电力电子技术考试试题(doc 8页)(优秀课件)

合集下载

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术试卷与答案

《电力电子技术》试卷一、填空题（每空格1分，共31分)1．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与＿＿＿＿＿＿＿。

2．晶闸管象二极管一样,具有可控＿＿＿＿＿＿＿特性。

3．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的＿＿＿＿电压。

4．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大＿＿＿＿＿＿＿倍，使其有一定的电压裕量。

5．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿.6．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是＿＿＿＿＿＿＿极.7．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时,控制角的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。

8．在反电动势负载时，只有＿＿＿＿＿＿＿的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。

9．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。

10．＿＿＿＿＿＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

11．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。

12．采用晶闸管共阳极接法的缺点是:要求三个触发电路的输出线圈＿＿＿＿＿＿＿。

13．触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法，目前采用较多的是＿＿＿＿＿＿＿触发方法.14．由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60。

,所以每隔60。

有一次＿＿＿＿＿。

15．三相桥式整流电路控制角α的起算点，如α＝30.，在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为＿＿＿＿＿＿＿。

16．双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给＿＿＿＿＿＿＿一号晶闸管补表一个脉冲。

17．在三相可控整流电路中，α＝0。

的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为＿＿＿＿＿＿＿。

18．在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿时,电流连续。

19．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，输出电压波形出现负值,因而常加续流二级管.20．三相桥式全控整流电路,电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时,电流连续.21．三相桥式可控整流电路适宜在＿＿＿＿＿＿＿电压而电流不太大的场合使用.22．带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路＿＿＿＿＿＿＿组成.23．考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿.24．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平均值＿＿＿＿＿＿＿。

《电力电子技术》试卷.doc

《电力削子技术》试卷1答亲一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下而元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO_；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ； IGBT 是MOSFET 和GTR 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要冇足够的驱动功率、触发脉冲询沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串多•用均流电抗器。

4、在电流型逆变器屮，输出电压波形为正弦波,输岀电流波形为方波？。

5、型号为KS100-8的元件表示双向品闸管品闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定冇效电流为100A °6、 180°导电型三相桥式逆变电路，品闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120。

导电型三相桥式逆变电路，品闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，品闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，品闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在冇环流逆变系统屮，环流指的是只流经？逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路屮加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角a 大丁 B 的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器？、串进线电抗器、接入H 流快速开关、控制快速移相使输出电压卜•降。

（写出四种即可）10、双向品闸管的触发方式冇_ 、丄、III +、 III- 四种。

二、判断题，（每题1分，10分）（对V 、错X ）在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路屮，电路出故障时会出现失控现彖。

（V ）在用两组反并联品闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，英屮一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。

品闸管串联使用时，必须注意均流问题。

逆变角太大会造成逆变失败。

电力电子技术试卷及答案

电力电子技术一、单项选择题（本大题共50分，共 20 小题，每小题 2.5 分）1. 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是（）。

A. A、普通晶闸管B. B、电力场效应管C. C、门极可关断晶闸管D. D、绝缘栅双极晶体管2. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) A. 导通状态 B. 关断状态 C. 饱和状态 D. 不定3. 利用附加的换流电路对晶闸管施加反向电压或反向电流的换流方式，称为（）。

A. A、电网换流B. B、强迫换流C. C、负载换流D. D、器件换流4. 无源逆变指的是（）。

A.A、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载B.B、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网C. C、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载D.D、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网5. 晶闸管的额定电流是用一定条件下流过的最大工频正弦半波（）来确定。

A. 电流有效值B. 电流峰值C. 电流瞬时值D. 电流平均值6. 晶闸管工作过程中，管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以（）。

A.阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和7. 晶闸管导通后，要使晶闸管关断，必须（）A. 在门极施加负脉冲信号B. 使控制角应该大于90度C. 使阳极电流小于维持电流D. 使控制角小于90度8. 单相桥式全控整流电路带反电势负载，串联电感L，工作在有源逆变状态，的工作范围是（） A. B. C. D.9. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。

A. 交流相电压的过零点B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°10. 可控整流电路输出直流电压可调，主要取决于晶闸管触发脉冲的（） A. 幅值 B. 移相 C. 形状 D. 脉宽11. 单相半控桥整流电路中续流二极管作用（）。

(完整版)电力电子技术试卷及答案..

、填空题（每空 1 分， 34 分）1、实现有源逆变的条件为和。

2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流，一般采用α β状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；这说明电路的纹波系数比电路要小。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。

三、选择题（ 10 分）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。

A 、180度； B、 60度； C、 360度； D、120 度；2、α = 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。

A、0度；B、60 度； C 、30度； D、120度；3、通常在晶闸管触发电路中，若改变的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。

A 、同步电压；B、控制电压；C、脉冲变压器变比； 4、可实现有源逆变的电路为C、单相全控桥接续流二极管电路 D 、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin 选时系统工作才可靠。

A、300~350B、100~150C、00~100D、 00四、问答题（每题 9分，18 分）1、什么是逆变失败？形成的原因是什么？2、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？五、分析、计算题：（每题 9 分， 18分）1、三相半波可控整流电路，整流变压器的联接组别是D/Y —5，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN 型三极管。

电力电子技术测试题与答案

电力电子技术测试题与答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。

A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案：B2.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A、30度B、120度，C、0度D、60度正确答案：A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案：A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是（）A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。

A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案：D7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案：A8.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。

A、0～120B、0～180C、0～90D、0～150正确答案：A9.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案：B10.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。

A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案：A11.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案：C14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

电力电子技术考试题(绝对包你过)

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。

当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。

4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术考试试卷

电⼒电⼦技术考试试卷电⼒电⼦技术试题库答案⼀、填空题（每空1分，共20分）1．电⼒电⼦技术是利⽤（电⼒电⼦器件）对电能进⾏（控制、转换和传输）的技术.2、晶闸管是⼀种既具有（开关作⽤），⼜具有（整流作⽤）的⼤功率半导体器件。

3．电⼒电⼦技术研究的对象是（电⼒电⼦器件的应⽤）、（电⼒电⼦电路的电能变换原理）和电⼒电⼦装置的开发与应⽤。

.4. 电⼒⼆极管的主要类型有（普通⼆极管），（快恢复⼆极管）和肖特基⼆极管。

5、电⼒⼆极管的主要类型有普通⼆极管，（快恢复⼆极管）和（肖特基⼆极管）。

6、晶闸管的正向特性⼜有（阻断状态）和（导通状态）之分。

7、半控型电⼒电⼦器件控制极只能控制器件的（导通），⽽不能控制器件的（关断）。

8、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）⽐值。

9、电⼒晶体管是⼀种（耐⾼压）、（⼤电流）的双极型晶体管。

10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。

⼆、判断题（每题1分，共10分）1、晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。

（错）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。

（错）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。

（对）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。

（错）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最⼤平均电流为157A。

（对）6、在室温下门极断开时，元件从较⼤的通态电流降⾄刚好能保持导通的最⼩阳极电流为维持电流。

（对）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较⼤的通态电流降⾄刚好能保持导通的最⼩阳极电流称为掣住电流。

( 错)8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最⼩阳极电流称为掣住电流。

（对）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最⼩阳极电流称为维持电流。

（错）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截⽌时再将磁能转换为电能传送给负载。

电力电子技术试题及答案

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。

A、1 B、2 C、3 D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

电力电子技术试卷试题包括答案.docx

考试试卷一、填空题（本题共17 小题，每空 1 分，共 20 分）1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。

3、晶闸管的导通条件是。

4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSMU BO。

5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。

6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。

7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是触发方法。

8、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。

10、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。

11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。

12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。

13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压须保证与直流电源电势E d的极性成相连，且满足14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败，一般βmin 应取U d的极性必|U d|<|E d |。

，以保证逆变时能正常换相。

15、载波比 (又称频率比 )K 是 PWM 主要参数。

设正弦调制波的频率为角波的频率为 f c，则载波比表达式为K=。

f r，三16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

17、斩波器的时间比控制方式分为二、选择题（本题共10 小题，每题1、晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系、、三种方式。

1 分，共 10 分）B、门极电压与门极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为 ()A 、 K fIdTB 、 K fI TC f=I dT T D 、K f=I dT - I T I T IdT 、 K ·I3、接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是 () A 、第二象限 B 、第三象限 C 、第四象限 D 、第一象限4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为 U 2，当控制角 α≤ 30° 时，整流输出电压平均值等于 ( ) C 、 1.41U cos αD 、 A 、 1.17U cos α B 、 1.17U sin α2 2 21.41U 2sin α5、在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（）A 、60°B 、180°C 、 120°D 、90°6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关 ( )A 、α、 U 2、负载电流 I d 以及变压器漏抗 X CB 、α和 U 2C 、α以及负载电流 ID 、α、U 2 以及变压器漏抗 X C 7、单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，在逆变角 β期间，处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是 ( ) A 、反向电压 B 、正向电压 C 、零电压 D 、交变电压 8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值 I T 为( )A 、 1I dB 、1I dC 、 2I dD 、I d3339、若增大 SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是()A 、增大三角波幅度B 、增大三角波频率C 、增大正弦调制波频率D 、增大正弦调制波幅度 10、晶闸管固定脉宽斩波电路，一般采用的换流方式是 ( )A 、电网电压换流B 、负载电压换流C 、器件换流D 、LC 谐振换流三、简答题（本题共 5 小题，每小题 5 分，共 25 分）1、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能由导通变为关断？（5 分）2、要实现有源逆变，必须满足什么条件？哪些电路类型不能进行有源逆变？（ 5分）3、什么是直流斩波电路？分别写出降压和升压斩波电路直流输出电压源电压 U d 的关系式。

完整word版,电力电子技术试卷及答案..,推荐文档

一、填空题（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为和。

2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流，一般采用αβ状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。

三、选择题（10分）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。

A 、180度；B、60度；C、360度；D、120度；2、α= 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。

A、0度；B、60度； C 、30度；D、120度；3、通常在晶闸管触发电路中，若改变的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。

A、同步电压；B、控制电压；C、脉冲变压器变比；4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选时系统工作才可靠。

A、300~350B、100~150C、00~100D、00四、问答题（每题9分，18分）1、什么是逆变失败？形成的原因是什么？2、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？五、分析、计算题：（每题9分，18分）1、三相半波可控整流电路，整流变压器的联接组别是D/Y—5，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。

电力电子技术期末考试试题

电力电子技术试题、填空1.电力电子器件一般工作在开关状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为.通态损耗而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。

3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路驱动电路、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。

4.按部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件双极型器件复合型器件三类。

5. 电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6. 电力二极管的主要类型有一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

7_晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止—。

丄对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL _大于_ IH。

匹晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM大于Ubo 址逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

11.电力MOSFET勺通态电阻具有—正—温度系数。

12JGBT的开启电压UGE（th ）随温度升高而_略有下降—，开关速度—小于—电力MOSFET。

色按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

生在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR、门极可关断晶闸管（GTO、电力晶体管（GTR、电力场效应管（电力MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO、GTR、电力MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT ;在可控的器件中，容量最大的是晶闸管，工作频率最高的是电力MOSFET属于电压驱动的是电力MOSFET IGBT，属于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR。

电力电子技术测试题(含参考答案)

电力电子技术测试题（含参考答案）一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、相半波可控整流电路阻性负载，触发角大于30°，晶闸管各自导通不可能为（）。

A、60°B、180°C、30°D、90°正确答案：B2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（）。

A、2.5～3倍B、1.5～2倍C、3～3.5倍D、2～2.5倍正确答案：B3、三相半波可控整流电路阻感负载，触发角移动范围为（）。

A、0º-180°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-150°正确答案：B4、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。

A、绝缘栅双极晶体管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管正确答案：B5、不带二极管续流的单相全控桥式整流电路阻感负载最大触发角度是（）。

A、360°B、0°C、180°D、90°正确答案：D6、通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式称为（）。

A、频率控制B、电力控制C、相位控制D、斩波控制正确答案：C7、三相桥式全控整流电路，共阳极组的晶闸管是（）。

A、VT1，VT3，VT4B、VT2，VT4，VT6C、VT1，VT3，VT5D、VT1，VT2，VT5正确答案：B8、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。

A、晶闸管与MOSFETB、二极管与晶闸管C、GTR与GTOD、GTR与MOSFET正确答案：B9、升降压斩波电路，当导通比a（）时，可以实现升压。

A、0<a<1/2B、1<a<2C、2<a<3D、1/2<a<1正确答案：D10、（）不属于换流技术。

A、逆变B、电力电子器件制造C、整流D、斩波正确答案：B11、α大于 ( ) 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于断续状态。