微电子器件(3-4)

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电子科技大学《微电子器件》课件PPT微电子器件(3-10)

CTE↓
① ②
AE↓ ( NB↓(
l↓, s↓ ) 但会使
rbb’↑，VA↓)
要使 b↓，应： (1) WB↓( 但会使 rbb’↑，VA↓，且受工艺限制)
(2) η↑ ( 采用平面工艺 )
要使 d↓，应：xdc↓ →NC↑( 但会使 BVCBO↓, CTC↑)
要使 c↓，应：
(1) rcs↓
① ② ③
fT
rbb fT Le
2
CTC
3.10.3 高频晶体管的结构
由
M
fT
8 rbbCTC
可知，要提高 M ，应提高 fT ，降低 rbb’
和 CTC，因此应该采用由平面工艺制成的硅 NPN 管，并采用细
线条的多基极条和多发射极条结构。
l B E B E B ….…
S
提高 M 的各项具体措施及其副作用
除以上主要矛盾外，还存在一些相对次要的其它矛盾，在进行高频晶体管的设计时需权衡利弊后做折衷考虑。
3.11 双极晶体管的开关特性
（自学）
3.12 SPICE 中的双极晶体管模型
（自学）
3.10 功率增益和最高振荡频率
3.10.1 高频功率增益与高频优值
利用上一节得到的共发射极高频小信号 T 形等效电路，可以求出晶体管的高频功率增益。先对等效电路进行简化。
与 re 并联的 Cπ可略去，又因 re << rbb’ ，re 可近似为短路。
再来简化
Zc
Zcb
1 ω
,
1 Zcb
1 rμ
(3) 对 NC 的要求
减小 d 及 rcs 与减小 CTC及提高 BVCBO 对 NC 有矛盾的要求。
这可通过在重掺杂 N+ 衬底上生长一层轻掺杂 N- 外延层来缓解。外延层厚度与衬底厚度的典型值分别为 10 m 与 200 m 。

微电子学概论复习文档

微电子学概论复习文档一、微电子学概述1.定义：微电子学是研究微米尺寸电子元器件（如晶体管、集成电路等）的科学。

2.特点：尺寸小、功能集成、速度快、功耗低。

3.应用领域：计算机、通信、医疗、汽车、工业控制等。

二、基本概念1.晶体管：是微电子学的基本元件，分为NPN型和PNP型。

2.集成电路：是晶体管和其他电子元件的组合，包括集成电路芯片和集成电路模块。

3.可编程逻辑器件（PLD）：是一种可以编程的数字逻辑电路，如可编程门阵列（PAL）和可编程逻辑阵列（PLA）等。

三、微电子器件1.MOSFET晶体管：结构简单，使用广泛，适用于各种应用场合。

2.双极型晶体管：用于放大和开关电路。

3.发光二极管（LED）：将电能转化为光能的器件。

4.激光二极管：用于激光器、光纤通信等领域。

5.硅基混合集成电路：将硅MOSFET和双极型晶体管结合使用，提高集成度和性能。

四、半导体材料与器件1.硅材料：常用的半导体材料，具有良好的电子和热导性能。

2.砷化镓材料：适用于高频器件，具有较好的导电性能。

3.砷化铝材料：适用于光电子器件，具有良好的光电转换性能。

五、集成电路制造工艺1.可重复制造技术：使用模版制造集成电路。

2.硅工艺：将器件制作在硅基底上。

3.制作流程：薄膜沉积、光刻、蚀刻、扩散等。

六、集成电路设计与布局1.电路设计：根据电路功能和性能要求设计电路。

2.电路布局：将电路元件放置在集成电路芯片上的过程。

3.电路布线：将芯片内的电路元件连接起来的过程。

七、集成电路测试与封装1.电气测试：测试集成电路的功能和性能。

2.封装：将芯片封装在注塑封装或球栅阵列封装中，提供对外连接。

八、微电子器件的未来发展1.器件尺寸的进一步缩小。

2.功耗的进一步减少。

3.通信和计算速度的进一步提高。

4.新材料的应用和新器件的研发。

以上是关于微电子学概论的复习笔记，希望对你的复习有所帮助。

通过对这些知识点的复习，你可以对微电子学的基本原理和应用有一个全面的了解，为进一步深入学习微电子学打下坚实的基础。

微电子技术微型电子器件与电路的研究与应用

微电子技术微型电子器件与电路的研究与应用微电子技术是近年来快速发展的一门前沿技术，它涉及微型电子器件和电路的设计、制造、测试和应用等多个领域。

本文将介绍微电子技术在微型电子器件与电路研究和应用方面的一些重要进展和应用案例。

一、微电子器件的研究与应用1. MOSFETMOSFET是微电子器件中的一种关键器件，它是现代集成电路的基础。

通过研究不同工艺参数对MOSFET性能的影响，可以实现器件的优化设计。

同时，MOSFET在数字电路、模拟电路和功率电子等领域都有广泛应用。

2. MEMSMEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）是一种将微机械系统与微电子技术相结合的新颖技术。

通过微纳加工工艺，制造出微小的机械结构，并借助电子技术对其进行控制和感知。

MEMS在加速度计、陀螺仪、微型传感器等领域有广泛应用。

3. NEMSNEMS（Nano-Electro-Mechanical Systems）是MEMS技术的延伸，主要研究纳米尺度的微型机械系统。

NEMS的特点是尺寸更小、力学性能更好，具有更高的灵敏度和更低的功耗。

NEMS在生物传感、纳米机器人等领域有重要应用前景。

二、微型电子电路的研究与应用1. 集成电路集成电路是将数百万甚至上亿个微型电子器件集成在一个芯片上的产物。

通过研究不同的集成电路设计与制造工艺，可以实现电路的小型化、高速化和低功耗化。

集成电路在计算机、通信、消费电子等领域的应用十分广泛。

2. 射频电路射频电路是指在无线通信系统中起中频、射频信号放大与处理的电路。

通过研究射频电路的设计和优化，可以实现无线通信设备的高性能和高可靠性。

射频电路在无线电通信、雷达、卫星通信等领域发挥重要作用。

3. 数模混合电路数模混合电路是指将数字电路和模拟电路相结合的电路。

它能够在数字信号处理的同时实现高精度的模拟信号处理，具有广泛的应用前景。

数模混合电路在音频处理、图像处理、模拟信号采集等领域有重要作用。

微电子器件课后答案(第三版)

2 qVBE ni qVBE 又由 nB (0) np0 exp exp ， kT N B kT kT nB (0) N B kT 得：VBE ln , 将、nB (0)、N B 及 ni 之值代入， 2 q ni q
Hale Waihona Puke 得：VBE 0.55V WB2 1 WB 已知： 1 1 , 将 n 106 s 及 WB 、DB 2 LB 2 DB n
q
s
N D xn , 由此得：xn
q
s
N A xp , 由此得：xp
s Emax
qN A
(2) 对于无 I 型区的 PN 结： q xi1 0, xi2 0, E1 N D ( x xn ), s
在 x 0 处，电场达到最大， Emax q
E3 N D xn
0
AE q 2 DE ni2 1 QEO
1
再根据注入效率的定义，可得：
J pE QBO DE J nE J nE 1 1 J E J nE J pE J nE QBE DB
9、
I C AE J nC AE J nE
1 2
39、
qV I F I 0 exp kT dI F qI F gD dV kT kT 当 T 300K 时, 0.026 V, 对于 I F 10 mA 0.01 A， q 10 1 gD 0.385s, rD 2.6 26 gD kT 373 在 100C 时， 0.026 0.0323V, q 300 10 1 gD 0.309s, rD 3.23 32.3 gD

微电子器件

微电子器件1. 概述微电子器件是一种尺寸远小于传统电子器件的电子元件。

它们在微纳尺度下制造，通常采用半导体材料（如硅）制成。

微电子器件在现代科技中起着至关重要的作用，广泛应用于电子、通信、计算机、医疗和能源等领域。

2. 基本概念微电子器件的尺寸通常在微米至纳米级别，其特点包括： - 小尺寸：微电子器件通常具有毫米或更小的尺寸，这使得它们可以在集成电路中实现高密度布局。

- 快速响应：由于尺寸小，微电子器件的响应速度通常很快，这使得它们适用于高速信号处理和通信应用。

- 低功耗：微电子器件通常具有低功耗特性，这使得它们在便携设备和低功耗电路中非常受欢迎。

3. 常见的微电子器件3.1 MOSFET金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种常见的微电子器件。

它由金属栅极、绝缘层和半导体材料组成，通过调节栅极电压来控制电流。

MOSFET广泛应用于集成电路和数字电子领域。

3.2 MEMS微机电系统（MEMS）是一种将机械、电子和传感器结合在一起的微型系统。

它由微型机械结构和微电子器件组成。

MEMS通常用于传感、加速度计、惯性导航和微型机器人等领域。

3.3 CCD电荷耦合器件（CCD）是一种用于图像传感和成像的微电子器件。

它通过将光信号转换为电荷进行图像采集和存储。

CCD广泛应用于数码相机、摄像机和天文观测等领域。

3.4 LED发光二极管（LED）是一种能够将电能转换为光能的微电子器件。

LED具有高效率、长寿命和低功耗的优点，因此广泛应用于照明、显示和通信等领域。

4. 微电子器件制造技术微电子器件的制造通常涉及以下关键技术： - 硅工艺：硅工艺是制造微电子器件最常用的方法之一，它涉及光刻、薄膜沉积、扩散和离子注入等过程。

- 薄膜技术：微电子器件通常需要在半导体表面上沉积各种功能膜层，薄膜技术是实现这一目标的重要方法。

- 纳米制造技术：纳米制造技术是制造纳米尺度器件的关键技术，包括纳米光刻、纳米精细加工和纳米材料制备等方面。

微电子器件的封装与封装技术

微电子器件的封装与封装技术微电子器件的封装是指将微电子器件通过一系列工艺及材料封装在某种外部介质中，以保护器件本身并方便其连接到外部环境的过程。

封装技术在微电子领域中具有重要的地位，它直接影响着器件的性能、可靠性和应用范围。

本文将对微电子器件的封装和封装技术进行探讨。

一、封装的意义及要求1. 保护器件：封装能够起到保护微电子器件的作用，对器件进行物理、化学及环境的保护，防止外界的机械损伤、湿度、温度、辐射等因素对器件产生不良影响。

2. 提供电子连接：封装器件提供了电子连接的接口，使得微电子器件能够方便地与外部电路连接起来，实现信号传输和电力供应。

3. 散热：现如今，微电子器件的集成度越来越高，功耗也相应增加。

封装应能有效散热，防止过热对器件性能的影响，确保其稳定运行。

4. 体积小、重量轻：微电子器件的封装应尽量减小其体积和重量，以满足现代电子设备对紧凑和便携性的要求。

5. 成本低：封装的制造成本应尽量低，以便推广应用。

二、封装技术封装技术是实现上述要求的关键。

根据封装方式的不同，可以将封装技术分为传统封装技术和先进封装技术。

1. 传统封装技术传统封装技术包括包装封装和基板封装。

（1）包装封装：包装封装即将芯片封装在芯片封装物中，如QFN （无引脚压焊封装）、BGA（球栅阵列封装）等。

这种封装技术适用于小尺寸器件，并具有良好的散热性能和低成本的优点。

（2）基板封装：基板封装主要是通过将芯片封装在PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）上来实现。

它有着较高的可靠性和良好的电气连接性，适用于信号速度较慢、功耗较低的器件。

2. 先进封装技术随着微电子技术的发展，需要更加先进的封装技术来满足器件的高集成度、大功率以及快速信号传输等需求。

（1）3D封装技术：3D封装技术是指将多个芯片通过堆叠、缠绕、插口等方式进行组合，以实现更高的器件集成度和性能。

常见的3D封装技术包括TSV（Through-Silicon-Via，通过硅通孔）和芯片堆积技术。

微电子器件可靠性工艺可靠性

环境适应性挑战与解决方案
环境适应性挑战
微电子器件在复杂环境中使用时，会受到温度、湿度、气压、辐射等多种因素的影响，导致性能不稳定甚至失效。
解决方案
加强封装和密封技术，提高器件的防潮、防尘能力；采用耐高温、耐辐射的器件材料；优化器件结构和工艺，提高环境适应性。
05
微电子器件可靠性未来发展趋势
自动化维修
自动化维修技术将应用于微电子器件的维修中，能够实现快速、准确的维修，提高设备的可靠性和稳定性。
06
结论
微电子器件可靠性工艺可靠性的重要性
保证产品性能
微电子器件可靠性工艺可靠性是保证产品性能的关键因素，可以提高产品的稳定性和可靠性，减
少故障和失效的可能性。
提升生产效率
通过提高微电子器件可靠性工艺可靠性，可以减少生产过程中的不良品和废品，降低生产成本，提高生产效率。
可靠性设计与分析技术的发展
可靠性建模
随着计算机技术的发展，可靠性建模技术将更加成熟，能够更准确地预测和评估微电子器件的寿命和可靠性。
失效分析
失效分析技术将不断进步，能够更快速、准确地定位和解决微电子器件的失效问题。
智能化与自动化在可靠性工程中的应用
智能化检测
通过智能化检测技术，能够实现微电子器件的快速、准确检测，提高生产效率和产品质量。
随着技术的发展，微电子器件的性能不断提高，尺寸不断缩小，集成度不断提高，对电子系统的性能和可靠性起着至关重要的作用。
微电子器件可靠性的挑战
随着微电子器件尺寸的减小和集成度的提高，其可靠性面临着越来越多的挑战。
微电子器件的可靠性问题主要包括热可靠性、机械可靠性、电气可靠性等，这些问题对微电子器件的性能和使用寿命产生重要影响。

微电子器件(4-3)

V D I D③沟道内的载流子迁移率为常数。

④采用强反型近似，即认为当表面少子浓度达到体内平衡多子浓度时沟道开始导电。

)(,inv S S φφ=也即⑤Q OX 为常数，与能带的弯曲程度无关，将Q OX 等价于在氧化层－半导体界面处的电荷密度。

后，沟道内产生横向电场dV E y −=dyy dV y x n )(),(b(y)分别为沟道长度、沟道宽度与沟道厚度b(y)b(y)dV在强反型时（V G > V T ），沟道中有大量的反型载流子（电子）反型载流子（电子）对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用¾能带的弯曲程度几乎不再随V G 增大¾表面势φS 也几乎维持φS,inv 不变。

2、沟道电子电荷面密度Q n （y)3、求强反型表面势φS,inv (y )和Q A (y)当外加V D ( > V S ) 后，沟道中将产生电势V ( y ) 。

V (y ) 随y 而增加，考虑到衬底加有反向偏压-V B ，则在y 处的总反偏压为y zx()BV y V −I DI DsatV DSV Dsat当VDS>V D sat后，简单的处理方法是从抛物线顶点以水平方向朝右延伸出去。

以不同的VGS 作为参变量，可得到一组ID~ V DS曲线，这就是MOSFET的输出特性曲线。

课堂作业某N沟道MOSFET的VT= 1V，β= 10-3AV -2，求当VGS = 4V ，而VDS分别为2V、3V、4V 时的漏极电流之值。

答案：4 mA、4.5 mA、4.5 mA因此)()(T G T G OX n V V V V C Q ≥−−≅MOS 电容整个背面接地，而MOSFET 背面“极板”电势则从源端V S 变化到漏端的V D ，如图所示，MOSFET 可比作电阻型平板电容，在源端两极间电势差为V G -V S ，漏端为V G -V D ，任一点y 处为V G -V(y)，于是)())(()(T G T G OX n V V y V V V C y Q ≥−−−≅长沟模型当V DS > V Dsat 后，沟道中满足V = V Dsat 和Q n = 0 的位置会怎么变化呢？已知当V DS = V Dsat 时，V (L ) = V Dsat ，Q n (L ) = 0 。

微电子器件(3-4)

基区穿通时的 BVCBO与Vpt是否相等？为什么？
在进行BVCBO的测试时，发射结上存在浮空电势，它使其反偏，发生穿通时，由于发射结反偏，所以并未发生击穿，直到发射结达到击穿电压才发生击穿。
BVCBO V pt BVEBO
3)基区穿通时的 BVCEO
BVCEO V pt VF V pt
例：若 0.99，则VBE 0.12V, n p (0) 9.9 10-3 n po
2、反向截止电流 1）IEBO和ICBO
n
p
n
n
p
n
定义
ICBO表示集电极 IEBO表示集电极开路时发射结的开路时发射结的反向饱和漏电流。反向饱和漏电流。
ICBO ICS 1 R
但因 IE = 0 ，基区少子得不到补充，使在靠近发射结一侧，
有：np(0) < npo ，根据边界条件，
这说明发射结上存在一个反向电压，这就是浮空电势。已知 NPN 管的共基极电流-电压方程为：
qVBE I E I ES exp kT
qVBC - 1 - R I CS exp kT qVBC - 1 - I CS exp kT
- 1
(1)
qVBE I C I ES exp kT
- 1
(2)
将 IE = 0 代入方程 ① ，得：
I CS qVBE exp kT 1 R I ES
考虑到 VBC
ICBO的测试电路
ICBO ICS 1 R I EBO I ES 1 R
2）ICEO

微电子器件的设计与工艺技术

微电子器件的设计与工艺技术微电子器件指的是已经制造好的微型电子元件，它们是我们现代电子技术不可或缺的组成部分。

微电子器件的种类繁多，设计与工艺技术水平的高低直接影响了整个电子行业的发展。

本文将从微电子器件的设计和制造工艺等角度，探讨微电子器件的设计与工艺技术。

一、微电子器件的分类微电子器件可以分为二极管、三极管、场效应管、集成电路等多种类型。

其中，集成电路是现代电子技术的重要代表，因其集成性强、功能多样而受到广泛应用。

在微电子器件的制造工艺中，集成电路也是占据主导地位的。

二、微电子器件的设计微电子器件的设计与制造技术紧密相关。

设计属于前期工作，设计好的电路才能够被制造出来。

现代电子电路的复杂性越来越高，实现一些特殊功能所需要的原件也越来越多。

因此，微电子器件的设计必须满足以下几个方面的要求：（1）功能性电路设计的首要目标是要满足电路所要实现的功能要求。

为了在实现特定功能时不影响电路的稳定性，微电子器件的设计需要考虑使用合适的器件、合理的芯片布局等等因素。

（2）稳定性设计好的微电子器件应该在长时间的使用过程中能够保持稳定性。

为此，需要设计出能够对外部环境变化产生较好的适应性的器件，并采用合适的芯片布局避免器件之间的相互影响。

（3）可靠性微电子器件应该有良好的可靠性，以尽量减少电路故障的可能性。

设计时需要考虑到电路的负载、放电等方面因素，以确保器件的可靠性。

（4）兼容性现代电子设备越来越能够相互兼容，因此微电子器件的设计也需要考虑到与其他器件的兼容，以达到更好的功能实现。

三、微电子器件的制造工艺微电子器件制造是一个非常复杂的工艺过程，其包括材料制备、器件的加工和装配等多个环节。

其中，材料制备是制造工艺的基础。

（1）材料制备微电子器件的材料一般采用半导体材料，在制造过程中需要严格控制材料的性质，以确保电路的稳定性和可靠性。

材料制备的关键在于半导体材料的质量、晶格结构和纯度等方面的控制。

（2）器件的加工和装配加工和装配是整个工艺流程最为重要的环节之一。

微电子器件基础

2.寄生晶体管几乎一直处于关断态，只有在高速开关切换时处于开态。
3。寄生晶体管可能会产生一个很大的开态漏电流。使 MOSFET烧坏，称之为反向击穿。
10
8.3散热片和结温
晶体管消耗的能量会使其内部温度逐渐升高，以致超过周围环境的温度。如果结温Tj太高，会永久烧坏晶体管，因此功率晶体管在封装时会包含散热片。考虑散热片的影响时，必须考虑热阻θ的概念，其单位是℃/W。元件的温度差T2-T1与热阻的关系为： T2－T1＝Pθ P是通过元件的热功率。
3
8.1功率双极晶体管 8.1.2 功率晶体管的特性
功率晶体管的电流特性
4
8.1功率双极晶体管
8.1.3、达林顿组态
npn达林顿组态
npn达林顿组态的集成电路实现
5
8.2功率半导体MOSFET 8.2.1 功率晶体管的结构
双扩散MOS横截面
垂直沟道VMOS
6
8.2功率半导体MOSFET 8.2.2 功率晶体管的特性
1.更快的开关转换时间。 2.无二次击穿效应。 3.在一个更宽的温度范围内有稳定的增益及响应时间。
7
8.2功率半导体MOSFET 8.2.2 功率晶体管的特性
8
8.2功率半导体MOSFET 8.2.3 寄生双极晶体管
9
8.2功率半导体MOSFET
8.2.3 寄生双极晶体管
1.MOSFET的沟道长度视为寄生晶体管的基区宽度，寄生晶体管的电流增益很大。
4.MOS关态闸流管
24
11
8.ห้องสมุดไป่ตู้散热片和结温
12
8.4半导体闸流管
电子器件的一个重要应用就是开态到关态的转换，对于所有的pnpn结构的半导体器件，如果其能实现双稳态正反馈开关转换特性，就可称之为闸流管。对于三电极的半导体闸流管来说，半导体整流器（ SCR）是常用的名称。

微电子器件的工作原理及性能特征

微电子器件的工作原理及性能特征微电子器件是一种极其微小的电子元件，其尺寸通常在微米或纳米级别。

它们在电子设备中起着至关重要的作用，如计算机、手机、摄像机等。

本文将介绍微电子器件的工作原理及其性能特征。

一、微电子器件的工作原理微电子器件的工作原理基于半导体材料的性质。

半导体材料具有介于导电体和绝缘体之间的特性，可以根据外部条件改变其导电性能。

微电子器件中最常见的半导体材料是硅(Si)和砷化镓(GaAs)。

微电子器件的工作原理涉及到PN结的形成。

PN结是由P型半导体和N型半导体的结合而成。

当一个PN结连接到电路中时，形成了一个二极管。

二极管具有只允许电流在一个方向流动的特性。

当正向偏置电压施加在二极管上时，电子从N型区域向P型区域流动，同时空穴从P型区域向N型区域流动。

这种流动形成了电流。

而当反向偏置电压施加在二极管上时，几乎没有电流流过二极管。

微电子器件还涉及场效应晶体管(FET)。

FET是一种三个电极的器件：栅极、源极和漏极。

栅极的电压可以控制漏极和源极之间的电流。

FET工作原理是，当栅极电压变化时，形成电场，改变了漏极和源极之间的耗尽层宽度，从而改变了电流的流动。

这种特性使得FET在调节信号增益和开关电路中具有广泛的应用。

二、微电子器件的性能特征1. 尺寸小：微电子器件的尺寸通常在微米或纳米级别，比传统的电子元件小得多。

这使得它们可以在更小的空间内集成更多的功能。

2. 低功耗：由于微电子器件的尺寸小，它们通常具有较低的功耗。

这对电池寿命和能源利用效率至关重要。

3. 高速度：微电子器件的小尺寸使得信号传输的距离更短，导致更快的响应速度。

这对于高速数据传输和计算任务非常重要。

4. 高集成度：微电子器件具有高度的集成度，可以在一个芯片上集成大量的功能单元。

这使得设备变得更小巧、轻便，并提高了系统的整体性能。

5. 可靠性高：微电子器件的制造工艺经过精细的控制，使得其具有较高的可靠性和稳定性。

它们能够在不同的工作环境下长时间工作而不损坏。

《微电子器件》课件

新型微电子器件
随着科技的不断发展，新型微电子器件的研究也在不断推进。目前，新型微电子器件主要集中在柔性电子器件、生物可穿戴器件、量子器件等领域。
生物可穿戴器件
生物可穿戴器件是指能够与人体直接接触并监测人体生理参数的微电子器件。目前，生物可穿戴器件的研究重点在于提高其舒适性、准确性和稳定性。
描述模拟电路性能的参数，表示输入与输出之间的线性关系。
微电子器件的测试方法与设备
测试方法
包括功能测试、性能测试和可靠性测试等。
测试设备
如示波器、信号发生器、频谱分析仪等。
测试环境
需要控制温度、湿度、电磁干扰等环境因素。
测试标准
根据不同应用领域制定相应的测试标准。
微电子器件可靠性分析
可靠性定义
02
微电子器件的基本结构与原理
半导体材料基础
半导体材料的分类
元素半导体、化合物半导体、掺杂半导体等。
半导体的基本性质
导电性、光学特性、热学特性等。
半导体的能带结构
价带、导带、禁带等概念及其对电子跃迁的影响。
PN结与二极管
PN结的形成
01
扩散、耗尽层、空间电荷区等概念。
二极管的伏安特性
02
性能和热管理技术。
机械可靠性
微电子器件在受到机械应力时容易发生损坏，机械可靠性问题不容忽视。目前，机械可靠性的研究重点在于提高微电子器件的抗冲击和抗
振动性能。
电气可靠性
微电子器件在长时间工作过程中容易出现电迁移、氧化等问题，影响其电气性能。目前，电气可靠性的研究重点在于提高微电子器件的稳
柔性电子器件
柔性电子器件具有轻薄、可弯曲、可折叠等特点，被广泛应用于可穿戴设备、智能家居等领域。目前，柔性电子器件的研究重点在于提高其稳定性、可靠性和生产效率。

电子行业几种重要的微电子器件

电子行业几种重要的微电子器件引言微电子器件是电子行业中的重要组成部分，它们在各种电子设备中起到关键作用。

本文将介绍几种电子行业中常见且重要的微电子器件，包括集成电路、微处理器、MEMS传感器和功率器件。

通过了解这些器件的原理和应用，可以更好地理解电子行业的发展和创新。

1. 集成电路集成电路（Integrated Circuit，IC）是电子行业中最重要的微电子器件之一。

它是使用半导体材料制造的电子元件集合体，包括电阻、电容、电感、二极管、三极管等。

集成电路的主要特点是尺寸小、功耗低、可靠性高、成本低。

常见的集成电路类型包括模拟集成电路和数字集成电路。

模拟集成电路用于处理连续信号，它可以对信号进行放大、滤波、混频等操作。

模拟集成电路广泛应用于通信、音视频设备等领域。

数字集成电路用于处理离散信号，它通过逻辑门电路实现数字信号的处理和运算。

数字集成电路广泛应用于计算机、通信、自动化控制等领域。

集成电路的发展使得电子设备变得更加小型化、智能化和功能强大，推动了电子行业的快速发展。

2. 微处理器微处理器是一种集成电路，它是电子设备中的“大脑”，负责执行指令和控制计算机的运行。

微处理器包含运算器、控制器、缓存和寄存器等功能单元，它可以通过外部输入输出设备与外界进行信息交互。

微处理器的性能主要由时钟频率、位数和内核数量等指标决定。

随着技术的进步，微处理器的性能不断提高，使得计算机的运算速度和处理能力大幅提升。

微处理器广泛应用于个人电脑、服务器、嵌入式系统等领域。

它的发展推动了计算机技术和信息技术的快速发展，为人们的生活带来了巨大的改变。

3. MEMS传感器MEMS传感器（Microelectromechanical Systems Sensor）是一种微型机电系统，它结合了微电子技术和机械工程技术，具有感知、控制和执行功能。

MEMS传感器主要用于测量和检测各种物理量，如温度、压力、湿度、加速度和角度等。

它的小尺寸、低功耗和高精度使得它在手机、汽车、医疗、工业自动化等领域得以广泛应用。

微电子器件 (绪论)

微电子器件钟智勇办公室：<微电子楼>217室电话：83201440 E-mail: zzy@ 答疑时间：周三晚上8:00-10:00绪论1、课程介绍 2、半导体器件的发展简史 3、半导体器件的基本构件 4、半导体器件中的基本关系与方程一、课程介绍• 课程内容 • 为什么学习本课程 • 怎样学习本课程 • 课程的有关安排1、课程内容1.1、微电子器件与半导体器件的关系微电子器件微电子器件（Microelectronic Devices）主要是指能在芯片上实现的电阻、电容、电感、半导体器件等电子器件。

另一种说法是，微电子器件是指芯片中的线宽在微米量级的器件，更小的称作纳米电子器件。

半导体器件半导体器件（Semiconductor Device）指是利用半导体材料（单晶）制备的具有特定功能的电子器件。

1.2、半导体器件研究内容¾ 研究半导体器件中载流子（电子或空穴）的运动规律 ¾ 研究半导体器件中载流子运动行为的控制方法 ¾ 进而研究器件性能与器件结构以及材料特性间的关系 9 迄今大约有60种主要的半导体器件以及100种和主要器件相关的变异器件1.3、本课程的学习内容 1. pn结 2. 双极性晶体管（BJT) 3. MOS晶体管建议阅读与深入学习内容 4.异质结微电子器件 5.有机微电子器件学习三种典型器件的基本工作原理、结构与电特性（交直流特性等）的关系，为进一步学习打下坚实的理论基础。

6. 新器件（纳米-自旋电子器件）2、为什么学习本课程2.1 从课程体系看• 本课程是“电子科学与技术（微电子技术）”与“集成电路设计与集成系统”专业的一门专业主干课。

是从事微电子、集成电路等研究、开发的专业基础课程之一IC的基础数字集成电路的建库等模拟集成电路、射频集成电路设计近代集成电路设计和制造的重要理论基础9 9 9 92.2 从产业发展看电子产业的核心是集成电路，而半导体器件是集成电路的基础电子工业是主导产业设计需求制造封装测试应用3、本课程的学习方法难公式多物理机理多1. 2. 3.理解推导思路尽可能地亲自推导相关公式注意各公式的使用条件 1. 结合物理机理，理解与掌握公式中各参数之间关系相关知识的灵活应用1. 2.复习半导体物理知识多看、多思，准确把握基本物理概念及机理2.4、本课程的讲述思路本课程目的：三种器件的基本结构，工作原理，主要特性外电场作用下载流子在器件内的运动规律定性分析（掌握物理机理）定量分析（掌握器件性能与相关参数关系）掌握研究与分析微电子器件特性的基本方法4、课程的相关安排与要求4.1、教材与参考书教材：微电子器件（第3版），陈星弼，张庆中，2011年参考书：1.半导体器件基础，B.L.Anderson, R.L.Anderson, 清华大学出版社，2008年2.半导体器件基础，Robert F. Pierret, 电子工业出版社，2004年3.集成电路器件电子学（第三版），Richard S. Muller,电子工业出版社，2004年4.半导体器件物理与工艺（第二版），施敏，苏州大学出版社，2002年5.半导体物理与器件（第三版），Donald A. Neamen, 清华大学出版社，2003年6. Physics of Semiconductor Devices( 3th Edition), S M Sze, Wiley-Interscience, 20072 晶体管的发明•1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W.Schokley，J. Bardeen、W. H. Brattain。

微电子器件(3-3)

当 0 时为均匀基区；在实际的缓变基区晶体管中，的值为 4 ~ 8。
令基区多子电流密度为零，
dpB ( x) J p qDp qp pB ( x) E 0 dx
解得内建电场为
1 dpB ( x) 1 dpB ( x) Dn E n pB ( x) dx p pB ( x) dx
当上述的情况针对缓变基区晶体管NPN
dN B (x) 1 E B N B ( x) dx
NE(x) NB(x) NC NE(x) NB(x)
DB
NC
0 xje xjc
x
0 xje xjc
x
对处于放大状态下的缓变基区晶体管NPN 当 dN B (x) dx 0时，对少子是加速场；当 dN B (x) dx > 0时，对少子是减速场。
3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数
本节以 NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 NE(x) NB(x)
N+ P N
0
xje xjc
NC
0 xje xjc
x
基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为
漂移晶体管。
第二章习题2-7: 试推导出杂质浓度为指数分布N = N0exp(-x/) 的中性区的内建电场表达式。 P
2 iB
2 niB
qVBE J nE qkT p n R n exp 1 kT qVBE 2 J pE qkT p n R口E niE exp 1 kT 2 J pE R口E niE R口E EG 2 exp J nE R口B1 niB R口B1 kT J pE R口E EG 1 1 exp J nE R口B1 kT

微电子器件3

ib
gm
vbe
1
ro
vcb
1 ic gmvbe ro vcb
3.9.4 Y 参数
I1 + V1
I2
+ V2
晶体管电流电压关系的 Y 参数（导纳参数）表示法：
I1 Y11V1 Y12V2 I2 Y21V2 Y22V2
根据式（3-358）的共基极高频小信号电流电压方程，
Ie
gm
jCπ Vbe
0
qbC x
WB
于是得到各 “ q ~ v ” 关系为
qe
(1 0 ) E
vbe re
qb
qbE
qbC
CDEvbe
re ro
CDEvcb
qte CTEvbe
qtc CTCvcb
3.9.3 高频小信号电流电压方程
将以上 qe、qb、qte、qtc 代入 ib 中，并经整理和简化后得：
ib
qb
；
(5) (6)
当当
qB qE
变变化化时时，引对起的CD电E 的流充d电qE电。流这d部dqtB分电；流可以忽略。 dt
因此基极电流 iB 可以表为
iB
qB
B
qE
E
d(qTE qTC ) dt
dqB dt
基极电流的高频小信号分量 ib 也有类似的形式，
ib
qb
B
qe
E
d(qte qtc ) dt
是电阻
re
1 gm
。由
于电阻 re 远小于与其
并联的电阻 r ，故
r 可以略去，得：
再对 b’、c 之间的电流源 gmVeb ’ 进行转换，
gmVeb

微电子器件的制造技术

微电子器件的制造技术随着社会的发展和科技的进步，微电子技术越来越被人们所重视。

微电子器件是一种基于细微的物理结构和材料特性来实现功能的电子器件。

微电子器件的制造技术，不仅关系到国家的科技水平，更关系到整个社会的进步。

本文将从微电子器件的种类、制造技术和应用领域加以探讨。

一、微电子器件的种类微电子器件根据功能和工艺技术的不同，可以分为射频微电子器件、光电子器件、微波微电子器件、半导体发光二极管器件、半导体激光器件、微机电系统器件、纳电子器件等。

这些微电子器件广泛应用于无线通信、光纤通信、电子娱乐、计算机网络、医疗设备等领域。

二、微电子器件的制造技术包括“半导体工艺”和“光刻技术”。

其中半导体工艺是微电子器件制造中最基础的技术，是将在硅晶圆片表面建立电子元件所需要的各种涂覆、蚀刻、沉积、打孔等步骤进行的工艺。

它大体上可以分为以下几个步骤：1、半导体材料的生长半导体材料包括硅、砷化镓、氮化镓等，它的生长是指在硅晶圆片上，通过热力学和热化学反应的方式形成单晶或多晶材料。

2、清洗硅晶片为了去除硅晶片表面的杂质，使其表面光滑，可以采用一种名为“清洗”的硅表面改良技术。

3、表面涂覆在清理过后的硅晶片上，需涂覆一层特殊的聚合物涂料，用来防止光刻胶渗透到晶圆上面的其他区域，保护晶圆的完整性。

4、光刻光刻是一项重要的微电子器件制造技术，也是生产半导体集成电路的核心技术之一。

光刻是基于光学原理的达到图形转移到硅基片上的一种微电子器件制造技术。

即将芯片设计好的图案通过光刻胶将其复制到硅片的表面上。

5、蚀刻蚀刻是将制造芯片所预制的雕刻图案与晶圆表面材料进行剥离的微电子器件制造技术。

通过将晶圆放入特定的化学液体和プラズマ状态的气体中，进行局部加热，从而提供能量以使反应发生。

通过这种方法进行创新，可以很好地实现化学反应。

将晶圆表面上需要剥离的材料逐渐蚀刻掉，从而形成需要的电子器件元件。

三、微电子器件的应用领域微电子器件在多个领域都有广泛的应用，下面分别介绍几个典型的应用领域：1、无线通信无线通信是将卫星通信、移动通信、电视广播、局域网等装备于不用的设备离散分布，建立一种共享的通信网络，使各种无线信息传输技术得到充分应用。