GaN LED芯片工艺简介

P电极腐蚀
KI+I2
去胶
丙酮+酒精
P电极合金
O2
合金炉
N电极光刻
N电极蒸发
N剥离
N退火
N2
P压焊点光刻
P压焊点蒸发
P压焊点剥离
气体，功率
钝化层沉积
PECVD机台
钝化层光刻
钝化层刻蚀
钝化层去胶
丙酮
中道终测检验
LED芯片制作
LED芯片制作---LASER/裂片
LASER/裂片生产流程:
市场上:
470nm LED: 3000mcd (20mA) P*62.139(lm)/Sr(15Deg)=3cd P*62.139/0.0537=3cd P=0.00259W=2.58mW
Thanks！
P 欧姆接触 N 欧姆 接触
蓝宝石或碳化硅
电子空穴 复合发光
MOCVD外延
p-GaN MQW
N-GaN
缓冲层 蓝宝石
MOCVD机台
第一步
金属离子
有机物
清洗
第二步n区光刻
爆光机
刻蚀
Cl2+Bcl3+Ar
Plasmalab System 133
去胶
3#液
p电极蒸发
蒸发机台
P电极光刻

LED:What’s inside?
A packaged LED Different parts of an LED
epoxy dome bond wires
semiconductor chip
“silver cup” reflector
electrodes
Process flow: Design Growth Processing Packaging Characterization
减薄
划片
LED芯片制作
LED芯片制作--LASER/裂片 LASER/裂片目 的：将２寸的 Ｗafer通过高 温划片，再用 裂片机进行剁 成若干个所要 的小chip.
裂片
扩膜
划片,裂片工作流程图
划片前晶片背面
划片后,侧视图 裂片后,侧视图 划片后背面
扩膜后,正视图
测试分检
测试机
GaN LED芯片工艺简介
2015-09-18
பைடு நூலகம்
LED白光
LED的前程
LED芯片的实物照片
LED 发光管是怎样练成的
Sapphire 蓝宝石 2-inch
芯片加工
衬底材料 生长或购 买衬底
芯片切割
器件封装
LED结构 MOCVD生长
衬底片
氮化物LED发光管的器件结构及发光机理
electrons
Photometry is just like radiometry except that everything is weighted by the spectral response of the eye
立体角:
Solid angle: sr = 2 (1 - cos(θ/2))
如何理解光通量(Lumen)和发光强度(Mcd)
LED芯片制作
LED芯片制作---分选
分选目的:根据型号规格要求把同一 Wafer 上相同型号规格的晶片分到同一 BIN上．
分选的流程
１．通过网络读出分类好的Mapping图
２．核对Mapping图 ３ . 通过做晶粒教导， INK 点设定、自动对 位等步骤，设置工艺参数，（比如设定 双胞胎、电极刮伤、发光区沾污的合理 的分数值），然后就可以正常的 进行分 选。
交通灯
全彩显示
光学知识
Radiometry Power Watt (W) Photometry lumen (lm)
Power per unit area
Power per unit solid angle
W/m2
W/sr
lm/m2 = lux (lx)
lm/sr = candela (cd)