物理实验报告_变温霍尔效应
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应实验报告引言变温霍尔效应是指在磁场作用下，当导体中有电流通过时，导体的一侧会产生电势差。
这种现象被称为霍尔效应，而当温度也发生变化时，导体中的电阻会发生相应的变化，从而产生变温霍尔效应。
本实验旨在探究变温霍尔效应的基本原理，并通过实验测量和计算，验证其存在和影响因素。
实验步骤1. 准备实验所需材料和设备•霍尔效应测量装置•变温装置•直流电源•电流表•电压表•磁场源2. 搭建实验电路将直流电源、电流表和电压表依次连接，并接入霍尔效应测量装置。
根据实验要求设置合适的电流大小和电压测量范围。
3. 定义实验参数确定实验中需要测量的参数，包括导体的电流、电压以及磁场的大小和方向。
4. 设置变温装置根据实验要求，设置合适的温度范围，并将变温装置与实验电路连接。
5. 测量电流和电压通过直流电源进行电流的调节，并使用电压表分别测量导体两端的电压。
6. 改变温度通过调节变温装置的温度，改变导体的温度，并观察电流和电压的变化。
7. 测量霍尔电压在实验过程中，使用霍尔效应测量装置测量导体侧面产生的霍尔电压。
8. 记录实验数据根据实验步骤和测量结果，记录实验数据，并绘制相应的实验曲线。
结果与讨论通过实验观察和测量，我们可以得到导体在不同温度和磁场下的电流、电压和霍尔电压的变化关系。
根据实验数据，我们可以进一步分析和讨论变温霍尔效应的影响因素和规律。
在实验中，温度的变化会导致导体的电阻发生变化，从而影响电流和电压的测量结果。
此外，磁场的大小和方向也会对霍尔电压的测量产生影响。
通过分析实验数据，我们可以得到不同温度和磁场条件下的霍尔电压的变化趋势，并进一步探究变温霍尔效应的特性和应用。
结论通过本实验，我们验证了变温霍尔效应的存在，并探究了其影响因素和规律。
实验结果表明，导体的温度和磁场对霍尔电压产生明显的影响，可以通过实验数据和计算分析得到相应的变化趋势和数值关系。
变温霍尔效应在实际应用中具有重要意义，可以用于温度测量、磁场测量和物质性质研究等领域。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应实验报告变温霍尔效应实验报告引言变温霍尔效应是一种基于霍尔效应的实验现象，通过在材料中施加不同的温度梯度，可以观察到电流产生的变化。
本实验旨在探究变温霍尔效应的原理和应用，并通过实验验证相关理论。
实验目的1. 理解霍尔效应和变温霍尔效应的基本原理；2. 掌握变温霍尔效应实验的操作方法；3. 分析实验数据，验证变温霍尔效应的存在。
实验原理霍尔效应是指当电流通过一块导电材料时，垂直于电流方向施加磁场，会在材料的一侧产生电势差。
这一现象可以用以下公式描述：VH = B * I * RH其中，VH为霍尔电压，B为磁感应强度，I为电流，RH为霍尔系数。
变温霍尔效应则是在霍尔效应的基础上，通过改变材料的温度，观察霍尔电压的变化。
根据热电效应的原理，当材料的温度发生变化时，电子和空穴的浓度会发生变化，从而影响霍尔电压的大小。
实验装置1. 变温霍尔效应实验装置；2. 电源；3. 磁铁。
实验步骤1. 将变温霍尔效应实验装置连接好，并接入电源；2. 调节磁铁的位置和磁场强度，使其垂直于电流方向；3. 设置不同的温度梯度，记录相应的霍尔电压值；4. 根据实验数据，绘制出霍尔电压与温度梯度的关系曲线。
实验结果与分析根据实验数据，我们得到了一组霍尔电压与温度梯度的关系曲线。
从曲线可以看出，在不同的温度梯度下，霍尔电压呈现出不同的变化趋势。
当温度梯度增大时，霍尔电压也随之增大，呈现出线性关系。
这与变温霍尔效应的理论预测相符。
通过分析实验数据，我们可以得出以下结论：1. 变温霍尔效应存在，通过改变温度梯度可以调节霍尔电压的大小；2. 温度梯度与霍尔电压呈线性关系，即温度梯度越大，霍尔电压越大。
实验应用变温霍尔效应在实际应用中具有广泛的潜力。
例如，在热电转换器件中，可以利用变温霍尔效应实现能量的转换和传输。
此外，变温霍尔效应还可以应用于热敏电阻、温度传感器等领域。
结论通过本次实验，我们深入了解了变温霍尔效应的原理和应用。
变温霍尔效应实验报告
变温君摘要：本实验利用范徳堡法测量变温霍尔效应，徐80K-300K的温度范鬧内测量J'晞備汞单晶霍尔电压随温度变化，而后对数据进行了分析，做出列陷| - 1/T图，找出了不同温度范用的图像变化特点，分析结果从而研究了碼镉汞的结构特点和导电机制。
关键词：霍尔效应半导体我流子霍尔系数一、引言对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上冇益横向电位差出现，这个现象于1897年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。
霍尔系数及电导率的测屋时分析半导体纯度以及杂质种类的一种白力手段，也口『用干研究半导体材料电运输特征，至今仍是半导体材料研制工作中必不町少的一种常备测试方法。
本实验采用范徳堡测试方法，测量样品的霍尔系数及电导率随温度的变化。
可以确定一些主要特性参数一一禁带宽度、杂质电力能、导电率、載流子浓度、材料的纯度及迁移率。
二、实验原理1.半导体内的载流子1.1本征激发在一定的温度卜，由于原子的热运动，半导体产生两种我流子，即电子和空穴。
从能带來石，电子摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程就是一个电子从价带到导带的量子跃迁过程，空穴的导电性实质上反应的是价带中电子的导电作用。
■•. 价带• • •图1本征激发示意图纯净的半导体电子和空穴浓度保持相等即n=p, nf由经典的玻尔兹曼统计得到3 rn t=n=p = K T讼pEp-詡⑴其中k为常数，T为绝对温度.Eg为禁带宽度，/c为玻尔兹曼常数。
作hinpT-3-l/T曲线，用故小二乘法町求出禁带宽度E.Mln 他pig — ~T7p~刀1・2杂质电离当半导体中掺杂有II【族元素，它们外层仅有三个价电子，就会产生一个空穴。
从能带來看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上，左价带中留下空穴参与导电，这过程称为杂质电离，产生空穴所需的能呈为杂质的电力能，相应的能级称为受主能级。
这种杂质称为受主杂质，所形成的半导体称为P型半导体。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
变温霍尔效应
稳态时，y 方向的电场力与罗伦兹力相抵消，故有
对p型半导体，当温度处在较低的杂质电离区时
在温度逐渐升高的过程中，电子由价带激发到导带的过程加剧，出现两种载流子导电机制。
温度进一步升高，更多的电子从价带激发到导带，使，故有。随后RH将会达到其极值RHM。
3、范得堡法测量电阻率和霍耳效应
原理图如右图，在样品侧边制作四个电极，依次在一对相邻
的电极用来通入电流，另一对电极之间测量电位差。
电阻率
由于两霍尔电极位置不对称引起的，叫失排电压。
设B、D电极之间电压Vo，在 B、C电极间电压Ｖm，在理想范德堡样品中。电流线分布在磁场前后是不变的，因而加磁场后等位面的改变使B、D间电压改变（Vm-Vo）完全是由于霍尔效应引起的，即电压改变量就是霍尔电压ＶＨ。
当在本征激发的高温区，由曲线 的斜率可求出禁带宽度Eg
2、电导率和迁移率
半导体中同时有两种载流子导电时，在过渡区及本征激发区电导率可写为：
[p型半导体]
设ps为杂质全部电离产生的空穴饱和浓度，p =ps+ n
则
3、霍尔效应及其测量
如右图，霍尔系数
在考虑霍尔效用时，由于载流子沿y方向发生偏转，
造成在x方向定向运动的速度出现统计分布。
②由于载流子漂移速度有一定的分布范围，当它们在磁场作用下发生偏转时，速度快的高能粒子最早在y方向形成积累，于是在y方向两霍尔电极之间出现温度差，产生温差电压VE。这就叫艾廷豪森效应。不难看出，VE的极性总是与VH一致，与B和I方向有关。
③在沿x方向给样品加电流时，两个端电极与样品的接触电阻不同，产生的焦耳热不同，将造成沿电流方向的温差，有温度梯度就会有载流子的热扩散流。在横向磁场作用下，同样也要发生偏转，积累，产生附加的霍尔电压VN。这种效应叫能斯脱效应。VN的极性只随磁场方向改变。
变温霍尔效应 实验报告
变温霍尔效应实验报告【实验原理】1. 霍尔效应和霍尔系数霍耳效应原理设一块半导体的x 方向上有均匀的电流ＩX 流过，在z 方向上加有磁场Ｂz ，则在这块半导体的y 方向上出现一横向电势差H U ，这种现象被称为“霍尔效应”，H U 称为“霍尔电压”，所对应的横向电场H E 称为“霍尔电场”。
实验指出，霍尔电场强度EH 的大小与流经样品的电流密度Ｊx 和磁感应强度Ｂz 的乘积 成正比Z x H H B J R E ⋅⋅=式中比例系数H R 称为“霍尔系数”。
对于电子、空穴混合导电的情况，在计算H R 时应同时考虑两种载流子在磁场下偏转的效果。
对于球形等能面的半导体材料，可以证明：22222)'()'()()(nb p q nb p A n p q n p A R n p n H p+-=+-=μμμμ式中ｂ’＝μn ／μp ， μn 、 μp 为电子和空穴的迁移率。
从霍尔系数的表达式可以看出：由H R 的符号（也即H U 的符号）可以判断载流子的类型，正为p 型，负为n 型（注意，所谓正、负是指在xyz 坐标系中相对于y 轴方向而言，见图一。
Ｉ、Ｂ的正方向分别为x 轴、z 轴的正方向，则霍尔电场方向为y 轴方向。
当霍尔电场方向的指向与y 正向相同时，则ＵH 为正。
）；H R 的大小可确定载流子的浓度；还可以结合测得的电导率σ算出如下定义的霍尔迁移率H μσμ⋅=H H RH μ的量纲与载流子的迁移率相同，通常为ｃm2／Ｖ·ｓ（厘米2／伏秒），它的大小与载流子的电导迁移率有密切的关系。
霍尔系数H R 可以在实验中测量出来，若采用国际单位制，可得H H x zU bR I B =(m3／Ｃ) 但在半导体学科中习惯采用实用单位制（其中，ｂ：厘米，Ｂz ：高斯Ｇs ），则H H x zU bR I B ⋅=⋅×108 (ｃm3／Ｃ)2. 霍尔系数与温度的关系H R 与载流子浓度之间有反比关系，当温度不变时，载流子浓度不变，H R 不变，而当温度改变时，载流子浓度发生，H R 也随之变化。
霍尔效应实验报告步骤(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解霍尔效应的基本原理。
2. 学习使用霍尔效应实验仪测量磁场。
3. 掌握霍尔效应实验的数据记录和处理方法。
4. 通过实验确定材料的导电类型和载流子浓度。
二、实验原理霍尔效应是当电流通过一个导体或半导体时，若导体或半导体处于垂直于电流方向的磁场中，则会在导体或半导体的侧面产生电压，这个电压称为霍尔电压。
霍尔电压的大小与磁感应强度、电流强度以及导体或半导体的厚度有关。
三、实验仪器1. 霍尔效应实验仪2. 直流稳流电源3. 毫伏电压表4. 霍尔元件5. 导线6. 螺线管7. 磁铁四、实验步骤1. 仪器连接与调整- 将霍尔元件放置在实验仪的样品支架上，确保霍尔元件处于隙缝的中间位置。
- 按照实验仪的接线图连接电路，包括直流稳流电源、霍尔元件、螺线管和毫伏电压表。
- 调节稳流电源，使霍尔元件的工作电流保持在安全范围内（一般不超过10mA）。
- 使用调零旋钮调整毫伏电压表，确保在零磁场下电压读数为零。
2. 测量不等位电压- 在零磁场下，测量霍尔元件的不等位电压，记录数据。
3. 测量霍尔电流与霍尔电压的关系- 保持励磁电流不变，逐渐调节霍尔电流，从1.00mA开始，每隔1.0mA改变一次，记录每次霍尔电流对应的霍尔电压值。
- 改变霍尔电流的方向，重复上述步骤，记录数据。
4. 测量励磁电流与霍尔电压的关系- 保持霍尔电流不变，逐渐调节励磁电流，从100.0mA开始，每隔100.0mA改变一次，记录每次励磁电流对应的霍尔电压值。
- 改变励磁电流的方向，重复上述步骤，记录数据。
5. 绘制曲线- 根据实验数据，绘制霍尔电流与霍尔电压的关系曲线和励磁电流与霍尔电压的关系曲线。
6. 数据处理与分析- 根据霍尔效应的原理，计算霍尔系数和载流子浓度。
- 分析实验结果，确定材料的导电类型。
五、注意事项1. 操作过程中，注意安全，避免触电和电火花。
2. 霍尔元件的工作电流不应超过10mA，以保护元件。
3. 在调节电流和磁场时，注意观察毫伏电压表的读数变化，避免超出量程。
变温霍尔效应实验数据
变温霍尔效应实验数据
《关于变温霍尔效应实验数据的那些事儿》
嘿，你们知道吗？我最近做了个超有趣的变温霍尔效应实验呀！
那一天，我早早来到实验室，心情有点小激动呢。
看着那些仪器设备，就好像它们是等待我去探索的宝藏。
我小心翼翼地把样品放好，心里想着：“嘿嘿，今天可得好好研究研究你。
”
然后我就开始各种调试啊，这个按钮转转，那个开关按按，感觉自己就像个专业的科学家似的。
当我开启电源，看着仪器上的数据开始跳动，哇，那感觉可奇妙了。
我就盯着那些数据，眼睛都不敢眨一下，生怕错过了什么重要的变化。
有时候数据跳得快了，我心里就跟着紧张，“哎呀呀，这是怎么回事呀”；有时候数据稳定了一会儿，我又会想“哈哈，这是不是说明一切都很正常呀”。
随着温度慢慢变化，那些实验数据也跟着变来变去，就像一群调皮的小孩子在玩耍。
我呢，就努力地去记录每一个细节，这个数据是多少，那个数据又是什么情况，可认真啦。
经过好长一段时间的观测和记录，我终于得到了一长串的变温霍尔效应实验数据。
看着这些密密麻麻的数据，我心里有一种说不出的成就感，就好像我征服了一座小小的科学山峰。
这就是我这次有趣的变温霍尔效应实验经历啦，那些实验数据真的让我感受到了科学的魅力和神奇呀！
哎呀，现在想起来还觉得很有意思呢！。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应摘要本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应从85K到290K的温度范围内测量了碲镉汞单晶霍耳电压随温度变化的23组有效数据。
而后对数据进行了处理分析，做出In|Rh|-1/T图找出了不同温度范围的图像变化特点，与理论图现象比较，分析结果从而研究了碲镉汞的结构特性和导电机制关键词霍耳效应半导体一、引言低温条件下，物质中原子、分子的热运动减弱，特别是接近绝对零度时，物质处在能量的基态或低激发态，物质的电学、磁学等物理性质会发生很大变化，而霍耳效应就是其中的一种。
对通电导体或半导体施加一个与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，此即为霍耳效应。
而在不同温度下，霍耳效应具有不同的特点，霍耳系数随着温度的变化而变化。
在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。
二、实验原理1、半导体内载流子半导体内载流子的产生有两种不同的机制，本征激发和杂质电离。
本征激发：半导体有两种载流子，即电子和空穴。
本征激发情况下有电子和空穴浓度相等，n=p。
共同浓度n i本征载流子浓度。
由经典玻尔兹曼统计可得：杂质电离：绝大部分的半导体材料都含有一定量的杂质，它们在常温下的导电性能，主要由杂质决定。
根据杂质的不同可以分为P型半导体和N型半导体。
2、载流子的电导率在一般电场情况下，半导体导电也服从欧姆定律，电流密度与电场成正比：j = σE从理论可知，电导率σ与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时：σ=nqμn+pqμp μn μp分别为电子和空穴的迁移率。
载流子浓度随温度的变化可分为三个温区来讨论。
以p 型半导体为例：a)当温度较低时（几十k），只有很少受主电离，空穴浓度远小于受主浓度，产生的空穴浓度：2exp()2iAEP NKT=-<<(1)式中NV 为价带的有效能级密度，NA 为受主杂质浓度。
霍尔效应实验报告(附带实验结论)(总3页)
霍尔效应实验报告(附带实验结论)(总3页)实验内容：实验中我们将会介绍霍尔效应，包括霍尔现象背后的原理，如何建立实验并如何分析实验结果。
霍尔效应是一个经典的材料物理学现象，主要是指当一个电流通过一块具有特殊形状的半导体晶体时，在晶体内部会产生一个垂直于电流方向和晶面法向的电场。
这个电场会导致从侧面进入材料的一个外部磁场中电荷载流子弯曲轨迹，从而引起电荷载流子的偏转和最终的偏差。
霍尔效应实验是通过使用霍尔元件来测量材料中电子的电荷密度、电阻率以及磁感应强度等物理量。
通过使用一个差分放大器来隔离高电阻元件所测量的低电压信号，实现误差最小化。
实验原理：霍尔现象是指当一个电流通过材料时，电荷载流子会遭受到一个垂直于电流方向和晶面法向的洛伦兹力。
这个力是由外磁场和载流子的运动速度所决定。
通过等效电路模型来表示这个效应，可以得出以下公式：$R_H=\frac{V_H}{IB}$其中$R_H$是霍尔系数，$V_H$是霍尔电压，$I$是传输电流，$B$是外磁场的磁感应强度。
实验步骤：1、使用霍尔元件进行实验测量。
首先我们将要求对外磁场变量进行变动。
我们将会使用自制的霍尔元件来测量材料的电阻率和磁感应强度。
此外我们还需要在实验中加入一个电压测量电路和一个高阻放大器，以便测量霍尔电压。
2、调整电路和实验装置，确保高电阻元件测得的信号能够被放大器隔离并接收到计算机来进行数据采集和分析。
3、进行霍尔效应实验并测量霍尔电压。
当电流通过材料时，霍尔电压会在样品上产生。
我们会使用磁感应计来测量磁场的强度，并利用霍尔元件来测量霍尔电压。
为了确保测量精度和可靠性，我们需要在实验期间不断进行复位校准。
实验结果：我们执行了多次霍尔效应实验，每次实验中都测得了数据。
我们将测得的数据进行了计算，并绘制了以下的实验曲线。
经过分析实验结果，我们得出以下重要结论：1、随着磁感应强度的增加，电流的方向和样品中霍尔电压的值都会发生变化。
2、我们在实验中发现，霍尔元件的特性随着温度和磁场强度的变化而变化。
实验一--变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。
在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。
在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。
1.实验原理1.1霍尔效应霍尔效应是一种电流磁效应，如图1所示：图1霍耳效应示意图当样品通以电流I，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差：H H IBU Rd，H U 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I 成正比。
比例系数H R 叫做霍尔系数。
霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果。
1.2一种载流子导电的霍尔系数P 型半导体：1HH pR pq μμ⎛⎫= ⎪ ⎪⎝⎭， N 型半导体：1H H n R pq μμ⎛⎫=- ⎪⎝⎭， 式中n 和p 分别表示电子和空穴的浓度，q 为电子电荷，n μ和p μ分别是电子和空穴的电导迁移率，H μ为霍尔迁移率，H H R μσ=（σ为电导率）。
1.3两种载流子导电的霍尔系数假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场（410Bμ，μ为迁移率，单位为)2cmV S ，B 的单位为T ）的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体，可以证明：()2238H p nb R p nb π-=+（1）其中n p b μμ=。
2.1实验方法本实验采用范德堡法测量单晶样品的霍耳系数，其作用是尽可能地消除各种副效应。
考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即1H E N RL H U U E E E E=++++∆实其中，H U 实表示实际的霍耳电压，E E 、N E 和RL E 分别表示爱廷豪森效应、能斯特效应、和里纪－勒杜克效应产生的附加电位差，E ∆表示四个电极偏离正交对称分布产生的附加电位差。
近代物理实验变温霍尔效应
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2. 背景：当时，还没有发现电子，金属导电的机理 也不清楚。
霍尔注意到两大著名物理学家关于一个问题的分歧：
英国物理学家麦克斯韦在《电磁学》中写到：
我们必须记住，推动载流导体切割 磁力线的力不是作用在电流上…， 在导线中，电流的本身完全不受 磁铁接近或其它电流的影响。
真的是 这样吗？
瑞典物理学家埃德隆在一篇文章中讲到：
1．测量室温下锗样品的霍尔系数和电导率 2．变温霍尔系数及电导率的测量 3．数据处理
a. 判断样品的导电类型。 b. 计算室温下的霍尔系数及电导率，并计算样品
的载流子浓度，霍尔迁移率。 c. 由变温测量的数据，作出以下几条随温度化
的曲线：
定性说明之。由曲线求出禁带宽度Ｅg。
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五. 注意事项
1. 经常检查并保证仪器电接地正常。
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三. 实验原理
1. 半导体内的载流子（电子和空穴）
2.
产生机构：本征激发和杂质电离
3.
不受外来杂质的影响由半导体本身靠热激发
产生电子-空穴的过程，称为本征激发。
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在纯净的第IV族元素半导体( 硅、锗等）材料中，掺入微量III族
元素（如硼或铝等）或V族元素（磷、砷等）杂质，称为半导体掺杂。 掺杂后的半导体在室温下的导电性能主要由浅杂质决定。
（2）能斯脱（Nernst）效应
ＵN
（3）里纪-勒杜克（Righi-Ledue）效应 ＵRL
（4）电极位置不对称产生的电压降
Ｕ0和ＵT
改变I和B的方向，使ＵN 、ＵRL、Ｕ0和ＵT从计算结果中消 除，然而ＵE却因与I、B方向同步变化而无法消除，但ＵE 引起的误差很小，可以忽略。
变温霍尔效应
变温霍尔效应【实验目的】（1）了解变温霍尔效应及范德堡测量方法；（2）测量碲镉汞单晶样品变温霍尔效应，获得其霍尔系数、电阻率、迁移率、载流子浓度等随温度的变化规律。
【实验原理】霍尔效应是研究半导体材料性能的基本实验方法，通过它可以确定材料的电学参数，如霍尔系数、电阻率、迁移率、导电类型、载流子浓度等。
变温霍尔效应测量则可以研究材料上述电学参数随温度的变化，从而获得对半导体材料电输运性质的更深入了解。
A.电阻率用范德堡法测量电阻率时（磁感应强度B=0），依次在一对相邻的电极间通入电流，用另一对电极测量电压。
如上图所示，在M 、P 电极间通入电流MP I ，测量O 、N 间电压ON MP V ,，得到：MP ONMP ON MP I V R ,,=当在M 、N 电极间通入电流MN I 时，测量O 、P 间电压OP MN V ,，得到：MN OPMN OP MN I V R ,,=电阻率由下式给出：f R R d OPMN ON MP ⋅+⋅=22ln ,,πρ式中，d 为样品厚度；f 为几何修正因子，也称范德堡因子，其值在1~0之间，它是由于样品的几何形状和电极配置的不对称性而引入的修正因子。
f 是ON MP R ,/OP MN R ,的函数，可近似表示为：2,,,,3466.01⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+--=OP MN ON MP OP MN ON MP R R R R f 所以，对于范德堡法样品有：f I V V V V d f R R d N N M M OPMN ON MP ⋅+++⋅=⋅+⋅=42ln 22ln 2121,,ππρ式中，I 为通过样品的电流（测量过程中保持样品电流不变）；1M V 为电流从M 到P 时O 、N 电极间的电压；2M V 为电流从P 到M 时O 、N 电极间的电压；1N V 为电流从M 到N 时O 、P 电极间的电压；2N V 为电流从N 到M 、O 、P 电极间的电压；f 为几何修正因子，对于对称的样品引线分布，1≈f 。
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应第一篇：大学物理实验报告霍尔效应大学物理实验报告霍尔效应一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1 所示。
半导体样品，若在x 方向通以电流，在z 方向加磁场，则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。
显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。
设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)因为，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH 可进一步确定以下参数。
(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位)，则样品属N 型，反之为P 型。
(2)由求载流子浓度，即。
应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。
半导体物理实验——变温霍尔效应测试
变温霍尔效应测量半导体电学特性霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。
利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。
通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。
本实验通过对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量，来确定半导体材料的各种性质。
【实验目的】1.了解半导体中霍尔效应的产生机制。
2.通过实验数据测量和处理，判别半导体的导电类型，计算室温下样品的霍尔系数、电导率、迁移率和载流子浓度。
3.掌握变温条件下霍尔系数和电阻率的测量方法，了解两者随温度的变化规律。
【实验仪器】本实验采用CVM200变温霍尔效应测试系统来完成，本仪器系统由可换向永磁体、CME12H变温恒温器、TC202控温仪、CVM-200霍尔效应仪等组成。
本系统自带有两块样品，样一是美国Lakeshore公司HGT-2100高灵敏度霍尔片，厚度为0.18mm，最大工作电流≤10 mA，室温下的灵敏度为55-140 mV/kG; 样二为锑化铟，厚度为1.11mm，最大电流为60mA，其在低温下是典型的P型半导体，而在室温下又是典型的N型半导体，相应的测试磁场并不高，但霍尔电压高，降低了对系统仪表灵敏度、磁铁磁场的要求。
【实验原理】1．霍尔效应和霍尔系数ZYX图1 霍尔效应示意图霍尔效应是一种电流磁效应（如图1）。
当半导体样品通以电流Is ，并加一垂直于电流的磁场B ，则在样品两侧产生一横向电势差U H ，这种现象称为“霍尔效应”，U H 称为霍尔电压，d B I R H S H U =（1）则： IsB d U H H R =（2） R H 叫做霍尔系数，d 为样品厚度。
对于P 型半导体样品， qp H R 1= （3）式中q 为空穴电荷电量，p 为半导体载流子空穴浓度。
对于n 型半导体样品，qn H R 1-= （4）式中为n 电子电荷电量。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应【摘要】本实验采用范德堡测试方法，利用液氮对样品（锑化铟）的温度进行控制，测量了不同温度下样品的霍尔电压，画出了在80-300K温度范围内样品的和曲线，分析并得出了变温下样品霍尔系数的变化规律，估算出了电子迁移率与空穴迁移率的比值。
同时对变温霍尔测量中出现的负效应的影响进行了分析。
关键词：变温霍尔效应霍尔系数霍尔电压禁带宽度载流子浓度迁移率一、引言1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。
在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。
霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用，直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。
利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机制(本征激发和杂质电离)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。
测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。
根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。
本实验中采用范德堡测试方法测量样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况，估算电子迁移率和空穴迁移率的比值。
二、实验原理（一）半导体的能带结构和载流子1.能带结构：没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列，产生周期性势场。
在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。
束缚在原子周围化学键上的电子能量较低，它们所形成的能级构成价带；脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高，构成导带，导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。
2.半导体内的载流子：半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。
变温霍尔效应实验报告
变温霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握变温霍尔效应的测量方法。
3、研究半导体材料的电学性质随温度的变化规律。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差的现象。
对于半导体材料，其载流子浓度会随温度发生变化，从而导致霍尔系数也随温度改变。
在一定温度范围内，霍尔系数与温度之间存在一定的函数关系。
根据霍尔效应，霍尔电压＄V_H$ 与电流＄I$、磁感应强度＄B$ 以及霍尔片的厚度＄d$ 之间的关系为：＄V_H ＝ R_H\frac{IB}｛d}＄其中，＄R_H$ 为霍尔系数。
三、实验仪器1、变温霍尔效应实验仪2、电磁铁3、控温仪4、数字电压表5、直流电源四、实验步骤1、样品安装将半导体样品安装在样品架上，并确保与电极接触良好。
2、仪器连接按照实验电路图，将实验仪器正确连接。
3、调节磁场打开电磁铁电源，逐渐增加磁场强度，直至达到设定值。
4、测量室温下的霍尔电压在室温下，给样品通以恒定电流，测量不同磁场强度下的霍尔电压。
5、变温测量启动控温仪，逐渐升高或降低样品温度，在每个设定温度点稳定一段时间后，测量相应的霍尔电压。
6、数据记录记录不同温度和磁场下的霍尔电压数据。
五、实验数据与处理以下是测量得到的部分实验数据：｜温度（K）｜磁场强度（T）｜霍尔电压（mV）｜｜｜｜｜｜300|05|12|｜300|10|24|｜350|05|09|｜350|10|18|根据实验数据，计算出不同温度下的霍尔系数。
以温度为横坐标，霍尔系数为纵坐标，绘制出霍尔系数随温度的变化曲线。
通过对曲线的分析，可以得出半导体材料的电学性质随温度的变化规律。
例如，在低温区，霍尔系数可能呈现较大的正值，表明主要载流子为空穴；在高温区，霍尔系数可能逐渐减小并变为负值，说明主要载流子转变为电子。
六、实验结果与讨论1、实验结果表明，随着温度的升高，半导体材料的霍尔系数发生了显著变化。
霍尔效应实验报告KH(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度图片已关闭显示，点此查看当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isb?rhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/???? （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪测量霍尔电压、电流等物理量。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片平面），当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电场，这种现象称为霍尔效应。
2、霍尔电压产生的横向电场导致薄片两侧出现电势差，这个电势差称为霍尔电压＄U_H$ 。
霍尔电压的大小与通过薄片的电流＄I$、磁场的磁感应强度＄B$ 以及薄片的厚度＄d$ 等因素有关，其关系式为：＄U_H ＝＼frac{R_H IB}｛d}＄其中，＄R_H$ 称为霍尔系数，它与半导体材料的性质有关。
3、磁场的测量若已知霍尔系数＄R_H$ 、通过的电流＄I$ 以及霍尔电压＄U_H$ ，则可以计算出磁感应强度＄B$ ：＄B ＝＼frac{d U_H}｛R_H I}＄三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验内容与步骤1、仪器连接将霍尔效应实验仪的各部分按照说明书正确连接，确保线路接触良好。
2、调节参数（1）调节励磁电流，使磁场达到一定强度。
（2）调节工作电流，使其在合适的范围内。
3、测量霍尔电压（1）保持励磁电流不变，改变工作电流，测量不同工作电流下的霍尔电压。
（2）保持工作电流不变，改变励磁电流，测量不同励磁电流下的霍尔电压。
4、数据记录将测量得到的电流、霍尔电压等数据准确记录在表格中。
五、实验数据记录与处理1、数据记录表格｜工作电流 I （mA) ｜励磁电流 IM （A) ｜霍尔电压 UH （mV) ｜｜｜｜｜｜ 100 ｜ 050 ｜ 250 ｜｜ 150 ｜ 050 ｜ 375 ｜｜ 200 ｜ 050 ｜ 500 ｜｜ 250 ｜ 050 ｜ 625 ｜｜ 100 ｜ 100 ｜ 500 ｜｜ 100 ｜ 150 ｜ 750 ｜｜ 100 ｜ 200 ｜ 1000 ｜2、数据处理（1）根据实验数据，绘制霍尔电压＄U_H$ 与工作电流＄I$ 的关系曲线，分析其线性关系。
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变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到并分析了实验与理论对比的1ln H R T ⎛⎫- ⎪⎝⎭曲线，还对电子迁移率与空穴迁移率的比值作了估算。
关键词：霍耳效应，霍耳系数，半导体，载流子，控温，变温测量。
一、引言对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。
在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。
在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。
二、实验原理1、霍尔效应霍尔效应是一种电流磁效应，如图1所示：图 1霍耳效应示意图当样品通以电流I ，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差：H HIBU R d= （1） H U 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I 成正比。
比例系数H R 叫做霍尔系数。
霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果。
2、一种载流子导电的霍尔系数P 型半导体：1HH p R pq μμ⎛⎫= ⎪ ⎪⎝⎭（2） N 型半导体：1H H n R pqμμ⎛⎫=-⎪⎝⎭ （3） 式中n 和p 分别表示电子和空穴的浓度，q 为电子电荷，n μ和p μ分别是电子和空穴的电导迁移率，H μ为霍尔迁移率，H H R μσ=（σ为电导率）。
3、两种载流子导电的霍尔系数假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场（410B μ ，μ为迁移率，单位为()2cm V S ，B 的单位为T ）的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体，可以证明：()2238H p nb R p nb π-=+ （4）其中np b μμ=。
4、P 型半导体的变温霍耳系数P 型半导体与N 型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对比如图2所示；其中曲线中各区间的物理意义将在后面结合本实验得到的曲线具体分析。
图2 P 型半导体和N 型半导体的ln1H R T -曲线5、范德堡尔法测量任意形状薄片的电阻率及霍耳系数范德堡法可应用于厚度均匀的任意形状的片状样品。
在样品侧面制作四个电极M 、N 、O 、P 。
在电阻率测量中，一对相邻的电极用来通入电流，在另一对电极之间测量电位差。
利用M 、P 和M 、N 通入电流分别作两次测量，得到(5)(6)电阻率可由下式给出（7）式中f 是比值opmn,op,mp R R 的函数，由下式确定（8）范得堡法也可用于作霍尔效应的测量。
一对不相邻的电极，例如M 、O 用来通入电流，另外一对电极P 、N 用来测量电位差。
霍尔系数由下式给出(9)式中B 为垂直于样品的磁感应强度值。
pn V ∆ 代表加磁场后P 、N 之间电位差的变化。
6、实验中的副效应及其消除方法考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即1H E N RL H U U E E E E=++++∆实 （10）其中，H U 实表示实际的霍耳电压，E E 、N E 和RL E 分别表示爱廷豪森效应、能斯特效应、和里纪－勒杜克效应产生的附加电位差，E ∆表示四个电极偏离正交对称分布产生的附加电位差。
设改变电流方向后的测得电压为2H U ，再改变磁场方向后的测得电压为3H U ，再改变电流方向后的测得电压为4H U ，则有234H E N RL H H E N RL H H E N RL H U U E E E E U U E E E E U U E E E E⎧=--++-∆⎪=+---∆⎨⎪=----+∆⎩实实实所以有()123414H H H H E H U U U U U E -+-=+实，由于E E 与霍耳电压一样既与电流方向有关由于磁场方向有关，因此范德堡法测量霍耳系数不能消除爱廷豪森效应，即所测得到的所谓的“霍耳电压”实际上包括了真实的霍耳电压和爱廷豪森效应的附加电压，即()123414H H H H H E H U U U U U U E =-+-=+实 （11） 霍耳系数可由下面的公式（12）计算得出：H H U tR IB=（12） 式中H U 的单位为V ；t 是样品厚度，单位为m ；I 是样品电流，单位为A ；B 是磁感应强度，单位为T ；霍耳系数H R 的单位是3m C 。
三、实验内容1、实验仪器VTHM －1型变温霍耳效应仪（包括DCT －U85电磁铁及恒流电源，SV －12变温恒温器，TCK －100控温仪，CVM －2000电输运性质测试仪，连接电缆，装在恒温器内冷指上的碲镉汞单晶样品），如图3所示图 2变温霍耳效应系统示意图2、实验步骤 ⅰ、抽真空1）、打开复合真空计开关2）、连接真空系统和样品池之间的真空活扣3）、关上真空阀2，合上墙上真空泵开关，打开样品池上方真空阀1 4）、复合真空计指示1Pa 后，关上样品池上方的真空阀1、真空泵开关。
5）、拧开真空阀2，放气后，打开真空活扣，准备测试。
ⅱ、室温下的霍尔测量开机预热，调整样品电流到50.00毫安，加电磁场到0.3T ，选择样品1，按下S1开关。
按下开关H V ，测霍尔电压H1V ，如果电压较小，改在200毫伏或20毫伏档；按电流换向开关，测H2V ；将恒温器轻轻提起，缓慢旋转180度后再放入磁铁气隙中，测H3V ；电流换向，测H4V 。
按M V 开关，测M1V ；按电流换向开关，测M2V ；按N V 开关，测N1V ；按电流换向开关，测N2V 。
四、实验数据处理及分析本实验中碲镉汞单晶样品的厚度为0.94mm ，样品通电电流大小为10I mA =，外磁感应强度大小为0.435B T =；改变温度测量各温度下的1H U 、2H U 、3H U 和4H U 。
实验数据记录见表1表1 各温度下的1H U 、2H U 、3H U 和4H U T(K)V H （mA ）V H (mA)B +B -B +B -I +I - I - I + I + I - I - I + 82.22 -14.16 14.22 -18.7 18.75 192 -2.34 2.37 -17.74 90 -14.08 14.13 -19.02 19.09 195 8.96 -8.65 -9.36 100 -14.18 14.23 -19.2 19.26 197 19.14 -17.07 9.01 110 -14.13 14.2 -19.41 19.45 200 36.08 -32.1 21.96 120 -14 14.04 -19.53 19.58 205 65.8 -65.61 59.83 130 -13.9 13.94 -19.7 19.73 210 87.9 -88.27 74.49 140 -13.71 13.75 -19.88 19.89 215 86.3 -86.43 80.39 150 -13.59 13.54 -20.51 20.56 220 41.46 -45.54 50.03 160 -13.05 13.11 -21.45 21.51 225 22.18 -22.94 22.58 170 -12.58 12.59 -23.29 23.37 240 13.21 -13.32 12.78 175 -12.26 12.31 -23.83 23.87 265 4.39 -4.01 4.38 180 -11.63 11.72 -24.47 24.5 285 2.51 -2.54 2.46 185 -10.51 10.56 -23.68 23.69 295 2.18 -2.15 2.12 187 -9.26 9.22 -21.87 22.08 303.71.84-1.83 1.91190-6.76.8319.5519.59利用公式（11）和公式（12）即可计算H U 和H R ，根据所得结果得到了实验的1ln H R T ⎛⎫- ⎪⎝⎭曲线，如图4所示：图 3 实验得到的样品的ln1H R T -曲线由得到的实验曲线可以看出此曲线包括以下四个部分：1）T=82.22K 至T=185K ，这是杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。
P 型半导体中p n ，在这段区域内有0H R >。
本实验中测得到的杂质电离饱和区的霍耳系数为30.00363HS R m C =-。
2）T=185K 至T=195K ，即温度逐渐升高时，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，即1b >，当温度升高到2p nb =时，有0H R =，如果取对数就会出现图中凹陷下去的奇异点。
3）T=195K 至T=210K ，即当温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，2p nb <而使0H R <，随后H R 将会达到一个极值HM R 。
此时，价带的空穴数A p n N =+（其中A N 表示受主杂质提供的空穴数），将此式代入公式（4），并求H R 对n 的导数，得到H R 的极值：()()221131844HMHS A b b R R N q b bπ--=-=- （13）实验中测得的30.01757HM R m C =（此时的温度为210T K =）。
再将得到的HS R 和HM R 值带入公式（13）可以解得电子迁移率和空穴迁移率b 的估算值，即21.31npb μμ=≈。
4）210T K =至303.7T K =，即当温度继续升高时，到达本征激发范围内，载流子浓度远远超过受主的浓度，霍耳系数与导带中电子浓度成反比。
因此，随着温度的上升，曲线基本上按指数下降。
由于此时载流子浓度几乎与受主浓度无关，所以代表杂质含量不同的各种样品的曲线都聚合在一起。
五、实验结论本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到了实验上的1ln H R T ⎛⎫-⎪⎝⎭曲线，并结合理论分析了曲线中各区间的物理意义，还对电子迁移率与空穴迁移率的比值n p b μμ=作了估算。
六、参考文献[1] 熊俊.近代物理实验.北京：北京师范大学出版社，2007[2] 黄昆.固体物理学.北京：高等教育出版社，1988。