LED 晶片简介

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LED晶片认识

研磨（减薄、抛光）
去腊清洗、库房
正面涂胶保护（P面）
化学抛光
去胶清洗
腐蚀
清洗
蒸镀（P面）
清洗
蒸镀（N面）
LED 工艺
黄光室涂胶
涂胶前先涂光阻附着液
光罩作业
显影、定影
腐蚀金、铍
去胶清洗
合金
蒸镀钛、铝（P面）
涂胶
套刻
显影、定影
腐蚀铝、钛
去胶清洗
切割工序
客户要求较高的
半切点测全切
中游成品
客
一刀切
户要求
LED晶片按照组成成分的不同，可以分为二元（GaP、GaAS）、三元（GaAlP、 GaAsP）、四元晶片（InGaAlP）和氮化物晶片
按晶片发光颜色（波长）：红外线、红、橙、黄、绿、蓝、紫全波段
按尺寸大小分：6mil、8mil、9mil、10mil、 12mil、13mil、14mil、15mil、20mil、28mil、 40mil、6X8mil、10X12mil等等
潘述栋
LED（light emitting Diode）应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称
为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。
LED制程主要可分为三个阶段：前段、中段、后段（也称：上游、中游、下游。专业术语则为：材料生长，芯片制备和器件封装。）
前段主要是外延片衬底以及外延层的生长
中段主要包括：研磨、蒸镀、光刻、切割等过程
后段则是根据不同的需要把做好的LED封装成各种各样的形式

LED 晶片基础知识扫盲

LED 晶片基础知识扫盲一.晶片的作用: 晶片為LED 的主要原材料,LED 主要依靠晶片來發光.二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Ｓi)這几种元素中的若干种組成. 三.晶片的分類 1.按發光亮度分: A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等. B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等 C.超高亮度: UG﹑UY﹑UR﹑UY S﹑URF﹑UE等 D.不可見光(紅外線):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR E. 紅外線接收管:PT F.光電管: PD 2.按組成元素分: A. 二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等 B.三元晶片（磷﹑鎵﹑砷）:SR﹑HR﹑UR等 C.四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UY S﹑UE﹑HE、UG 等四.晶片特性表(詳見下表介紹)晶片型號發光顏色組成元素波長(nm) 晶片型號發光顏色組成元素波長(nm)SBI 藍色lnGaN/sic 430 HY 超亮黃色AlGalnP595SBK 較亮藍色lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色GaAsP/GaP610DBK 較亮藍色GaunN/Gan470 HE 超亮桔色AlGalnP 620SGL 青綠色lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色AlGalnP 620DGL 較亮青綠色LnGaN/GaN505 URF 最亮紅色AlGalnP 630DGM 較亮青綠色lnGaN 523 E 桔色GaAsP/GaP635PG 純綠GaP 555 R 紅色GAaAsP 655SG 標准綠GaP 560 SR 較亮紅色GaA/AS 660G 綠色GaP 565 HR 超亮紅色GaAlAs 660VG 較亮綠色GaP 565 UR 最亮紅色GaAlAs 660UG 最亮綠色AIGalnP 574 H 高紅GaP 697Y 黃色GaAsP/GaP585 HIR 紅外線GaAlAs 850VY 較亮黃色GaAsP/GaP585 SIR 紅外線GaAlAs 880UYS最亮黃色AlGalnP 587 VIR 紅外線GaAlAs 940UY 最亮黃色AlGalnP 595 IR紅外線GaAs 940tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。

LED简介

LED目录LED概述LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。

LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。

半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。

但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。

当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。

而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。

LED历史50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。

LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。

发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为P-N结。

在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。

PN结施加反向电压时，少数载流子难以注入，故不发光。

这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。

当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。

最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。

以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。

LED封装常用原物料

蓝/绿晶片多数为双电极, 且一般圆形电极为正极.
具体电极情况请参照晶片规格书.
双电极长方形晶片
高功率单电极晶片
高功率双电极晶片
晶片尺寸
晶片尺寸
晶片按尺寸分，比较常用的有以下规格
(1mil=25.4µm)
小尺寸
大尺寸
7*9 mil
14*17 mil
9*11 mil
24*24 mil
12*12 mil
晶片
金线铜
柱
保护硅胶
支架的种类
支架的种类，可分为以下四种： 1. 直插式支架 2. SMD贴片式支架 3. 食人鱼支架 4. 大功率支架
直插式（LAMP)支架
直插式两脚支架
直插式三脚支架
直插式四脚支架
SMD贴片支架 SMD贴片支架可分为以下种类
单晶两脚支架
三晶四脚支架
三晶六脚支架
食人鱼支架
单组份银胶
双组份银胶
金线简介
金线是LED的晶片与支架之间连接的重要组成部分。
一般常用的金线有 0.9mil、1.2mil的。
0.9 mil的金线
1.2 mil的金线
硅胶简介
硅胶是LED封装成形的重要组成部分。一般LED常用的为双组份汇合型硅胶。
荧光粉简介
荧光粉是白光LED组成的最主要的核心部分。一般荧光粉的好坏决定了成品的发光效率和发光颜色。
荧光粉一般分为红，绿，黄三种颜色
本节结束，谢谢大家！
国外地区晶片厂商
地区国外
公司名称科锐欧司朗
日亚化工丰田合成首尔半导体
流明旭明
主要产品蓝白绿
全系列红绿蓝黄白全系列红绿蓝黄白
蓝白绿全系列红绿蓝黄白全系列红绿蓝黄白

led晶片尺寸

led晶片尺寸LED晶片尺寸LED晶片尺寸是指LED（Light Emitting Diode，发光二极管）芯片的尺寸大小。

LED晶片是LED器件的核心部分，它是由半导体材料制成的，具有发光的特性。

LED晶片的尺寸直接影响到LED器件的亮度、发光效率和散热性能等方面。

LED晶片的尺寸通常以边长（或直径）来表示，常见的尺寸有0.1mm、0.2mm、0.5mm、1mm等。

较小尺寸的LED晶片通常用于小功率LED 器件，而较大尺寸的LED晶片则用于大功率LED器件。

LED晶片尺寸的选择与LED器件的应用有关。

一般来说，对于需要高亮度和高发光效率的应用，如室内照明、汽车照明等，通常选择较大尺寸的LED晶片。

较大尺寸的LED晶片可以提供更高的亮度和更好的发光效果，同时也更容易散热，可以提高LED器件的寿命。

而对于一些需要小尺寸和低功率的应用，如手机屏幕背光、电子显示屏等，通常选择较小尺寸的LED晶片。

较小尺寸的LED晶片可以实现更高的像素密度和更细腻的显示效果，同时也更节能。

LED晶片尺寸的选择还与制造工艺和成本因素有关。

随着制造工艺的不断进步，LED晶片的尺寸可以做得越来越小，同时也可以提供更高的亮度和更好的发光效果。

然而，较小尺寸的LED晶片制造成本较高，因为需要更高的精度和更复杂的工艺。

除了尺寸外，LED晶片的其他参数也对LED器件的性能有影响。

例如，LED晶片的材料、结构、发光颜色等都会影响LED器件的亮度、光谱特性和色温等方面。

LED晶片尺寸是影响LED器件性能的重要因素之一。

在选择LED器件时，需要根据具体的应用需求和制造成本等因素综合考虑。

随着LED技术的不断发展，LED晶片尺寸的选择范围也在不断扩大，未来LED器件将会更加高效、高亮度和多样化。

晶片相关知识介绍

• LED的符號
• P層與N層之接合狀況
18
晶片的特性介紹
• LED之通電狀況
P極接正電, N極接負電, 則LED發光; 反之, 則不發光
順向電壓
19
逆向電壓
晶片的特性介紹
晶片亮度與溫度之關係
Relative Luminance vs Ambient Temperature
140
Re la tiv e Lu m in a n c e
13
晶片的製作流程3
• 晶片的制作流程：磊晶—電極—切割 • 磊晶流程：清洗--磊晶成長—品質分析—研磨 — Ga回收純化

品質分析：分析厚度(磊晶層、晶片) 雜質含量(CC值) 亮度指標(BI值)
14
晶片的製作流程
• 電極流程：晶片整理—晒圖—清洗—鍍正、背金—黃光微影—金蝕刻—熔合—測Rs(表面電阻)--黃光微影—真空鍍鈦鋁—剝鈦鋁—去光阻—熔合—測Rs • Ⅲ-Ⅴ: GaP GaAs GaN InP GaAsP AlGaAs AlGaInP AlGaAsP • Ⅱ-Ⅵ:ZnSe • Ⅳ-Ⅵ:SiC • Chip 是以mil為單位。 • 1mil=1/1000inch=25.4um
藍光 InGaN氮化鎵銦
CREE：InGaN/SiC(碳12
晶片制作流程2
• • • • • • • • • 蒸鍍: 金屬電極蒸鍍黃光照像: 金屬電極對準化學蝕刻: 電極形成金屬融合: 電性形成切割: 晶粒形成測試: 電性檢測伸張: 擴張晶粒間距目檢: 挑除不良晶粒包裝: 包裝至藍/白膜, 貼標籤, 裝箱
Fo rwa rd Vo lta g e ( V )
2.3 2.2 2.1 2 1.9 1.8 1.7 1.6 0 10 20 30

LED晶片原理分类基础知识大全.doc

LED晶片原理分類基礎知識大全2012-06-26 08:52 [編輯:yangzhaowu]一、LED歷史：50年前人們已經瞭解半導體材料可產生光線的基本知識,1962年，通用竈氣公司的尼克何倫亞克(NickHolonyakJr.)開發出第一種實際應用的可見光發光二極體。

LED是英文light emitting diode(發光二極體)的縮寫，它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料,说於一個有引線的架子上，然後四周用環氣樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗農性能好。

最初LED 用作儀器儀錶的指示光源，後來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用,產生了很好的經濟效益和社會效益。

以仁英寸的紅色交通信號燈爲例，在美國本來是採用長壽命、低光效的140 瓦白熾燈作爲光澜它產生2000流明的白光。

經紅色濾光片後,光損失90%,只剩下200流明的紅光。

而在新設計的燈中,Lumileds公司採用了1 8個紅色LED光源，包括電路損失在內，共耗電1 4瓦，即可產生同樣的光效。

汽車信號燈也是LED光源應用的重要領域。

二、LED晶片的原理：LED(LightEmittingDiode),發光二極體，是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化爲光。

LED的心臓是-•個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接fE源的止極，使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。

半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體,在它裡面空穴占主導地位，另--端是N型半導體，在這邊主要是電子。

但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成•個“P-N結”。

當觅流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區裡觅子跟空穴複合, 然後就會以光子的形式發出能戢，這就是LED發光的原理。

而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。

三、LED晶片的分類：1. MB甜片定義與特點定義：MetalBonding(金屬粘著)晶片;該晶片屬於UEC的專利產品。

LED晶粒的结构及组成

LED晶粒的結構及組成
2007/12/03 - 11:45 — ivan
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LED晶粒又稱LED晶片，英文叫做CHIP，它是製作LED燈具(LED LAMP)、LED螢幕(LED DISPLAY)、LED背光(LED BACKLIGHT)的主要材料，由磷化鎵（GaP），鎵鋁砷（GaAlAs），或砷化鎵（GaAs），氮化鎵（GaN）等材質組成，其內部結構為一個PN結，具有單向導電性。
Ti
Pb
Bi
Po
注釋：Ⅲ族元素為P型材料，Ⅴ族元素為N型材料，晶粒的材料主要是Ⅲ族，Ⅴ族元素的化合物。
晶粒的焊墊一般為金墊或鋁墊。其焊墊形狀有圓形、方形、十字形等。
晶粒的發光顏色取決於波長（HUE），常見可見光的分類大致為：暗紅色（700nm）、深紅色（640-660nm）、桔紅色（615-635nm）、琥珀色（600-610nm）、黃色（580-595nm）、黃綠色（565-575nm）、純綠色（500-540nm）、藍色（435-490nm）、紫色(380-430nm)。白光和粉紅光是一種光的混合效果。最常見的是由藍光+黃色螢光粉和藍光+紅色螢光粉混合而成。
1、晶粒的作用：晶粒是Lamp的主要組成物料，是發光的半導體材料。
2、晶粒的組成：晶粒是採用磷化鎵（GaP）、鎵鋁砷（GaAlAs）或砷化鎵（GaAs）、氮化鎵GaN）等材料組成，其內部結構具有單向導電性。
3、LED晶粒的材料
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ
Ⅵ
B
C
N
O
Al
Si
P
S
Zn
Ga
GeAsSe NhomakorabeaCdIn
Sn
Sb
Te
Hg

LED的基本介绍

v照度
照度(Luminosity)指物体被照亮的程度，采用单位面积所接受的光通量来表示，表示单位为勒克斯(Lux,lx) ，即 lm/m2 。 1 勒克斯等于 1 流明(lumen,lm)的光通量均匀分布于 1m2 面积上的光照度。照度是以垂直面所接受的光通量为标
准。
v色温
将一标准黑体（例如铁）加热，温度升
总的来说，LED制作流程分为两大部分：
首先在衬底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作 GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
衬底材料
优点
蓝宝石（Al2O3）光学性能好化学稳定性好
问题
硬度过高（莫氏硬度9）机械加工性能差导热性差，大电流下散热问题严重
碳化硅（SiC）光学性能好导热性、化学稳定性好
价格昂贵机械加工性能差
Si
成本低
吸光性强，发光效率低
导电性、导热性、热稳定性晶格失配、热失配
好
LED芯片在封装中注意事项
v光强
发光体在特定方向单位立体角内所发射的光通量（Im），单位坎德拉 mcd。国际单位是candela（坎德拉）简写cd，其他单位有烛光，支光。1cd即1000mcd是指单色光源（频率540X10ˇ12HZ，波长 0.550微米）的光，在给定方向上（该方向上的辐射强度为（1/683）瓦特/球面度）的单位立体角内发出的发光强度。
MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及 Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。

你真的了解LED芯片吗？LED芯片正反装有什么区别？什么是LED晶片？

你真的了解LED芯片吗？LED芯片正反装有什么区别？什么是LED晶片？什么是LED芯片？一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。

也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。

其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。

半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。

但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。

当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。

而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。

LED芯片正装与倒装的意义以及工作原理：装晶片之所以被称为倒装是相对于传统的金属线键合连接方式（WireBonding）与植球后的工艺而言的。

传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来，故称其为倒装晶片。

倒装芯片的实质是在传统工艺的基础上，将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面这时则由电极区面朝向灯杯底部进行贴装，可以省掉焊线这一工序，但是对固晶这段工艺的精度要求较高，一般很难达到较高的良率。

倒装晶片所需具备的条件：①基材材是硅；②电气面及焊凸在元件下表面；③组装在基板后需要做底部填充。

倒装芯片与与传统工艺相比所具备的优势：通过MOCVD技术在兰宝石衬底上生长GaN基LED 结构层，由P/N结髮光区发出的光透过上面的P型区射出。

由于P型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层。

P区引线通过该层金属薄膜引出。

为获得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄。

led晶片发光角度

led晶片发光角度LED晶片发光角度LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种能够发出可见光的半导体器件。

LED晶片作为LED的核心部件，其发光角度是指LED晶片所发出光线的扩散范围和角度。

LED晶片发光角度对于LED灯具的应用和光照效果具有重要的影响。

不同的发光角度可以实现不同的照明效果和光照分布，因此在LED 灯具的设计和选择中，发光角度是一个重要的考虑因素。

LED晶片的发光角度通常通过半功率角（Half Power Angle）来表示。

半功率角是指从LED光轴中心开始，光照强度下降到最大光照强度的一半所对应的角度范围。

半功率角越小，表示LED的光线越集中，光照强度越高；半功率角越大，表示LED的光线越分散，光照强度越低。

LED晶片的发光角度与其结构和工艺密切相关。

一般来说，LED晶片的发光角度与晶片的封装方式、晶片表面的抛光工艺以及内部的光学结构有关。

不同的封装方式和抛光工艺可以改变光线的折射和反射，从而影响发光角度。

LED晶片的发光角度可以分为广角和狭角两种类型。

广角LED晶片的发光角度通常在100°以上，适合用于大范围的照明和照明均匀的场景，如室内照明、景观照明等；狭角LED晶片的发光角度通常在30°以下，适合用于照射远距离或需要集中光照的场景，如舞台照明、投光灯等。

在LED灯具的应用中，根据不同的照明需求，可以选择不同发光角度的LED晶片。

例如，对于需要大范围均匀照明的场景，可以选择广角LED晶片；对于需要远距离照明或需要集中光照的场景，可以选择狭角LED晶片。

同时，还可以根据实际情况进行组合和调整，以达到理想的光照效果。

除了发光角度外，LED晶片的其他性能指标也需要考虑。

例如，发光强度、发光效率、色温、色彩还原指数等都会影响LED灯具的照明效果和使用寿命。

因此，在选择LED晶片时，需要综合考虑多个因素，以满足实际需求。

LED晶片的发光角度是影响LED灯具照明效果和光照分布的重要因素。

晶片基础知识

一．晶片概述晶片又称芯片，英文叫做CHIP，它是制作LED LAMP，LED DISPLAY，LED BACKLIGHT 的主要材料，由磷化镓（GaP），镓铝砷（GaAlAs），或砷化镓（GaAs），氮化镓（GaN）等材质组成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。

二．晶片的外形结构1.图1及图2为焊单线晶片的外形，图3及图4焊双线晶片的外形图。

2.电极的材质：铝或金3.焊单线晶片上面电极外形：4．焊单线晶片下面电极的外形5.晶片的颜色：红色不透明，红色透明，暗红色，黑色，白色透明等6.晶片尺寸定义：以晶片底部尺寸较大的那条边尺寸为准7.焊单线晶片电极特性：正极性晶片及反极性晶片8.晶片电极的连接及对发光的影响(1)上面电极用来焊接金线或铝线，电极太大会影响发光效率，电极太小使电流不能流到晶片全体，同样也会影响发光效率。

(2)下面电极通过银胶与支架或PCB接触，它是用来使电流均匀流到晶片内，下面电极有圆形，格子状或全面电极，全面电极导电性好，但对光的吸收要太于前两种形状。

顺向电流的大小，与顺向电压的大小有关。

晶片的工作电流在10-20mA左右。

单位：mA4．反向电压（VR）：施加在晶片上的，晶片保持截止状态的电压。

5．反向电流（IR）：指的是晶片施加反向电压所产生的电流，此电流越小越好。

此电流过大容易造成反向击穿。

6．亮度（IV）：指的是光源的明亮程度。

单位换算：1cd=1000mcd 1mcd=1000µcd7.波长（HUE）：反映晶片发光颜色。

单位：nm波长不同晶片，其发光颜色不同。

8．不同波长光的定义（1）波长大于0.1mm 电波（2）760 nm –0.1mm 红外光（3）380 nm -760nm 可见光（4）10 nm-380 nm 紫外光。

纳高密度细间距led晶片

纳高密度细间距led晶片
随着科技的不断发展，LED技术已经成为了照明产业的主流。

而在LED技术的发展中，高密度细间距LED晶片的应用越来越广泛。

高密度细间距LED晶片是指在同一面积内尽可能多地集成LED芯片，可以大大提高LED光效，减少能量的损耗，从而实现高效节能的照明效果。

在制造高密度细间距LED晶片时，需要采用先进的工艺和设备，如微纳米加工技术、激光切割技术等。

同时，还需要优化晶片结构和发光材料，提高发光效率和稳定性。

目前，高密度细间距LED晶片已经广泛应用于室内和室外照明、显示屏、汽车照明等领域。

随着技术的不断进步，相信在未来，高密度细间距LED晶片的应用范围会更加广泛，为人们创造更加舒适和节能的光环境。

- 1 -。

LED的五大原物料

LED的五大原物料LED五大原物料分别是指：晶片，支架，银胶，金线，环氧树脂。

1、晶片1.1晶片的构成：由金垫，P极，N极，PN结，背金层构成（双pad晶片无背金层）。

1.2定义：晶片是由P层半导体元素，N层半导体元素靠电子移动而重新排列组合成的PN结合体。

也正是这种变化使晶片能够处于一个相对稳定的状态。

1.3晶片的发光原理：在晶片被一定的电压施加正向电极时，正向P区的空穴则会源源不断的游向N区，N区的电子则会相对于孔穴向P区运动。

在电子，空穴相对移动的同时，电子空穴互相结对，激发出光子，产生光能。

1.4晶片的分类：1.4.1按组成分：二元：如GaAs(砷化镓)，GaP（磷化镓）等三元：InGaN(氮化铟镓)，GaAlAs(砷化镓铝)，GaAsP(磷化镓砷)等四元。

1.4.2按极性分：N/P,P/N。

1.4.3按发光类型分：表面发光型:光线大部分从晶片表面发出五面发光型：表面，侧面都有较多的光线射出。

1.4.4按发光颜色分：红，橙，黄，黄绿，纯绿，标准绿，蓝绿，蓝。

2、支架2.1支架的结构：1层铁；2层镀铜（导电性好，散热快）；3层镀镍（防氧化），4层镀银（反光性好，易焊线）。

2.2型号分类：2号，3号，4号，6号，9号，食人鱼。

3、银胶(因种类较多，我们依H20E为例)3.1种类:H20E,826-1DS,84-1A。

3.2组成：银粉（导电，散热，固定晶片）＋环氧树脂（固化银粉）＋稀释剂（易于搅拌）。

3.3使用条件:储藏条件：银胶的制造商一般将银胶以－40 °C 储藏，应用单位一般将银胶以－5 °C 储藏。

单剂为25 °C/1年（干燥，通风的地方），混合剂25 °C/72小时（但在上线作业时因其他的因素“温湿度、通风的条件”,为保证产品的质量一般的混合剂使用时间为4小时）烘烤条件：150 °C/1.5H搅拌条件：顺一个方向均匀搅拌15分钟。

4、绝缘胶：也叫白胶，乳白色，绝缘粘合作用（烘烤温度为：100°C/1.5H）。

led晶片波段

led晶片波段随着科技的不断进步，LED（Light Emitting Diode）作为一种新型的照明技术，已经在各个领域得到了广泛的应用。

而LED晶片波段则是指LED发光的频率范围，不同的波段对应着不同的颜色和特性。

LED晶片波段主要分为红、绿、蓝三个基本颜色，通过不同的波长和亮度的组合，可以实现各种颜色的发光效果。

红色LED的波长范围在620-750纳米之间，绿色LED的波长范围在495-570纳米之间，蓝色LED的波长范围在450-495纳米之间。

这三种基本颜色的LED晶片可以通过不同的电流和亮度来调节，从而实现各种颜色的混合发光效果。

除了基本的红、绿、蓝三种颜色外，LED晶片波段还可以通过混合不同的材料来实现更多的颜色。

例如，通过在蓝色LED晶片上涂覆一层黄色的荧光粉，可以实现白光发光效果。

这种白光LED可以广泛应用于照明领域，取代传统的白炽灯和荧光灯。

此外，还可以通过混合其他颜色的荧光粉，如红色、绿色等，来实现各种彩色的发光效果。

LED晶片波段的选择对于LED的应用非常重要。

不同的波段可以实现不同的颜色和特性，从而满足不同场景的需求。

例如，在室内照明中，我们通常会选择具有高显色性的白光LED，以保证照明效果的真实和舒适。

而在户外广告牌和舞台灯光中，我们则更倾向于选择具有丰富颜色的LED，以实现更多样化的效果。

此外，LED晶片波段的选择还与能源效率和寿命有关。

不同波段的LED晶片在能源利用和寿命方面可能存在差异。

一般来说，蓝色LED的能源利用率较高，寿命较长，而红色和绿色LED的能源利用率和寿命则相对较低。

因此，在实际应用中，我们需要根据具体需求来选择合适的LED晶片波段，以达到最佳的能源效率和寿命。

总之，LED晶片波段是LED照明技术中的重要组成部分。

通过不同波段的组合和调节，LED可以实现各种颜色和特性的发光效果，满足不同场景的需求。

在选择LED晶片波段时，我们需要考虑颜色、特性、能源效率和寿命等因素，以实现最佳的照明效果。

LED晶片

LED晶片（LED chip）一、LED晶片的作用LED晶片为LED的主要原材料，LED主要依靠晶片来发光。

二、LED晶片的组成主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。

三、LED晶片的分类1、按发光亮度分：A、一般亮度：R﹑H﹑G﹑Y﹑E等B、高亮度：VG﹑VY﹑SR等C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIRE、红外线接收管：PTF、光电管：PD2、按组成元素分：A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR﹑HR﹑UR等C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG四、LED晶片特性表LED晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610DBK较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮红色AlGalnP 630DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850VY较亮黄色GaAsP/GaP 585 SIR红外线GaAlAs 880UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940五、注意事项及其它1、LED晶片厂商名称：A、光磊（ED）B、国联（FPD）C、鼎元（TK）D、华上（AOC）E、汉光（HL）F、AXT G、广稼2、LED晶片在生产使用过程中需注意静电防护。