第15章 磁介质磁化

磁化强度对闭合回路的线积分等于通过回路 所包围的面积内的总磁化电流。
10
§15-2 磁场强度矢量 有介质时的安培环路定理
L B0 dl 0
B
无磁介质时
（L内）
I0
B dl 0 ( I 0 I S )
B dl 0 ( I 0 M d l )
单晶磁畴结构示意图
多晶磁畴结构示意图
在没有外磁场作用时，磁体体内各磁畴磁矩 排列杂乱，任意物理无限小体积内的磁矩矢量和 为零。
20
H
在外磁场作用下，磁矩与外磁场同方向排列时 的磁能将低于磁矩与外磁反向排列时的磁能，结果 是自发磁化磁矩和外磁场成小角度的磁畴处于有利 地位，这些磁畴体积逐渐扩大，而自发磁化磁矩与 外磁场成较大角度的磁畴体积逐渐缩小。随着外磁 场的不断增强，取向与外磁场成较大角度的磁畴全 部消失，留存的磁畴将向外磁场的方向旋转，以后 再继续增加磁场，所有磁畴都沿外磁场方向整齐排 列，这时磁化达到饱和。
B -Hc Hc H
B
O
H
24
m 0
m 0
顺磁质
抗磁质
12
B 0 H 0 M
M mH
B 0 (1 m ) H
令 r 1 m
B 0 r H H
磁导率 =0 r
注意： H为研究介质中的磁场提供方 便而不是反映磁场性质的基本物理量， B 才是 反映磁场性质的基本物理量。
11
H
B
0
M
B 0 H 0 M
实验证明：对于各向同性的介质，在磁介质中 任意一点磁化强度和磁场强度成正比。
M mH
式中m只与磁介质的性质有关，称为磁介质的磁化 率，是一个纯数。如果磁介质是均匀的，它是一个常量； 如果磁介质是不均匀的，它是空间位置的函数。
B0
I
磁介质
I
B
I
I
B'与 B0 同方向，
3
如铁、钴、镍等。
2.分子磁矩 分子电流
原子中电子参与两种运动：自 旋及绕核的轨道运动，对应有自旋 磁矩和轨道磁矩。
pm
I
用等效的分子电流的磁效应 来表示电子对外界磁效应的总和， 称为分子固有磁矩。 Pm 0 顺磁质： 类比：电介质的微观图象 未加外磁场时: Pm 0 有极分子、无极分子。 Pm 0 抗磁质： 电偶极子模型：Pe ql
在抗磁质中，原子或分子中 所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩 矢量和为零。
在外电场作用下，分别有 取向极化、位移极化。
4
3.抗磁质的磁化
感生磁矩：Pm
抗磁质： Pm 0 Pm 0
B0
抗磁材料在外磁场的作用下，磁
体内任意体积元中大量分子或原子 的附加感生磁矩的矢量和 pm 有 一定的量值，结果在磁体内激发一
外磁场为零，磁化强度为零。 M、B0同向 顺磁质 外磁场不为零: M、B0 反向 抗磁质
8
（2）磁化电流
对于各向同性的均匀介质，介质内部各分子电 流相互抵消，而在介质表面，各分子电流相互叠加， 在磁化圆柱的表面出现一层电流，好象一个载流螺 线管，称为磁化面电流。
I
B0
I
9
M
A D
l
IS
I
B C
A
设介质表面沿轴线方向单位长度上的磁化电流为S （面磁 化电流密度），则长为l 的一段介质上的磁化电流强度IS为 I S S l pm S Sl Pm I S S S Sl M S V Sl 取一长方形闭合回路ABCD，AB边在磁介质内部，平 行于柱体轴线，长度为l，而BC、AD两边则垂直于柱面。 B M d l A M d l M AB Ml M S M d l S l I S
磁介质磁化： B B0 B
总磁感强度 外加磁感强度 附加磁感强度
根据对外磁场响应的特点，将磁介质分为三种类型： 顺磁质、抗磁质、铁磁质。
2
实验发现：有、无磁介质时 螺旋管内磁感应强度的比值， 可表征它们在磁场中的性质。 B 相对磁导率: r B0 顺磁质： r 1 B B0 B'与 B0 同方向， 如氧、铝、钨、铂、铬等。 抗磁质： r 1 B B0 B'与 B0 反方向， 如氮、水、铜、银、金、铋等。 铁磁质： r 1 B B0
第15章 磁介质的磁化
§15-1 磁介质的磁化 磁化强度矢量 §15-2 磁场强度矢量 有介质时的安培环路定理 §15-3 铁磁质
1
§15-1 磁介质的磁化 磁化强度矢量
1.磁介质
磁介质:实体物质在磁场作用下呈现磁性,该物体称为磁介质。 磁化:磁介质在磁场作用下产生附加磁场的现象称为磁化。
对比：
电介质极化： E E0 E
13
例：长直螺旋管内充满均匀磁介质 r，设电流 I0，单位长度 上的匝数为 n 。求管内的磁感应强度。
解：因管外磁场为零，取如图所示 安培回路
L H d a H dl H dl H dl H dl
B, r
B~H
r ~ H
H
18
2. 磁滞回线
当铁磁质达到饱和状态后， 缓慢地减小H，铁磁质中的B 并不按原来的曲线减小，并且 H=0时，B不等于0，具有一定 值，这种现象称为剩磁。 要完全消除剩磁Br ，必须 加反向磁场，当B=0时磁场的值 Hc为铁磁质的矫顽力。 d b c -Hc O
B Br f Hc H a
-Hc
Hc
H
23
作存储元件的矩磁材料 锰镁铁氧体，锂锰铁氧体 Br=BS ，Hc不大，磁滞回线是矩形。 用于记忆元件，当+脉冲产生H>HC使 磁芯呈+B态，则–脉冲产生H< – HC 使磁芯呈– B态，可做为二进制的两 个态。 铁磁体在交变磁化磁场的作 用下，它的形状随之改变，叫做 磁致伸缩效应。 压磁材料具有较强的磁致伸缩 效应，常用于制造超声波发生器。
个和外磁场方向相反的附加磁场， 这就是抗磁性的起源。
r
+
Pm B'
v

5
4.顺磁质的磁化
加外磁场时: M Pm B
当外磁场存在时，各分子磁矩受磁场力矩的作用，或多 或少地转向磁场方向 ——顺磁质的磁化。
顺磁质： Pm 0
6
对顺磁质，感生磁矩
Pm
21
临界温度Tc 。在Tc 以上，铁磁性完全消 失而成为顺磁质，Tc称为居里温度或居 里点。不同的铁磁质有不同的居里温度 Tc。纯铁：770º C，纯镍：358º C。
居
里
装置如图所示：将悬挂着的镍片移近永久 磁铁，即被吸住，说明镍片在室温下具有 铁磁性。用酒精灯加热镍片，当镍片的温 度升高到超过一定温度时，镍片不再被吸 引，在重力作用下摆回平衡位置，说明镍 片的铁磁性消失，变为顺磁性。移去酒精 灯，稍待片刻，镍片温度下降到居里点以 下恢复铁磁性，又被磁铁吸住。
Ir2 H＝ 2R12
由B＝ H，得
0 Ir2 B＝ 2 R12
16
（3）在圆柱面外取一点，它到 轴的垂直距离是r3，以r3为半径作 一圆，根据安培环路定理,考虑到 环路中所包围的电流的代数和为 零，所以得
R1 r3 r2 r1
R2
2r3 H d l H 0 d l 0
0
有磁介质时
I S M dl
或
(
B M ) dl I 0 定义磁场强度 H M
0
H dl I 0
磁介质中的安培环路定理：磁场强度沿任意闭 合路径的线积分等于穿过该路径的所有传导电流的 代数和，而与磁化电流无关。
c d
I0
I0
Hdl lH nlI 0
a
b
H nI 0
B
b
l
a
d
14
B 0 r H 0 r nI 0
c
例：如图所示，一半径为R1的无限长圆柱体（导体≈0 ） 中均匀地通有电流I，在它外面有半径为R2的无限长同轴圆 柱面，两者之间充满着磁导率为 的均匀磁介质，在圆柱面 上通有相反方向的电流I。试求（1）圆柱体外圆柱面内一点 的磁场；（2）圆柱体内一点磁场；（3）圆柱面外一点的磁 场。 解 （1）当两个无限长的同轴圆柱体和圆 柱面中有电流通过时，它们所激发的磁场 是轴对称分布的，而磁介质亦呈轴对称分 布，因而不会改变场的这种对称分布。设 圆柱体外圆柱面内一点到轴的垂直距离是 r1 ，以r1 为半径作一圆，取此圆为积分回 路，根据安培环路定理有
R1 r3 r2 r1
R2
I
I I
15
2r H d l H 0 1 d l I
I B＝H 2r1
H
I 2r1
r3 R1
r2 r1 R2
（2）设在圆柱体内一点到轴的垂直距离 是r2，则以r2为半径作一圆，根据安培环 路定理有
I
I I
r22 r22 2r2 H d l H 0 d l H 2r2＝I R 2 ＝I R 2 1 1 2 r2 I 是该环路所包围的电流部分，由此得 R12
可以忽略
在顺磁体内任意取一体积元V，其中各 pm 将有一定的量值， 分子固有磁矩的矢量和 因而在宏观上呈现出一个与外磁场同向的附 加磁场，这就是顺磁性的起源。
7
5.磁化强度矢量
（1）磁化强度矢量 M 反映磁介质磁化程度(大小与方向)的物理量。 磁化强度：单位体积内所有分子固有磁矩的矢量和 pm 加上附加磁矩的矢量和 pm ，称为磁化强度。 pm pm 磁化强度 均匀磁化 M A/ m 的单位： V 注意：对顺磁质， pm 可以忽略； 对抗磁质 pm 0，对于真空， M 0 。