普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块MFC800A
二极管、晶闸管等型号命名
详细参数请查询我公司网站： 品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。
晶闸管
晶闸管晶闸管晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及全称晶体闸流管。
俗称可控硅。
一种包含3个或3个以上PN结，能从断态转入通态，或由通态转入断态的双稳晶闸管态电力电子器件。
它泛指所有PNPN类型的开关管，也可表示这类开关管中的任一器件。
自1957年美国贝尔电话实验室将第一只晶闸管用于工业领域以来，由于它的优异性能，很快受到各国重视。
随着新材料的出现，新工艺的采用，单只晶闸管的电流容量从几安发展到几千安,耐压等级从几百伏提高到几千伏,工作频率大大提高，器件的动态参数也有很大改进。
80年代普通晶闸管的耐压等级和通流能力达到3500安/6500伏,可关断晶闸管达3000安/4500伏。
随着应用领域的拓展,晶闸管正沿着高电压、大电流、快速、模块化、功率集成化、廉价的方向发展。
当晶闸管加上正向电压（阳极接正，阴极接负）时，若门极电路开路，则J1、J3结处于正偏,J2结处于反偏,其伏安特性与二极管反向特性相似，晶闸管处于正向阻断状态。
若门极对阴极而言加上一定的正向电压,则N2区向P2区注入电子,这些电子经扩散,通过P2区到达2结耗尽层（也称高阻层、阻挡层）,因耗尽层电场的作用，注入电子到达N1区,形成等效晶体管 2的射极电流产生过剩电子。
为了中和过剩电子，必将有等量空穴由P1区注入N1区。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC800A
结温 Tj（℃）
125 125 125
125 125 125
最小 600
125
ITM=2400A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=2400A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
参数值 典型 1600
MTC800A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.55 100
单位 最大
800
A
1256 A
1800 V
20
mA
16.0 1280 0.80 0.42 1.7 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC800A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFC800A1600V
3/3
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
! On-state Current 07& Max. case Temperature Vs.Mean
Conduction Angle
Conduction Angle
Gate Trigger Zone at varies temperature 390$
-30e C -10e C 25e C 125 e C
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈ mA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MFC(TD)
外形尺寸图
3
132
਼⊶᭄ n,@ 50Hz
1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
2/3
MFC800A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈV 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈA 3*: PLQ PD[ 3*0 : V㛝ᆑ 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V
1.0 20 0.2
外形为701F 200×82×100（1只装）
普通晶闸管、可控硅整流管混合模块
1/3
MFC800A
性能曲线图
07& # "! Peak On-state Voltage Vs.Peak On-state Current T J=125e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZ th,e C/W Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time
可控硅三相整流模块
可控硅三相整流模块
可控硅三相整流模块是一种常用的电力电子器件，广泛应用于各种工业和家庭电气设备中。
它的主要作用是将交流电转换为直流电，以供电器正常工作。
本文将从可控硅三相整流模块的工作原理、特点以及应用领域等方面进行阐述。
可控硅三相整流模块的工作原理是基于可控硅的特性来实现的。
可控硅是一种半导体器件，具有电流控制能力。
当输入的交流电信号经过整流电路后，通过可控硅的控制信号，控制可控硅的通断状态，从而实现对输出电流的控制。
这样，交流电信号可以被转换为直流电信号，以满足不同电器设备的需求。
可控硅三相整流模块具有一些独特的特点。
首先，它具有较高的转换效率，能够将交流电转换为稳定的直流电。
其次，可控硅三相整流模块具有较强的抗干扰能力，能够抵御电网中的各种干扰信号，保证输出电流的稳定性。
此外，该模块还具有较小的体积和重量，适用于各种场合的安装和使用。
可控硅三相整流模块在各个领域都有着广泛的应用。
在工业领域，它可以用于电动机的启动和控制，提供稳定的直流电源。
在家庭领域，可控硅三相整流模块可以用于家电设备，如电视、冰箱等的电源转换。
此外，它还可以用于电力变换器、电力调节器等设备中，实现对电能的有效控制。
可控硅三相整流模块是一种重要的电力电子器件，具有高效、稳定和可靠的特点。
它在各个领域都有着广泛的应用，为人们的生产和生活提供了便利。
相信随着科技的不断发展，可控硅三相整流模块将会有更加广阔的应用前景。
晶闸管的结构原理及测试
2.1晶闸管的结构原理及测试
一.晶闸管(Thyristor)简介 晶闸管包括：普通晶闸管(SCR)、快速晶闸管
(FST)、双向晶闸(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT) 、 可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管等。由于普通 晶闸管面世早，具备电流容量大,电压耐量高以及 开通的可控性(目前生产水平：4500A/8000V)已 被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流 变换等领域, 成为特大功率低频(200Hz以下)装置 中的主要器件。
或
UAK ＜ 0, UGK不限
4.普通晶闸管SCR 的半控特性
当晶闸管处于UAK＞0, UGK ＞ 0时，器件 导通，若此时撤除门极电压（UGK≤0），则晶 闸管仍处于导通状态。即：晶闸管一旦导通，
门级即失去控制作用，因而门极电压可用脉冲 电压 。
判断下列图中晶闸管的状态：
第 2 章 常用电力电子器件介绍及选择
普通晶闸管：即可控硅整流管(Silicon Controlled Rectifier), 常用SCR表示，电路图上用“T”标识。
第 2 章 常用电力电子器件介绍及选择
2.1晶闸管的结构原理及测试 二.普通晶闸管SCR的结构 外形：平板式和螺旋式
三个电极： 阳极A, 阴极K 、门极(或称栅极、 控制极)G
电气符号如（e）所示
第 2 章 常用电力电子器件介绍及选择
2.1晶闸管的结构原理及测试
三.普通晶闸管SCR的特性 1.普通晶闸管SCR 具有单向导电特性和正向导通
的可控性。即：必须使元件主电极的电压处于 A+,K- 的状态，才有可能使元件导通。 2.普通晶闸管SCR 导通的条件 （1）晶闸管的阳极-阴极之间加正向电压（阳 极正偏）。
KK型快速晶闸管
RjC
o
W kg 0.006 0.006 0.006 0.12 0.12 0.027 0.027 0.027 0.090 0.165 0.165 0.265 0.265 0.265 0.265
C
C/W
150 150 150 150 150 150 150 150 190 190 190 190 190 190 190
D 16 22 22 28 31 37 37 42 48 58
S 14 19 19 24 27 32 32 36 42 50
图2 ZP200P~ZP2000P系列凸台平板形普通整流管、ZK200P~ZK1000P系列凸台平板形快速整流管
Dmax 2-φ3.5
+0.2 0
G
A1
D1±2
序号 1 2 3 4 5 6 7
Dmax 250±25 φ4.2
Amax
D1min
门极引线
序号 1 2 3 4 5
型号 KS200F、KK200F、KP200F KS300F、KK300F、KP300F KS500F、KK500F、KP500F KK800F、KP800F KK1000F、KP1000F
正向平均电流IF(AV) A 200 300 500 800 1000
Dmax φ50 φ58 φ65 φ67 φ77
Amax 13 13 19 18 19
D1min φ26 φ35 φ38 φ42 φ45
G-069
电力电子及其它电器类
SF风冷式散热器(平板式) SS水冷式散热器(平板式) SZ、SL螺旋式散热器
安装注意事项： 平板型双面准冷硅元件的使用性能和效果，直接与散热器特性，接触热阻，紧固件和绝缘件，压接 力等有关。 注意中心对准，谨防压扁，硅面与散热器平面之间涂导热硅脂。
可控硅整流管混合模块MFC110A
Thyristor/Diode Module
attribute data：
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application：
■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.Ver:XZ0318第5页A A V
12
mA
2.40
KA
29
103A2S
0.8
V
2.29
mΩ
1.50
1.60
V
800 V/μs
100 A/μs
40
100
mA
1.0
2.5
V
100
mA
0.2
V
第1页
可控硅整流桥混合模块
Thyristor/Diode Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
25
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
VDM=67%VDRM
125
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
最小 600
30 0.8 20
参数值 典型
MTC800A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
晶闸管和整流二极管
示例 1
示例
示例 2
（a）桥臂模块
(b) 单相整流桥模块
(c) 晶闸管模块
模块一般有两种形式，即绝缘隔离型（图 1）和非绝缘隔离型(图 2)。前者 绝缘型芯片与底板之间的绝缘耐压高达 2500V 有效值以上，应用比较灵活，可以 把一个或多个桥臂模块安装在同一个接地的散热器上，连成各种标准的单相或者 三相全控、半控整流等桥式电路、交流开关或者其他各种实用电路，从而大大简 化了电路结构，缩小装置体积。后者非绝缘型需有公共阳极和阴极才能使用，因 而在使用中有很大局限性，发展较慢。
焊接式
压接式
DCB 键合式
目前比较常见的二极管和晶闸管模块命名方式如下表所示。例如，两个可控硅 110A/1600V，串联成可控硅模块，则此模块的型号为 MTC110-16（或者 MTC110A1600V）。
M
T
Hale Waihona Puke C□□M 表示模块
符号 D Z T K F H
器件类别 器件类别 普通整流管 快恢复二极管 可控硅 快速可控硅 D和T Z和K
晶闸管(可控硅)模块和整流二极管模块之简介
可控硅（晶闸管）模块和整流二极管模块始于 20 世纪 70 年代初，起初是中 小功率晶闸管模块（电压≤1000V，电流≤100A）。之后随着模块制造工艺的成 熟以及相应辅助材料的研发成功，晶闸管模块的容量逐渐增大，品种增多。该系 列模块的技术现已相当成熟，成产成品率也相当高，使用也随着普遍和成熟，已 成为电力调控的重要器件。目前晶闸管模块已经做到 2000A/2500V。晶闸管和整 流二极管模块主要指各种电连接的(a)桥臂模块、(b)单相整流桥模块和(c)晶闸 管模块。
该项数字表示电流 IT(AV)/IF(AV)
电力电子技术 晶闸管 单节晶体管
一、晶闸管的工作原理
1.晶闸管的结构
晶闸管是一种大功率PNPN四层半导体元件，具有三个PN结，引出三个极， 阳极A，阴极K，门极（控制极）G，其外形符号如下图：
部分晶闸管外形
内部结构
电气图形 符号及文 字符号
2.晶闸管的工作原理
晶闸管在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成 晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组 成晶闸管的控制电路。
（1）单结晶体管
单结晶体管是一种特殊的半导体器件，有三个电极，只有一个PN结，因此 成为“单结晶体管”，又因为管子有两个基极，所以又称为“双极二极 管”。
（a）结构
（b）等效电路
（c）图形符号 （d）外形管角排列
(2)单结晶体管的伏安特性及主要参数
单结晶体管的伏安特性：当两基极b1和b2间加某一固定直流电压Ubb时， 发射极Ie与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性 Ie=f(Ue).
晶闸管的工作条件：
(1)晶闸管承受正向阳极电压，仅在门极承受正向的情况下晶闸管才导通。这时晶 闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控性。 (2)晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向电压，不论门极电压如何，晶闸管保 持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。 (3) 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近与零时，晶闸管关 断。 (4)晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种何种电压，晶闸管都处于反向 阻断状态。
单结晶体管的特点
1. UE < UP时单结管截止；
B2
UE > UP时单结管导通， UE < UV时恢复截止。 2.单结晶体管的峰点电压UP与 外加固定电压UBB及分压比 有关，外加电压UBB或分压比不同，则峰点电 压UP不同。 3. 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都 不一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用 稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输 出脉冲幅度和移相范围。
SCR叫普通晶闸管
SCR叫普通晶闸管。
属于双极型的器件，阻断电压高，通态压降低，电流容量大，但工作频率低，使用大中容量变流设备。
IGBT 复合型器件，是GTR和MOS的混合也具有通态压降低，电流容量大的优点，更具有，输入阻抗高，响应速度快，控制简单的优点。
SCR 频率最高才差不多十的四次方，但是功率很大，IGBT十的八次方频率。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用，但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。
IGBT 与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。
晶闸管又叫可控硅。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
这里有可控硅的所有基础知识：简单基本介绍，可控硅和I GBT是不同的电子元件。
晶闸管及其工作原理
1.9 、电力电子器件的驱动与保护
• （1）电力电子开关管的驱动：驱动器接收控制系统输出 的控制信号，经处理后发出驱动信号给开关管，控制开关 器件的通、断状态。 • （2）过流、过压保护：包括器件保护和系统保护两个方 面。检测开关器件的电流、电压，保护主电路中的开关器 件，防止过流、过压损坏开关器件。检测系统电源输入、 输出以及负载的电流、电压，实时保护系统，防止系统崩 溃而造成事故。 • （3）缓冲器：在开通和关断过程中防止开关管过压和过 • 流，减小开关损耗。
返 回
1.8.2 静电感应晶闸管（SITH）
它自1972年开始研制并生产； 优点：与GTO相比，SITH的通态电阻小、通态压 降低、开关速度快、损耗小及耐量高等； 应用：应用在直流调速系统，高频加热电源和开 关电源等领域；
缺点：SITH制造工艺复杂，成本高；
返 回
1.8.3 MOS控制晶闸管（MCT）
1.9.1 电力电子器件的换流方式
定义：电流从一个臂向另一个臂转移的 过程称为换流（或换相）。
电力半导体器件可以用切断或接通电流 的开关表示。 • 在图1.9.1中，T1、T2表示由两个电力 半导体器件组成的导电臂，当T1关断，T2 导通时，电流流过T2；当T2关断，T1导通时， 电流i从T2转移到T1。 图1.9.1
模块一 调光灯
项目一 认识晶闸管和单结晶体管
• 1.1.1 晶闸管及其工作原理 • 1.1.2 晶闸管的特性与主要参数 • 1.1.3 晶闸管的派生器件
返 回
1.1 、晶闸管
晶闸管 (Thyristor) 包括：普通晶闸管 (SCR) 、快速 晶 闸 管 (FST) 、 双 向 晶 闸 管 (TRIAC) 、 逆 导 晶 闸 管 (RCT) 、可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管等。 普 通 晶 闸 管 ： 也 称 可 控 硅 整 流 管 (Silicon Controlled Rectifier), 简称SCR。 由于它电流容量大 , 电压耐量高以及开通的可控性 (目前生产水平： 4500A/8000V)已被广泛应用于相控整 流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成为特大功率 低频(200Hz以下)装置中的主要器件。
第二章电力电子器件
第4页/共82页
2.1 电力电子器件概述
电力电子器件的使用特点 从使用角度出发，主要可从以下五个方面考察电力电子器件的性能特点。 (1)导通压降。电力电子器件工作在饱和导通状态时仍产生一定的管耗，管耗 与器件导通压降成正比。 (2)运行频率。受到开关损耗和系统控制分辨率的限制，器件的开关时间越短， 器件可运行的频率越高。 (3)器件容量。器件容量包括输出功率、电压及电流等级、功率损耗等参数。 (4)耐冲击能力。这主要是指器件短时间内承受过电流的能力。半控型器件的 耐冲击能力远高于全控型器件。 (5)可靠性。这主要是指器件防止误导通的能力。
普通二极管(Conventional Diode)又称整流二极管(Rectifier Diode)， 多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中 2. 快速恢复二极管
恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短(一般在5ms以下)的二极管被称 为快速恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)，简称快速二极管。 3. 肖特基势垒二极管
2.3 半控型器件—晶闸管及其派生器件
2. 晶闸管的工作原理 按图2.12所示电路 (1) 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极承受何种电压，晶闸管都处
于关断状态。 (2) 当晶闸管承受正向阳极电压时，若门极不施加电压，晶闸管也处于关
断状态。即晶闸管具有正向阻断能力。 (3) 要使晶闸管由阻断变为导通，必须在晶闸管承受正向阳极电压时，同
第11页/共82页
2.2 电力二极管
电力二极管的工作原理和基本特性
电力二极管的基本结构都是以半导体PN结为基础。电力二极管实际上是 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。图2.7所示为电力二极 管的外形、结构和电气图形符号。从外形上看，电力二极管主要有螺栓型和 平板型两种封装。
国晶科技(可控硅整流管混合模块)MFC26 说明书
参数值符号参数测试条件结温Tj （℃）最小典型最大单位I T(A V)通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃125 26 AI T(RMS)方均根电流 125 41 AV DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10ms V D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流V DM = V DRMV RM = V RRM125 10 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 1.60 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM125 13.0103A 2S V TO 门槛电压 0.80 VR T 斜率电阻125 2.64 m ΩV TM 通态峰值电压 I TM =80A 25 1.4 1.5 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μsdi/dt 通态电流临界上升率 I TM =80A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs125 50 A/μs I GT 门极触发电流 30 35 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流 20 100 mAV GD 门极不触发电压V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c)热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.950 ℃/W R th(c-h)热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.2 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6）2.03.0N ·m N ·mT sbg 储存温度 -40 125 ℃W t 质量135 gOutlineM220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询：*************中国·杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询：*************中国·杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询：*************模块典型电路 电联结形式（右图）MFC(TD)A2K1A1K2K1G1MFC(DT)A1K2K2G2A2K1MFA(TD)A1A2K2G1K1K1MFX(DT)A1K2A2K1K2G2模块外型图、安装图中国·杭州国晶电子科技有限公司技术咨询：*************使用说明：M220M225一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
二极管 整流 模块
二极管整流模块下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by the editor. I hope that after you download them, they can help yousolve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts,other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!二极管整流模块是电子领域中常见的一种器件，它主要用于转换交流电为直流电。
可控硅模块
可控硅模块
可控硅模块的定义
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。
最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个pn 结的四层结构的大功率半导体器件。
可控硅模块的优点
体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。
可控硅模块的分类
可控硅模块从x芯片上看，可以分为可控模块和整流模块两大类，从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（mtc\mtx)、普通整流管模块(mdc)、普通晶闸管、整流管混合模块(mfc)、快速晶闸管、整流管及混合模块（mkc\mzc)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机专用模块mtg\mdg)、三相整流桥输出可控硅模块（mds)、单相（三相）整流桥模块（mdq)、单相半控桥（三相全控桥）模块(mts)以及肖特基模块等。
可控硅模块作用
可控硅模块作用可控硅模块是一种电子元件，也称为晶闸管。
它的主要作用是控制电流的流动，使其在特定的条件下能够通断。
可控硅模块广泛应用于各个领域，如电力系统、工业自动化、电动机控制等。
可控硅模块的核心部件是晶闸管。
晶闸管是一种半导体器件，具有单向导电性。
通过控制晶闸管的触发电压和触发电流，可以实现对电流的控制。
晶闸管具有可控性强、耐压能力高、开关速度快等优点，因此被广泛应用于各个领域。
在电力系统中，可控硅模块主要用于电力控制和调节。
通过控制可控硅模块的触发电压和触发角，可以实现对电力的调节。
例如，在电力输配系统中，可控硅模块可以用来控制电流的大小，以达到平衡负荷、稳定电压的目的。
同时，可控硅模块还可以用于电力电子器件的开关控制，如逆变器、整流器等。
在工业自动化领域，可控硅模块被广泛应用于电机控制。
通过控制可控硅模块的触发电压和触发角，可以实现对电机的启动、停止、调速等功能。
例如，在电动机驱动系统中，可控硅模块可以用来控制电机的转速和转向，实现对电机的精确控制。
此外，可控硅模块还可以用于电机的保护和故障检测，提高电机运行的安全性和可靠性。
可控硅模块还被广泛应用于电热设备控制。
通过控制可控硅模块的触发电压和触发角，可以实现对电热设备的温度控制。
例如，在电热水器中，可控硅模块可以用来控制加热元件的加热功率，以达到设定的温度要求。
此外，可控硅模块还可以用于电热设备的过载保护和温度检测，提高电热设备的安全性和稳定性。
可控硅模块作为一种重要的电子元件，在电力系统、工业自动化、电动机控制等领域发挥着重要作用。
通过控制可控硅模块的触发电压和触发角，可以实现对电流的精确控制，提高电力系统的运行效率和控制精度。
同时，可控硅模块具有可靠性高、耐压能力强等优点，被广泛应用于各个领域。
随着科技的不断进步，可控硅模块的性能将进一步提高，应用范围也将不断扩大，为人们的生活和生产带来更多便利和效益。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
MFC800A
IT(AV)
800A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
16KA
I2T
1280 103A2S
符号
参数
测试条件
结温 Tj（℃）
IT(AV)
通态平均电流
180°正弦半波，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=2400A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=2400A 门极 触发电 流幅值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
VA=12V，IA=1A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第3页
可控硅整流桥混合模块 Thyristor/Diode Module
模块典型电路 电联结形式
（右图）
M F C ( T D ) A1K2
K1
Ver:XZ0318
第4页
可控硅整流桥混合模块 Thyristor/Diode Module
MFC800A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、模块管芯工作结温：二极管和可控硅为-40℃∽150℃；工作环境温度高于 40℃时，
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
3500
V
N·m N·m
℃ g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第2页
可控硅整流桥混合模块 Thyristor/Diode Module
MFC800A
第1页
可控硅整流桥混合模块
Thyristor/Diode Module
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max) 与散热器固定
M1076、M1076S
MFC800A
2500
MFC(DT)
A1K2
K1
MFA(TD)
A1A2
K1
MFX(DT)
A1K2
MFC800A
A2 K1 G1 K2
G2 A2
K2 K1 G1 K2 G2 A2K1
模块外型图、安装图
M 1 0 76
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
可控硅整流桥混合模块
Thyristor/Diode Module
attribute data：
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application：
■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第5页
VDRM&VRRM tp=10ms 125
VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V
IDRM
断态重复峰值电流
VDM= VDRM
125
IRRM
反向重复峰值电流
VRM= VRRM
ITSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波
125
I2t
浪涌电流平均时间积 VR=0.6 VRRM
125
VTO
Ver:XZ0318
最小 600
30 1.0 20
参数值 典型
1600
最大
单位
800
A
1256
A
1800
V
mA
16.0 KA
1280 103A2S
0.80
V
0.42 mΩ
1.55
1.7
V
800 V/μs
100 A/μs
100
200
mA
3.0
V
150
mA
0.2
V
0.065 ℃/W
0.024 ℃/W
25
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
VDM=67%VDRM
125
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
Rth(c-h) 热阻抗（结至散）
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.