材料科学基础第三章典型晶体结构

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材料科学基础试题及答案

材料科学基础试题及答案

第一章 原子排列与晶体结构1. fcc 结构的密排方向是 ,密排面是 ,密排面的堆垛顺序是 ,致密度为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为 ,把原子视为刚性球时,原子的半径r 与点阵常数a 的关系是 ;bcc 结构的密排方向是 ,密排面是 ,致密度为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为 ,原子的半径r 与点阵常数a 的关系是 ;hcp 结构的密排方向是 ,密排面是 ,密排面的堆垛顺序是 ,致密度为 ,配位数是 ,,晶胞中原子数为 ,原子的半径r 与点阵常数a 的关系是 。

2. Al 的点阵常数为0.4049nm ,其结构原子体积是 ,每个晶胞中八面体间隙数为 ,四面体间隙数为 。

3. 纯铁冷却时在912ε 发生同素异晶转变是从 结构转变为 结构,配位数 ,致密度降低 ,晶体体积 ,原子半径发生 。

4. 在面心立方晶胞中画出)(211晶面和]211[晶向,指出﹤110﹥中位于(111)平面上的方向。

在hcp 晶胞的(0001)面上标出)(0121晶面和]0121[晶向。

5. 求]111[和]120[两晶向所决定的晶面。

6 在铅的(100)平面上,1mm 2有多少原子?已知铅为fcc 面心立方结构,其原子半径R=0.175×10-6mm 。

第二章 合金相结构一、 填空1) 随着溶质浓度的增大,单相固溶体合金的强度 ,塑性 ,导电性 ,形成间隙固溶体时,固溶体的点阵常数 。

2) 影响置换固溶体溶解度大小的主要因素是(1) ;(2) ;(3) ;(4) 和环境因素。

3) 置换式固溶体的不均匀性主要表现为 和 。

4) 按照溶质原子进入溶剂点阵的位置区分,固溶体可分为 和 。

5) 无序固溶体转变为有序固溶体时,合金性能变化的一般规律是强度和硬度 ,塑性 ,导电性 。

6)间隙固溶体是 ,间隙化合物是 。

二、 问答1、 分析氢,氮,碳,硼在α-Fe 和γ-Fe 中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固溶度大小。

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离.
按 缺
例:空位、间隙原子、杂质原子等
陷 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离.

例:位错等
几 何
面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱.

例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等
1、 固溶体的分类
(1) 按杂质原子的位置分: 置换型固溶体—杂质原子进入晶格中正常结点位置而取代基
质中的原子。例MgO-CoO形成Mg1-xCoxO固溶体。 间隙型固溶体—杂质原子进入晶格中的间隙位置。
有时俩
(2)按杂质原子的固溶度x分: 无限(连续)固溶体—溶质和溶剂任意比例固溶(x=0~1)。
多相系统
均一单相系统
Compounds AmBn
原子间相互反应生成
均一单相系统
结构
各自有各自的结构
A structure
structure
+ B structure
结构与基质相同 A structure
结构既不同于A也不同于B New structure
化学计量 A/B
不定
固溶比例不定
m:n 整数比或接近整数比的一定范围内
四、固溶体Solid solution(杂质缺陷)
1、固溶体的分类 2、置换型固溶体 3、间隙型固溶体 4、形成固溶体后对晶体性质的影响 5、固溶体的研究方法
①固溶体:含有外来杂质原子的单一均匀的晶态固体。 例:MgO晶体中含有FeO杂质 → Mg1-xFexO
基质 溶剂 主晶相
杂质 溶质 掺杂剂
萤石CaF2(F-空位)

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

材料科学基础-第3章

材料科学基础-第3章

三、金属化合物
❖ 2 电子化合物(电子相)
❖ 电子化合物不遵守原子价规律,但其晶体结构与电子浓度(即价电子数目与 原子数目之比,用N价表示)有一定的对应关系。
❖ ① 当N价=21/14时,形成体心立方结构的β相,例如CuZn, Cu3Al等等;
❖ ② 当N价=21/13时,形成复杂立方结构的γ相,例如Cu5Zn8, Cu31Sn8等等;
二、固溶体
间隙固溶体
置换固溶体
二、 固溶体
3、 置换固溶体 (1)置换固溶体:溶质原子位于晶格点阵位置的固溶体。 (2)影响置换固溶体溶解度的因素 a 原子尺寸因素
原子尺寸差越小,越易形成置换固溶体,且溶解度越大。 △r=(rA-rB)/rA
当△r<15%时,有利于大量互溶。
Байду номын сангаас
二、 固溶体
b 晶体结构因素 结构相同,溶解度大,有可能形成无限固溶体。
② 间隙化合物
间隙化合物具有复杂晶体结构, 其熔点、硬度高(比间隙相低,也较易 分解)。例如Fe3C、Cr23C6等等。
三、 金属化合物
4 相的分类
合金中的相按结构可分为: 固溶体和金属化合物 。
固溶体:晶体结构与其某一组元相同的相。 金属化合物:组元之间形成的新相,
其结构不同于任何组元。
二、固溶体
➢合金组元通过溶解形成一种成分和性能均匀的、 且结构与组元之一相同的固相称为固溶体。 ➢与固溶体晶格相同的组元为溶剂,一般在合金中 含量较多;另一组元为溶质,含量较少。 ➢ 固溶体用α、β、γ等符号表示。A、B组元组 成的固溶体也可表示为A(B), 其中A为溶剂, B为溶 质。例如铜锌合金中锌溶入铜中形成的固溶体一般 用α表示, 亦可表示为Cu(Zn)。

典型晶体结构课件

典型晶体结构课件
球体模型可用于表示简单的立方晶体结构,如氯化钠晶体, 也可用于表示复杂的结构如石英晶体。
空间群模型
空间群模型是一种更为精确的 表示方法,它考虑了晶体内部 结构的对称性和微观对称性。
空间群模型可以分为7个晶系, 包括简单立方、体心立方、面
心立方等。
空间群模型可以表示出晶体的 完整结构,包括原子排列、晶
格常数、对称性等。
晶格常数
晶格常数是晶体结构的基本参数之一,表示晶体中原子或分子间的距离。 不同晶体的晶格常数不同,反映了它们的结构差异。
通过测量晶格常数可以确定晶体的种类和性质。
04
晶体的物理性质
光学性质
折射率
晶体对不同频率的光具有不同 的折射率,光在晶体中传播时
会产生折射现象。
双折射
一些晶体在通过不同方向入射的 光线会产生不同的折射角,形成 两条折射光线。
结构特点
石英晶体中,每个硅原子与四个氧原子成键,每个氧原子与两个硅原子成键 ,形成了一个具有网状结构的共价晶体。
金刚石晶体结构
共价晶体
金刚石晶体属于共价晶体,由碳原子以共价键交替排列组成。
结构特点
金刚石晶体中,每个碳原子与四个碳原子成键,形成了一个具有三维网状结构的 共价晶体,具有高硬度和高光学透明度。
材料性能预测
晶体结构可以预测材料的性能, 如强度、韧性、硬度、热稳定性 等,有助于材料性能的优化和新 型材料的开发。
材料合成和制备
通过研究晶体结构,可以确定材料 的合成和制备方法,从而控制材料 的成分、结构和性质。
研究晶体结构对生物的意义
要点一
生物大分子结构
要点二
药物设计和筛选
晶体结构可以解析生物大分子如蛋白 质、核酸、糖类的结构,对于理解生 物过程和疾病治疗具有重要意义。

材料科学基础第三章

材料科学基础第三章

注意: 阵点可以是原子或分子的中心, 也可以是彼此等同 阵点可以是原子或分子的中心,
的原子群或分子群的中心, 的原子群或分子群的中心 ,但 各个阵点的周围环境必须相 同。
4
空间点阵: 空间点阵:阵点在三维空间呈周期性规则排列所组成 的阵列。(阵点是构成空间点阵的基本要素) 的阵列。 阵点是构成空间点阵的基本要素) 晶格(空间格子) 为了便于描述空间点阵的图形, 晶格(空间格子):为了便于描述空间点阵的图形, 可用许多平行的直线把所有阵点连接起来, 可用许多平行的直线把所有阵点连接起来 , 构成一个 三维的几何格架, 称为晶格或空间格子 。 ( 可以形象 三维的几何格架 , 称为晶格或空间格子。 描述空间点阵的几何形状,实质仍是空间点阵) 描述空间点阵的几何形状,实质仍是空间点阵) 晶胞:能够代表晶格中原子排列特征的最小单元体。 晶胞:能够代表晶格中原子排列特征的最小单元体。 (将晶胞作三维的重复堆砌就构成了空间点阵) 将晶胞作三维的重复堆砌就构成了空间点阵)
c/a值的范围:1.568(铍, 值的范围: 值的范围 ( Be)~ 1.886(镉,Cd) )~ ( )
21
22
3.3.3 晶胞中的原子数 fcc: n = 8 × 1 (顶角) 6 × 1 2 : 8 + (面心)= 4 bcc: n = 8 × 1 8 : (顶角) 1(体心) = 2 + hcp: hcp:n = 12 × 1 6 (顶角) 2 × 1 2 + (面心) (中心)=6 +3
5
c
β
a γ
α b
空间点阵、 空间点阵、晶胞
6
3.2.2 晶

晶胞通常是平行六面体。 晶胞通常是平行六面体。 选取晶胞的原则: 选取晶胞的原则: a. 几何形状与晶体具有同样的对称性; 几何形状与晶体具有同样的对称性; b. 平行六面体内相等的棱和角的数目最多; 平行六面体内相等的棱和角的数目最多; c. 当平行六面体棱间夹角存在直角时,直角数目 当平行六面体棱间夹角存在直角时, 应最多; 应最多; d. 在满足上述条件下,晶胞应具有最小的体积。 在满足上述条件下,晶胞应具有最小的体积。

材料科学基础第三章

材料科学基础第三章

• ΔGB=Lm(1-T/Tm)=LmΔT/Tm
(3-6)
• ΔGB与ΔT呈线性关系。ΔT=0时, ΔGB=0
• 两相之间的自由能差值是两相间发生相变 的驱动力。没有这个驱动力就没有相变发 生。所以凝固一定在低于熔点时进行。过 冷度越大,相变驱动力越大,凝固速度越 快。
• 3.2.2 金属结晶的结构条件 • 液态金属的结构模型: • 1) 微晶无序模型:近程有序,类似微晶;
• 受材料热导率的限制,用增大过冷度的办 法来细化晶粒度工艺只对小型和薄型铸件 有效。
• (2) 固体杂质结构的影响:在相同过冷度下, 非均匀形核的临界曲率半径与均匀形核的 临界晶核半径相同(式3-10,3-21)。
• 但非均匀形核所需晶胚体积和表面积随润 湿角θ的减小而减小。θ角越小,晶胚成核 越小,相同界面上的形核数越多。因此θ是 影响非均匀形核的一个重要因素。
(3-6)
• 所以:rk=2σ Tm /Lm/ΔΤ
(3-11)
• 此式表明:临界晶核半径与过冷度ΔΤ成反
比。过冷度越大,临界晶核半径越小。
• 在铸造生产中,一般通过快速冷却的办法 提高过冷度,以减小临界晶核半径,提高 单位体积内的成核率,达到细化晶核的目 的。
• 3.3.1.3 形核功:当rk<r<r0时,晶胚长大会 使系统自由能降低,但体积自由能的降低 还不能完全补偿表面自由能的增加(ΔG>0, 系统自由能仍在增加,只是增速减缓),此 时需要外界提供一部分能量来保证晶核稳 定生长,这一部分由外界提供的能量称为 形核功。
• 晶核界面积为:
• A1=2πr2(1-cosθ) (球冠上界面) (3-18) • A2=2πr2(1-cos2θ) (球冠下界面) (3-19) • 由以上关系得:

材料科学基础第三章典型晶体结构

材料科学基础第三章典型晶体结构

材料科学基础第三章典型晶体结构晶体是由原子、离子或分子组成的周期性排列的固体结构。

它们的结构对于材料的性质和应用影响深远。

本章将介绍一些典型的晶体结构,包括金属晶体结构、离子晶体结构和共价晶体结构。

金属晶体是由金属原子组成的。

金属晶体结构可以用球状原子模型来描述。

金属原子可以看作是球形的,它们通过共享电子形成金属键。

金属晶体中的原子排列成规律的三维结构。

最简单的金属晶体结构是体心立方结构和面心立方结构。

体心立方结构中,每个原子位于一个正方体的体心位置,而面心立方结构中,每个原子位于一个正方体的顶点和中心位置。

这两种结构有着较高的密度和较强的力学性能。

离子晶体是由阴离子和阳离子组成的。

它们的结构可以用离子球模型来描述。

在离子晶体中,阴离子和阳离子以静电引力相互吸引,并形成离子键。

离子晶体的结构可以是简单立方结构、体心立方结构或面心立方结构。

简单立方结构中,离子只在顶点处相互接触;体心立方结构中,每个离子位于正方体的顶点和体心位置;面心立方结构中,每个离子位于正方体的顶点、体心和面心位置。

离子晶体通常具有较高的熔点和硬度,且易于形成晶体缺陷。

共价晶体是由非金属原子组成的。

共价晶体的结构可以用化学键模型来描述。

共价键是由原子间的共享电子形成的。

共价晶体通常由原子通过共价键相互连接而成。

最简单的共价晶体结构是简单立方结构和面心立方结构。

简单立方结构中,每个原子通过共价键与六个邻近原子相连;面心立方结构中,每个原子通过共价键与六个邻近原子相连,并且每个原子还与另外三个与之共面的原子形成三键。

共价晶体通常具有较高的硬度和熔点,且具有较强的化学惰性。

在材料科学中,典型晶体结构对于探索材料性质和设计材料应用至关重要。

不同的晶体结构决定了材料的物理性质、化学稳定性和机械性能。

通过研究晶体结构,科学家们可以为特定应用设计和制造材料,以满足不同领域的需求。

总之,本章介绍了一些典型的晶体结构,包括金属晶体结构、离子晶体结构和共价晶体结构。

晶体结构

晶体结构

山东大学材料科学基础
S2-: 0 0 0; 0 ½ ½; ½ 0 ½; ½ ½ 0 Zn2+: ¼ ¼ ¾; ¼ ¾ ¼; ¾ ¼ ¼; ¾ ¾ ¾
结构型式 离 子 堆 积 描 述 化学组成比 n+/n负离子堆积方式 正负离子配位数比CN+/CN正离子所占空隙种类 正离子所占空隙分数 立方ZnS型 1:1 立方最密堆积 4:4 正四面体 1/2
钙钛矿型结构中离子间关系如下: 设A位离子半径为rA,B位离子半径为rB,O2-半径为 ro, rA+ro=√2(rB+ro) 但是,实际测定发现,A、B离子半径有一定的变 动范围,可表示为: 2rA+2ro=t √2(rB+ro) 式中,t为容忍因子, t=0.77∽1.10
山东大学材料科学基础
A与B离子的电价不限于2价和4价,任意一对阳 离子半径适合于配位条件,且其原子价之和为6, 则它们可能取这种结构。 钙钛矿型化合物化学计量比可以是A2+B4+O3(如 BaTiO3和PbZrO3)或是A3+B3+O3(如LaGaO ,LaAlO ); 也可以A1+B5+O3(如KNbO ,NaWO )或A1+B2+O3(KNiF ); 混合形式如Pb(Mg Nb )O 和Pb(Sc Ta )O 也是可能的。
山东大学材料科学基础
Ti Ba
四方BaTiO3结构中离子的位置,Ti离子向上位移
山东大学材料科学基础
从立方到四方转变温度称为居里点。 对于纯BaTiO3居里点为130℃。除BaTiO3外,许多晶体 都有自发极化,大多数铁电体结构都有氧八面体,氧八 面体空隙越大,其中金属离子半径越小、电荷越大,则 晶体就越容易发生自发极化。 在钙钛矿化合物中,居里点转变温度变化很大。如 PbTiO3,较大的Pb2+取代Ba2+,Ti4+的八面体环境更为不 安定,立方-四方转变温度是490℃;而SrTiO3居里点 只有-55℃。这可以解释成,Sr2+比Ba2+小,使得氧八 面体也小,可以将Ti稳定在体心位置。实际上,居里点 可以在一个很宽的范围连续的变化,通过在BaTiO3和 PbTiO3(提高Tc)或SrTiO3(降低Tc)之间形成固溶体。

3-4晶体结构与缺陷

3-4晶体结构与缺陷

稳定晶格作用
形成固溶体能阻止某系晶型转变的发生,起到稳 定晶格的作用,例:
水泥熟料中β-C2S(水化活性)→γ -C2S(无活性) → β-C2S+P2O5/Cr2O3形成固溶体,阻止转变 ZrO2 : 高 温 立 方 结 构 ( 萤 石 结 构 ) 中 存 在 大 量 “ 空 洞”,为离子扩散提供扩散通道。 但是:立方 ↔ 四方 ↔ 单斜,常温失去立方结构 → ZrO2+CaO/Y2O3,稳定成立方相,快离子导体
rSi 4+ = 0.026nm, rAl 3+ = 0.039nm
组分缺陷
组分缺陷:当发生不等价的置换时,必然产生组 分缺陷,即产生空位或进入空隙 影响缺陷浓度因素:取决于掺杂量(溶质数量)和 固溶度。其固溶度仅百分之几。
例如: (1) 产生阳离子空位
MgAl2O4 • '' Al2 O3 ⎯⎯⎯⎯ 2 AlMg + VMg + 3Oo →
离子类型相同,容易形成连续固溶体
化学键
化学键性质相近,容易形成连续固溶体
(4)离子的电价影响
离子价相同或离子价总和相等时才能生成 连续置换型固溶体
钠长石Na[AlSi3O8]→钙长石Ca[Al2Si2O8], 离子 电价总和为+5价 Na + + Si 4+ ↔ Ca 2+ + Al 3+ 复合钙钛矿型压电陶瓷材料(ABO3型)中 B位取代 A位取代
固溶体与类质同晶
类质同晶:物质结晶时,其晶体结构中本应由某 种离子或原子占有的配位位置,一部分被介质中 性质相似的它种离子或原子占有,共同结晶成均 匀的呈单一相的混合晶体,但不引起键性或晶体 结构型式发生质变的现象称为类质同晶。 矿物学中,固溶体=类质同晶 严格地说:类质同晶=置换型固溶体

材料科学基础名词解释

材料科学基础名词解释
面族:在晶体中所有等效的面。
密排六方结构(HCP):有6个原子在上下面的角隅上,每个原子为6个单胞所共有,1个原子在上下基面的中心,为2个单胞所共有,有3个原子在中间面上的晶体结构。
最高密度面:任一晶系中具有最大面密度的晶面。
间隙:晶体中原子周围存在的空间,最低限度由最邻近四个原子或离子所确定的原子间区域。
各向同性:若晶体的性质和测量方向无关,则称晶体是各向同入原子或离子就形成晶体。
点阵常数:单胞的棱长称为点阵常数。
阵点:单胞的顶角点称为阵点。
线密度:在晶体方向单位长度上有原子中心的数目。ρL=在一个单胞内沿方向上原子中心的数目/包含在一个单胞内线的长度
密勒指数:用以描述晶体点阵系统中指定的点、方向和面的惯用约定和记号。
八面体位置:连接六个相同原子的多面体可以用来描述间隙位置的集合结构,在这种情况下,它有8个面,因而这些间隙称为八面体间隙。
面密度:在晶体学面单位面积上的原子或离子中心的数目。ρP=在一个单胞内中心原子一个 面上的原子数目/包含在一个单胞中的面的面积。
多晶体:指的是原子在整个晶体中不是按统一的规则排列的,无一定的外形,其物理性质在各个方向都相同。
第三章晶体结构
各向异性:若晶体的性质和测量方向有关,则称晶体是各向异性的。
原子堆垛因子:在晶体结构中原子占据的体积与可利用的总体积的比率定义为原子堆垛因子。
APF=在单胞中原子体积/单胞体积
体心立方(BCC):立方体单胞的每一个角隅和中心放入一个原子。
密排方向:满足线密度为最高线密度(1/2r)的方向。
密排面:满足面密度为最高面密度(1/( r2))的晶面,沿这个方向原子间相互接触。
密堆结构:体密度为1/( r3)的晶体结构称为密堆结构,在其中每个原子与六个近邻。

材料科学基础复习.

材料科学基础复习.


第三章 典型金属晶体结构
基本参数
点阵常数
fcc
2 R a 4
bcc
3 R a 4
1/ 8 8 1 2
hcp
R 1 a 2
晶胞内原子数 1 / 8 8 1 / 2 6 4 配位数 致密度 最近原子间距
12 0.74 8
1 / 6 12 1 / 2 2 3 6
材料科学基础复习
2019/4/14
第一章 原子结构与键合
◆ 原子的电子结构 核外电子排布规律:能量最低原理、泡利( Pauli )不 相容原理、洪德( Hund )法则。 要求: 熟悉且能写出一般 元素的核外电子排布式。如C、O、N、Na、Mg、Al等。 ◆ 原子间的键合
物理键:范德华力、氢键
主要依靠原子间的偶极吸引力结合 化学键:金属键、离子键、共价键(极性和非极性)
2
2
2
2019/4/14
第四章 晶体缺陷
例:
b1 a[100]
a b 2 [101] 2
b1 a
a b2 2
1 0 0 a
1
2
2
2
2
0
2
1
2

2 a 2
a b 2 [101] 2
b1 a[100]
第四章 晶体缺陷

根据位错理论的提出背景,当位错受到力的作用时,会 发生运动。

扩散的热力学理论
第五章 固体材料中的扩散
诱发原因:
1)弹性应力场的作用:应力梯度抵消了浓度梯度。 2)电场、磁场的作用:电场、磁场对带电粒子的运动产生影响。
3)晶界内吸附作用:溶质原子向晶界偏聚。
4)调 幅 分 解:典型的化学位梯度与浓度梯度方向相反。

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解
表示 ,模的大小表示该晶向上原子间的距离。
b a u2 v2 w2 n
六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
同一晶体中,柏氏矢量愈大,表明该位错导致点阵畸变愈 严重,它所在处的能量也愈高。
3.2.3 位错的运动
基本形式:滑移和攀移
滑移(slip):三种位错的滑移过程 攀移(climb):在垂直于滑移面方向上运动,
第三章 晶体缺陷
晶体缺陷分类及特征(几何形态、相对于晶体的尺寸、影响范围) :
1. 点缺陷:特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小,尺寸
范围约为一个或几个原子尺度,包括空位、间隙原子、杂质 和溶质原子。
2. 线缺陷:特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上
很大,如各类位错。
3. 面缺陷:特征是在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上
晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面 称为晶界。
亚晶界:每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的 亚晶粒所组成,相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。
确定晶界位置方法: (1)两晶粒的位向差θ (2)晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ。
晶界分类(按θ的大小): 小角度晶界θ<10º 大角度晶界θ>10º
(3)刃型位错标记 正刃型位错用“⊥”表示,负刃型位错用“┬”表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
表面能(γ):产生单位面积新表面所做的功。 表示法:①γ= dw/ds ②γ= T/L (N/m) ③γ= [被割断的结合键数/形成单位新表面]×[能量/每个键] 影响γ的因素: (1)晶体表面原子排列的致密程度。 (2)晶体表面曲率。 (3)外部介质的性质。 (4)晶体性质。

武汉理工大学考研材料科学基础重点 第3章-晶体结构缺陷

武汉理工大学考研材料科学基础重点 第3章-晶体结构缺陷

第二章晶体结构缺陷缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。

理想晶体:质点严格按照空间点阵排列的晶体。

实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。

本章主要内容:2.1 晶体结构缺陷的类型2.2 点缺陷2.3 线缺陷2.4 面缺陷2.5 固溶体2.6 非化学计量化合物⏹ 2.1 晶体结构缺陷的类型分类方式:几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷等形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、电荷缺陷和辐照缺陷等●一、按缺陷的几何形态分类1. 点缺陷(零维缺陷)缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。

包括:空位:正常结点没有被质点占据,成为空结点间隙质点:质点进入正常晶格的间隙位置,成为间隙质点错位原子或离子杂质质点:指外来质点进入正常结点位置或晶格间隙,形成杂质缺陷双空位等复合体点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。

2. 线缺陷(一维缺陷)位错指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短,如各种位错。

线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。

3.面缺陷面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上很小。

如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。

面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。

4.体缺陷体缺陷亦称为三维缺陷,是指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。

如第二相粒子团、空位团等。

体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。

●二、按缺陷产生的原因分类1. 热缺陷定义:热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。

类型:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。

弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置,其特征是空位和间隙质点成对出现。

肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置,在晶体表面形成新的一层,同时在晶体内部留下空位。

福州大学材料科学基础课件三、常见无机化合物晶体结构

福州大学材料科学基础课件三、常见无机化合物晶体结构
(1)对称性:点群,L44L25PC,空间群 , P42/mnm。 (2)晶族晶系和晶胞常数: 由于高次轴只有 一个L4,属于中级晶族,四方晶系, a=b=0.459nm,c=0.296nm,α=β=γ=900。 (3)空间格子:属于四方原始格子。 (4)质点的空间坐标:Ti4+:0 0 0, ½ ½½ ;O2-:u u 0,(1-u) (1-u) 0,(½ +u) (½ u) ½ ,(½ -u) (½ +u) ½ ,其中u=1/3
2. CsCl型结构
(7)晶体的键型:CsCl属于离子键化 合物,晶体是配位型的离子晶体。 (8)一个晶胞占有正负离子的数目: -离子数目: 8×1/8 = 1, Cl Cs+离子数目: 1×1 = 1, 一个晶胞占有1个CsCl (Z=1)。
2. CsCl型结构
(9)堆积系数: K = V/V0 = V/a3 a = 2 3 /3(r+ + r-) K =( 4/3r+3n+ + 4/3r-3n- )/ a3 n+ =n- =1, r+=0.174nm,r-= 0.181nm, (10)同型结构的化合物:CsBr, CsI,TlCl,NH4Cl等。
3. -ZnS(闪锌矿)型结构
(5)正负离子堆积情况:以S2-作面心立方紧 密堆积,形成n个八面体空隙和2n个四面体空隙, Zn2+离子是填入1/2的四面体空隙中,剩余1/2四 面体空隙和全部八面体空隙未被正离子占据(空 着) 。 (6)离子的配位数: r+ / r- 在0.414 ~ 0.732 之间,理道上Zn+离子配位数为6,但实际是4, 这是由于离子极化结果,使正负离子之间距离缩 短,配位数降低的原因。根据化学式S2-的配位数 也为4。
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晶体结构的描述通常有三种方法:
1)坐标法:给出单位晶胞中各质点的空间坐标,这
种采用数值化方式描述晶体结构是最规范化的。为了
方便表示晶胞,还可以采用投影图,即所有的质点在 某个晶面(001)上的投影。 2)球体紧密堆积法:与坐标法相比,以球体堆积的 方法来描述晶体结构,则相对直观,有助于理解。
3)配位多面体及连接方式法:适用于结构比较复杂
Cl
Na
等同点的分布:
NaCl型结构可以想象
为2套等同点构成的fcc点
阵互相穿插,每套等同点
由一种离子构成,每套等
同点占据另一套等同点的
八面体间隙位置。
思考题:为什么晶胞 中原子数不同都属于 一个空间格子?
表示方法:
Cl
Na
球体紧密堆积法
坐标法或投影图
配位多面体及其连接方式:
钠离子的配位数为6,构成 了Na-Cl八面体。NaCl结 构就是由Na-Cl八面体共 棱的方式相连而成的。 NaCl型结构在三维方向上键力分布比较均匀,因此 其结构无明显解理(晶体沿某个晶面劈裂的现象称
如方解石CaCO3和菱镁矿MgCO3共生成白云石[(Ca,Mg)CO3]。
2.
NaCl 型结构(AB type)
点群: 等轴晶系; 空间群符号: 晶胞分子数(正负离子个数)
Cl Na
Z为
正负离子配位数:
Cl
Na
堆积及间隙情况: • 以体积较大的Cl-作立方紧密堆积 • Na+如何填充? • 空隙如何分布?
同质多晶: 化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下
生成不同的晶体结构的现象,称为同质多晶现象。当
外界条件改变时,各变体之间就要发生结构转变,称
为同质多晶转变。 类质同晶: 在晶体结构中,原有原子或离子被其性质相似的 离子或原子代替,但是并没有引起键性、晶体结构的
变化,把这种现象称为类质同晶现象。
75 0,100
与金刚石晶胞的对比 ,有什么不同?
同型结构的晶体β-SiC,GaAs,AlP 等
5、-ZnS(纤锌矿)型结构 (AB type)
六方晶系,简单六方格子
配位数: 晶胞中正负离子个数 堆积及空隙情况
同型结构的晶体:BeO, ZnO, AlN等
S
1 8
等同点:
4套等同点。这种结构 可想象为Zn及S各自构成密
温度变化,结果在与晶体 C轴平行方向的一端出现正 电荷,在相反的一端出现负电荷的性质。晶体的热释 电性与晶体内部的自发极化有关。实际上,这种晶体 在常温常压下就存在自发极化,只是这种效应被附着
于晶体表面的自由表面电荷所掩盖,只有当晶体加热
时才表现出来,故得其名。热释电晶体可以用来作红 外探测器。
小 结
1. 2. 3. 4.
同结构类型的物质:人工合成六方氮化硼
石墨的结构特征: C 原子成层 状排列,每一层中 C 原子排列 成六方环状,每个 C 原子与周 围 3个 C原子成共价键结合,层 中 C原子的距离为 0.142nm,层 与层之间依靠分子键结合,层 间距为0.335nm。
思考:为什么介于 C-C单键和C=C双 键之间?
• 实际上,由于离子极化的结果, r+/r- 值下降, 配位数和键性都发生了变化

Zn2+的配位数为 4 ,结构类型与理论预期的
结构不同 • 充分体现了极化性能对晶体结构的影响。
6. CaF2(萤石)型结构
(AB2 type)
点群: 立方晶系;面心立方格子 空间群: 配位数: 晶胞中正负离子个数
堆积及空隙分布:
等同点分布:
共有2套等同点。这种 结构可以看作是Zn离子处
在由S离子组成的面心立方
点阵的4个四面体间隙中, 即有一半四面体间隙被占 据,上层和下层的Zn离子 的位置交叉错开。
表示方法:球体堆积法;坐标法;投影图;配位多面体
连接方式
0,100
50
0,100
75 50 25 0,100 50
25 0,100 50
萤石结构的解理性:在﹛111﹜面上存在着相互毗邻的同号负离 子层,因静电斥力导致晶体平行于﹛111﹜方向发生解理,故萤
石常呈八面体解理。
常见萤石型结构的晶体是一些四价离子M4+的氧化物MO2,如ThO2, CeO2,UO2,ZrO2(变形较大)等。 立方ZrO2属萤石型结构:常被用作测氧传感器探头、固体氧化物燃
C60分子图
应用:
据报道,对C60分子进行掺杂,使C60分子在其 笼内或笼外俘获其它原子或基团,形成类C60的衍
生物,例如C60F60。再如,把K、Cs、Ti等金属原
子掺进C60分子的笼内,就能使其具有超导性能。
再有C60H60这些相对分子质量很大地碳氢化合物
热值极高,可做火箭的燃料等等。
2)碳纳米管
2800℃左右,是碱性耐火材料镁砖中的主要晶相。
例3-2. 以氯化钠为例,说明它的结构符合Pauling规则。
(r Na+ =0.102nm, rcl- =0.181nm)
答:NaCl的结构如图,这是一个以面心立方点阵为基础的结构,
Cl-离子占据点阵的结点,Na+离子则位于其八面体空隙中。现 在来验证这个结构是否符合Pauling规则。由正负离子半径比 rNa+/rcl- ≈0.54, 在0.414-0.732区间,由Pauling规则可知,负离 子多面体应为八面体。显然,这是符合图示的结构的,因为Na+ 离子正是位于Cl-离子的八面体间隙中。 另外,再按第二规则来确定Cl-离子的配位数CN- 。S=1/6, Z-=1, CN-=6,即每个Cl-离子同时与6个Na+离子形成离子键。 这也符合NaCl的结构特点。
思考:氯化 钠中晶体常 数与离子半 径的关系?
讨论:CsCL是一个离子化合物,对这类计算,应使用
离子半径而不能使用原子半径。
4. -ZnS(闪锌矿)型结构 (AB type)
点群:
空间群: 配位数: 晶胞中正负离子个数Z:
堆积及间隙情况: • • • 以体积较大的S2-作立方紧密堆积 Zn2+如何填充? 空隙如何分布?
Hale Waihona Puke 晶胞在(001)面的投影图
标出A、B、C的坐标?
晶胞中由几套等同点?
在坐标为 000 和坐标为 1/4 1/4 3/4 的原子的环境是不同的, 它们不能独立抽象为一类等同 点,这是两类等同点。最后, 它的布拉维格子仍为面心立方 格子。 这种结构可以看成是由 2 个面 心立方布拉维格子穿插而成: 这 2 个面心立方格子(图中的 灰色和红色点)沿体对角线相 对位移动a/4<111>。
第三章 金属与无机 材料的结构
材料科学基础
3.3.2 典型晶体的结构
目的:学习无机材料中一些典型的晶体结构和硅 酸盐晶体结构,同时探讨晶体的化学组成、晶体的结
构以及它们与性能的关系。
不同的晶体物质具有不同的密度、硬度、颜色、 光泽等等性质,除了与物质的化学成分有关外,另一 个重要因素就是具有不同的晶体结构,即晶体结构中 质点的排列方式(位置,相互间的间距等)不同。
3) 金刚石型结构
晶系: 基本格子: 空间群国际符号: 晶胞个中原子数:
球体堆积模型
结构特点:不能形成封闭的分 子,只能构成三维空间无限延 伸的大分子。
金刚石的晶胞图
Z
坐标法
0,100
投影图
50 0,100
A
75 50 25 0,100
B
50
Y X
0,100
25 50
75
C
0,100
金刚石的晶胞图
并且堆积方式也类似于fcc点阵,…AA’BB’CC’AA’BB’CC’……。
虽然金刚石结构属于fcc的结构, 但它的堆积致密度却很低,只 有0.34。最近邻原子中心距离是 a[111]/4,所以原子半径 一个晶胞有8个原子,故结构的 致密度η为:
与金刚石属于同一种类型结构的物质: 硅、锗、灰锡、人工合成立方氮化硼等。 性能及用途: 硬度、熔点高; 导热性好; 半导体性能。 因此,金刚石常被用作高硬切割材料和磨料以及钻 井用钻头、集成电路中散热片和高温半导体材料。
的晶体,如硅酸盐晶体结构,对于结构简单的晶体, 反而不一定适合。
1、单质碳的晶体结构
1)富勒烯 富勒烯是碳的一类空间有限 的笼状结构的总称,也称为球碳。 如C60、C70、C84…..C240等。 C60分子是以什么样的结构而 能稳定呢?Kroto等认为C60是由 60个碳原子组成的球形32面体, 即由12个五边形和20个六边形组 成,只有这样C60分子才不存在 悬键。
1 2
3 8
排六方格子,这两个格子
个沿 c 轴错开 3c/8 。即每个
120
点阵占据另一点阵的四面
体间隙位置。它仍为六方
: S (O) : Zn
原始格子。
纤锌矿结构与热释电性及声电效应:
某些纤锌矿型结构,由于其结构中无对称中心存
在,使得晶体具有热释电性,可产生声电效应。热释
电性是指某些像六方 ZnS晶体,由于加热使整个晶体
• CsCl和NaCl是典型的离子晶体 • 符合Pauling规则。
• ZnS晶体不是完全离子键,向共价键过渡 • Zn2+18个外层电子,极化力高,S2-极化率较高
• 较明显的离子极化,改变了正、负离子之间的
距离和键性 • 但尚未引起晶体结构类型的根本改变。
• ZnO晶体结构中Zn2+的配位数应该为6,本应 属于NaCl型结构。
为解理),破碎后颗粒呈现多面体形状。
类似于NaCl型晶体结构的晶体较多,只是晶胞
参数不同而已。
常见的NaCl型晶体都是碱土金属氧化物和过渡
金属的二价氧化物。化学式可写为MO,其中M2+是 二价金属离子,结构中M2+和O2-分别占据了NaCl中 钠离子和氯离子的位置。这些氧化物有很高的熔点, 尤其是MgO(矿物名称方镁石),其熔点高达
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