半导体集成电路制造工艺

半导体集成电路制造工艺

一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经热氧化工艺：干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行十八、根据器件要求确定氧化方法：1、高质量氧化：干氧氧化或分压氧化；2、厚某种电子功能的微型化电路。微型化电路有集成电路、厚膜电路、薄膜电路和混合层的局部氧化或场氧化：干氧（10min）+湿氧+干氧(10min)或高压氧化；3、低表面态电路等多种形式。氧化：掺氯氧化；湿氧氧化加掺氯气氛退火或分压氧化（H2O或O2+N2 或Ar 或He 等）。二、集成电路的分类：十九、热氧化过程中硅中杂质的再分布1、硅中掺磷(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧按电路功能分类：分为以门电路为基础的数字逻辑电路和以放大器为基础的线性电氧化）导致杂质再分布程度较大，其NS/NB 大于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化路，还有微波集成电路和光集成电路等。温度越高，磷向硅内扩散的速度越快，表面堆积现象减小，NS/NB 趋于1。2、硅中按构成集成电路基础的晶体管分类：分为双极型集成电路和MOS型集成电路两大类。掺硼(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布程度增大，NS/NB 小前者以双极型平面晶体管为主要器件；后者以MOS场效应晶体管为基础。于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补三、衡量集成电路的发展

DRAM( 3*107（集成度）, 135mm2（外型尺寸）, 0.5 μm偿了表明杂质的损耗，NS/NB 趋于1。看看运动方向（特征尺寸）, 200mm （英寸）) ，二十二、热氧化过程四、摩尔定律：IC集成度每1.5

年翻一番五、集成电路的发展展望目标：集成度↑、可靠性↑、

速度↑、功耗↓、成本↓。努力方向：线宽↓、晶片直径↑、设计技术↑六、硅微电子技术发展的几个趋势：1、单片

系统集成（SoC）System on a chip Application Specific Integrated Circuit 特定用途集成电路2、整硅片集成（WSI）3、半定制电路的

设计方法4、微电子机械系统（MEMS）5、真空微电子技术七、集成电路制造中的基本工艺技术横向加工：图形的产生与转移（又称为光刻，包括曝光、显影、刻蚀等）。纵向加工：薄膜制备（蒸发、溅射、氧化、CVD 等），掺杂（热扩散、离子注入、中子嬗变等）八、补充简要说明工艺1-1 1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2 表面，其流密度为F1 。2、氧化剂扩散穿过SiO2层达到SiO2-Si界面，流密度为F2 。3、氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ，流密度为F3。4、反应的副产物离开界面。二十三、CVD的薄膜及技术分类化学

气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是指单独地或综合的利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程二十四、CVD薄膜分类：半导体集成

电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜以及

超导膜等，几乎都能用CVD工艺来制备。

九、扩散定义：扩散是将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅片或其它晶体中，以改介质膜：SiO2、Al2O3、半导体：Si、Ge、导体：Al、Au、超导体：Nb3Sn、NbN、变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求CVD技术分类：常压CVD APCVD、低压CVD LPCVD、等离子体增强CVD PECVD、光-CVD

dN(x,t)电学特性：N型，P型PCVD

J(x,t)??D

十、费克第一定律：dx 含义:在一维情况下，单位时间内垂直扩散二十五、VLSI对图形转移的要求：通过单位面积的粒子数——即扩散粒子流密度J( x, t )与粒子的浓度梯度成

正比式中负号表示扩散是由高浓度处向低浓度处进行；比例常数D 是粒子的扩散系数（取决于粒子本身的性质和扩散条件）；D的大小直接表征着该种粒子扩散的快慢。发生扩散的必要条件是扩散的粒子具有浓度梯度. 对于半导体中杂质原子的扩散，大量事实证明，扩散系数D与温度T（K）之间有如下指数关系：D = D∞e —ΔE/kT 十一、杂质原子扩散到半导体中的方式有两种扩：间隙式，替位式

2 式中假定D 十二、扩散方程（费克第二定律）? N ( x , t ) ? N(x,t)

?D为常数，与杂质浓刻蚀转移图形的三种常见情况

?t?x度N( x, t )无关，x 和t 分别表示位置和扩散时间。针对不

同边界条件求出方程（2-8）1、图形转移的保真度要高，设纵向刻蚀速率为vv，横向刻蚀速率为vl。刻蚀的各的解，可得出杂质浓度

N的分布，即N与x 和t 的关系。向异性表示为：

十三、半导体中杂质原子扩散的浓度分布：恒定表面浓度的扩散特点：在整个扩散

（7.1）过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终保持不变。边界条件1：N（0, t）= Ns （2-9）

（7.2）假定杂质在硅片内要扩散的深度远小于硅片的厚度，则(1)若vl = 0，A = 0，表明刻蚀仅沿深度方向进行，图形转移中失真畸变最小，即各边界条件2：N（∞, t）= 0

（2-10）向异性，如图7.1(a)；

在扩散开始时，除了硅片表面与杂质源相接触，其浓度为Ns 外，硅片内没有(2)若vv =vl，A = 1，表示不同方向刻蚀特性相同，图形转移中失真畸变最大，即各杂质扩进，因而初始条件为：N（x, 0）= 0 x > 0 （2-11）向同性；

x 由上述边界条件与初始条件可求出扩散方程（2-7）的解，即恒定表面源扩散(3)通常vv ? vl，1>A>0，如图7.1(b)、(c)，刻蚀同时在纵向、横向进行

?22Dt??2??x?各向异性是图形转移中保真程度的反映

的杂质分布情况：?N(x,t)?Ned??NSerfc??S?1??0 ?2Dt? 2、选择比大（即被刻蚀材料与掩蔽材料的刻蚀速率比尽可能大）??

3、均匀性好上式中：Ns 代表表面杂质恒定浓度（原子/cm3），D代