材料电子束蒸发速率的稳定性实验研究_马月芬
电子束蒸发
技术分类：依据蒸发源的不同
电阻热蒸发
真
电子束蒸发
空
蒸
高频感应蒸发
发
技
术
激光束蒸发
反应蒸发
电阻热蒸发
热蒸发：蒸发材料在真空室中被加热，其原子 或分子从表面逸出的现象
加热方式：电阻加热
电阻材料：难熔金属
优点：构造简单、造价便宜、使用可靠 缺点：加热所达最高温度有限、蒸发速率较低、蒸发面积小、
不适用于高纯和高熔点物质的蒸发
电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束直接加热使蒸 发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜
蒸度高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要加热方法
电子枪由电子束聚焦方式的不同分类： 直式电子枪 环枪（电偏转） e形枪（磁偏转）
高频感应加热（叶志镇 2008）
优点：污染少 蒸发速率大 不易产生飞溅 操作简单
缺点：不能预除气 功率不能微调 装置复杂、昂
贵
激光束蒸发
工作原理：采用激光束作为蒸发材料的一种热源，让高能 量的激光束透过真空式窗口，对蒸发材料加热蒸发，通过 聚焦可使激光束功率密度提高到106w/cm2以上。
优点：可蒸发高熔点材料 热源在室外， 简化真空室 非接触加热，无污染 适于超高真空下制取纯
环形枪结构示意图（叶志镇 2008）
优点：不易污染 功率大 可蒸发高熔点材料 成膜质量较好
缺点：要求高真空 设备成本高 易污染 斑点固定 易“挖坑” 功率和效率都不高
直枪结构示意图（叶志镇 2008）
优点：使用方便 功率变化范围广 易于调节
缺点：设备体积大 结构复杂
成本高 易污染
电子束蒸发的制备方法研究
电子束蒸发的制备方法研究电子束蒸发是一种常见的薄膜材料制备方法，它通过电子束加热固态材料，使其蒸发成为气体，最终在衬底表面沉积为薄膜。
在材料科学、光学、电子学等领域中，电子束蒸发广泛应用，例如制备透明导电膜、光学薄膜、金属薄膜等。
本文将就电子束蒸发的制备方法，阐述其具体步骤、技术特点和存在的问题等进行探讨。
1、电子束蒸发的步骤电子束蒸发可以分为四个步骤：材料准备、固态材料的加热蒸发、蒸发材料的运输和沉积、薄膜特性分析。
首先，材料需粉碎成粉末或片剂，然后再加入到电子束蒸发器的坩埚中。
接着，通过电子束的束缚作用，将蒸发器内的固态材料加热至其蒸汽压与所需沉积压力相当。
当蒸发材料获得足够能量释放时，它将变为气体状态，由于交通运输规定，这个气体会通过依靠各种气体管道和流量计排出。
最后，电子束蒸发所得的薄膜通常需要进行检测、性质分析或者后续工艺加工。
2、电子束蒸发的技术特点电子束蒸发具有以下几方面的技术特点：（1）高度纯化：由于在真空条件下进行，可以有效避免与空气中杂质的相互干扰，蒸发出来的物质具有极高的纯度。
（2）高效性：电子束加热方式能够提供更高的蒸发速率。
（3）灵活性：通过在压缩、微加工和光学等领域的应用，利用电子束蒸发装置可以在多种衬底材料和非线性薄膜材料之上制备出一系列可能的材料和结构。
（4）厚度和位置控制：这个技术能够通过精密控制蒸发过程中的蒸汽压力、沉积速度等参数实现对厚度和位置的高度控制性。
（5）可重复性：在电子束蒸发的操作过程中，可以通过对加热温度、时间、蒸汽压、功率、坩埚耗损等多个参数的实时控制来规范化这个过程。
3、电子束蒸发的存在问题（1）电子束损耗问题：由于电子束需要对生产物资进行加热蒸发，因此电子束的数量和能量对衬底和未被用作蒸发物的部分进行了浪费。
目前，将多个蒸发器的蒸汽扔在一个专门的离子收集器中的方法目前已经被广泛采用，以用于电子回收。
（2）耗能问题：电子加热的方法与其他热蒸发和物理气相沉积等材料制备技术相比，并没有太高的能量利用效率，因此在工业生产中，需要更经济和高效的能源来源。
真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法
真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法在物理实验中，真空技术被广泛应用于各个领域，其在材料科学研究中的蒸发与沉积方法尤为重要。
蒸发与沉积是指将固体材料升华或气相物质沉积到基底上的过程。
本文将针对真空技术的蒸发与沉积方法展开论述。
一、蒸发技术1. 热源蒸发法热源蒸发法是最常见的蒸发技术之一。
通过加热材料到其蒸发温度，使其直接升华，形成蒸气沉积在基底上。
这种方法可以用于制备纯净的金属、氧化物和半导体材料。
但是，热源蒸发法的主要缺点是易导致样品结构的变化，同时，材料的浓度难以控制。
2. 电子束蒸发法电子束蒸发法利用电子束轰击材料进行蒸发。
电子束蒸发法具有较高的功率密度，可以实现较大范围的蒸发。
此外，这种方法可以通过控制电子束的扫描速度和轰击功率来实现对材料的精确控制，从而使蒸发过程更加稳定。
3. 溅射蒸发法溅射蒸发法是一种基于物理性质的蒸发方法。
在真空室中，通过在目标材料上施加电压，产生高速离子束与目标相撞击，使材料升华并沉积在基底上。
这种方法适用于制备薄膜材料，并且可以实现对薄膜沉积速率和形貌的精确控制。
二、沉积技术1. 化学气相沉积法化学气相沉积法利用气体在真空环境中进行化学反应的原理，将材料从气相沉积到基底上。
这种方法特别适用于制备高纯度、均匀的薄膜材料。
在化学气相沉积法中，还有化学气相沉积（CVD）和分子束外延（MBE）等不同的方法。
2. 电子束蒸发沉积法电子束蒸发沉积法是利用电子束轰击材料产生的高能量电子使其升华，并通过自由传播到基底上进行沉积的方法。
这种方法具有较高的温度控制精度和较小的基底污染，适用于制备单晶材料。
3. 磁控溅射沉积法磁控溅射沉积法是一种在真空环境中通过磁场控制离子和中性粒子的轨迹来实现材料沉积的方法。
这种方法具有高沉积速率、良好的附着力和均匀性等优点。
它在制备金属薄膜和合金薄膜方面有着广泛的应用。
总结起来，真空技术在物理实验中的蒸发与沉积方法主要包括热源蒸发法、电子束蒸发法、溅射蒸发法、化学气相沉积法、电子束蒸发沉积法和磁控溅射沉积法等。
物理实验技术中的电子束蒸发技术的仪器设置与优化方法
物理实验技术中的电子束蒸发技术的仪器设置与优化方法引言:电子束蒸发技术是一种常用的薄膜沉积方法，广泛应用于材料科学、纳米技术、微电子学等领域。
在进行电子束蒸发实验时，仪器设置和优化方法是确保实验成功的关键因素之一。
本文将介绍一些在物理实验技术中使用电子束蒸发技术时的仪器设置和优化方法。
一、仪器设置1. 蒸发源蒸发源是电子束蒸发实验中最核心的部件之一。
一般情况下，使用钨丝或碳化钨膨胀体作为蒸发源。
根据需要蒸发的材料种类和厚度，可以选择不同的蒸发源。
2. 高真空系统在电子束蒸发实验中，高真空环境是必需的。
因此，高真空系统的选择和设置至关重要。
主要包括真空室、抽气系统和漏铜等。
3. 控制系统为了实现精确的蒸发控制和监测，需要一个可靠的控制系统。
控制系统包括电子束炉控制器、温度控制器、蒸发速率控制器等。
合理设置控制系统参数可以提高实验的精确性和稳定性。
二、优化方法1. 材料准备在进行电子束蒸发实验之前，需要做好材料的准备工作。
这包括将材料制成均匀的颗粒或片状，并确保材料的纯度和质量。
这对于获得均匀、致密的薄膜至关重要。
2. 蒸发条件优化对于不同的蒸发材料与蒸发源，需要根据实验需求进行优化。
蒸发功率、蒸发速率和角度是关键参数。
合理调整这些参数可以提高蒸发效果并控制薄膜的质量和厚度。
3. 衬底处理蒸发过程中，衬底的处理也非常重要。
衬底应具有足够的平整度和良好的附着性。
在蒸发前，需要对衬底进行清洗和处理，以确保蒸发的薄膜在衬底上得到良好的附着。
4. 实验参数监测与调整在进行电子束蒸发实验时，实时监测实验参数的变化可以帮助及时调整实验条件。
使用离子计或实时监测系统来监测薄膜的厚度和质量等参数，确保实验过程的准确性和稳定性。
结论:电子束蒸发技术在物理实验技术中应用广泛，其仪器设置和优化方法对实验结果的准确性和稳定性至关重要。
通过合理设置蒸发源、高真空系统和控制系统等仪器，以及优化材料准备、蒸发条件、衬底处理和实验参数监测等方法，可以获得高质量、均匀的薄膜，为相关领域的研究和应用提供有力支持。
电子束蒸发制备ZnO_Al透明导电膜及其性能研究_王子健
第35卷第6期 人 工 晶 体 学 报V o.l 35 N o .62006年12月J OURNA L OF SYNTHET IC CRY S TAL S D ece mber ,2006电子束蒸发制备Zn O B A l 透明导电膜及其性能研究王子健,王海燕,郜小勇,吴 芳,李红菊,杨 根,刘绪伟,卢景霄(郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州450052)摘要:在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l 透明导电膜,并对所得样品在400e 下进行了退火处理。
利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。
利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200e 时制备的样品电阻率可达6@10-38#c m 。
关键词:电子束蒸发;ZnO B A l 薄膜;衬底温度中图分类号:O 484文献标识码:A文章编号:1000-985X (2006)06-1355-04R esearch i n E lectrical and Optical Properties of Zn O :A lFil m s Prepared by E lectron Bea m E vaporationWANG Z i -jian,WANG H ai -yan,GAO X iao-yong,W U F ang,LI H ong-ju,YANG G en,LIU X u-w ei ,LU J ing-x iao(Key Laboratory ofM aterial Physics ofM i n istry of Educati on,I n stitute of Phys i cs and E ngi neeri ng ,Zhengz hou Un ivers i ty ,Zh engzhou 450052,Ch i na)(R ecei v e d 28February 2006,acce p t ed 19Ju l y 2006)Abst ract :I n th is paper ZnO :A l fil m s w ere prepared on g lass by e lectron bea m evaporati o n .And thesa mp les w ere annealed at 400e .The properties o f the fil m s w ere i n vestigated by X-ray d iffraction spectro m eter and scanning e lectron m icroscopy.The results sho w that the fil m s have high trans m ittance i n the v isi b le area.The resistiv ity o f the fil m s prepared at 200eis 6@10-38#c m.K ey w ords :electron bea m evaporation ;ZnO:A l fil m s ;substrate te mperature收稿日期:2006-02-28;修订日期:2006-07-19 作者简介:王子健(1982-),男,河南省人,硕士。
电子束蒸发制备的ZnS薄膜的物相结构和光学性能
[5] 邓意达，贺跃辉，唐建成，等.ZnS光电材料制备技术的研究进展[J].材料导报，2002,16(5):52-54.
[6] POWALLA M，VOORWINDEN G,HARISKOS D,et al．Highly efficient CIS solar cells and modules made by the co-evaporation process[J]．Thin Solid Films，2007，517(7):2111-2114.
参 考 文 献:
【相关文献】
[1] NAGHAVI N,ABOU-RAS D,ALLSOP N,et al.Buffer layers and transparent conducting oxides for chalcopyrite Cu(In,Ga)(S,Se)2 based thin film photovoltacics:present status and current developments[J].Prog Photovolt:Res Appl,2010,18(6):411-433.
3.2 ZnS薄膜的吸收光谱
图2是不同衬底温度下制备的ZnS薄膜的吸收光谱，由图可见，电子束蒸发制备的ZnS薄膜具有良好的可见—近红外光透过性.图3是根据ZnS薄膜的透射谱和Tauc公式得到的Tauc曲线，Tauc公式如下：
(αhν)2=A(Eg- hν)
(4)
其中A为常数，Eg为光学带隙，α为对应频率为ν的光波的吸收系数，h为普朗克常量[10].
[2]HARISKOS D,SPIERING S,POWALLA M.Buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 solar cells modules[J].Thin Solid Films,2005,480-481:99-109.
电子束蒸发法在Al2O3衬底上制备MgB2超导薄膜
以有大量的实验都集中在 Ｍ 超导薄膜 的制备上。 ｇ
制备 Ｍ Ｉ 超导 薄膜 的困难主要在于 ： ｇ Ｂ ｇ２ ｉ Ｍ 和 的蒸汽 压
相差太大 ； 对氧很敏 感 ， Ｍｇ 易氧化 ， 热稳 定性 实验 表 明 Ｍｇ 在 温度高 于 ４ ５Ｃ ２ ￣时开始分解 。 目前多数 ｒ ， 超 ａ￣ ｇ
导薄膜都是经过后热处理 制备 的。不经过 后热处 理制 备 的 Ｍ 超 导薄膜 Ｔ 低 ， 始转变温度一般不超过 为 ｇ ｃ 起
３Ｋ ５ 。已经采用的淀积方法主要有： 冲激光淀积法 脉
（Ｌ ）磁控溅 射 、 ＰＤ 、 热蒸发 、 分子柬外延 （ ）化 学气 相 １ 、 衄Ｅ
沉积。后热处理分为异位热处理和原位热处理两种。 异位热处理温度在 ９０ 附近， ０￣ Ｃ 所制备的 ＾ 超导薄
先驱膜沉积 ： ｌ４０的真空 度达到 １０×１ ｍ ａ ＩＴ０ Ｙ ． ０ ｂｒ 的背景真空度后 ， 进行 先驱膜 的沉 积。在 ０ （ ０ １ ３０ ０ ）
２ 实验方 法
选择合适 的基 片是 获得 高 品质超 导 薄膜 的关键 。 二硼化镁超导 薄膜 的制备 一般 在 高温 （ ０ 一 ５￣） ５ ９０Ｃ ｏ 下进行 ， 就对 基 片的选 择 提 出了一 些要 求 。不管 是 这
能 过大 ， 介质损耗小 。此 外 ， 要有 足够 的机 械强 度和化 学 稳定性 。
的 ； 电流密 度低 温零场 高达 １６／ｒ［ ４， 临界 ０ ｅ２ －】晶粒边 Ａ ａ３
界对超 导电流 没有 明显影响 ； 的相干 长度 为 ５Ａ５， 它 ０［ Ｊ
电子束蒸发制备TiO2_云母薄膜及其光学和光催化性能分析
电子束蒸发制备TiO2/云母薄膜及其光学和光催化性能分析发布时间：2022-01-25T07:39:18.776Z 来源：《中国科技人才》2021年第29期作者：李化中[导读] 以往人们采用的部分化学品中含有诸多污染物，在环境中大量积累后造成严重的污染，甚至部分可溶于水的污染物在饮用水中被检测出来，这说明化学污染对人类生命健康构成严重威胁。
江苏金陵机械制造总厂江苏南京 210000摘要：本文采用电子束蒸发法对退火温度对TiO2薄膜结构、光学性质于光催化性能产生的影响进行分析。
根据研究结果可知，当退火温度逐渐提升时，晶粒尺寸逐渐增加、带隙能降低。
与常规状态下的TiO2相比，受压力作用的薄膜光催化降解效率更高，且温度越低降解率越高，这说明应力对薄膜光催化降解具有较大帮助。
关键词：电子束蒸发法；云母薄膜；光催化性能引言：以往人们采用的部分化学品中含有诸多污染物，在环境中大量积累后造成严重的污染，甚至部分可溶于水的污染物在饮用水中被检测出来，这说明化学污染对人类生命健康构成严重威胁。
此类化合物经过混合后形成新的污染物，且无法降解，传统处理方式难以将其彻底消除。
在此背景下，TiO2半导体催化剂诞生，具有无毒无害、成本低廉、稳定性强等特点，可经营到废水处理中，使水环境得到有效保护。
1实验研究1.1TiO2/云母薄膜的制备本实验采用电子束蒸发法，在云母基板中沉积TiO2薄膜，先用云母片对0.1mol/L的氢氧化钠与同等重量的氯化氢溶液进行洗涤后，再将云母片放入溶液内，用双蒸馏水对其进行冲洗，最后利用丙酮溶液进行彻底清洗。
将硅基板干燥处理后设置在基板架上，将机架放入电子束蒸发器的处理中心，并抽成真空状态。
在预处理和蒸发室压力值相近时，室内的阀门开启，架子也深入电子束蒸发室。
在衬底压力为2×10-5Pa时进行加热，当温度提升到300℃时对电子枪灯丝预热。
在预热结束后，放入坩埚内进行轰炸TiO2靶材。
将蒸发时间提升到1h，在蒸发期间压力与功率较为稳定，在持续一段时间后，便可得出云母薄膜厚度的估算值。
快速蒸发电离质谱技术及其应用研究进展
ｎｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓꎬ ＰＣＡ) 开 发 了 一 套 组 织 识 别 系 统ꎬ
为手术中组织的原位分析提供了可能ꎬ 并将该技
术命名为 ＲＥＩＭＳꎮ 在随后的十余年里该技术得到
了迅速发展ꎬ 并于 ２０１４ 年被 Ｗａｔｅｒｓ 公司收购实
现商业化ꎮ 商业化的 ＲＥＩＭＳ 设备增加了辅助溶剂
手术中的手术烟雾现象ꎬ 自 ２００９ 年报道以来ꎬ 作为一种新型原位电离质谱技术已被广泛应用于医学、 微生
物鉴定、 食品真伪鉴别、 代谢物研究、 药用植物成分鉴定等领域ꎮ 该技术通过电离切割组织或其他生物样品
产生的含丰富特定区域生物特征的气溶胶ꎬ 对其进行原位、 在线、 实时、 快速质谱分析ꎮ 该文阐述了快速蒸
量或表型特征ꎮ 本文综述了 ＲＥＩＭＳ 技术的发展历程、 工作流程、 电离机制以及近年来在医学、 微生物
鉴定、 食品真伪鉴别、 代谢物研究、 药用植物成分鉴定等领域的应用研究进展ꎬ 并对其前景进行了
展望ꎮ
１ 发展历程组织样本中生物分子质谱分析通常采用解吸附电离ꎬ 如二次离子质谱( Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃ￣
ｔｒｏｍｅｔｒｙꎬ ＳＩＭＳ) [２９ － ３５] 、 ＭＡＬＤＩ [３６ － ４２] 和 ＤＥＳＩ [１２ꎬ４３] ꎮ 然而ꎬ 解吸附电离技术对重要的活体组织分析并不
能完全胜任ꎮ 活体组织的快速加热过程使分子蒸发速率与分解速率相当ꎬ 从而可形成大量气态分子或
分子离子 [２８] ꎬ 因此具备组织成分原位、 体内快速蒸发电离的可能性ꎮ 最初ꎬ Ｈｏｌｌａｎｄ 等 [４４] 提出在传热
发电离质谱技术的发展历程、 电离机制及工作原理ꎬ 并对其在不同领域的应用研究进展进行了综述ꎬ 可为相
关领域研究人员提供科研思路和技术参考ꎮ
实验9_电子束蒸发薄膜制备
实验9_电子束蒸发薄膜制备电子束蒸发薄膜制备实验目前有许多薄膜制备技术，包括各种蒸发、溅射、离子镀等的物理气相沉积技术，各种化学气相沉积技术，各种电的、或机械的、或化学的沉积技术（电镀、化学镀、喷涂、静电喷涂、等离子喷涂、刷涂等等）。
电子束蒸发是利用聚焦电子束直接对材料进行加热蒸发，是一种重要的薄膜制备技术。
利用电子束可以蒸发各种材料，包括高熔点材料。
一、实验目的1、学习电子束蒸发镀膜的工作原理；2、掌握电子束蒸发镀膜系统的操作方法；3、学会用电子束蒸发制备金属薄膜材料。
二、实验设备电子束蒸发镀膜系统DZS-500型。
三、实验原理和装置1、真空蒸发技术的原理固态或液态材料被加热到足够高的温度时会发生气化，由此产生的蒸汽在较冷的基体上沉积下来就形成了固态薄膜。
真空蒸发是制备蒸发薄膜的方法，具体作法是使10?Pa以下，然后用电阻加热、电子轰击或其他方用真空机组把沉积室内的压强降到2法把蒸发料加热到使大量的原子或分子离开其表面，并沉积到基片上。
金属和热稳定性良好的化合物均可用此法淀积。
蒸发薄膜的纯度较高。
这种蒸发的方法简单、方便，因而目前应用仍然最为广泛。
用真空蒸发的方法将金属或非金属材料沉积到基片上的具体过程可分力三个阶段：从蒸发源开始的热蒸发；蒸发料原子或分子从蒸发源向基片渡越；蒸发料原子或分子沉积在基片上。
真空系统中，由于背景气压低，大部分蒸汽原子或分子不与残余气体分子发生碰撞现象，而沿直线路径到达基片。
蒸发物质的分子在从蒸发源到待沉积薄膜衬底的迁移过程中，会与周围环境中的e?），其中L为气体气体原子相碰撞。
蒸发物分子中发生碰撞的百分数等于（１－D L分子的平均自由程，D为从蒸发源到衬底的直线距离．对于普通的真空蒸发装置，Ｄ一般为10到50㎝，为了保证只有很小一部份蒸发物分子与镀膜装置中的残余气体分子发生碰撞，减少对所沉积薄膜的污染，通常蒸发要求210?Pa的真空度下进行。
10?～4用来制备薄膜的大多数蒸发材料的蒸发温度在1000～2000℃。
电子束蒸发——精选推荐
电子束蒸发与磁控溅射镀铝的性能分析研究随着科学技术的不断发展，半导体器件的种类不断增多。
原始点接触晶体管、合金晶体管、合金扩散晶体管、台面晶体管、硅平面晶体管、TTL集成电路和N沟硅栅平面MOS集成电路等，其制造工艺及工艺之间的各道工序也有所差别。
在硅平面晶体管工艺过程中，电极材料的制备技术是一项关键工艺，典型的制备技术主要有两类：一类是电子束蒸发镀膜技术，另一类是磁控溅射镀膜方法。
长期以来，在生产实践中由于电了束蒸发与磁控溅射这两种方法制备晶体管微电极各具优势，而且各自采用的设备和工艺不同，因而其产品质量孰优孰次一直存在争论。
本文就这一问题展开研究，详细分析了常用电极材料Al通过这两种方法制备成薄膜电极的膜厚控制、附着力、致密性、电导率和折射率等重要性能指标，测试结果分析表明磁控溅射铝膜的综合性能优于电子束蒸发。
1 实验设备及优化工艺参数1.1电子束蒸发设备及优化工艺参数选用CHA-600型电子束蒸发台。
它主要由真空镀膜室、真空系统和真空测量仪器的一部分构成。
真空镀膜室主要由钟罩、球面行星转动基片架、基片烘烤装置、磁偏转电子枪、蒸发档板及加热装置等构件所组成；真空系统主要由机械泵的冷凝泵组成，选用冷凝泵可以更容易地抽到高真空状态，避免了油扩散泵返油而产生污染真空室的现象；用离子规来测量真空度。
坩埚选用石墨坩埚，避免了坩埚与Al反应生成化合物而污染Al膜，坩埚的位置处在行星架的球心位置，从而保证成膜厚度的均匀性。
蒸镀过程中膜厚的测量选用石英晶体膜厚监控仪。
电子束蒸发镀Al的典型工艺参数为：真空度：2.6 ×10-4Pa；蒸发速率：20—25 A/s；基片温度：120°C；蒸距：45cm；蒸发时间：25min；电子枪电压：9Kv；电子枪电流：0.2A。
1.2溅射设备及优化工艺参数选用ILC-1012MARK Ⅱ 1012溅射装置；操作简单，并能保证产品质量的均一性。
此溅射台主要由片盒卸室SL，片盒交换室TL，清洗室CL和溅射成膜室SP组成。
织物上电子束蒸发沉积镀膜的耐磨及抗紫外线性能
织物上电子束蒸发沉积镀膜的耐磨及抗紫外线性能李凤艳;葛安香;陈勃【摘要】利用电子束蒸发沉积法在不同的织物表面形成镍铬金属膜,制备具有抗紫外线辐射功能的柔性材料.通过SEM、EDS观察以及图像处理技术,比较了纤维原料及织物成形方式对电子束蒸发沉积膜的耐磨稳定性影响,并进一步分析了镀膜工艺对耐磨稳定性及抗紫外线性能的影响.结果表明:使用电子束蒸发沉积法在纤维基底材料上可形成均匀的、金属外观的薄膜,并且涤纶针织结构有利于提高金属膜在纤维表面的耐磨稳定性;当溅射时间为20 min、溅射电子束流为280 mA时,金属薄膜与基底的结合牢度好,可经受2 000次以上的摩擦,当摩擦约2 500次时,其UPF 值超过40,具有较优异的持久功能性.【期刊名称】《纺织学报》【年(卷),期】2015(036)004【总页数】5页(P87-91)【关键词】电子束蒸发沉积;纤维材料;耐磨性;抗紫外线【作者】李凤艳;葛安香;陈勃【作者单位】天津工业大学纺织学院,天津300387;天津工业大学天津市先进纺织复合材料教育部重点实验室,天津300387;天津工业大学纺织学院,天津300387;佛山市黄氏集团有限公司,广东佛山 528247【正文语种】中文【中图分类】TQ153目前，电磁辐射(包括中波、短波、超短波、红外线、紫外线)已成为当今世界影响公众健康和破坏生态环境的隐形杀手，如何减少电磁辐射对人类生产和生活的负面影响成为全球范围内各领域一直在关注的课题。
高分子纤维材料在服装、家居装饰和产业领域都有广泛的应用，是可以实现电磁屏蔽作用的最佳柔性载体，但是由于常规纤维材料对电磁波而言是透明的，无法从反射和吸收的角度控制电磁波的传播方向，因此，需要对其进行特殊的功能整理，使纤维既能保持原有的柔软、耐折叠等优良的服用性能，又具有独特的电磁特性，在日常生活、生产及军事领域里都表现出广阔的实际应用前景。
金属化处理是实现高分子纤维材料电磁防护功能的重要手段之一，可通过化学镀［1－3］、真空镀［4－6］、溅射镀［7－9］等方式实现，其中真空镀膜尤其是电子束加热方式的真空蒸发镀膜具有能量集中、蒸发温度可控可调、有效抑制二次电子发射等优点，成膜质量高［10］，是无机材料及高分子材料重要的表面处理方式，其附着牢度及性能与加工时的工艺技术条件直接相关。
电子束蒸发镀膜速率控制[1]
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电⼦束蒸发镀膜速率控制[1]电⼦束蒸发镀膜速率控制作者：王善成，⽅明，易葵，邵淑英，范正修， Wang Shancheng， Fang Ming， Yi Kui，Shao Shuying， Fan Zhengxiu作者单位：王善成,Wang Shancheng(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究⽣院,北京,100039)，⽅明,易葵,邵淑英,范正修,Fang Ming,Yi Kui,Shao Shuying,FanZhengxiu(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800)刊名：中国激光英⽂刊名：CHINESE JOURNAL OF LASERS年，卷(期)：2008,35(10)参考⽂献(13条)1.卢进军;刘卫国光学薄膜技术 20052.唐晋发;顾培夫;刘旭现代光学薄膜技术 20063.邵淑英;范正修;范瑞瑛ZrO2薄膜残余应⼒实验研究[期刊论⽂]-光学学报 2004(04)4.余华;崔云;申雁鸣沉积速率对热⾈蒸发LaF3薄膜性能的影响[期刊论⽂]-中国激光 2007(11)5.占美琼;张东平;杨健⽯英晶体振荡法监控膜厚研究[期刊论⽂]-光⼦学报 2004(05)6.M.Gevelber;B.Xu;N.Duanmu Improving rate control in electron-beam evaporated optical coatings 20037.申雁鸣;贺洪波;邵淑英沉积温度对电⼦柬蒸发HfO2薄膜残余应⼒的影响[期刊论⽂]-中国激光 2006(06)8.朱美萍;易葵;郭世海光学薄膜膜厚⾃动控制系统的研究[期刊论⽂]-光⼦学报 2007(02)9.朱美萍;易葵;郭世海膜厚监控误差及监控⽚不均匀对膜厚监控的影响[期刊论⽂]-光学学报 2006(07)10.Model 860 Deposition Controller Instruction Manual 199811.Bing Xu;Michael Gevelber;Douglas Smith E-gun sweep design to improve silica coating performance:E-gun nonlinearity investigation and silica evaporation modeling for sweep design 200612.陶永华新型PID控制及其应⽤ 1997(04)13.王俊;陈裕⽂;曾宪良基于内模原理的烘丝机PID控制器设计[期刊论⽂]-控制⼯程 2006(03)本⽂读者也读过(4条)1.汪旭洋.邓⾦祥.张晓康.姚倩.王玲电⼦束蒸发⽴⽅氮化硼薄膜的光学性质[会议论⽂]-20082.蒙⾼庆.陈俊芳.向鹏飞.熊予莹.吴先球.符斯列.张茂平.MENG Gao-qing.CHEN Jun-fang.XIANG Peng-fei. XIONG Yu-ying.WU Xiang-qiu.FU Si-lie.ZHANG Mao-ping电⼦束蒸发镀膜反应室内的等离⼦体空间分布[期刊论⽂]-华南师范⼤学学报（⾃然科学版）2005(2)3.向鹏飞.陈俊芳.蒙⾼庆.胡社军.吴先球.符斯列.李赟.XIANG Peng-fei.CHEN Jun-fang.MENG Gao-qing.HU Shejun.WU Xiang-Qiu.FU Si-Lie.LI Yun等离⼦体辅助电⼦枪蒸发制备AlN薄膜及等离⼦体参数诊断[期刊论⽂]-华南师范⼤学学报（⾃然科学版）2006(2)4.申雁鸣.贺洪波.邵淑英.范正修.SHEN Yan-ming.HE Hong-bo.SHAO Shu-ying.FAN Zheng-xiu沉积温度对电⼦束蒸发HfO2薄膜残余应⼒的影响[期刊论⽂]-中国激光2006,33(6)本⽂链接：/doc/1e863820.html/Periodical_zgjg200810030.aspx。
电子束蒸发在Si衬底上制备MgB2超导薄膜
电子束蒸发在Si衬底上制备MgB2超导薄膜
朱红妹;熊文杰;高召顺;张义邴
【期刊名称】《低温与超导》
【年(卷),期】2004(032)002
【摘要】利用电子束蒸发法在Si(111)衬底上制备了MgB2超导薄膜.首先在衬底上按照1:2的原子比交替蒸发Mg和B,所形成的夹层先驱膜在150Pa 99.99%Ar 气氛下进行原位热处理630℃×30min.实验发现超导薄膜在正常态下无半导体电阻特性,超导起始转变温度为24.7K,零电阻温度为16.5K.
【总页数】3页(P51-52,59)
【作者】朱红妹;熊文杰;高召顺;张义邴
【作者单位】上海大学理学院物理系,200436;上海大学理学院物理系,200436;上海大学理学院物理系,200436;上海大学理学院物理系,200436
【正文语种】中文
【中图分类】TM26
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。 、 、
并 且对 C
,
u
,
Y
,
B a F Z 三 种材 料 进 行 了 多 组蒸 发 实
、
蒸 发 时间不 同时
kV
、
电子 枪 阳 极 高 压
材料状 态 对 蒸 发 速 率 的影
而对 熔 融态 的Y 和 B
,
实验 结 果 表 明
,
:
阳 极 高 压 稳 定性 对 C u
表面与 界 面物 理 力 学
材料 电 子 束 蒸 发速 率 的稳 定性 实验 研 究
) 马月 芬 l
,
舒 勇华
,
王连 红
,
樊著
,
( 中 国 科 学 院 力 学 研 究 所 高 温 气 动 国家 重点 实 验 室
北京
10 0 9 0 1 )
摘要
:
高速 电子 束 能够 得 到 很 高 的能量 密 度 并 且 可 以进 行 有效 的 电气控 制 所 以 电子 束 蒸 发法
。
块蒸 发速 率 的影 响 不 明显
,
,
a
F Z蒸
发速率 的影 响 比 较 明显
稳 定 未 见 明 显 的波 动
际 蒸 发 速 率 波动较 大
, , ,
当 阳 极 高 压 稳 定在 8
士0 4 .
0 蒸 发时 间为 2 分 钟时
,
Cu
块 的蒸 发速 率 比较
.
Y 的 实 际 蒸 发 速 率仅有 缓 慢 波 动
。
,
已 成 为 高 速 沉积 高 纯 物 质薄膜 的一 种压 力
。
、
蒸 发 材料
的性 质
, ,
、
电子 束 的 特 性等诸 多 因 素都会 影响 被 蒸 发材料 的 蒸 发速 率 为 了得 到更 稳 定 的 蒸 发 速
,
率 本文 详 细 分析 了蒸 发速 率不 稳 定 的 因素
波动 幅 度 约 为
士0 2
人/ s
,
B a FZ
的实
波动 约 幅 度 为
。
人/
。
。
相 同条 件 下
,
不 同 材料 蒸 发速 率 的 稳 定 性 之所
以不 同 是 因 为 材 料 的导 热 性 以及 材 料 的均 匀性 不 同
同时 也 证 明 材料 的导 热 性 和 均 匀 性对 蒸
发 速率 稳定 性 的影 响 也 较大
关键 词
:
电子 束 蒸 发
;
阳 极 高 压 ; 蒸发 速率
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