍的 x omin ，即1.24um，采用干—湿—干氧化法
微电子技术实习报告
实习报告一、实习背景和目的作为一名微电子工程专业的学生，为了加深对微电子技术的理解和实践能力，我参加了为期三个月的微电子技术实习。
实习的目的主要是通过实际操作和项目实践，掌握微电子器件的基本原理、制造工艺和测试技术，培养实际动手能力和创新能力。
二、实习内容和过程实习期间，我主要参与了以下几个方面的内容和过程：1. 微电子器件的基本原理学习：通过阅读教材和参加讲座，我深入了解了MOSFET、BJT等常见微电子器件的工作原理和特性，学习了器件的结构设计和参数优化方法。
2. 制造工艺的学习和实践：在实验室中，我参观了微电子器件的制造工艺流程，包括晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入等步骤。
通过实际操作，我掌握了工艺参数的调整和控制方法，了解了工艺流程中的关键技术和挑战。
3. 测试技术的实践：在实验室中，我使用了多种测试设备对微电子器件进行了电学特性测试，包括I-V特性测试、C-V特性测试等。
通过测试数据的分析和处理，我了解了器件的性能指标和可靠性评估方法。
4. 实际项目的参与：在实习期间，我参与了一个微电子器件的性能改进项目。
通过团队合作，我负责了器件的结构设计和参数优化工作。
通过项目实践，我学会了与团队成员有效沟通和协作，提高了自己的解决问题和团队合作能力。
三、实习收获和体会通过这次实习，我收获了很多，具体如下：1. 理论知识与实践能力的结合：实习过程中，我将所学的微电子器件理论知识和实际制造工艺相结合，提高了自己的实践能力。
2. 创新思维的培养：在实际项目中，我通过不断尝试和优化，培养了自己的创新思维和解决问题的能力。
3. 团队合作和沟通能力的提升：在项目实践中，我与团队成员密切合作，学会了有效沟通和协作，提高了自己的团队合作能力。
4. 对微电子技术的深入理解：通过实习，我对微电子技术有了更深入的理解，明确了自己未来学习和研究方向。
总之，这次微电子技术实习是一次非常有意义的经历。
通过实习，我不仅提高了自己的实践能力和团队合作能力，还对微电子技术有了更深入的理解和认识。
微电子专业认知实习报告
随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支柱之一。
为了让我们更好地了解微电子技术的实际应用，培养我们的实践能力和创新精神，学校于2023年7月组织了为期两周的微电子专业认知实习。
此次实习让我们深入企业、实验室，亲身感受微电子技术的魅力。
二、实习目的1. 了解微电子技术的基本原理和发展趋势。
2. 掌握微电子器件的设计、制造和测试方法。
3. 提高团队协作能力和沟通能力。
4. 为今后从事微电子领域工作打下坚实基础。
三、实习内容1. 企业参观实习期间，我们参观了我国某知名半导体企业。
在企业参观过程中，我们了解了企业的生产流程、技术特点以及企业文化。
企业技术人员为我们详细介绍了微电子器件的制造工艺、封装技术和测试方法，让我们对微电子行业有了更深入的认识。
2. 实验室实践在实验室实践环节，我们分组进行了微电子器件设计、制造和测试。
具体内容包括：（1）微电子器件设计：我们学习了微电子器件的基本原理，利用软件进行了晶体管电路的设计，并对其性能进行了仿真分析。
（2）器件制造：我们参观了半导体器件的制造过程，了解了硅片制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散等工艺，并亲手操作了光刻、蚀刻等实验。
（3）器件测试：我们学习了微电子器件的测试方法，对所设计的晶体管电路进行了性能测试，分析了测试结果，并针对问题进行了改进。
3. 专家讲座实习期间，我们还聆听了多位行业专家的讲座。
专家们从不同角度讲解了微电子技术的发展趋势、应用领域和未来前景，让我们对微电子行业有了更全面的认识。
1. 理论与实践相结合的重要性通过此次实习，我们深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
在课堂上学习的理论知识，只有通过实践才能得到巩固和提升。
2. 团队协作与沟通能力在实习过程中，我们分组进行实践操作，相互协作，共同解决问题。
这让我们认识到团队协作和沟通能力在微电子领域的重要性。
3. 对微电子行业的认识通过参观企业、实验室和聆听专家讲座，我们对微电子行业有了更全面的认识。
微电子技术实习报告加自我鉴定
微电子技术实习报告及自我鉴定一、实习报告在过去的三个月里，我有幸参加了微电子技术实习项目。
这次实习让我对微电子技术有了更深入的了解，并积累了宝贵的实践经验。
以下是我在实习期间的主要工作和学习内容。
1. 实习单位简介实习单位是某知名微电子企业，专注于研发和生产集成电路芯片。
公司拥有一流的研发团队和先进的生产设备，为员工提供了良好的学习和成长环境。
2. 实习内容（1）生产线实习在生产线实习期间，我了解了集成电路芯片的生产流程，包括晶圆制造、芯片设计、版图绘制、光刻、蚀刻、离子注入、金属化、封装和测试等环节。
通过实地观察和操作，我深刻掌握了各个环节的基本原理和操作技巧。
（2）研发部门实习在研发部门实习期间，我参与了集成电路芯片的设计和仿真工作。
通过使用EDA（电子设计自动化）工具，我学会了绘制电路原理图、编写Verilog/VHDL代码、进行仿真测试和功能验证。
此外，我还学会了与团队成员协作，共同完成项目任务。
（3）测试实验室实习在测试实验室实习期间，我学习了集成电路芯片的测试方法和设备操作。
通过使用ATE（自动测试设备）进行芯片测试，我掌握了测试方案的设计、测试程序的编写和测试结果的分析。
这使我能够更好地了解芯片的性能和质量。
3. 实习成果通过实习，我取得了以下成果：（1）掌握了微电子技术的基本原理和生产流程；（2）学会了使用EDA工具进行集成电路芯片设计和仿真；（3）具备了集成电路芯片测试和分析的能力；（4）提高了团队合作和沟通能力。
二、自我鉴定1. 学习态度在实习期间，我始终保持积极的学习态度，认真聆听导师的讲解，主动请教同事，积极参加培训和研讨活动。
我注重理论与实践相结合，不断丰富自己的专业知识。
2. 团队合作我意识到团队合作在实习过程中的重要性，始终保持团结协作的精神。
在与同事共同完成项目任务的过程中，我学会了倾听、沟通、协调和分工合作，为团队的整体发展做出了贡献。
3. 解决问题能力在实习过程中，我遇到了许多问题和挑战。
微电子暑期社会实践
一、前言随着科技的飞速发展，微电子技术已经成为现代社会不可或缺的核心技术之一。
为了深入了解微电子技术的实际应用和发展趋势，提升自身的专业素养和实践能力，我于今年暑假期间参加了为期一个月的微电子暑期社会实践活动。
本次实践以“探索微电子技术，助力社会发展”为主题，旨在通过实地考察、企业参观、项目研究等多种形式，全面了解微电子行业的发展现状和未来趋势。
二、实践内容1. 实地考察在实践的第一阶段，我选择了我国微电子产业的重要城市——深圳作为考察地点。
在深圳，我参观了多个高新技术园区和知名企业，如华为、中兴通讯等。
通过实地考察，我对微电子产业在深圳的发展有了直观的认识。
2. 企业参观在参观华为的过程中，我深入了解了华为在微电子领域的研发成果和产业布局。
华为的5G基站、智能手机等产品的研发，离不开微电子技术的支撑。
在参观过程中，我了解到华为在微电子领域的研发投入巨大，且拥有一支高素质的研发团队。
3. 项目研究在实践的第二阶段，我参与了由企业主导的微电子项目研究。
该项目旨在研发一款基于微电子技术的智能穿戴设备。
在项目研究过程中，我学习了微电子电路设计、传感器技术、数据处理等相关知识，并参与了设备的原型设计和测试。
4. 学术交流在实践过程中，我还参加了由微电子行业专家举办的学术交流活动。
通过与其他高校学生的交流，我了解了他们在微电子领域的最新研究成果和实践经验，拓宽了自己的视野。
三、实践成果1. 知识储备通过本次实践，我对微电子技术有了更加深入的了解，掌握了微电子电路设计、传感器技术、数据处理等相关知识。
2. 实践能力在项目研究过程中，我锻炼了自己的动手能力和团队合作精神。
在遇到问题时，我学会了如何查阅资料、分析问题、解决问题。
3. 职业规划通过本次实践，我对微电子行业有了更加清晰的认识，为自己的职业规划奠定了基础。
四、实践体会1. 微电子技术的重要性微电子技术是现代信息社会的基石，它的发展对国家经济、国防、民生等方面都具有重要意义。
微电子综合实验报告
微电子综合实验报告实验题目: 27题spice与非门仿真班级: 电子科学与技术1201姓名:学号:时间: 2015.5—2015.6原理图网表如下: 仿真波形图如下:输出端外加0.01p时,仿真网表为*dounandNM1 0 B OUT 0 NMOS L=0.4U W=1.6UNM2 1 A OUT 0 NMOS L=0.4U W=1.6UMP1 OUT 0 1 VDD PMOS L=0.4U W=1.6UMP2 1 A VDD VDD PMOS L=0.4U W=1.6UMP3 1 A 0 0 NMOS L=0.4U W=1.6Ucloadf OUT 0 0.01pVDD VDD 0 DC 5VV A A 0 PULSE(0 6 0 0.1N 1.9N 6N)VB B 0 PULSE(0 4 0 0.1N 1.9N 4N)-PROBE-TRAN 1N 20N UIC-LIB ‘-/HJ.L’TIEND仿真波形图如下:由波形图可以看出, 只要输入有一个低电平, 输出就为高电平, 满足要求。
输出端外加0.1p时, 仿真网表为:*dounandNM1 0 B OUT 0 NMOS L=0.2U W=0.8UNM2 1 A OUT 0 NMOS L=0.2U W=0.8UMP1 OUT 0 1 VDD PMOS L=0.2U W=0.8UMP2 1 A VDD VDD PMOS L=0.2U W=0.8UMP3 1 A 0 0 NMOS L=0.2U W=0.8Ucloadf OUT 0 0.1pVDD VDD 0 DC 5VV A A 0 PULSE(0 6 0 0.1N 1.9N 6N)VB B 0 PULSE(0 4 0 0.1N 1.9N 4N)-PROBE-TRAN 1N 20N UIC-LIB ‘-/HJ.L’TIEND电路逻辑表达式Ｙ＝AB原理图：综合上述仿真给输入的与非门加5V激励电压, 由上述spice仿真波形图知道,当输入都为1时输出为零,当输入有一个为零时输出为1,实现了与非门的基本逻辑功能.如下实验原理图:实验总结通过这次试验令我初步了解了spice软件的基本的用法, 对电路的仿真过程加深了对电路的理解, 而通过波形仿真的结果可以知道仿真网表是否正确, 从而通过修改网表达到网表与原理图逻辑一致。
中职微电子实习报告
随着我国科技的飞速发展，微电子技术作为现代科技的核心之一，已经广泛应用于各个领域。
为了更好地适应社会需求，提高自身技能，我选择了微电子专业进行实习。
本次实习是在我国一家知名微电子企业进行的，旨在将所学理论知识与实际操作相结合，提高自己的动手能力和综合素质。
二、实习目的1. 了解微电子行业的发展现状和趋势，明确自己的职业发展方向。
2. 熟悉微电子企业的生产流程、技术标准和操作规范。
3. 提高自己的动手能力，掌握微电子产品的制作和调试技能。
4. 培养团队协作精神，提高自己的沟通能力和组织能力。
三、实习内容1. 企业概况及参观在实习初期，我们参观了企业，了解了企业的历史、规模、组织结构和发展现状。
企业成立于20世纪90年代，是我国微电子行业的领军企业之一。
参观过程中，我们对企业的生产车间、研发中心、实验室等进行了深入了解。
2. 理论知识学习实习期间，我们学习了微电子行业的相关理论知识，包括半导体材料、器件、电路设计、系统集成等。
通过学习，我们掌握了微电子产品的制作原理和工艺流程。
3. 实践操作在理论学习的指导下，我们参与了微电子产品的制作和调试。
具体内容包括：（1）半导体器件的制作：学习半导体材料的制备、器件的制造和封装工艺。
（2）电路设计：学习电路原理图绘制、PCB板设计、仿真等。
（3）系统集成：学习微电子产品的组装、调试和测试。
4. 团队协作在实习过程中，我们参与了多个项目，与团队成员共同完成任务。
通过团队协作，我们学会了如何与他人沟通、协调，提高了自己的组织能力和团队协作精神。
1. 理论与实践相结合：通过实习，我将所学理论知识与实际操作相结合，提高了自己的动手能力。
2. 技能提升：掌握了微电子产品的制作、调试和测试技能，为今后从事相关工作打下了基础。
3. 职业规划：通过实习，我对微电子行业有了更深入的了解，明确了职业发展方向。
4. 团队协作：在团队协作中，学会了与他人沟通、协调，提高了自己的组织能力和团队协作精神。
微电子技术综合实践
《微电子技术综合实践》设计报告题目：P阱CMOS芯片制作工艺设计院系：自动化学院电子工程系专业班级：微电111学生学号：3100433031学生姓名：王刚指导教师姓名：王彩琳职称：教授起止时间：6月27日—7月8日成绩：目录目录一、设计要求1、设计任务2、特性指标要求 03、结构参数参考值 04、设计内容 0二、MOS管的器件特性设计 01、PMOS管参数设计与计算 02、NMOS管参数设计与计算 1三、工艺流程分析 31、衬底制备 32、初始氧化 33、阱区光刻 44、P阱注入 45、剥离阱区的氧化层 46、热生长二氧化硅缓冲层 47、LPCVD制备Si3N4介质 48、有源区光刻：即第二次光刻 49、N沟MOS管场区光刻 510、N沟MOS管场区P+注入 511、局部氧化 512、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层 513、热氧化生长栅氧化层 614、P沟MOS管沟道区光刻 615、P沟MOS管沟道区注入 616、生长多晶硅 617、刻蚀多晶硅栅 618、涂覆光刻胶 619、刻蚀P沟MOS管区域的胶膜 620、注入参杂P沟MOS管区域 621、涂覆光刻胶 722、刻蚀N沟MOS管区域的胶膜 723、注入参杂N沟MOS管区域 724、生长PSG 725、引线孔光刻 826、真空蒸铝 827、铝电极反刻 8四、光刻示意图 91.刻P阱掩膜板 102.刻有源区 103.光刻多晶硅 104.P+区光刻 115.N+区光刻 116.光刻接触孔 117.光刻铝线 128.刻钝化孔 12五、薄膜加工工艺计算12六、P阱CMOS芯片制作工艺实施方案框图 14七、心得体会 16八、参考资料 17一．设计要求：1、设计任务：N 阱CMOS 芯片制作工艺设计2、特性指标要求n 沟多晶硅栅MOSFET ：阈值电压V Tn =0.5V, 漏极饱和电流I Dsat ≥1mA, 漏源饱和电压V Dsat ≤3V ，漏源击穿电压BV DS =35V, 栅源击穿电压BV GS ≥25V, 跨导g m ≥2mS, 截止频率f max ≥3GHz （迁移率µn =600cm 2/V ·s ）p 沟多晶硅栅MOSFET ：阈值电压V Tp = -1V, 漏极饱和电流I Dsat ≥1mA, 漏源饱和电压V Dsat ≤3V ，漏源击穿电压BV DS =35V, 栅源击穿电压BV GS ≥25V, 跨导g m ≥0.5mS, 截止频率f max ≥1GHz （迁移率µp =220cm 2/V ·s ） 3、结构参数参考值：N 型硅衬底的电阻率为20cm ∙Ω；垫氧化层厚度约为600 Å；氮化硅膜厚约为1000 Å； P 阱掺杂后的方块电阻为3300Ω/ ，结深为5~6m μ；NMOS 管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为25Ω/ ，结深为1.0~1.2m μ； PMOS 管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为25Ω/ ，结深为1.0~1.2m μ； 场氧化层厚度为1m μ；栅氧化层厚度为500 Å；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 Å。
《微电子技术综合实践》指导书
Party branch Secretary of a party lecture of two s peeches : tutori ng cover s all of the new party Constit ution two e ducati on has ki cked off. Study of the Constitution of this practi ce is a very important part. Today I'll give you a new se ction of the Constitution on the counselli ng of learning les sons, hope, through today's t ut orial, further cons olidati on of all the party members of the new party Constituti on st udy res ults to help you better understand and grasp the im portant k nowl edge in t he ne w Constituti on. This t utorial has the foll owing t hree compone nts: one is t he importa nce of studyi ng a nd impleme nting of the new party Constituti on; second, compared wit h the 1 7 adopted by the party Constitution, t he mai n changes i n the content and interpretati on of the new Constituti on; t he third i s at this stage how to make full use of the new e sse nce of the content of the Constituti on to g ui de party buildi ng. Tw o thematic e ducation i n party le cture notes, a nd st udy a nd carry out the significance of the new Constit ution (a) studying a nd impleme nting the party Constit ution is the most basi c obligations of each party membe r. We party party yilai, has been put lear ning impleme nt Constituti on a s a items regular of w ork one of implement Yu al ways, and in different history background and the different reality need of situation Xi a, als o will as a items important sex w ork, concentrated to, a nd highlig ht to, and separate to be arrangement s, only on reform more than 30 year s to, most important of concentrated lear ning implement Constit ution on has four times: (ii) learning impl ement Constit ution, is mainte nance party of s olidarity unified, a nd compl eted party of the task of strong g uarantee. Bot h hist ory and realit y show t hat only determine d to uphold the supremacy of the Constituti on, a ccordi ng to the e ducati ona l management of party members and ca dres at the re quest of the party Constit ution t o ensure the party strictly impleme nt the party's policy and di sci pline , to maintain party unit y, complete d the party's various tasks to provide a strong g uarantee. (C) studying a nd impl ementing t he party Const itution, cons oli dating the party's ruli ng status, a nd t he inevita ble requirement of maintaining t he adva nce d nature of the party. Comrade XI Jinping pointe d out : the Constitution is the fundame ntal law of the party, the party must foll ow the G eneral rules. I n all the a ctivities of the party organiz ation at all leve ls, will continue to gui de the broad ma sses of party members and ca dre s, es pe cially leadi ng ca dres, conscie ntiously s tudy the party Constituti on, a bide by the party Constitution, the implementati on of the party Constituti on a nd maintai ning party Constituti on, shoul d strengthen party s pirit, e nha nce t he cons cious ness , pur pose awareness, pow er awarene ss, sit uation awarene ss, s ens e of responsibil ity, ear nestly sharing sorrow for the party, responsibl e for the countr y, for the people and de dicati on. (D) studying a nd impl ementing t he party Constit ution, is to s olve the problems the party's act ual nee ds. Comrade XI Jinping said all party members must a chieve , leadi ng cadre s shoul d first do w hatever the《微电子技术综合实践》指导书一、设计目的与要求1、全面掌握《半导体器件物理》与《集成电路工艺原理》课程的内容，加深对双极型和 MOS 型晶体管的设计及其集成电路制造工艺的理解，学会利用专业理论知识来设计 和分析半导体器件特性及其制造工艺。
微电子技术实习报告
一、实习前言随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子技术的核心，已成为推动社会进步的重要力量。
为了深入了解微电子技术的实际应用，提升自身的实践能力，我于2023年暑假期间，在XXX科技有限公司进行了为期一个月的微电子技术实习。
二、实习目的1. 熟悉微电子技术的基本原理和工艺流程。
2. 掌握微电子器件的设计、制造与测试方法。
3. 增强团队合作和沟通能力，提升自身的职业素养。
三、实习内容1. 微电子器件设计与仿真在实习期间，我参与了公司某款新型微电子器件的设计与仿真工作。
在导师的指导下，我学习了电路设计软件，如Cadence、LTspice等，并完成了器件原理图的设计、仿真与优化。
通过实际操作，我掌握了微电子器件的设计方法，为后续的制造与测试奠定了基础。
2. 微电子器件制造在实习过程中，我有幸参观了公司的微电子器件制造车间。
在导师的带领下，我了解了芯片制造的各个工序，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、镀膜、切割等。
此外，我还学习了设备操作和维护方法，对微电子器件的制造过程有了更为深刻的认识。
3. 微电子器件测试在实习后期，我参与了微电子器件的测试工作。
在导师的指导下，我学习了测试仪器的使用方法，如示波器、万用表、频谱分析仪等。
通过实际测试，我掌握了器件性能的评估方法，并参与了测试结果的整理与分析。
四、实习收获1. 理论知识与实践相结合通过实习，我将所学的微电子理论知识与实际应用相结合，提高了自身的综合素质。
2. 提升了动手能力在实习过程中，我掌握了微电子器件的设计、制造与测试方法，提升了自身的动手能力。
3. 培养了团队合作精神在实习期间，我与团队成员密切合作，共同完成了各项任务，培养了团队合作精神。
4. 明确了职业规划通过实习，我对微电子行业有了更为全面的认识，明确了自身的职业规划。
五、总结本次微电子技术实习使我受益匪浅。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提升自身能力，为我国微电子产业的发展贡献自己的力量。
毕业微电子实习报告
毕业微电子实习报告在过去的一个月里，我有幸参加了微电子实习项目。
这次实习让我对微电子学领域有了更深入的了解，并且提高了我在实际工作中应用理论知识的能力。
在这里，我将详细介绍我的实习经历和所学到的知识。
首先，我在实习期间参加了集成电路设计的相关培训。
通过这些培训，我掌握了集成电路设计的基本原理和流程。
我了解到，集成电路设计是一个复杂而严谨的过程，它涉及到电路原理、半导体物理、数字逻辑等多个方面的知识。
在设计过程中，我们需要使用专业的软件工具，如Cadence、Protel等，进行电路图的绘制和模拟。
通过模拟，我们可以验证电路的功能和性能是否满足设计要求。
这个过程不仅需要理论知识的支持，还需要我们具备良好的逻辑思维和问题解决能力。
其次，我在实习期间参与了一个实际的集成电路设计项目。
在这个项目中，我负责设计一个简单的放大器电路。
我首先进行了电路的需求分析，确定了电路的规格和要求。
然后，我根据所学知识选择了合适的放大器电路拓扑结构，并使用Cadence软件进行了电路图的绘制和模拟。
通过多次调整和优化，我最终设计出了一个满足要求的放大器电路。
这个过程让我深刻体会到了理论与实践相结合的重要性，也锻炼了我的实际操作能力。
此外，我还参加了实习期间的实验室实践活动。
我有机会接触到各种微电子设备和实验仪器，如半导体制造设备、测试仪器等。
在实验室导师的指导下，我学习了如何使用这些设备进行实验操作。
我参与了一些实验项目，如晶体管特性测试、集成电路封装等。
这些实验不仅巩固了我所学的理论知识，还让我对微电子产品的制造和测试过程有了更直观的了解。
通过这次实习，我不仅学到了微电子学领域的专业知识，还培养了我团队合作和沟通的能力。
在实习期间，我与同学们一起解决了许多实际问题，共同完成了项目任务。
我们互相学习、互相帮助，共同进步。
这个过程让我明白了团队合作的重要性，也让我学会了如何与他人有效沟通和协作。
总之，这次微电子实习是一次非常有意义的经历。
中专生微电子实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代科技的核心，正日益深入到我们生活的方方面面。
为了更好地了解微电子技术，提高自己的专业技能，我在学校安排下，于某电子科技有限公司进行了为期四周的微电子实习。
这次实习让我对微电子行业有了更加深刻的认识，也为我今后的学习和工作打下了坚实的基础。
二、实习目的1. 了解微电子行业的基本情况和发展趋势。
2. 掌握微电子技术的相关知识和实践技能。
3. 提高自己的动手能力和团队协作能力。
4. 为今后的就业和职业发展做好准备。
三、实习内容1. 参观企业实习的第一天，我们参观了电子科技有限公司的生产车间、研发中心和实验室。
通过参观，我了解到企业的发展历程、组织架构和主要产品。
同时，也对企业对微电子技术的要求和行业标准有了初步的认识。
2. 理论学习在实习期间，我系统地学习了微电子技术的基本原理、电子元器件、电路设计、PCB制作等方面的知识。
通过理论学习，我对微电子技术有了更加全面和深入的了解。
3. 实践操作在实习过程中，我参与了多个实际项目，包括电路设计、PCB制作、焊接、调试等。
通过实践操作，我掌握了以下技能：（1）熟练使用电子设计软件，如Altium Designer、Proteus等；（2）熟练操作电子元器件，如电阻、电容、二极管、三极管等；（3）掌握焊接技术，能够独立完成电路焊接；（4）具备一定的调试能力，能够解决简单的电路故障。
4. 团队协作在实习过程中，我积极参与团队项目，与同事共同完成各项任务。
通过团队协作，我学会了如何与他人沟通、协调和配合，提高了自己的团队协作能力。
四、实习收获1. 知识积累通过实习，我对微电子技术有了更加全面和深入的了解，掌握了电子设计、PCB制作、焊接、调试等实践技能。
2. 能力提升实习过程中，我提高了自己的动手能力、团队协作能力和问题解决能力。
3. 职业规划通过实习，我对微电子行业有了更加清晰的认识，明确了今后的职业发展方向。
五、实习体会1. 理论与实践相结合的重要性实习让我深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
微电子技术实训总结报告
一、前言随着科技的飞速发展，微电子技术已经成为当今世界最具发展潜力的领域之一。
为了更好地了解微电子技术的原理和应用，提高自身的实践能力，我们班级于近期进行了为期两周的微电子技术实训。
本次实训旨在通过实际操作，让学生掌握微电子技术的基本原理和操作技能，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
二、实训内容本次实训主要分为以下几个部分：1. 微电子技术基础理论讲解实训开始前，我们首先进行了微电子技术基础理论的讲解。
通过学习，我们了解了半导体物理、集成电路设计、制造工艺等方面的知识，为后续的实训操作打下了理论基础。
2. 实验室参观与设备熟悉在实训过程中，我们参观了实验室，了解了实验室的布局、设备功能以及安全注意事项。
同时，我们还熟悉了各种实验设备的使用方法，为接下来的实验操作做好了准备。
3. 基本工艺操作训练实训期间，我们进行了以下基本工艺操作训练：（1）光刻工艺：学习了光刻原理、光刻机操作方法，掌握了光刻胶、抗蚀剂等材料的配制和使用技巧。
（2）蚀刻工艺：了解了蚀刻原理、蚀刻液的选择和配制方法，掌握了蚀刻机操作技巧。
（3）离子注入工艺：学习了离子注入原理、离子注入机操作方法，掌握了离子注入参数的设置。
（4）化学气相沉积（CVD）工艺：了解了CVD原理、CVD设备操作方法，掌握了CVD工艺的参数设置。
4. 集成电路设计与制作在实训的最后阶段，我们进行了集成电路设计与制作。
首先，我们学习了电路设计软件的使用方法，然后根据所学知识设计了一个简单的集成电路。
接着，我们按照设计图纸进行光刻、蚀刻、离子注入等工艺操作，最终完成了集成电路的制作。
三、实训心得1. 理论与实践相结合通过本次实训，我深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
在理论学习过程中，我们了解到了微电子技术的基本原理，但在实际操作中，我们才能更好地理解这些原理，并掌握相应的技能。
2. 团队协作与沟通在实训过程中，我们不仅需要掌握个人操作技能，还需要与团队成员密切配合。
毕业微电子实习报告
一、实习目的与意义随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支撑。
为了更好地将理论知识与实际应用相结合，提高自身的实践能力，我选择了微电子技术作为毕业实习的专业方向。
本次实习旨在通过实际操作，深入了解微电子技术的原理、应用及发展趋势，培养自身的动手能力和创新能力，为将来的职业发展打下坚实基础。
二、实习单位及环境本次实习单位为我国一家知名微电子企业——XX科技有限公司。
公司位于我国某高新技术产业园区，占地面积广阔，环境优美。
公司主要从事微电子器件的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领域。
实习期间，我所在的部门为研发部，主要负责新型微电子器件的研发工作。
部门内设有多个实验室，包括集成电路设计实验室、封装测试实验室等，设备先进，技术力量雄厚。
三、实习内容与过程1. 集成电路设计实习初期，我在导师的指导下，学习了集成电路设计的基本原理和流程。
通过查阅相关资料，了解了模拟电路、数字电路、混合信号电路等设计方法。
在导师的指导下，我参与了某款新型微电子器件的设计工作，从电路设计、仿真验证到版图设计，亲身体验了整个设计过程。
2. 封装与测试在完成集成电路设计后，我学习了封装与测试的相关知识。
了解了不同封装形式的特点、工艺流程及测试方法。
在导师的带领下，我参与了器件的封装与测试工作，学习了如何使用测试仪器对器件进行性能测试。
3. 项目实践实习期间，我还参与了多个项目实践。
其中包括某款无线通信模块的研发、某款汽车电子产品的升级等。
在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用于实际，解决了项目过程中遇到的问题，提高了自己的实际操作能力。
4. 学术交流与培训实习期间，公司定期组织学术交流活动，邀请行业专家进行讲座。
我积极参加这些活动，拓宽了视野，了解了微电子领域的最新发展趋势。
此外，公司还为我提供了相关的培训课程，如EDA工具使用、半导体材料等，使我受益匪浅。
四、实习收获与体会1. 提高了实践能力通过本次实习，我掌握了微电子技术的实际操作技能，学会了如何将理论知识应用于实际，提高了自己的动手能力。
微电子实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术作为信息时代的关键技术，其重要性日益凸显。
为了更好地了解微电子技术，提高自身的实践能力，我于今年暑期在一家知名微电子企业进行了为期一个月的实习。
以下是实习报告的具体内容。
二、实习单位及部门实习单位：XX微电子有限公司实习部门：研发部三、实习目的1. 了解微电子行业的基本情况，掌握微电子技术的基本原理和实际应用。
2. 培养实际操作能力，提高动手实践水平。
3. 深入了解企业研发流程，为今后从事相关工作打下基础。
四、实习内容1. 微电子基础知识学习在实习初期，我主要学习了微电子技术的基本知识，包括半导体物理、集成电路设计、版图设计等。
通过学习，我对微电子技术有了初步的认识。
2. 研发项目参与在实习期间，我参与了公司的一个研发项目，具体负责其中一部分的工作。
以下是项目的主要内容：（1）项目背景：本项目旨在开发一款高性能的微控制器，以满足市场需求。
（2）工作内容：我主要负责微控制器核心部分的电路设计和仿真。
（3）实施过程：①根据项目需求，设计微控制器的核心电路，包括CPU、存储器、接口等。
②使用Cadence软件进行电路仿真，验证电路的稳定性和性能。
③根据仿真结果，对电路进行优化，提高电路性能。
3. 团队合作与交流在实习过程中，我与团队成员积极沟通，共同解决项目中遇到的问题。
此外，我还参加了公司举办的内部培训，了解了公司的发展历程、企业文化以及行业动态。
五、实习收获1. 知识储备：通过实习，我对微电子技术有了更深入的了解，掌握了相关理论知识。
2. 实践能力：在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用到实际工作中，提高了动手实践能力。
3. 团队协作：在团队中，我学会了如何与他人沟通、协作，共同完成任务。
4. 行业认知：通过实习，我对微电子行业有了更全面的了解，为今后从事相关工作奠定了基础。
六、实习总结通过本次实习，我深刻认识到微电子技术的重要性，以及自己在实际操作和团队协作方面的不足。
微电子实习报告心得体会
一、前言时光荏苒，转眼间，我在XX公司进行的微电子实习已经接近尾声。
在这段时间里，我深入了解了微电子行业，学习了微电子技术，也体验了职场生活。
现将实习期间的所见所闻、所学所得以及心得体会总结如下。
二、实习单位及岗位实习单位：XX公司实习岗位：微电子工程师助理三、实习过程1. 初识微电子在实习初期，我了解到微电子行业是电子信息产业的重要组成部分，涉及半导体、集成电路、电子元件等多个领域。
通过学习，我对微电子技术有了初步的认识，包括微电子器件的原理、制造工艺、应用领域等。
2. 技能培训公司为我们安排了专业的培训，内容包括：微电子器件结构、电路设计、仿真软件操作、器件测试等。
通过培训，我掌握了基本的微电子知识和技能。
3. 参与项目在实习期间，我参与了公司的一个微电子项目，负责协助工程师进行电路设计、仿真和测试。
在项目中，我学会了如何与团队成员沟通协作，如何解决实际问题。
4. 日常实习除了参与项目，我还参与了日常的实习工作，包括：整理实验数据、编写实验报告、学习新技术等。
这些工作让我对微电子行业有了更深入的了解。
四、实习收获1. 技术提升通过实习，我的微电子技术得到了很大提升。
我学会了如何使用仿真软件进行电路设计，如何分析测试数据，如何解决实际问题。
2. 团队协作在实习过程中，我学会了与团队成员沟通协作，共同完成项目。
这对我今后的工作具有重要意义。
3. 职场经验实习让我体验了职场生活，了解了职场规则，为我今后步入社会打下了基础。
4. 自我成长实习让我认识到自己的不足，激发了我不断学习的动力。
在实习过程中，我学会了如何调整心态，如何面对压力，如何克服困难。
五、心得体会1. 理论与实践相结合在实习过程中，我深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
只有将所学知识运用到实际工作中，才能真正掌握微电子技术。
2. 持续学习微电子行业日新月异，新技术层出不穷。
作为一名微电子工程师，我需要不断学习，跟上行业发展的步伐。
3. 团队协作在职场中，团队协作至关重要。
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《微电子技术综合实践》设计报告题目：P阱CMOS芯片制作工艺设计院系：自动化学院电子工程系专业班级：微电111学生学号：3100433031学生姓名：王刚指导教师姓名：王彩琳职称：教授起止时间：6月27日—7月8日成绩：目录目录一、设计要求1、设计任务2、特性指标要求 03、结构参数参考值 04、设计内容 0二、MOS管的器件特性设计 01、PMOS管参数设计与计算 02、NMOS管参数设计与计算 1三、工艺流程分析 31、衬底制备 32、初始氧化 33、阱区光刻 44、P阱注入 45、剥离阱区的氧化层 46、热生长二氧化硅缓冲层 47、LPCVD制备Si3N4介质 48、有源区光刻：即第二次光刻 49、N沟MOS管场区光刻 510、N沟MOS管场区P+注入 511、局部氧化 512、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层 513、热氧化生长栅氧化层 614、P沟MOS管沟道区光刻 615、P沟MOS管沟道区注入 616、生长多晶硅 617、刻蚀多晶硅栅 618、涂覆光刻胶 619、刻蚀P沟MOS管区域的胶膜 620、注入参杂P沟MOS管区域 621、涂覆光刻胶 722、刻蚀N沟MOS管区域的胶膜 723、注入参杂N沟MOS管区域 724、生长PSG 725、引线孔光刻 826、真空蒸铝 827、铝电极反刻 8四、光刻示意图 91.刻P阱掩膜板 102.刻有源区 103.光刻多晶硅 104.P+区光刻 115.N+区光刻 116.光刻接触孔 117.光刻铝线 128.刻钝化孔 12五、薄膜加工工艺计算12六、P阱CMOS芯片制作工艺实施方案框图 14七、心得体会 16八、参考资料 17一．设计要求：1、设计任务：N 阱CMOS 芯片制作工艺设计2、特性指标要求n 沟多晶硅栅MOSFET ：阈值电压V Tn =0.5V, 漏极饱和电流I Dsat ≥1mA, 漏源饱和电压V Dsat ≤3V ，漏源击穿电压BV DS =35V, 栅源击穿电压BV GS ≥25V, 跨导g m ≥2mS, 截止频率f max ≥3GHz （迁移率µn =600cm 2/V ·s ）p 沟多晶硅栅MOSFET ：阈值电压V Tp = -1V, 漏极饱和电流I Dsat ≥1mA, 漏源饱和电压V Dsat ≤3V ，漏源击穿电压BV DS =35V, 栅源击穿电压BV GS ≥25V, 跨导g m ≥0.5mS, 截止频率f max ≥1GHz （迁移率µp =220cm 2/V ·s ） 3、结构参数参考值：N 型硅衬底的电阻率为20cm ∙Ω；垫氧化层厚度约为600 Å；氮化硅膜厚约为1000 Å； P 阱掺杂后的方块电阻为3300Ω/ ，结深为5~6m μ；NMOS 管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为25Ω/ ，结深为1.0~1.2m μ； PMOS 管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为25Ω/ ，结深为1.0~1.2m μ； 场氧化层厚度为1m μ；栅氧化层厚度为500 Å；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 Å。
4、设计内容1、MOS 管的器件特性参数设计计算；2、确定p 阱CMOS 芯片的工艺流程，画出每步对应的剖面图；3、分析光刻工艺，画出整套光刻版示意图；4、 给出n 阱CMOS 芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果）二．MOS 管的器件特性设计1、PMOS 管参数设计与计算：1TP V V =- (sat)1DS I mA ≥ (sat)3DS V V ≤ 35DS BV V =25GS BV V ≥ 0.5m g ms ≥ max 1f GHz ≥ 2220/v s p cm μ=⋅ 因为ox B GS t E BV =,其中，=B E 6×610cmV ，V BV GS 25≥ 所以417106256=⨯≥=cmV B GS ox E BV t Å饱和电流：2()()2p oxDS sat GS T W C I V V Lμ=-，式中（V GS -V T ）≥V DS(sat)，88.2810/oxox oxC F cm t ε-==⨯I Dsat ≥1mA 故可得宽长比：12.2W L≥由()0.5n oxD m GS T GS W C I g V V ms V Lμ∂==-≥∂可得宽长比：9.15W L ≥ ∴12.2W L ≥max 2()12n GS T V V f GHz Lμπ-=≥ ∴ 求得：43.2410 3.24L cm m μ-≤⨯= 由公式35DS BV V =和经验公式33241660()()1.110BDSN Eg BV -= 知：1632.1310D N cm -=⨯假设多晶硅栅为p+多晶硅栅，则： 0.0259ln()0.376Dfn iN V n φ=⨯= ('Eg)(')0.9362ms fn EgV eφχχφ=+-+-= 8(m a x )|Q |7.2210S D D d T e N x C -==⨯ 求得：887.221020.688.2810ssTP fn ms oxQ V V C φφ--⨯=--+=-⨯调整D N 当1633.610D N cm -=⨯时，求得：0.97TP V V =-与-1.0V 相差不大 最后由2/2DS D s BV qN L ε=得： 1.12L m μ≥故综上：取 2.0L m μ= 因为 2.5n p μμ≥为了保持电流连续性，一般取PMOS 的宽长比是NMOS 的两倍。
故30WL=,则60W m μ= 2、NMOS 管参数设计与计算：由ox B GS t E BV =得625417610GS ox V cmB BV t E =≥=⨯Å ,ox ox ox t C ε=则28103.8cm F C ox -⨯≤ max 2()32n GS T V V f GHz Lμπ-=≥得 3.1L m μ≤ 再由2(sat)()12p OXDS GS T W C I V V mA Lμ=-≥，式中（V GS -V T ）≥V DS(sat)，得4.46WL≥ 又()2n ox D m GS T GS W C I g V V ms V Lμ∂==-≥∂，得13.4WL ≥ 13.4W L ∴≥由35DS BV V =和经验公式33241660()()1.110BDS N Eg BV -=得：1632.1310A N cm -=⨯ 阈值电压(max)(||)2oxTN SD SS fp ms oxt V Q Q ϕϕε=-++T A SD xd eN Q =(max) 124()s fp T Axd eN εϕ= ln()A fp iN KTe n ϕ=假设多晶硅栅为n+多晶硅，则 0.93ms V ϕ=- 得：0.68TN V V =对N A 进行修正当1631.510A N cm -=⨯时得：0.52TN V V =符合要求 最后由2/2DS A s BV qN L ε=求得： 1.46L m μ≥ 故取： 2.0L m μ= 15WL= 30W m μ=三 .工艺流程分析1、衬底制备。
由于NMOS 管是直接在衬底上形成，所以为防止表面反型，掺杂浓度一般高于阈值电压所要求的浓度值，其后还要通过硼离子注入来调节。
CMOS 器件对界面电荷特别敏感，衬底与二氧化硅的界面态应尽可能低，因此选择晶向为<100>的P 型硅做衬底，电阻率约为20Ω•CM 。
2、初始氧化。
为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。
阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。
这是P 阱硅栅CMOS 集成电路的制造工艺流程序列的第一次氧化。
←←3、阱区光刻。
是该款P 阱硅栅CMOS 集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。
若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜，腐蚀。
去胶等诸工序。
阱区光刻的工艺要求是刻出P 阱区注入参杂，完成P 型阱区注入的窗口4、P 阱注入。
是该P 阱硅栅COMS 集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。
P 阱注入工艺环节的工艺要求是形成P 阱区。
N-SiSiO 2 衬底N-SiSiO 2P-wellN-sub5、剥离阱区氧化层。
6、热生长二氧化硅缓冲层：消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化。
7、LPCVD制备Si3N4介质。
综合5.6.7三个步骤如下图Si3N4薄氧P-wellN-sub8、有源区光刻：即第二次光刻Si3N4P-wellN-Si9、N沟MOS管场区光刻。
即第三次光刻，以光刻胶作为掩蔽层，刻蚀出N沟MOS管的场区注入窗口。
10、N沟MOS管场区P+注入：第二次注入。
N沟MOS管场区P+的注入首要目的是增强阱区上沿位置处的隔离效果。
同时，场区注入还具有以下附加作用：A 场区的重掺杂注入客观上阻断了场区寄生mos管的工作B 重掺杂场区是横向寄生期间失效而抑制了闩锁效应：C 场区重掺杂将是局部的阱区电极接触表面的金—半接触特性有所改善。
综合9，10两个步骤如图11、局部氧化：第三次氧化，生长场区氧化层。
12、剥离Si 3N 4层及SiO 2缓冲层。
综合11，,12两个步骤如图13、热氧化生长栅氧化层：第四次氧化。
14、P 沟MOS 管沟道区光刻：第四次光刻-以光刻胶做掩蔽层。
15、P 沟MOS 管沟道区注入：第四次注入，该过程要求调解P 沟MOS 管的开启电压。
综合13,14,15三个步骤如图N-SiP-光刻胶N-SiP-B+B+P-N-Si16、生长多晶硅。
17、刻蚀多晶硅栅：第五次光刻，形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶硅电阻区。
综合16,17两个步骤如图多晶硅P-N-Si18、涂覆光刻胶。
19、刻蚀P沟MOS管区域的胶膜：第六次光刻20、注入参杂P沟MOS管区域：第五次注入，形成CMOS管的源区和漏区。
同时，此过程所进行的P+注入也可实现电路所设置的P+保护环。
综合18.19.20三个步骤如图B+P-N-Si21、涂覆光刻胶。
22、刻蚀N沟MOS管区域的胶膜：第七次光刻23、注入参杂N沟MOS管区域：第六次注入，形成N沟MOS管的源区和漏区。
同时，此过程所进行的N+注入也实现了电路所设置的N+保护环。
24、生长磷硅玻璃PSG。
综合21.22.23.24四个步骤如图As光刻胶P-N-Si25、引线孔光刻：第八次光刻，如图26、真空蒸铝。
27、铝电极反刻：第九次光刻综合26.27两个步骤如图：PSGN-Si P+P- P+N+ N+PSG N-SiP+P- P+N+ N+至此典型的P 阱硅栅CMOS 反相器单元的管芯制造工艺流程就完场了。