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(完整版)电子技术基础习题答案

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(完整版)电子技术基础习题答案三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是(C)。

A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是( C)。

A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。

A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。

A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。

A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。

A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。

9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率P CM;D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题:(每小题2分,共20分)1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

电子技术基础练习题库及答案

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电子技术基础练习题库及答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。

A、✔B、×正确答案:A2、单相半波整流电路,负载电阻RL=750W,变压器次级电压有效值,U2=20V,则输出电压平均值U0为。

A、18VB、20VC、9V正确答案:C3、PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是()A、少数载流子。

B、既有多数载流子又有少数载流子。

C、多数载流子。

正确答案:C4、符号IB表示三极管基极电流的()A、直流分量。

B、交流分量。

C、直流分量和交流分量之和。

正确答案:A5、在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,若静态工作点设置太低,将产生()A、截止失真。

B、放大失真。

C、饱和失真。

正确答案:A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v,则该三极管类型是()A、npn型硅管。

B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案:A8、稳压管的稳压区是指其工作在()的区域。

A、正向导通。

B、反向击穿。

C、反向截止。

正确答案:B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。

()A、差值放大器。

B、反相放大器。

C、电压比较器。

正确答案:C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态()A、无关B、有关C、不一定正确答案:B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。

A、×B、✔正确答案:A12、下列三种电路中,输入电阻最大的电路是()A、共集放大电路。

B、共射放大电路。

C、共基放大电路。

正确答案:A13、最常用的显示器件是()数码显示器。

A、七段B、五段C、九段正确答案:A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、相同B、不想同C、有的相同,有的不相同。

正确答案:C15、非门的逻辑功能是()A、有0出0。

全1出1。

B、有1出1。

(完整版)电子技术复习题(答案)

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电子技术复习题一、填空1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。

4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。

5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。

6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。

8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。

9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。

11.稳压管工作在 反向击穿 区。

12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。

13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。

14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。

15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。

16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。

17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。

18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。

19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。

20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。

21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。

22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。

23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。

电子技术基础与技能模拟习题(附答案)

电子技术基础与技能模拟习题(附答案)

电子技术基础与技能模拟习题(附答案)一、单选题(共40题,每题1分,共40分)1、能完成两个1位二进制数相加并考虑到低位来的进位的器件称为A、译码器B、全加器C、编码器D、半加器正确答案:B2、在编码器74LS148中,关于输入使能端说法正确的为A、该引脚为低电平时,所有输出端为高电平B、该引脚为低电平时,编码器正常工作C、该引脚为高电平时,编码器正常工作D、该引脚为高电平时,所有输入端为高电平正确答案:B3、用指针式万用表检测某晶体三极管时,用红表笔搭接1脚,黑表笔分别搭接2、3脚时,指针偏转角均较大。

这说明此三极管类型为A、PNP型,且1脚为基极B、NPN型,且1脚为基极C、NPN型,且2脚为基极D、PNP型,且2脚为基极正确答案:A4、甲类功放的效率低是因为A、静态电流过大B、管子通过交流电流C、单管放大的能力小D、变压器效率低正确答案:A5、74LS192是( )进制可逆计数器。

A、异步、十B、异步、十六C、同步、十六D、同步、十正确答案:D6、温度影响了放大电路中( )的参数,从而使静态工作点不稳定。

A、电源B、三极管C、电阻D、电容正确答案:B7、8421BCD码1000 1001表示的十进制数码为A、67B、68C、79D、89正确答案:D8、下列所述中,属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压不可调C、输出电流小D、输出电压稳定度高且可调节正确答案:D9、在登录你的电子信箱的过程中,要有两个条件,一个是用户名,一个是与用户名对应的密码,要完成这个事件( 登陆成功),它们体现的逻辑关系为A、“与”关系B、不存在逻辑关系C、“非”关系D、“或”关系正确答案:A10、一个八进制计数,最多能记忆的脉冲个数为A、10B、7C、9D、8正确答案:B11、Q0~Q3为74LS194的A、并行数据输端B、串行数据输入端C、并行数据输出端D、串行数据输出端正确答案:C12、开关电源若不能启动,应重点调整A、误差放大级B、脉宽控制级C、调整管基极偏置D、脉冲变压器正确答案:C13、8位二进制数能表示十进制数的最大值是A、256B、255C、298D、292正确答案:B14、若逻辑函数L=( )( ),则L可简化为A、L=A+BCB、L=AB+CC、L=AC+BD、L=ABC正确答案:A15、下列不属于组合逻辑电路的有A、译码器B、计数器C、数据分配器D、编码器正确答案:B16、D触发器的D端和Q端相连,D触发器的初态为“0”状态,试问经过10个时钟脉冲后触发器的状态为A、1状态B、0状态C、不定状态D、高阻状态正确答案:B17、译码器是一类多输入多输出器件,属于A、组合逻辑电路B、基本门电路C、编码器D、时序逻辑电路正确答案:A18、若逻辑函数L=(A+BCD )AB,则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案:C19、将一位十进制数的输入信号转换成8421BCD码的电路属于一种A、加法器B、数据比较器C、编码器D、译码器正确答案:C20、74LS161是( )进制加计数器。

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)一、单选题(共20题,每题1分,共20分)1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案:B2、电流型三相桥式逆变电路,120°导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。

A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案:C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案:B4、对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C5、为了防止逆变失败,最小逆变角限制为(),单位为度。

A、30~35B、20~25C、10~15D、40~45正确答案:A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A7、电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A8、在晶闸管整流电路中,变压器二次侧所供给的有功功率P=()A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案:D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是()。

A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案:C10、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案:B11、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案:A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案:A13、IGBT属于()控制型元件。

电子技术习题

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基本半导体器件一、判断题:1、有一个晶体三极管接在电路中,今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V,说明这个晶体三极管是锗PNP管。

2、晶体三极管由两个PN结组成,所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时,晶体二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体三极管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。

5、N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时,晶体二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是由P型和N到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置,则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管,其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,教自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。

14、一般来说,硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、PN结具有单向导电性,即加反向电压时,PN结导通,加正向电压时,PN结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作,其发射结应加反向电压,集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管,当工作于放大区时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib,它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成的,故e极和c极可以互换使用。

20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关,温度升高,R、rbe都增高。

电子技术考题大全及答案(完整版)

电子技术考题大全及答案(完整版)
【2-7】若图2-7中的电路出现故障,且经测量得知UE=0,UC=VCC。故障的原因是下列四种之一,请判明是。
A.Rc开路B.Rc短路C.Re短路D.Rb1开路
解:
应是Rb1开路。因为对于A,Rc开路,UC不会等于VCC,也就是说UC=VCC排除了Rc开路;对于B,Rc短路,可能有UC=VCC,但此时有集电极和发射极电流,UE不为0;对于C,Re短路,UE=0,但此时发射极、集电极电流不等于0,UC<VCC。
习题
【2-1】填空、选择正确答案
1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是
A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;
√B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路;
C.将输入交流信号加到晶体管的基极。
2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是Rc,那么Rc中:
A.只有直流;
【2-9】图2-9为射极输出器,已知Vcc=12V,Rb=110 ,Re=3 ,RL=3 , =50,rbe≈1 ,UBE=0.7V,耦合电容的容量足够大。试计算电路的电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
图2-9题2-9电路图图2-10题2-10电路图
解:
此放大电路为共集组态。电压放大倍数
输入电阻
输出电阻
B.只有交流;
√C.既有直流,又有交流。
3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。(ICQ;ICQ)
4.下列说法哪个正确:
A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大;
√B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率;
。(b;a;c)
(4)从输出端开路到接上RL,静态工作点将,交流输出电压幅度要。

电子技术习题册

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电子技术习题册§1―1半导体基本知识一、填空1.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和三类。

2.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是。

3.半导体有特性、特性和特性。

4.pn结正偏时,p区接电源的极,n区接电源的极;此时,pn结;pn结反偏时,p区接电源极,n区接电源极;在这一点上,PN结。

5.pn结具有特性,即加正向电压时pn结,加反向电压时pn结。

二、判断题(正确的在括号内打“√”,错误的打“x”)1.2.半导体随温度的升高,电阻会增大。

()pn结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。

()三、多项选择题1.PN结最大的特点是它有()。

a.导电性b.绝缘性c.单向导电性2.半导体暴露在光下并具有导电性()。

a.增强b.减弱c.不变3.最常用的半导体材料是()。

a.铜b.硅c.铝d.锗四、综合题什么是PN结?PN结最基本的特性是什么?§1―2半导体二极管一、填空1.正向接法是接电源的正极,接电源的负极;反向接法相反。

2.硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的正向管压降约v。

3.使用二极管时,应考虑的主要参数是和。

4.如果流过电路中二极管的正向电流过大,二极管将失效。

如果在二极管两端施加的反向电压过高,二极管将失效。

5.有一锗二极管正反向电阻均接近于0,表明该二极管已;有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大,表明该二极管已。

6.在相同的反向电压下,硅二极管的反向饱和电流往往高于锗二极管,因此硅二极管的热稳定性相对较高。

7.发光二极管将信号转换成信号,光电二极管将信号转换成信号。

8.变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变来自动调节本机振荡频率。

二、判断题1.2.3.4.5.6.二极管是线性元件。

()一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

()任何类型的半导体二极管的正向电压为0.3V。

()二极管具有单一导电性。

()二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。

电子技术复习题及答案

电子技术复习题及答案

电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件,题1-1V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。

2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。

3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置,工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。

4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。

5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。

6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。

7、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。

8、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。

9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。

10、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是7B 。

11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。

12、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。

13、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。

15、.二极管的反向电流IRM越小,说明二极管的____单向导电_____性能越好。

16、交流负反馈有4种组态,若要求输入电阻高,输出电阻高,在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。

17、要稳定静态工作点,在放大电路中应引入_____直流____负反馈。

二、选择题1、离散的,不连续的信号,称为(B )A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。

电子技术习题集-答案

电子技术习题集-答案

第2章 习题2.1.1 如右下图所示电路中,E 12V =, D 为硅二极管,R 10K =Ω,则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少?流过二极管的电流多大?解: 二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=D R 11.3I I 1.13mA 10===2.1.2 在下图中的各电路图中,i u 12sin t ω=V ,二极管D 的正向压降忽略不计。

试分别画出输出电压o u 的波形。

(a ) (b ) (c )解:2.1.3二极管电路如图所示,试分别判断图(a )和(b )中的二极管是导通还是截止,并求出AB 两端电压AB U 。

设二极管是理想的。

(a) (b)解:(a) D 导通,AB U 6V =-; (b )D1导通,D2截止;AB U 0V =;2.2.1在下图中,所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =,输入电压i u 12sin t ω=V ,画出输出电压o u 波形图。

解:2.2.2在下图所示的(a)和(b )分别为稳压管的并联和串联连接,哪种稳压管的用法不合理?试说明理由。

解:(a )由于稳压管的击穿电压各不相同,击穿电压低的管子工作,而另一个不工作。

(b)可以串联连接,输出电压为两个稳压管稳压电压之和。

2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =,波动范围10%±;稳压管的稳定电压Z U 6V =,稳定电流Z I 5mA =,最大耗散功率ZM P 180mW =;限流电阻R 200Ω=;输出电流o I 20mA =。

(1)求I U 变化时稳压管的电流变化范围;(2)如果负载电阻开路,会发生什么现象?解:输入电压波动范围:Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==⨯=Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为:Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== (1)Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=(2)如果负载电阻开路,即o I 0mA =,则稳压管中电流为限流电阻上的电流。

电子技术习题

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基本半导体器件一、判断题:1、有一个晶体三极管接在电路中,今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V,说明这个晶体三极管是锗 PNP管。

2、晶体三极管由两个PN结组成,所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时,晶体二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体三极管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。

5、N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时,晶体二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是由P型和N到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置,则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管,其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,教自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。

14、一般来说,硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、PN结具有单向导电性,即加反向电压时,PN结导通,加正向电压时,PN结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作,其发射结应加反向电压,集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管,当工作于放大区时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib,它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成的,故e极和c极可以互换使用。

电子技术习题

电子技术习题

电⼦技术习题4.在选⽤⼆极管时,其特性参数中的最⼤整流电流是指长期运⾏时,允许通过的D 。

A.最⼤交流电流B.最⼤电流C.最⼤电流的有效值D.最⼤正向平均电流5.晶体三极管的 C ⽆法⽤万⽤表测试。

A.电流放⼤倍数βB.穿透电流I cboC.截⽌频率D.管型6.不属于三极管极限参数的是 B 。

A.反向击穿电压B.反向饱和电流C.集电极最⼤允许电流D.集电极允许耗散功率83.已知三极管处于放⼤状态,三个极的电位分别为V1=6.7V、V2=6V、V3=10V,该管属于 A 种类型。

A.硅NPN型B.硅PNP型C.锗NPN型D.锗PNP型⼆多选题6.⽤数字万⽤表能直接判断 ABCDE 的好坏。

A.⼆极管B.三极管C.电容D.电阻E.导线三判断题3.(×)三极管的任意两个管脚在应急时可作为⼆极管使⽤。

4.(×)⽤万⽤表测试⼆极管的正、反向电阻可判别极性,如测得阻值为数百欧时,红表笔接触的是⼆极管的正极。

5.(√)如⽤万⽤表的正表笔接晶体管的基极,负表笔碰触另外两个电极测得的阻值均为较⼤电阻,则可认定该管为NPN型晶体管。

10. P型半导体中,电⼦数⽬与空⽳数⽬相⽐ A 。

A.电⼦数少于空⽳数B.电⼦数等于空⽳数C.电⼦数多于空⽳数D.电⼦数与空⽳数之⽐为3:211.常⽤⼆极管的特性是 D 。

A.放⼤作⽤B.稳压作⽤C.开关特性D.单向导电性12.硅材料⼆极管的死区电压为 C V。

A.0.1B.0.3C.0.5D.0.713.晶体三极管的极性判断可依据三极管的 A 特性。

A.电流放⼤B.电压放⼤C.电流稳定性D.电压稳定性14.三极管的反向饱和电流I cbo,是指发射极开路时, B 极之间的反向电流。

A.e与bB.c与bC.e与cD.b与o15.三极管的电流放⼤系数是指 B 的⽐值。

A.集电极电流与发射极电流B.集电极电流与基极电流C.发射极电流与基极电流D.发射极电流与集电极电流16.单向晶闸管内部有 C 个PN结。

电力电子技术练习题库与参考答案

电力电子技术练习题库与参考答案

电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断,因此又叫()。

A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案:C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。

A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案:A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载,需要()个续流二极管。

A、2B、4C、1D、3正确答案:B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象,可分为()。

A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案:C5、单相全控桥式整流电路最多需要()个晶闸管。

A、2B、3C、1D、4正确答案:D6、采用调制法得到PWM波形,把希望输出的波形作为()。

A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案:C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件,它是由()复合而成的。

A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案:A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的()技术。

A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案:B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。

A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案:D10、斩波电路控制方式中,ton和T都可调,改变占空比,称为()。

A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案:D11、得到PWM波形的方法有()。

A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案:A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同,可分为()。

A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案:A13、斩波电路控制方式中,ton不变,改变T,称为()。

电子技术基础复习题及答案

电子技术基础复习题及答案

电子技术基础复习题及答案一、选择题1.下列哪种元件被广泛应用于逻辑门电路中?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案:C2.以下哪个元件可以将交流电转换成直流电?A. 电容B. 反向阻止二极管C. 普通二极管D. NPN 晶体管答案:B3.下列哪个元件的阻值可以随输入信号的变化而变化?A. 可调电阻器B. 电阻C. 电感D. 电容答案:A4.以下哪个元件用于在电路中存储数据?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案:B5.下列哪个元件用于限制电路中的电流?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案:A二、填空题6.一个电路中,有一个电源和两个电阻分别为10 Ω 和20 Ω,求电路总电阻。

答案:30 Ω7.以下哪个定律用于计算电路中的电压?答案:欧姆定律8.以下哪个定律用于计算电路中的电流?答案:基尔霍夫定律9.在直流电路中,电容器的电压和电流的关系为I = C dU/dt。

答案:I = C dU/dt三、简答题10.什么是 P 型半导体和 N 型半导体?答:P 型半导体是通过在硅片中添加杂质元素,如硼 (B) 等,使得硅片中存在过多的空穴来形成的。

N 型半导体则是加入不同的杂质,如砷 (As) 等,以形成过量的自由电子。

11.什么是逻辑门?答:逻辑门是指用于数字电路中的基本电路元件,以处理输入信号以产生输出信号的设备。

常见的逻辑门有与门、或门、非门、异或门等。

四、编程题12.写一个 Python 函数,以计算并返回一个电路总电阻。

该函数应该接受一个包含所有电阻值的列表参数。

def calculate_total_resistance(resistances):total =0for resistance in resistances:total += resistancereturn total本文涵盖了电子技术基础中的多个主题,包括逻辑门、半导体、电路中的电压和电流以及电容器和电阻的定律。

电子技术基础习题带答案

电子技术基础习题带答案

理论测验一、单项选择题:1.不属于对助焊剂的要求的是 CA、常温下必须稳定,熔点应低于焊料B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 BA、1:3B、3:1C、任何比例均可3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 AA、合金头B、纯铜头4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 AA、 20W内热式B、35W内热式C、60W外热式D、100W外热式5.150W外热式电烙铁采用的握法是 BA、正握法B、反握法C、握笔法6.印刷电路板的装焊顺序正确的是 CA、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小;C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 AA、电烙铁、铜纺织线、镊子B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀C、电烙铁、镊子、螺丝刀D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题1.焊点出现弯曲的尖角是由于 ABA、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当C、电烙铁功率太大造成的D、电烙铁功率太小造成的2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 AA、20W内热式B、35W内热式C、50W外热式D、75W外热式3.75W外热式电烙铁 BA、一般做成直头,使用时采用握笔法B、一般做成弯头,使用时采用正握法C、一般做成弯头,使用时采用反握法D、一般做成直头,使用时采用正握法4.下列电烙铁适合用反握法的是 DA、20WB、35WC、60WD、150W5.20W内热式电烙铁主要用于焊接 DA、8W以上电阻B、大电解电容器C、集成电路D、以上答案都不对6.焊点表面粗糙不光滑 BA、电烙铁功率太大或焊接时间过长B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C、焊剂太多造成的D、焊剂太少造成的7.电烙铁“烧死”是指 CA、烙铁头不再发热B、烙铁头粘锡量很多,温度很高C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热8.一般电烙铁有三个接线柱,其中一个是接金属外壳的,接线时应 BA、用三芯线将外壳保护接地B、用三芯线将外壳保护接零C、用两芯线即可,接金属外壳的接线柱可空着9.所谓夹生焊是指 CA、焊料与被焊物的表面没有相互扩散形成金属化合物B、焊料依附在被物的表面上,焊剂用量太少C、焊件表面晶粒粗糙,锡未被充分熔化;三、判断题1.在检测电阻的时候,手指可以同时接触被测电阻的两个引线,人体电阻的接入不会影响测量的准确性; ×2.在应用SMT的电子产品中分为两种安装方式:完全表面安装和混合安装; √3.笔握法适用于小功率的电烙铁焊接印制板上的元器件; √4.焊接时每个焊点一次焊接的时间应该是3~5秒; ×四、简答题:1.在焊接过程中,助焊剂的作用是什么答:1除去氧化物;为了使焊料与工件表面的原子能充分接近,必须将妨碍两金属原子接近的氧化物和污染物去除,助焊剂正具有溶解这些氧化物、氢氧化物或使其剥离的功能;2防止工件和焊料加热时氧化;焊接时,助焊剂先于焊料之前熔化,在焊料和工件的表面形成一层薄膜,使之与外界空气隔绝,起到在加热过程中防止工件氧化的作用; 3降低焊料表面的张力;使用助焊剂可以减小熔化后焊料的表面张力,增加其流动性,有利于浸润;2.怎样做可以避免烙铁头烧死,烙铁不再粘锡答:烙铁头不粘锡主要是其温度过高,表面氧化所致,首先要在烙铁加热后在松香里反复摩擦去掉氧化皮,再沾上焊锡就可以了;3.电烙铁的握法有哪几种正握法主要适用于什么场合答:电烙铁的握法有正握、反握和笔握;正握法适于中等功率烙铁或带弯头电烙铁的操作;4.电子产品组装时,元件安装有哪些标准答:1元件器的标志方向应按照图纸规定的要求,安装后能看清元件上的标志;若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按从左到右、从下到上的顺序读出;2元器件的极性不得装错,安装前应套上相应的套管;3安装高度应符合规定要求,同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上;4安装顺序一般为先低后高,先轻后重,先易后难、先一般元器件后特殊元器件;5元器件在印制电路板上的分布应尽量均匀、疏密一致,排列整齐美观;不允许斜排、立体交叉和重叠排列;6元器件外壳和引线不得相碰,要保证1mm左右的安全间隙,无法避免时,应套绝缘套管;7元器件的引线直径与印制电路板焊盘孔径应有~0.4mm的合理间隙;8MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行,以免产生静电损坏器件,发热元件不允许贴板安装,较大的元器件的安装应采取绑扎、粘固等措施;5.电子产品装配工艺文件包括哪几部分答:、由四个部分组成:企业区分代号、该工艺文件的编制对象设计文件的十进分类编号、工艺文件简号以及区分号;理论测验一、判断题:1. 逻辑变量的取值,1比0大; ×2. 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立; ×3.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号; ×4.组合逻辑电路的特点是具有记忆功能×5.只用与非门不能实现Y=A B+BC; × 6译码显示器既要完成译码功能,还有将译码后的结果或数据显示出来; √7.优先编码器对同时输入的信号中只对优先级别最高的一个信号编码; √8.半导体数码管采用共阴极方式时,译码器输出低电平驱动相应的二极管发光; ×9.同或门的逻辑功能是“相同出0,相异出1”; ×10.译码器的功能是将二进制数码还原成给定的信息; √二、填空题1.有一数码,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ;2.优先编码器允许同时输入两个以上的编码信号,但工作时只对优先级别高的输入信号进行编码,其余的输入信号可看成无效信号 ;3.客观事物的最基本的逻辑关系有_与逻辑、_或逻辑和_非_逻辑三种;个“1”连续进行非运算,其结果是 0 ;与非门多余的输入端应接高电平 ;6.同或门和异或门的关系可以用非逻辑关系表示;7.对TTL与非门闲置端不用的处理方法是悬空 ;8.组合逻辑电路的设计步骤是根据实际要求的逻辑关系建立真值表、由真值表写出逻辑表达式、化简逻辑表达式、画逻辑电路图 ;9.译码显示器是先将输入的二进制码译码成十进制数的信号,再利用译码输出驱动显示数字;三、选择题:1.十进制整数转换成二进制整数一般采用 B 方法;A. 除2取整法B. 除2取余法C. 乘2取整法D. 除10取余法2.当A = B = 0时,能实现Y = 1的逻辑运算是 C ;A.Y = AB B.Y = A+B C.Y A B=+=+D.Y A B 3.二进制的减法运算法则是 D ;A.逢二进一B.逢十进一C.借一作十D.借一作二4.MOS或门的多余输入端应 C ;A.悬空B.接高电平C.接低电平D.高低电平均可5.组合逻辑电路应该由哪种器件构成 C ;A.触发器B.计数器C.门电路D.振荡器6.三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为 B ;A.3个和2个B.3个和8个C.8个和3个D.2个和3个7.七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg = 0110011时,高电平有效,输入一定为 C ;A.0011 B.0110 C.0100 D.0101 8.下列门电路,不属于基本门电路 D ;A.与门B.或门C.非门D.与非门9.组合逻辑电路的特点有 A ;A.电路某时刻的输出只决定于该时刻的输入B.含有记忆元件C.输出、输入间有反馈通路D.电路输出与以前状态有关10.TTL逻辑电路是以 A 为基础的集成电路;A.三极管B.二极管C.场效应管D.不能确定四、问答题:1. 十进制转换成二进制的具体转换方法是什么答:十进制数的整数部分采用“除2取余法”;小数部分采用“乘2取整法”;2. 分别描述异或门和同或门的逻辑功能,并说明他们之间的关系;答:异或门的逻辑功能是:同为0,异为1;同或门的逻辑功能是:同为1,异为0;异或逻辑和同或逻辑之间是非逻辑关系;3.简述图7-4中与发光二极管串联电阻的作用,如果将电阻值更换为100kΩ,则发光二极管还能正常发光吗为什么答:电路中与发光二极管串联的的电阻起到分压作用;如果将阻值更换为100kΩ,会导致电流过小,使二极管不能正常发光;4.译码的含义是什么为什么说译码是编码的逆过程译码器和编码器在电路组成上有什么不同答:译码的含义是把某种输入代码翻译成一个相应的信号输出;由于编码是将各种输入信息编成二进制代码输出,所以说译码是编码的逆过程;编码器电路有n2个输入端,则有n个输出端;而译码器电路有n个输入端,则有n2个输出端;理论测验一、判断题:1.脉冲技术现在已经广泛应用于电子计算机、自动控制、遥控遥测、电视、雷达和广播通讯等许多领域; √2.正弦波属于脉冲波的特殊形式; ×3.矩形波是脉冲波的常用波形之一,理想的矩形波都有一个上升边沿和下降边沿,中间为平顶部分; √电路中电容器的充电速度与R和C的大小有关,放电的速度取决于时间常数√积分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出恒定量,压低变化量”的作用;√微分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出变化量,压低恒定量”; √7.多谐振荡器是一种能自动反复输出矩形脉冲的自激振荡电路,并且含有丰富的多次谐波; √8.施密特触发器广泛用于将连续变化的波形,如三角波、正弦波等变换成矩形波;√9.A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量;模拟量可以是电压、电流等电信号,也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号; √10. 数/模转换器DAC的主要性能参数是分辨率、线性误差、建立时间、温度灵敏度和输出电平; √二、填空题1.电阻R和电容C构成的简单电路叫RC电路,常用于脉冲波形变换的电路是RC微分电路和 RC积分电路;2. 微分电路是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成一对正、负极性的尖峰脉冲波;3. 积分电路也是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成三角波,也叫锯齿波;4.触发器的两种输出状态是高电平或低电平,如果其中一个是稳定状态而另一个是暂稳状态,这种触发器称为单稳态触发器 ;5.常用的集成施密特触发器有两种类型,一种是 TTL 施密特触发器,另一种是CMOS 施密特触发器;6. 单稳态触发器不仅能用于延时电路,而且可以把不规则的波形变换成幅度和宽度都相等的脉冲形;7 多谐振荡器工作时,不需要外加触发信号,电路的输出状态会在高低电平两种状态间反复不停地翻转,没有稳定的状态,所以又称无稳态电路;;三、选择题:1.脉冲数字系统中,经常要处理脉冲的产生、延时、整形等问题,而实现这些功能的电路有 ABC ;A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、正弦波发生器2.下列集成电路中属于单稳态触发器的是 ABC ;A、CT74121B、CT74LS123C、CT74122D、NE5553. 下列集成电路属于CMOS型施密特触发器组件的是 AD ;A、CC40106B、CT74LS132C、CT7414D、CC40934.把经过计算机分析处理的数字信号转换成模拟信号,去控制执行机构的器件,称为数模转换器,即 B 转换器;A、A/DB、D/AC、TTLD、CMOS5.A/D转换后,输出的数字信号可以有ABCD 等;A、8位B、10位C、12位D、16位6.555定时器是一种数字与模拟混合型的中规模集成电路,应用广泛;外加电阻、电容等元件可以构成ABC等典型电路;A、多谐振荡器B、单稳电路C、施密特触发器D、稳压器四、问答题:1.什么是脉冲信号矩形波的主要参数是什么答:脉冲指含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号;矩形波的主要参数如下: 1 脉冲幅度Vm 2 上升时间tr 3 下降时间tf 4 脉冲宽度tp 5 脉冲周期T;2. 简述555定时器引脚功能答:1 8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5~18V;2 1脚为地;32脚为触发输入端;43脚为输出端;5 6脚为阈值端;64脚是复位端;75脚是控制端;87脚称放电端;3. 555定时器可以构成的常见电路是那三种,各有什么特点答:555定时器可以构成的常见电路有单稳态触发器、多谐振荡器和施密特触发器;多谐振荡器的特点:无外输入信号、外围有RC元件、且6、2端短接在一起;单稳态触发器的特点:有一外输入信号、外围有RC元件、6、2端分开且分别与它们连接;施密特触发器的特点:外围没有RC元件、6、2短接、并引入外输入信号;4. A/D和D/A转换各是什么意思答: A/D转换是指将模拟量转变为数字量;D/A转换是指将数字量转换成模拟量;理论测验一、判断题:1.触发器属于组合逻辑电路;×2.触发器具有两个状态,一个是现态,另一个是次;×3.时钟脉冲的作用是使触发器翻转;×4.主从JQ触发器和边沿JK触发器的逻辑功能相同;×5.基本RS触发器可以由两个或非门交叉耦合构成;√6. 即使电源关闭,移位寄存器中的内容也可以保持下去;√7. 所有的触发器都能用来构成计数器和移位寄存器;×8.移位寄存器74LS194可串行输入并行输出,但不能串行输入串行输出;×9. 同步计数器的计数速度比异步计数器快;√10.移位寄存器只能串行输入;×二、填空题1. 基本RS触发器,当、都接高电平时,该触发器具有_ 保持功能;2.同步RS触发器状态的改变与同步信号CP 同步;3.时序电路通常包组合电路和存储电路两个组成部分;4.主从触发器是一种能防止空翻的触发器;触发器是在JK触发器基础上,增加一个与非门,把J和K两个输入端合为一个输入端D 组成的;6.仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫 T触发器 ;7.时序电路的次态输出不仅与即时输入有关,而且还与现态有关;8.在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称__空翻_现象;9.JK触发器的逻辑功能为_置0 、_置1_、_翻转_和_保持_;10.将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了__D__触发器,其逻辑功能为__置0__和_置1_;三、选择题:1. R-S型触发器不具有 B 功能;A. 保持B. 翻转C. 置1D. 置02. 触发器的空翻现象是指 CA.一个时钟脉冲期间,触发器没有翻转;B.一个时钟脉冲期间,触发器只翻转一次C.一个时钟脉冲期间,触发器发生多次翻转D.每来2个时钟脉冲,触发器才翻转一次3. 下列触发器中不能用于移位寄存器的是 C ;触发器触发器 C.基本RS触发 D.负边沿触发D触发器4.触发器是一种 B ;A、单稳态电路B、双稳态电路C、无稳态电路5.下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是 CA.同步D触发器B.主从JK触发器C.边沿D触发器D.同步RS触发器6. 对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是 D=0X =X0 =X1 =1X7.仅具有保持和翻转功能的触发器是 DA.JK触发器 B;RS触发器 C;D触发器 D;T触发器8.对于JK触发器,输入J=0,K=1,CP时钟脉冲作用后,触发器的Q n+1应为AA.0 B.1 C.可能为0,也可能为1 D. 与Q n 有关四、问答题:1.怎样实现普通机械式开关的防抖功能答:用两个按键S1、S2、CD4011等构成了一个无抖动开关;电路如图所示;用集成块CD4011内部的两个与非门连接成一个基本RS触发器,当按钮开关S3、S2闭合时可使RS触发器复位端R和置位端S的电平变为0,断开时可使R、S的电平变为1;通过S3、S2可给RS触发器设置输入状态,从而决定输出状态;当S3闭合、S2断开时,R=0,S=1,触发器的输出端Q=0,LED2不会点亮,当S3断开、S2闭合时,R=1,S=0,触发器的输出端Q=1,LED2点亮;当S3、S2都断开时,R=S=1,触发器的输出端Q保持原来的状态即R=S=1之前的那个状态,输出端Q的电平变化,相当于开关的闭合和断开;这种闭合与断开是无抖动的可用示波器在测试点P3观察Q端的电平变化,是矩形波;2.怎样由JK触发器构成D触发器答:在JK触发器的基础上,增加一个与非门把J、K两个输入端合为一个输入端D,CP为时钟脉冲输入端;这样,就把JK触发器转换成了D触发器;3.什么是触发器的空翻现象答:在一个时钟脉冲周期中,触发器发生多次翻转的现象叫做空翻;4.查阅资料,画出用D触发器构成一个4位右移寄存器的原理图,并说明工作过程;答:用D触发器构成的四位移位寄存器,当CP上升沿同时作用于所有触发器时,触发器输入端的状态都为现态;于是,CP上升沿到达之后,各触发器按状态函数进行状态转换;输人代码DI存人触发器F0,Q1按Q0原来状态翻转,Q2按Q1原来状态翻转、Q3按Q2原来状态翻转;总的看来,移位寄存器中的代码依次右移了一位;可见,经过4个CP信号后,串行输入的四位代码全部移入了移位寄存器,并在四个输出端得到并行输出代码;利用移位寄存器可实现代码的串行—并行转换;若再加4个CP信号,寄存器中的四位代码还可以从串行端依次输出;。

电子技术基础试题

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一、选择题
1.以下哪个是典型的半导体材料? A. 铜 B. 铁 C. 硅 D. 铝
2.以下哪个是最简单的电子元器件? A. 二极管 B. 电容器 C. 电感 D. 三极管
3.唐古拉铁塔是由以下哪种材料制成的? A. 黄铜 B. 高纯铜 C. 不锈钢 D. 铝合金
4.以下哪个是数字电路中的基本逻辑门? A. 与门 B. 或门 C. 非门 D. 异或门
5.以下哪个是电磁波频率最低的? A. X射线 B. 可见光 C. 微波 D. 无线电波
二、填空题
1.电阻的单位是_________。

2.数字电路中,由多个逻辑门组成的集成电路称为_________。

3.中国的峨眉山海拔约_________米。

4.晶体管有_________个引脚。

5.1千赫兹等于_________兆赫兹。

三、简答题
1.什么是电流?电流的单位是什么?
2.解释一下导体和绝缘体的区别。

3.什么是放大器?放大器的作用是什么?
4.请解释一下二极管的工作原理。

5.简要介绍一下数字电路中的与门和或门的逻辑表达式和真值表。

四、计算题
1.如果一个电阻器的阻值为100欧姆,通过它的电流为50毫安,求该电阻器两端的电压是多少伏特?
2.如果一个电容器的容值为10微法,通过它的电流为1毫安,求该电容器两端的电压是多少伏特?
五、编程题
请编写一个Python代码片段,计算并输出2的10次方的值。

```python # 计算2的10次方 result = 2 ** 10 print(。

电子技术习题

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基本半导体器件一、判断题:1、有一个晶体三极管接在电路中,今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V,说明这个晶体三极管是锗PNP管。

2、晶体三极管由两个PN结组成,所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时,晶体二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体三极管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。

5、N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时,晶体二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是由P型和N到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置,则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管,其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,教自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。

14、一般来说,硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、PN结具有单向导电性,即加反向电压时,PN结导通,加正向电压时,PN结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作,其发射结应加反向电压,集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管,当工作于放大区时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib,它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成的,故e极和c极可以互换使用。

20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关,温度升高,R、rbe都增高。

电子技术习题

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二、选择题:1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各极电位如下图所示,该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中,不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM8、温度升高时,三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中,多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中,多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质12、在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定13、在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定14、在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ B ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定15、在电路中我们可以利用[ C ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

电子技术复习题

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电子技术复习题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在 B 状态,但其两端电压必须C ,它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于 F 状态;A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是 C ,该管是 D 型;A、B、C、E B、C、B、E C、E、C、B D、NPN E、PNP3、对功率放大器的要求主要是 B 、 C 、 E ;A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 B ,此时应该 E 偏置电阻;A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了 C 而设置的;A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是 A ;A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ B倍;A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强,一般引入 A 负反馈;A、电压B、电流C、串联9、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管CA、立即导通B、到0.3V才开始导通 C.、超过死区电压时才开始导通10、三端集成稳压器CW7812的输出电压是 A ;A、12VB、5VC、9V11、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管AA、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏12、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 B 失真,下半周失真时为 A失真;A、饱和B、截止C、交越D、频率13、当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于BA.很小的电阻B.很大的电阻C.断路14、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力;A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低15、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在 B之间变化;A、0~20B、20~200C、200~100016、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo= C UzA、0.45B、0.9C、1.217、当集成运放线性工作时,有两条分析依据A B ;A 、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D 、Au=118、对功率放大器的主要要求有 BC E ;A 、U0高,B 、P0大C 、效率高D 、Ri 大E 、波形不失真19、振荡器的输出信号最初由C 而来的;A 、基本放大器B 、选频网络C 、干扰或噪声信号20、KMCR 是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力; A 放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C 输出电阻低21、某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压CA 、约等于150VB 、略大于150VC 、等于75V22、当环境温度升高时,二极管的反向电流将BA 、增大B 、减小C 、不变23、测量小功率二极管的好坏时,一般把万用欧姆挡拨到CA 、R ×100B 、R ×1kC 、R ×124、用万用表R ×100Ω挡来测试二极管,如果二极管C 说明管子是好的;A 、正、反向电阻都为零B 、正、反向电阻都为无穷大C 、正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧25、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时,应选用CA 、R ×1Ω挡B 、R ×1k Ω挡C 、R ×10挡26、在测量二极管正向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会AA 、变大B 、变小C 、不变化27、变容二极管工作时,应加AA 、反向电压B 、正向电压C 、反向电压或正向电压28、发光二级管工作时,应加AA 、正向电压B 、反向电压C 、正向电压或反向电压29、为了减小输出电阻,应在放大电路中引入B ;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入C ;A 电流负反馈B 电压负反馈C 直流负反馈D 交流负反馈 30、RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 B ; A 感性 B 阻性 C 容性31、通用型集成运放的输入级多采用D ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法32、两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B ; A β B β2 C2β D1+β33、在A 、B 、C 三种电路中输出电阻最小的电路是B ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 C ;A 共基放大电路B 共集放大电路C 共射放大电路34、当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C A u B A u E ;A >B <C = D≤35、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A ;A 大B 小C 相等36、为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ;为了展宽频带,应在放大电路中引入 D ;A电流负反馈B电压负反馈C直流负反馈 D交流负反馈37、在桥式文氏桥RC正弦波振荡电路中,C ;AφA=-1800,φF=+1800 BφA=+1800,φF=+1800 CφA=00,φF=0038、当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C B u B B u E ;A >B <C = D≤39、一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中B ;A、有微弱电流B、无电流C、有瞬间微弱电流40、晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将 B ;A、增加B、下降C、不变41、三极管的反向电流ICBO是由B 组成的;A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子42、放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力A;A、强B、弱C、一般43、射极跟随器具有C特点;A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低44、引入并联负反馈,可使放大器的C;A、输出电压稳定B、反馈环内输入电阻增加C、反馈环内输入电阻减小45、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的A;A、好B、差C、相同46、工作在线性区的运算放大器应置于A状态;A、深度反馈B、开环C、闭环47、产生正弦波自激震荡的稳定条件是C;A、引入正反馈B、|AF|≥1C、AF=148、测量脉冲电压例如尖脉冲的峰值应使用C;A、交流毫伏表B、直流电压表C、示波器、49、二极管两端加正向电压时 B ;A.一定导通 B.超过死去电压才导通 C.超过0.7V才导通50、低频放大电路放大对象是电压、电流的 B ;A.稳定值 B.变化量 C.平均量51、阻容耦合放大电路 BA.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递52、双门限电压比较器是一个含有 A 网络的比较器;A.正反馈B.负反馈C.RC53、方波发生器中电容两端电压为 C 波;A.矩形B.三角C.锯齿54、晶闸管导通后流过晶闸管的电流取决于 A ;A.电路的负载B.晶闸管的联刘容量C.晶闸管阳极和阴极之间的电压55、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的 C ;A.截止区B.饱和区C.负阻区56、能实现“有0出0,全1出1”的逻辑功能是 A ;A.与门B.或门C.非门57、能实现“有0出1,全1出0”的逻辑功能是 C ;A.与门B.或门C.与非门58、欲表示十进制数的十个数码,需要二进制数码的位数是 C ;A.3位B.2位C.4位59、变容二极管常用在A电路中;A、高频B、低频C、直流60、交通信号灯采用的是A管A、发光二极管B、光电二极管C、变容二极管判断题×1、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”;√2、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流;×3、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈;√4、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响;√5、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管;√6、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等;×7、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区;√8、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区;×9、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡;√10、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路;×11、只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡;√12、引入直流负反馈可以稳定静态工作点;×13、负反馈越深,电路的性能越稳定;√14、零点漂移就是静态工作点的漂移;√15、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻;√16、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同;√17、半导体中的空穴带正电;×18、P型半导体带正电,N型半导体带负电;×19、实现运算电路不一定非引入负反馈;×20、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区;√21、二极管具有单向导通性,同时利用该性质,可以将二极管作为开关元件;√22、三级管有两个PN结,即集电结和发射结;有三个电极,即基极极以及集电极极和发射极极;×23、影响静态工作点稳定的主要因素是湿度,此外电源电压和元件老化等也会对静态工作点有影响;×24、单结晶体管有2个PN结,它的三个极分别是发射极、第一基极和第二基极;×25、电路的基本定律是欧姆定律;√26、一个6Ω电阻和一个4Ω电阻并联,则这两电阻并联后的总电阻为2.4Ω√27、电容量的单位是法拉;×28、通电螺线管的电流方向与它的磁场方向可用左手螺旋定则来判断;√29、通电直导体在磁场中的受力方向,可以用左手定则来判定;表示;√30、交流电中电压最大值用字母Um×31、若交流电的频率为100HZ,则交流电的周期为0.1S;√32、在交流电路中,最大值是有效值的√2倍;×33、在纯电感交流电路中,电压的相位比电流的相位超前60°;√34、若三相交流电源采取星形连接,当相电压为220V,则线电压为380V;√35、人体的安全电压一般为36V;×36、硅二极管的死区电压为0.7V;√37、锗二极管的导通电压为0.3V;√38、晶体三极管的基极用字母b表示;×39、晶体三极管有2个结,3个区,3个电极;√40、纯电阻单相正弦交流电路中的电压与电流,其瞬间时值遵循欧姆定律; √41、线圈右手螺旋定则是:四指表示电流方向,大拇指表示磁力线方向;×42、短路电流大,产生的电动力就大;×43、电位高低的含义,是指该点对参考点间的电流大小;×44、直导线在磁场中运动一定会产生感应电动势;√45、最大值是正弦交流电在变化过程中出现的最大瞬时值;×46、电动势的实际方向规定为从正极指向负极;×47、两个同频率正弦量相等的条件是最大值相等;√48、在均匀磁场中,磁感应强度B与垂直于它的截面积S的乘积,叫做该截面的磁通密度;×49、自感电动势的方向总是与产生它的电流方向相反;×50、一段电路的电压Uab=-10V,该电压实际上是a点电位高于b点电位;×51、正弦量可以用相量表示,所以正弦量也等于相量;×52没有电压就没有电流,没有电流就没有电压;√53、如果把一个24V的电源正极接地,则负极的电位是-24V、√54、电路中两点的电位分别是V1=10V,V2=-5V,这1点对2点的电压是15V; √55、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极;×56、磁场可用磁力线来描述,磁铁中的磁力线方向始终是从N极到S极;×57、在电磁感应中,感应电流和感应电动势是同时存在的;没有感应电流,也就没有感应电动势;×58、正弦交流电的周期与角频率的关系是互为倒数;×59、有两个频率和初相位不同的正弦交流电压u1和u2,,若它们的有效值相同,则最大值也相同;√60、电阻两端的交流电压与流过电阻的电流相位相同,在电阻一定时,电流与电压成正比;计算题l.已知一正弦交流电流最大值为 10 A,频率为 50HZ,初相角为 1200;试写出该交流电的表达式; 2.一根导线的电阻为0.2Ω,流过的电流为50 A,试求导线上的电压降;3.一只电压表满量程为 300V,表头通过的最大电流为1mA,试求该电压表的内阻;4.一根铜导线长度为 0.5 m,截面积为 5 mm2,试求其电阻;电阻率为 00188Ω·mm2/m5.已知三只电阻分别为 100Ω、400Ω、1000Ω,试求三只电阻串联后的电阻值;6.如图,已知三只电阻接线如图所示,试求等效电阻;第6题7.如图所示,已知R l=5Ω、R2=10Ω、R3=20Ω,求电路中a、b两端的等效电阻R ab是多少第7题解:ΩΩ答:a、b两端的等效电阻R ab为14Ω。

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2. 正反应主要用于振荡等电路中,负反应主要用于改善放大电路的性能。

3. 负反应虽然使放大器的增益下降,但能提高增益的稳定性,扩展通频带,减小非线性失真,改变放大器的输入、输出电阻。

7. 负反应对输出电阻的影响取决于输出端的反应类型,电压负反应能够减小输出电阻,电流负反应能够增大输出电阻。

9. 将输出信号的一局部或全部通过某种电路引回到输入端的过程称为反应。

11. 负反应对输入电阻的影响取决于输入端的反应类型,串联负反应能够增大输入电阻,并联负反应能够减小输入电阻。

18. 温度升高时,二极管的导通电压减小,反向饱和电流增大。

22. 理想集成运放的开环差模电压增益为∞,差模输入电阻为∞,输出电阻为0,共模抑制比为∞。

24. 某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U1=-9V,U2=-6V,U3,那么电3为基极, 1 为集电极,2为发射极,为PNP 型管。

26. 硅三极管三个电极的电压如下图,那么此三极管工作于放大状态。

29. 对于放大电路,假设无反应网络,称为开环放大电路;假设存在反应网络那么称为闭环放大电路。

31. 射极输出器的主要特点是:电压放大倍数接近于1但小于1〔或 1〕、输入电阻很大、输出电阻很小。

32. 纯洁的具有晶体结构的半导体称为本证半导体,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为杂质半导体。

50. 当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度增大,因而少子漂移而形成的反向电流减小,二极管反向伏安特性曲线下移。

51. 为提高放大电路的输入电阻,应引入交流串联负反应,为提高放大电路的输出电阻,应引入交流电流负反应。

52. 本征半导体掺入微量的五价元素,那么形成N 型半导体,其多子为自由电子,1少子为空穴。

53. 与未加反应时相比,如反应的结果使净输入信号变小,那么为负反应,如反应的结果使净输入信号变大,那么为正反应。

55. 串联负反应在信号源内阻小时反应效果显著;并联负反应在信号源内阻大时反应效果显著。

62. 引入正反应可提高电路的增益,引入负反应可提高电路增益的稳定性。

63. 输入电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响;输出电阻反映了放大电路带负载的能力。

65. PN结正偏是指P区电位高于N区电位。

72. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电,其中空穴带正电,而自由电子带负电。

74. 三极管工作在放大区时,发射结为正向偏置,集电结为反向偏置。

75. 电压负反应能稳定输出电压,电流负反应能稳定输出电流。

76. 在本征半导体中掺入五价元素得N型半导体,掺入三价元素那么得P型半导体。

78. 反应放大电路由根本放大电路和反应网络组成。

82. 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性来实现的。

92. 负反应放大电路中,假设反应信号取样于输出电压,那么引入的是电压反应,假设反应信号取样于输出电流,那么引入的是电流反应;假设反应信号与输入信号以电压方式进行比拟,那么引入的是串联反应,假设反应信号与输入信号以电流方式进行比拟,那么引入的是并联反应。

93. 放大器的静态工作点过高可能引起_饱和_失真,过低那么可能引起_截止_失真。

94. 集成运放的输入级一般采用差动放大电路,用来克服温漂;中间电压放大级多采用共射极电路以提高电压增益;输出级多采用互补对称功率放大电2路,以提高带负载能力。

101. PN结在正偏时导通,反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

102. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中基极电流对集电极电流的控制能力。

那么电极B 为基极, A 为集电极,C为发射极;为PNP 型管;=β50 。

108. 根据反应信号在输出端的取样方式不同,可分为电压反应和电流反应,根据反应信号和输入信号在输入端的比拟方式不同,可分为串联反应和并联反应。

110. 当放大电路要求恒压输入时,其输入电阻应远大于信号源内阻;要求恒流输入时,输入电阻应远小于信号源内阻119. β反映静态时集电极电流与基极电流之比;β反映动态时的电流放大特性122. 硅管的导通电压比锗管的大,反向饱和电流比锗管的小。

125. 直流负反应的作用是稳定静态工作点,交流负反应的作用是提高放大器的动态性能。

一、绪论选择题3.一位十六进制数可以用 C 位二进制数来表示。

A. 1 B. 2 C. 4D. 168.与八进制数(47.3)8等值的数为:ABA. (100111.011)2)16C )16 D. (100111.11)210.与模拟电路相比,数字电路主要的优点有BCD 。

A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、填空题 1.数字信号的特点是在时间上和幅值上都是断续变化的,其高电平和低电平常用1和0 来表示。

341. 分析数字电路的主要工具是 逻辑代数 ,数字电路又称作 逻辑电路 。

在数字电路中,常用的计数制除十进制外,还有 二进制 、 八进制 、 十六进制 。

〔10110010.1011〕2=( 262.54 )8=( )16第二章 逻辑代数根底〔选择、判断共20题〕 一、选择题1. 以下表达式中符合逻辑运算法那么的是 D 。

A.C ·C=C 2B.1+1=10C.0<1D.A+1=13. 当逻辑函数有n 个变量时,共有 D 个变量取值组合? A. n B. 2n C. n 2D. 2n4. 逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是 AD 。

A .真值表B.表达式 C.逻辑图D.卡诺图 5.F=A B +BD+CDE+A D= AC 。

A.D B A + B.D B A )(+ C.))((D B D A ++ D.))((D B D A ++6.逻辑函数F=)(B A A ⊕⊕ = A 。

A.B B.A C.B A ⊕ D. B A ⊕8.A+BC= C 。

A .A+B B.A+C C.〔A+B 〕〔A+C 〕 D.B+C9.在何种输入情况下,“与非〞运算的结果是逻辑0。

DA .全部输入是0 B.任一输入是0 C.仅一输入是0 D.全部输入是110.在何种输入情况下,“或非〞运算的结果是逻辑0。

BCDA .全部输入是0 B.全部输入是1 C.任一输入为0,其他输入为1 D.任一输入为1三、填空题 1. 逻辑代数又称为 布尔 代数。

最根本的逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

常用的几种导出的逻辑运算为 与非 、 或非 、 与或非 、 同或 、 异或 。

2. 逻辑函数的常用表示方法有 逻辑表达式 、 逻辑图 、 真值表 。

3. 逻辑代数中与普通代数相似的定律有 交换律 、结合律 、分配律 。

摩根定律又称为反演律。

4. 逻辑代数的三个重要规那么是代入法那么、反演法那么、对偶法那么。

5.逻辑函数F=A+B+C D的反函数F= A B〔C+D〕。

6.逻辑函数F=A 〔B+C〕·1的对偶函数是A+BC+0 。

7.添加项公式AB+A C+BC=AB+A C的对偶式为〔A+B〕〔A+C〕〔B+C〕=〔A+B〕〔A+C〕。

8.逻辑函数F=A B C D+A+B+C+D= 1 。

9.逻辑函数F=AB+B+=A+ABAB0 。

10.函数的对偶式为B A+BCC+,那么它的原函数为)DBA+•+•+。

DC)((CB第四章集成触发器〔选择、判断共25题〕选择题1.N个触发器可以构成能存放B位二进制数码的存放器。

A.N-1 B.NC.N+1D.2N2.在以下触发器中,有约束条件的是C。

A.主从JK F/FB.主从 D F/FC.同步RS F/FD.边沿 D F/F3.一个触发器可记录一位二进制代码,它有C个稳态。

A.0 B.1 C.2 D.3 4.存储8位二进制信息要 D 个触发器。

A.2 B.3C.4 D.85.对于T触发器,假设原态Q n=0,欲使新态Q n+1=1,应使输入T=BD。

A.0B.1C.Q D.Q6.对于T触发器,假设原态Q n=1,欲使新态Q n+1=1,应使输入T= AD。

A.0 B.1 C.Q D.Q7.对于D触发器,欲使Q n+1=Q n,应使输入D=C。

A.0 B.1C.QD.Q8.对于JK触发器,假设J=K,那么可完成C触发器的逻辑功能。

A.RS B.D C.T D.Tˊ9.欲使JK触发器按Q n+1=Q n工作,可使JK触发器的输入端ABDE。

A.J=K=0B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=0E.J=0,K=Q510.欲使JK触发器按Q n+1=Q n工作,可使JK触发器的输入端ACDE 。

A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=1E.J=1,K=Q11.欲使JK触发器按Q n+1=0工作,可使JK触发器的输入端BCD。

A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=1D.J=0,K=1E.J=K=112.欲使JK触发器按Q n+1=1工作,可使JK触发器的输入端BDE 。

A.J=K=1B.J=1,K=0C.J=K=QD.J=K=0E.J=Q,K=013.欲使D触发器按Q n+1=Q n工作,应使输入D=D。

A.0 B.1 C.QD.Q 14.以下触发器中,克服了空翻现象的有ABD。

A.边沿D触发器B.主从RS触发器C.同步RS触发器D.主从JK触发器15.以下触发器中,没有约束条件的是D。

A.根本RS触发器B.主从RS触发器C.同步RS触发器D.边沿D触发器16.描述触发器的逻辑功能的方法有ABCD。

A.状态转换真值表B.特性方程C.状态转换图D.状态转换卡诺图17.为实现将JK触发器转换为D触发器,应使A。

A.J=D,K=DB. K=D,J=DC.J=K=DD.J=K=D18.边沿式D触发器是一种C稳态电路。

A.无 B.单 C.双 D.多三,判断题〔正确打√,错误的打×〕1. D触发器的特性方程为Q n+1=D,与Q n无关,所以它没有记忆功能。

〔〕2. RS触发器的约束条件RS=0表示不允许出现R=S=1的输入。

〔√〕63.同步触发器存在空翻现象,而边沿触发器和主从触发器克服了空翻。

〔√〕4.主从JK触发器、边沿JK触发器和同步JK触发器的逻辑功能完全相同〔√5.假设要实现一个可暂停的一位二进制计数器,控制信号A=0计数,A=1保持,可选用T触发器,且令T=A。

〔〕6.由两个TTL或非门构成的根本RS触发器,当R=S=0时,触发器的状态为不定。

7.对边沿JK触发器,在CP为高电平期间,当J=K=1时,状态会翻转一次。

1.触发器有 2 个稳态,存储8位二进制信息要8 个触发器。

2.一个根本RS触发器在正常工作时,它的约束条件是R+S=1,那么它不允许输入S= 0 且R= 0 的信号。

3.触发器有两个互补的输出端Q、Q,定义触发器的1状态为Q=1 Q=0,0状态为,可见触发器的状态指的是Q端的状态。

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