材料科学基础第三章典型晶体结构

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无机材料科学基础 第3章 晶体结构与晶体中的缺陷

无机材料科学基础 第3章 晶体结构与晶体中的缺陷
无机材料科学基础(二)
第3章 晶体结构与晶体中的缺陷 Chapter 3 Crystal Structure & Crystal Defects
安徽建筑工业学院无机非金属材料教研室 Construction
Materials
§3.1 §3.2
典型晶体结构类型 硅酸盐晶体结构 晶体结构缺陷
Construction Materials
3、NaCl型结构
晶体结构为立方晶系、立方面心格子。 配位数都为6 ,Z=4
Cl—:000 , 1/21/20 , 1/201/2,01/21/2 Na+ : 1/21/21/2 , 001/2,1/200,01/20,
C1—离子按立方紧 密堆积和Na+ 离子处于 全部八面体空隙之中。
Construction Materials
这种方法描述晶体结构是最规范的,但对于复 杂的晶体结构此法不方便,往往采用投影图。如图 (b)是立方ZnS晶胞的投影图,相当于(a)图的 俯视图。
图中数字为标高,是以投影方向的棱长为100 (或1,或1000),则0为晶胞底面位置,50为晶胞 Construction 的1/2标高,25和75分别是晶胞的1/4和3/4标高。 Materials
Construction Materials
CaTiO3(钙钛矿)型结构
Construction Materials

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节
C`e=Aexp[-Ei/KT] Ei>Ev,所以C`e<Ce,点缺陷主要是空位。 ( △F)e=NkTln[N/(N+ne)] <0 所以点缺陷是热力学稳定的晶体缺陷。
点缺陷
三、点缺陷的运动和作用 1、运动 空位周围原子的热振动引起原空位的消失和新空
位的产生。 空位消失:遇到间隙原子发生复合,或运动到位
1010~1012cm-2
第三章 晶体结构缺陷
第三节 位错的运动
位错的运动
位错运动产生晶体的范性变形,运动的难 易程度关系到晶体的强度。 运动形式:滑移和攀移 一、作用在位错上的力 位错的运动方向总是垂直于位错线。 由虚功原理导出作用在位错的假想作用力。 W1=(τLds)b,W1=Fds 由上两式推出:F=τLb,Fd=τb=F/L
第三章 晶体结构缺陷
理想晶体:绝对规则排列 实际晶体:某些区域不规则排列——晶体缺陷 缺陷类型:
(1)点缺陷:1个或几个原子间距——零维缺 陷,空位、间隙原子、置换原子等。
(2)线缺陷:一维方向上尺寸较大——一维缺 陷,位错。
(3)面缺陷:两维方向性上尺寸较大——二维 缺陷,晶体表面、晶界、相界和堆垛层错等。
1939年,Burgers,J.M.提出
柏氏矢量:形成位错的滑移矢量,
既晶体一侧的质点相对另一侧质
点的位移,用 b表示。
位错强度: b
1、 b 的确定

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)
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VK

2ClCl
KCl

练习: 1、少量TiO2添加到Al2O3晶格内(降低烧结温度) 2、少量Y2O3添加到ZrO2中(晶型稳定剂) 3、少量CaO加入到ZrO2晶格内(晶型稳定剂) 4、少量ZrO2加入到Al2O3晶格内(相变增韧)
1、少量TiO2添加到Al2O3晶格内
以正离子为基准
2TiO
解:以C正a离C子l2为基准K,Cl缺陷反C应a方K程式V为K: 2C阴l离C子l 填隙
CaCl2
KCl
Ca
K

ClCl

Cli
以负C离a子C为l基2准,K缺C陷l反应C方a程i式 为:2V阳K离子空2位ClCl
CaCl2
2 KCl
Ca
K
① MX2型晶体肖特基缺陷浓度的计算 CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为:
O VC'a' 2VF.
又[VF. ] 2[VC''a ], 则平衡常数 K [VC'a' ][VF. ]2 4[VCa'' ]3
[O]
[O]
G=-RTlnK
又[O]=1,

[VCa' '
]

1 34
T:绝对温度
n exp( G f )

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷((上)

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思考题P78:
为什么CaF2比NaCl容易形成弗仑克尔缺陷?据其 晶体结构简要解释。
2、热缺陷浓度的计算
n
缺陷数目
N
总格点数
(1)热力学统计物理的方法P76
G H TS,
自 由G能n 最小0原理
G 0 n
思考题
单质晶体的肖特基缺陷缺陷浓度:
1ev=1.6x10-19
例:MgO-NiO 有限(不连续)固溶体—杂质原子的固溶度x有限。
例:MgO-CaO
基思考题:间隙型固溶体能否形成连续固溶?
Cu-Ni置换固溶体
Fe-C间隙固溶体
2、置换型固溶体
(1) 影响置换型固溶体中固溶度x的因素
原子或离子半径:
3、少量CaO加入到ZrO2晶格内
以正离子为基准
CaO
Zr O2
Ca
,, Zr
O0
VO..
以负离子为基准
2CaO
Zr O2
Ca
,, Zr
Cai..
2O0
4、少量ZrO2 加入到Al2O3晶格内
以正离子为基准
2ZrO 2 Al2 O3 2ZrA. l 3O0 Oi''
⑥缔合中心——电性相反的缺陷距离接近到一定程度时,在库仑力作用下会 缔合成一组或一群,产生一个缔合中心, VM和VX发生缔合,记为VMVX)。

材料科学基础 第3章

材料科学基础 第3章
3
K BCC
K HCP
说明:fcc和hcp的CN和K均相同,说明两种晶体结 构中原子排列的紧密程度相同。并且两者的CN和K 均高于bcc,说明fcc和hcp比bcc致密。一般把fcc 和hcp称为密排结构,把bcc称为非密排结构。
34
35
3.4 密勒指数

晶面:点阵中阵点组成的面,表示原子面。 晶向:点阵中阵点的连线,表示原子列的方向。 用晶面指数和晶向指数来确定和区分不同的
一种空间点阵(图(d))。 不同的晶体结构可以归属于同一种空间点阵,每 种空间点阵可以形成无限多的晶体结构。
空间点阵 + 基元 = 晶体结构
15
3.3 每个阵点只有一个原子的晶体及六方晶体
工业上常用的金属不下三、四十种,除少
数金属具有较复杂的晶体结构外,绝大多数金
属均为比较简单的高对称性晶体结构,它们是 面心立方(A1,fcc) 体心立方(A2,bcc)
4ra ra
2a 2a 4
29

bcc
<111>晶向(体对角线方向)的原子彼此相切,
排列最紧密。
4ra
ra
3a
3a 4
30

hcp
当c/a=1.633时,所有相邻原子都彼此相
切,排列紧密。此时2ra = a, ra = a/2。
当c/a≠1.633时,

材料科学基础-第3章

材料科学基础-第3章

3)间隙相和间隙化合物
由过渡族金属元素与原子半径较小的非金属元素氢、氮、 碳、硼等所形成。
① 间隙相
间隙相是简单晶格的间隙化合物,如图所示为钒与碳形 成的间隙相结构。
A 间隙相中元素的比例是简单的化学式:M4X、M2X、MX、 MX2,并与晶格类型有一定的对应关系。
B 间隙相有明显的金属特性,极高熔点和硬度,例如TiC、VC、 ZrC、TaC、NbC等等。
金属元素溶入金属晶体的间隙。 (2)影响因素:原子半径和溶剂结构。 (3)溶解度:一般都很小,只能形成有限固溶
体。
二、固溶体
5、 固溶体的性能 无论置换固溶体,还是间隙固溶体,由于溶质原 子的存在都会使晶格发生畸变,使其性能不同于 原纯金属。
二、固溶体
6、 固溶体的性能
当溶质元素的含量极少时,固溶体的性能与溶剂金属基本 相同。随溶质含量的升高,固溶体的性能将发生明显改变,其 一般情况下,强度、硬度逐渐升高,而塑性、韧性有所下降, 电阻率升高,导电性逐渐下降等。
4 相的分类
合金中的相按结构可分为: 固溶体和金属化合物 。
固溶体:晶体结构与其某一组元相同的相。 金属化合物:组元之间形成的新相,
其结构不同于任何组元。
二、固溶体
➢合金组元通过溶解形成一种成分和性能均匀的、 且结构与组元之一相同的固相称为固溶体。 ➢与固溶体晶格相同的组元为溶剂,一般在合金中 含量较多;另一组元为溶质,含量较少。 ➢ 固溶体用α、β、γ等符号表示。A、B组元组 成的固溶体也可表示为A(B), 其中A为溶剂, B为溶 质。例如铜锌合金中锌溶入铜中形成的固溶体一般 用α表示, 亦可表示为Cu(Zn)。

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷(下)

3_《材料科学基础》第三章_晶体结构缺陷(下)

一、固体的表面
1、固体的表面力场 2、固体的表面状态 3、固体的表面能
1、固体的表面力场
晶体中每个质点周围都存在着一个力场,在 晶体内部,质点力场是对称的。但在固体表面, 质点排列的周期重复性中断,使处于表面边界上 的质点力场对称性破坏,表现出剩余的键力。
2、固体的表面状态(结构、几何形态)
松弛
b.半共格晶界:晶面间距比较小的一个相发生应变,在界面 位错线附近发生局部晶格畸变。
c.非共格晶界:界面两侧结构相差很大且与相邻晶体间有畸 变的原子排列。
失配度
C2 C1 C1
薄膜的外延生长
♣亚晶界--- 亚晶粒之间的界面
亚晶粒:一个晶粒中若干个位向稍有差异的部分。 亚晶界:相邻亚晶粒之 间的界面。位相差一般小于2º。
根据分界面两侧物质聚集状态(气、液、固)的不同,存在着 固—固、固—液、固—气、液—液、液—气等五种情况。
固体的表面:固体—气体之间的分界面 固体的界面:
固体—固体之间的分界面。(界面行为:粘附) 固体—液体之间的分界面。(界面行为:润湿与粘附) ♣晶界:多晶体中晶粒之间的接触界面。
R 2E C
式中, R为断裂强度,C为微裂纹长度, E为弹性模量,α是 表面自由能。
3、固体的表面能
表面张力:作用于表面单位长度上与表面相切的力,单位是 N/m。 表面能:将表面增大一个单位面积所需要作的功称为比表面能, 简称表面能,单位为 J/m2 ,简化后为N/m。

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

位错的基本概念
线缺陷:在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),
另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其 具体形式就是晶体中的位错Dislocation
一、位错的原子模型
将晶体的上半部分向左移动一个原子间距,再按原子的 结合方式连接起来(右图)。除分界线附近的一管形区域例外, 其他部分基本都是完好的晶体。在分界线的上方将多出半个 原子面,这就是刃型位错。
第一节 材料的实际晶体结构
一、多晶体结构
多晶体: 实际应用的工程材料 中,哪怕是一块尺寸很小 材料,绝大多数包含着许 许多多的小晶体,每个小 晶体的内部,晶格位向是 均匀一致的,而各个小晶 体之间,彼此的位向却不 相同。这种由多个小晶体 组成的晶体结构称之为 “多晶体”。
第一节 材料的实际晶体结构
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。

材料科学基础 第三章

材料科学基础  第三章

第三章 金属与陶瓷的结构

一、学习目的

材料的结构问题需分层次认识,第一层次是原子核外电子的排布即电子组态和电子构型;第二层次是原子与原子之间的排列位置与相互作用即晶体结构;第三层次是晶相、玻璃相的分布、大小、形状等即显微结构。固态物质按照原子间(或分子)的聚集状态可以分为晶体和非晶体,在金属与陶瓷中,这两种状态都存在,并且以晶体为主。在掌握了原子结构与化学键基础上,学习晶体结构基础知识,掌握固体中原子与原子之间的排列关系,对认识和理解材料性能至关重要。

二、本章主要内容

在结晶性固体中,材料的许多性能依赖于内部原子的排列,因此,必须掌握晶体特征和描述方法。本章从微观层次出发,介绍了金属、陶瓷材料的结构特点,介绍了结晶学的基础知识。主要内容包括:

1、 晶体和晶胞

晶体:是原子、离子或分子按照一定的空间结构排列所组成的固体,其质点在空间的分布具有周期性和对称性。

晶胞:是从晶体结构中取出的能够反映晶体周期性和对程性的重复单元。

2、 金属的晶体结构

金属原子之间靠金属键结合形成的晶体为金属晶体。金属晶体的三种类型和特征为:

面心立方晶体:晶胞中八个角上各有一个原子,六个面中心各有一个原子,角上的原子为临近8个晶胞所共有,每个面中心原子为2个晶胞所共有。晶胞的原子数为4。晶胞长度a (晶胞参数a=b=c )与原子半径R 之间的关系为:

2a =晶胞中原子堆积系数(晶胞中原子体积与晶胞体积的比值)APF=0.74. 体心立方晶体:晶胞中八个角上各有一个原子,晶胞的中心有一个原子,角上的原子为临近8个晶胞所共有,所以,体心立方晶胞中的原子数为2。晶胞长度a (晶胞参数a=b=c )与原子半径R 之间的关系为:

3-4晶体结构与缺陷

3-4晶体结构与缺陷

Fe2O3固溶到FeO中,CaCl2固溶到KCl中类似 CaO固溶到ZrO2中,化学式: Zr1-xCaxO2-x
ZrO2 ⋅⋅ CaO ⎯⎯⎯ CaZr + VO + OO → ''
(5)电负性
电负性相近,有利于固溶体的生成,电负性差别 大,倾向于生成化合物。 Darkon认为电负性差 < ± 0.4 的,一般具有很大的 固溶度,是固溶溶解度大小的一条边界。 相比之下离子半径差<15%的规律更重要!因为离 子半径相对差>15%的系统中,90%以上是不能生 成SS的。
MgAl2O4 • '' Al2 O3 ⎯⎯⎯⎯ 2 AlMg + VMg + 3Oo →
Al2O3写成尖晶石形式:Al2/3Al2O4 富铝尖晶石: [Mg1-x(VMg)x/3Al2x/3]Al2O4
电价影响例2
MgCl2固溶到LiCl中,化学式:Li1-2xMgxO
LiCl ⋅ ' MgCl 2 ⎯⎯⎯ Mg Li + VLi + 2ClCl →
3 5 Pb ( Fe1/+2 Nb1/+2 ) O3 → PbZrO3
Fe3+ + Nb5+ ↔ 2 Zr 4+
( Na
+ 1/ 2
Bi
3+ 1/ 2

材料科学基础 第三章

材料科学基础 第三章

材 料 学 院
二、柏氏矢量
山 东 科 技 大 学
材 料 学 院
图 刃型位错柏氏矢量的确定
二、柏氏矢量
山 东 科 技 大 学
材 料 学 院
二、柏氏矢量
山 东 科 技 大 学
螺型位错柏氏矢量的确定: b与位错线正向平行---右螺旋位错 b与位错线反向平行---左螺旋位错
材 料 学 院
二、柏氏矢量
山 东 科 技 大 学
三、点缺陷的运动
空位、间隙原子的迁移 空位与间隙原子的复合 原子的自扩散
材 料 学 院
(a)原来位置 (b)中间位置 (c)迁移后位置
空位从位置A迁移到B
点缺陷( §3.1 点缺陷(Point defect) )
山 四、点缺陷与材料行为 东 原因:无论那种点缺陷的存在,都会使其附近的原子稍微偏离原结点 科 位置才能平衡,即造成小区域的晶格畸变。 技 大 1.提高材料的电阻:定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力(陷阱), 学 增加了阻力,加速运动提高局部温度(发热)。
材 料 学 院
位错( §3.2 位错( Dislocation )
山 一、位错的基本类型和特征 东 科 1.刃型位错(edge dislocation 1.刃型位错 刃型位错( 技 ) 刃型位错的产生 1) 大 学
材 料 学 院
一、位错的基本类型和特征

材料科学基础第三章

材料科学基础第三章
• 当温度高于Tm时,GL<GS,固态自动熔化 为液态;当温度低于Tm时,GL>GS,液态 自动转化为固态。
• 单位体积自由能变量ΔGB与过冷度变量ΔT 的关系:
• ΔGB=GL-GS=(HL-HS)-T(SL-SS) • H因L此-H:S=SLLm-(S熔S=化Lm潜/T热m); T=Tm时, ΔGB=0。 • 当 为T常<数Tm,时则,:因为SL-SS的变化很小,可视
• 液态金属在达到某一过冷度之前基本不形 核,而在有效过冷度ΔΤP时形核率骤增。
• 金属的晶体结构简单,容易结晶。在达到 很大过冷度前已结晶完毕,无曲线后半部。
• 通常液态金属是不纯的。凝固总是从杂质 表面开始,所需要的过冷度很低,称非均 匀形核。将液态金属碎裂成直径10至50μm 的小液滴,则凝固按均匀成核方式进行。 纯金属均匀形核的有效过冷度为 ΔΤp0.2Tm(绝对温度)。
• 形核功一般靠系统自身的能量起伏来供给。
• 在过冷液相中,形成具有rk~r0范围的晶胚 所需形核功是不同的,临界晶核形核功最
大,称为临界形核功。
• A=ΔGmax=σS/3
(3-12)
• 此式表明:均匀形核时,临界形核功等于
临界晶核表面能的1/3。或者说形成临界晶
核时需从液相的能量起伏中获得三分之一
• 3.1.2.2 过冷现象与过冷度:实际开始结晶 温度Tn低于理论结晶温度Tm的现象叫过冷。 两者之差ΔT=Tm-Tn叫过冷度。

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解

材料科学基础第3-4章小结及习题课讲解

3.1.3 点缺陷对结构和性能的影响
点缺陷引起晶格畸变,能量升高,结构不稳定,易发 生转变。
点缺陷的存在会引起性能的变化: (1)物理性质、如比热容、电阻率、扩散系数、介电常 数等; (2)力学性能:采用高温急冷(如淬火),大量的冷变形, 高能粒子辐照等方法可获得过饱和点缺陷,如使σS提 高; (3)影响固态相变,化学热处理等。
刃型分量be 螺型分量bs
用矢量图解法表示位错:数量积、向量积等
5. 柏氏矢量表示法:
与晶向指数相似,只不过晶向指数没有“大小”的概 念,而柏氏矢量必须在晶向指数的基础上把矢量的模也表 示出来,因此柏氏矢量的大小和方向要用它在各个晶轴上 的分量,即点阵矢量a,b和c来表示。
立方晶系中 b=(a/n)[uvw] ,其大小成为位错强度,用模
(3)刃型位错标记 正刃型位错用“⊥”表示,负刃型位错用“┬”表示;其
正负只是相对而言。
(4)刃型位错特征: ① 有一额外的半原子面,分正和负刃型位错;
② 可理解为是已滑移区与未滑移区的边界线,可是直线也 可是折线和曲线,但它们必与滑移方向和滑移矢量垂直;
③ 只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移平面上滑移; ④ 位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变,也有正应变;
实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小。只有刃 型位错才能发生攀移
交割(cross/interaction)和扭折(kink)

材料科学基础第三章典型晶体结构

材料科学基础第三章典型晶体结构

3) 金刚石型结构
晶系: 基本格子:
空间群国际符号: 晶胞个中原子数:
球体堆积模型
结构特点:不能形成封闭的分 子,只能构成三维空间无限延 伸的大分子。
金刚石的晶胞图
Z 坐标法
0,100
投影图
50
0,100
X 金刚石的晶胞图
标出A、B、C的坐标?
A
75 50
25
B
0,100 50
Y
25
75
0,100
小结
• CsCl和NaCl是典型的离子晶体 • 符合Pauling规则。
• ZnS晶体不是完全离子键,向共价键过渡 • Zn2+18个外层电子,极化力高,S2-极化率较高 • 较明显的离子极化,改变了正、负离子之间的 距离和键性 • 但尚未引起晶体结构类型的根本改变。
• ZnO晶体结构中Zn2+的配位数应该为6,本应 属于NaCl型结构。 • 实际上,由于离子极化的结果,r+/r-值下降, 配位数和键性都发生了变化 • Zn2+的配位数为4,结构类型与理论预期的 结构不同 • 充分体现了极化性能对晶体结构的影响。
4. -ZnS(闪锌矿)型结构 (AB type) 点群:
空间群:
配位数: 晶胞中正负离子个数Z:
堆积及间隙情况:
• 以体积较大的S2-作立方紧密堆积 • Zn2+如何填充? • 空隙如何分布?

《无机非金属材料科学基础》第3章 晶体结构

《无机非金属材料科学基础》第3章 晶体结构
0.414~0.225
实例(右边数据为 r+/r-比值) CsCl 0.91 CsBr 0.84 CsI 0.75 KF 1.00 SrO 0.96 BaO 0.96 RbF 0.89 RbCl 0.82 BaS 0.82 CaO 0.80 CsF 0.80 PbBr 0.76 BaSe 0.75 NaF 0.74 KCl 0.73 SrS 0.73 RbI 0.68 KBr 0.68 BaTe 0.68 SrSe 0.66 CaS 0.62 KI 0.61 SrTe 0.60 MgO 0.59 LiF 0.59 CaSe 0.56 NaCl 0.54 NaBr 0.50 CaTe 0.50 MgS 0.49 NaI 0.44 LiCl 0.43 MgSe 0.41 LiBr 0.40 LiF 0.35 MgTe 0.37 BeO 0.26 BeS 0.20 BeSe 0.18 BeTe 0.17
2. 三方A型稀土结构
A型稀土氧化物的典型代表为La2O3,属于三方晶 系,正离子配位数为7,如图所示。该结构可认为是由 C型结构的正离子尺寸增大,再经畸变而形成7配位的 结构。
3. B型稀土结构
B型稀土化合物典型代表为Sm2O3,正离子配位 数为7,但属于单斜晶系,是对称性较低的复杂结构。
4. C型稀土化合物结构
2.CsCl型结构
3.立方ZnS型结构
闪锌矿属于立方晶系,点群3m,空间群F3m,其结构与 金刚石结构相似,如下图所示。

材料科学基础晶体结构

材料科学基础晶体结构

(一)金属键(Metallic Bond)——金属晶体 典型金属 金属键没有饱和性和方向性,故形成的金属晶体结构大多为具
有高对称性的紧密排列。
利用金属键可以解释金属的导电性、导热性、金属光泽以及正的 电阻温度系数等一系列特性。
金属变形时,由金属键结合的原子可变换相对位置,因而金 属具有良好的延性
(四)分子键(范德瓦尔键-Van der Waals Bond,氢键)——分子晶体 分子键是以弱静电吸引的方式使分子或原子团连接在—起的。
聚氯乙烯的变形
原子半径较小,非金属性很强的 原子X,(N、O、F)与H原子 形成强极性共价键,与另一个分 子中的半径较小,非金属性很强 的原子Y (N、O、F),在分子 间H与Y产生较强的静电吸引, 形成氢键
晶胞内原子数: 2
密排面、密排方向: {110} <111>
配位数:
8
致密度:
68%
4 多晶型性
在周期表中,大约有 40多种元素具有两种 或两种以上的晶体结 构,即具有同素异晶 性,或称多晶型性。
三、晶体结构中的间隙 1.面心立方结构中的间隙
八面体间隙
体心及各棱边中点
rB rA
四面体间隙(Tetrahedral Interstice) 体对角线1/4及3/4处
材料科学基础晶体结构
2.1 基础知识 2.1.1 原子结构 (自学) 2.1.2 能级图和原子的电子结构 (自学) 2.1.3 周期表与周期性 (自学)
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料电池中的电解质材料等,被称作固体快离子导体,就是因为ZrO2
晶体中具有氧离子扩散传导的机制。
反萤石型结构 :在萤石型结构中正、负离子位置全部互换,并
没有改变结构形式,只是正、负离子位置对调。如Na2O 结构-性能关系:CaF2熔点较低,用作助熔剂/作晶核剂。 质点 间键力较NaCl强 硬度稍高(莫氏4级),熔点1410C,在水
温度变化,结果在与晶体 C轴平行方向的一端出现正 电荷,在相反的一端出现负电荷的性质。晶体的热释 电性与晶体内部的自发极化有关。实际上,这种晶体 在常温常压下就存在自发极化,只是这种效应被附着
于晶体表面的自由表面电荷所掩盖,只有当晶体加热
时才表现出来,故得其名。热释电晶体可以用来作红 外探测器。
小 结
1. 2. 3. 4.
同结构类型的物质:人工合成六方氮化硼
石墨的结构特征: C 原子成层 状排列,每一层中 C 原子排列 成六方环状,每个 C 原子与周 围 3个 C原子成共价键结合,层 中 C原子的距离为 0.142nm,层 与层之间依靠分子键结合,层 间距为0.335nm。
思考:为什么介于 C-C单键和C=C双 键之间?
1 2
3 8
排六方格子,这两个格子
个沿 c 轴错开 3c/8 。即每个
120
点阵占据另一点阵的四面
体间隙位置。它仍为六方
: S (O) : Zn
原始格子。
纤锌矿结构与热释电性及声电效应:
某些纤锌矿型结构,由于其结构中无对称中心存
在,使得晶体具有热释电性,可产生声电效应。热释
电性是指某些像六方 ZnS晶体,由于加热使整个晶体
• CsCl和NaCl是典型的离子晶体 • 符合Pauling规则。
• ZnS晶体不是完全离子键,向共价键过渡 • Zn2+18个外层电子,极化力高,S2-极化率较高
• 较明显的离子极化,改变了正、负离子之间的
距离和键性 • 但尚未引起晶体结构类型的根本改变。
• ZnO晶体结构中Zn2+的配位数应该为6,本应 属于NaCl型结构。
晶体结构的描述通常有三种方法:
1)坐标法:给出单位晶胞中各质点的空间坐标,这
种采用数值化方式描述晶体结构是最规范化的。为了
方便表示晶胞,还可以采用投影图,即所有的质点在 某个晶面(001)上的投影。 2)球体紧密堆积法:与坐标法相比,以球体堆积的 方法来描述晶体结构,则相对直观,有助于理解。
3)配位多面体及连接方式法:适用于结构比较复杂
• 实际上,由于离子极化的结果, r+/r- 值下降, 配位数和键性都发生了变化

Zn2+的配位数为 4 ,结构类型与理论预期的
结构不同 • 充分体现了极化性能对晶体结构的影响。
6. CaF2(萤石)型结构
(AB2 type)
点群: 立方晶系;面心立方格子 空间群: 配位数: 晶胞中正负离子个数
堆积及空隙分布:
如方解石CaCO3和菱镁矿MgCO3共生成白云石[(Ca,Mg)CO3]。
2.
NaCl 型结构(AB type)
点群: 等轴晶系; 空间群符号: 晶胞分子数(正负离子个数)
Cl Na
Z为
正负离子配位数:
Cl
Na
堆积及间隙情况: • 以体积较大的Cl-作立方紧密堆积 • Na+如何填充? • 空隙如何分布?
为解理),破碎后颗粒呈现多面体形状。
类似于NaCl型晶体结构的晶体较多,只是晶胞
参数不同而已。
常见的NaCl型晶体都是碱土金属氧化物和过渡
金属的二价氧化物。化学式可写为MO,其中M2+是 二价金属离子,结构中M2+和O2-分别占据了NaCl中 钠离子和氯离子的位置。这些氧化物有很高的熔点, 尤其是MgO(矿物名称方镁石),其熔点高达
75 0,100
与金刚石晶胞的对比 ,有什么不同?
同型结构的晶体β-SiC,GaAs,AlP 等
5、-ZnS(纤锌矿)型结构 (AB type)
六方晶系,简单六方格子
配位数: 晶胞中正负离子个数 堆积及空隙情况
同型结构的晶体:BeO, ZnO, AlN等
S
1 8
等同点:
4套等同点。这种结构 可想象为Zn及S各自构成密
的晶体,如硅酸盐晶体结构,对于结构简单的晶体, 反而不一定适合。
1、单质碳的晶体结构
1)富勒烯 富勒烯是碳的一类空间有限 的笼状结构的总称,也称为球碳。 如C60、C70、C84…..C240等。 C60分子是以什么样的结构而 能稳定呢?Kroto等认为C60是由 60个碳原子组成的球形32面体, 即由12个五边形和20个六边形组 成,只有这样C60分子才不存在 悬键。
立方金刚石: 绝大多数天然和人工合成得到的。
六方金刚石: 介稳的晶体,已在陨石中找到,也可将石墨加 压到13GPa,温度超过4000K时制得。
对比结构,有什么不同?
4)石墨型结构
六方晶系
六方原始格子
石墨晶体结构(虚线范围为单位晶胞)
晶胞中有几个原子?

在晶胞不同位置的原子由不同数目 的晶胞分享: 顶角原子 1/8 棱上原子 1/4 面上原子 1/2 晶胞内部 1
C60分子图
应用:
据报道,对C60分子进行掺杂,使C60分子在其 笼内或笼外俘获其它原子或基团,形成类C60的衍
生物,例如C60F60。再如,把K、Cs、Ti等金属原
子掺进C60分子的笼内,就能使其具有超导性能。
再有C60H60这些相对分子质量很大地碳氢化合物
热值极高,可做火箭的燃料等等。
2)碳纳米管
晶胞在(001)面的投影图
标出A、B、C的坐标?
晶胞中由几套等同点?
在坐标为 000 和坐标为 1/4 1/4 3/4 的原子的环境是不同的, 它们不能独立抽象为一类等同 点,这是两类等同点。最后, 它的布拉维格子仍为面心立方 格子。 这种结构可以看成是由 2 个面 心立方布拉维格子穿插而成: 这 2 个面心立方格子(图中的 灰色和红色点)沿体对角线相 对位移动a/4<111>。
3) 金刚石型结构
晶系: 基本格子: 空间群国际符号: 晶胞个中原子数:
球体堆积模型
结构特点:不能形成封闭的分 子,只能构成三维空间无限延 伸的大分子。
金刚石的晶胞图
Z
坐标法
0,100
投影图
50 0,100
A
75 50 25 0,100
B
50
Y X
0,100
25 50
75
C
0,100
金刚石的晶胞图
2800℃左右,是碱性耐火材料镁砖中的主要晶相。
例3-2. 以氯化钠为例,说明它的结构符合Pauling规则。
(r Na+ =0.102nm, rcl- =0.181nm)
答:NaCl的结构如图,这是一个以面心立方点阵为基础的结构,
Cl-离子占据点阵的结点,Na+离子则位于其八面体空隙中。现 在来验证这个结构是否符合Pauling规则。由正负离子半径比 rNa+/rcl- ≈0.54, 在0.414-0.732区间,由Pauling规则可知,负离 子多面体应为八面体。显然,这是符合图示的结构的,因为Na+ 离子正是位于Cl-离子的八面体间隙中。 另外,再按第二规则来确定Cl-离子的配位数CN- 。S=1/6, Z-=1, CN-=6,即每个Cl-离子同时与6个Na+离子形成离子键。 这也符合NaCl的结构特点。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
等同点分布:
共有2套等同点。这种 结构可以看作是Zn离子处
在由S离子组成的面心立方
点阵的4个四面体间隙中, 即有一半四面体间隙被占 据,上层和下层的Zn离子 的位置交叉错开。
表示方法:球体堆积法;坐标法;投影图;配位多面体
连接方式
0,100
50
0,100
75 50 25 0,100 50
25 0,100 50
石墨的许多物理性质与晶体结构密切相关,性能 具有鲜明的各向异性: 1 、层间作用力较弱,层间易于滑动,层平行的方向 有完整的解离性,所以很软,是良好的固体润滑剂, 是制作铅笔的好材料;是石墨形成多种多样的石墨夹 层化合物的内部结构根源。 2、碳原子有4个外层电子,在层内只有3个电子参与成 键,多余一个电子可以在层内移动,类似于金属中的 自由电子(类金属键) ,所以在平行于碳原子层的方 向有很好的导电性质 ,具有金属光泽。优良的导电性, 是制作电极的良好材料。
思考:氯化 钠中晶体常 数与离子半 径的关系?
讨论:CsCL是一个离子化合物,对这类计算,应使用
离子半径而不能使用原子半径。
4. -ZnS(闪锌矿)型结构 (AB type)
点群:
空间群: 配位数: 晶胞中正负离子个数Z:
堆积及间隙情况: • • • 以体积较大的S2-作立方紧密堆积 Zn2+如何填充? 空隙如何分布?
第三章 金属与无机 材料的结构
材料科学基础
3.3.2 典型晶体的结构
目的:学习无机材料中一些典型的晶体结构和硅 酸盐晶体结构,同时探讨晶体的化学组成、晶体的结
构以及它们与性能的关系。
不同的晶体物质具有不同的密度、硬度、颜色、 光泽等等性质,除了与物质的化学成分有关外,另一 个重要因素就是具有不同的晶体结构,即晶体结构中 质点的排列方式(位置,相互间的间距等)不同。
并且堆积方式也类似于fcc点阵,…AA’BB’CC’AA’BB’CC’……。
虽然金刚石结构属于fcc的结构, 但它的堆积致密度却很低,只 有0.34。最近邻原子中心距离是 a[111]/4,所以原子半径 一个晶胞有8个原子,故结构的 致密度η为:
与金刚石属于同一种类型结构的物质: 硅、锗、灰锡、人工合成立方氮化硼等。 性能及用途: 硬度、熔点高; 导热性好; 半导体性能。 因此,金刚石常被用作高硬切割材料和磨料以及钻 井用钻头、集成电路中散热片和高温半导体材料。
Cl
Na
3. CsCl型结构(AB type)
点群: 等轴晶系; 空间群符号: 晶胞中分子数: 结构特点 同型结构的晶体:CsBr, CsI, NH4Cl等
Cs + Cl
<111>晶向方向相切
等同点: 配位数:
例3-3. 铯与氯的离子半径分别为0.167nm, 0.181nm , 试求其 和η? 已知:Cs,Cl的相对原子质量分别是 132.90543,35.5
CaF2晶体结构
结构特点: • 8个F-之间形成“空洞”,结构比较开放

• •
形成负离子填隙
负离子扩散 萤石型结构负离子填隙和扩散是主要机

等同点:
共有三套等同点。这种结构可以看作是两套F离 子处在由Ca离子组成的面心立方格子的四面体间隙 中。
表示方法:球体堆积法;坐标法;投影图;配位多面体相 连的方法。
Cl
Na
等同点的分布:
NaCl型结构可以想象
为2套等同点构成的fcc点
阵互相穿插,每套等同点
由一种离子构成,每套等
同点占据另一套等同点的
八面体间隙位置。
思考题:为什么晶胞 中原子数不同都属于 一个空间格子?
表示方法:
Cl
Na
球体紧密堆积法
坐标法或投影图
配位多面体及其连接方式:
钠离子的配位数为6,构成 了Na-Cl八面体。NaCl结 构就是由Na-Cl八面体共 棱的方式相连而成的。 NaCl型结构在三维方向上键力分布比较均匀,因此 其结构无明显解理(晶体沿某个晶面劈裂的现象称
萤石结构的解理性:在﹛111﹜面上存在着相互毗邻的同号负离 子层,因静电斥力导致晶体平行于﹛111﹜方向发生解理,故萤
石常呈八面体解理。
常见萤石型结构的晶体是一些四价离子M4+的氧化物MO2,如ThO2, CeO2,UO2,ZrO2(变形较大)等。 立方ZrO2属萤石型结构:常被用作测氧传感器探头、固体氧化物燃
同质多晶: 化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下
生成不同的晶体结构的现象,称为同质多晶现象。当
外界条件改变时,各变体之间就要发生结构转变,称
为同质多晶转变。 类质同晶: 在晶体结构中,原有原子或离子被其性质相似的 离子或原子代替,但是并没有引起键性、晶体结构的
变化,把这种现象称为类质同晶现象。
碳纳米管又称纳米碳管 ( Carbon nanotube , CNT ), 是单质碳的一维结构形式。碳 纳米管按照石墨烯片的层数分 类可分为:单壁碳纳米管 ( Single-walled nanotubes, SWNTs ) 和 多 壁 碳 纳 米 管 ( Multi-walled nanotubes, MWNTs)。
单壁碳纳米管的结构示意图
力学性能 : 由于碳纳米 管中碳原子采取 SP2 杂 化,相比SP3杂化, SP2 杂化中 S 轨道成分比较 大,使碳纳米管具有高 模量、高强度。
传热性能 : 碳纳米管具有良好的传热性能, CNTs 具 有非常大的长径比,因而其沿着长度方向的热交换 性能很高,相对的其垂直方向的热交换性能较低, 通过合适的取向,碳纳米管可以合成高各向异性的 热传导材料。
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