电子技术基础刘继承第12章

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电子产品低温试验中的防凝露技术

电子产品低温试验中的防凝露技术刘继承【摘要】本文介绍了一种电子产品低温试验防凝露技术.在试验过程中,用干燥的氮气置换出试验箱内的潮湿空气,显著降低箱内空气的露点温度;在允许的情况下,通过降低试验的升温速率或采用步进式升温,解决由试品热惯性导致的试品升温速度滞后于空气升温速度的问题,确保试品的温度高于箱内空气的露点温度,从而避免试品的凝露.某星载产品的试验结果表明,该方法可有效防止低温试验过程中试品的凝露,具有方法简单、通用性强的特点.【期刊名称】《环境技术》【年(卷),期】2018(036)006【总页数】5页(P7-10,15)【关键词】凝露;预防;空气置换【作者】刘继承【作者单位】中国电子科技集团公司第十四研究所,南京 210039【正文语种】中文【中图分类】TP23引言在低温试验过程中，试品表面常出现凝露现象，凝结在试品表面的水分有可能导致产品漏电、性能恶化或烧坏试品。

特别是对于某些不作三防处理的星载产品，危害更大。

近年来，有些试验箱厂商推出了带干风吹扫装置的试验箱，通过向试验箱内吹入经干燥处理过的空气，减少箱内空气的相对湿度，以防止凝露现象的产生，但试验箱的控制软件中并无控制相对湿度或露点温度的功能，也不能明示试验过程中试品是否凝露，实际的防凝露效果取决于干风的干燥程度、试品的热容量和试验升降温速率等因素，试验时仍可能产生凝露。

为解决低温试验过程中的凝露问题，李伟森、孟春蕾等[1]设计了一种基于试验箱内空气置换的防凝露装置。

在试验时，用防凝露装置罩住试验箱中的试品，并往罩内通入惰性气体（如N2）以降低罩内空气湿度，防止试品凝露。

但该装置制作复杂，不具有通用性，且罩内与罩外的温度存在偏差与滞后，有可能对温度试验的效果产生影响。

本文对该方法进行改进，取消了试验箱内的试品防凝露罩，直接往试验箱内通入氮气以置换出试验箱内的潮湿空气，并根据箱内空气的相对湿度或露点温度，调整输入试验箱内氮气的流量；同时在允许的情况下，通过降低试验的升温速率、采用步进式升温的方法，确保试品的温度高于箱内空气的露点温度，从而避免试品的凝露。

光电子技术第三版安毓英刘继芳等著习题答案完整版

学习资料收集于网络，仅供学习和参考 ,如有侵权，请联系网站删除第一章1. 设在半径为 R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为 l 0 处有一个辐射强度为 I e 的点源 S ，如图所示。

试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。

解：因为 Ie d ed，SdSR c d d21 cosl 0d2sin R cr且l 0第 1.1 题图2 1l 02R c 2所以 eI e d2 I e 1l 0R c 2l 022. 如图所示，设小面源的面积为 A s ，辐射亮度为 L e ，面源法线与 l 0 的夹角为 s ；被照面的面积为 A c ，到面源 A s 的距离为 l 0。

若 c 为辐射在被照面 A c 的入射角，试计算小面源在 A c 上产生的辐射照度。

dI e L e A r cos rsA c解：亮度定义 :L el 0强度定义 : I ed e A scd第 1.2 题图可得辐射通量： d e L e A s cos s d在给定方向上立体角为： A c cos cdl 02则在小面源在 A 上辐射照度为：d eL e A s cos s cos ccdAl 023.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度 L e 均相同，试计算该扩展源在面积为 A d 的探测器表面上产生的辐照度。

答：由 L ed得 dA d cosdA cosL e d dA cos ，且 d2 r 2d l2rdrl 则辐照度： E eL ed L e2l 2 r 22 04. 霓虹灯发的光是热辐射吗？学习资料收集于网络，仅供学习和参考,如有侵权，请联系网站删除不是热辐射。

霓虹灯发的光是电致发光，在两端放置有电极的真空充入氖或氩等惰性气体，当两极间的电压增加到一定数值时，气体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击，使原子中的电子受到激发。

当它由激发状态回复到正常状态会发光，这一过程称为电致发光过程。

大庆石油学院继续教育学院部分主讲教师及其学术研究方向简介z

王德民（院士博导）
吴文祥（博导教授）
康万利（博士教授）
化学驱油技术研究
聚合物驱、三元复合驱、泡沫复合驱、微生物采油原理与应用技术等；各种化学驱油方法的注入剂的研制。
刘永健（博导教授）
陈涛平（博士教授）
范洪富(博士教授)
稠油热采及物理法采油技术
稠油水热裂解降粘提高采收率技术,稠油裂解催化剂研究；利用震动、电磁场、加热等方法，对低渗透油田提高采收率的技术。
栾庆德（教授）
刘树林（博导教授）
崔旭明（副教授）
钻采机械设计及理论
地面机械设计及理论（抽油机、钻机等）、井下机械设计及理论（抽油泵、抽油杆与螺纹、定向井工具等）、机械装备失效与可靠性设计分析技术。
张永弘（教授）
任福山（教授）
李其（副教授）
实验力学及应用技术
断裂力学与疲劳分析技术、光弹力学及应用技术
郝文森（教授）
吕延防（博导教授）
付广（博导教授）
张云峰（博士副教授）
天然气地质学与油气保存条件研究
主要开展天然气运移路径及效率的物理模拟、盖层封油气机理、盖层封闭性及其演化、断层封闭机理及其评价、油气成藏系统及其演化、油气富集主控因素及油气富集区预测与评价的研究。
马世忠（博导教授）
刘吉余（博士教授）
柳成志（博士教授）
蒋明虎（博导教授）
王尊策（教授）
赵立新（博士）
旋流分离理论与应用技术
地面油水分离技术与应用、工业污水分离技术、井下油水分离技术。
刘巨保（教授）
李国义（副教授）
李崇志（副教授）
计算力学及应用技术
井下管柱力学与数值仿真、石油设备有限元分析
朱军（博士教授）
姜民政（副教授）
系统工程理论及节能技术

电子技术基础课后答案

电子技术基础课后答案《电子技术基础》是2009年9月由人民邮电出版社出版的一本教材图书，作者是姜桥。

该书全面、系统地介绍了电子技术的基础知识和基本技术。

以下是整理的电子技术基础课后答案，欢迎阅读。

解晶闸管、二极管以及三极管虽然是3种截然不同的器件，但它们都可以作为单方向导电的开关。

然而，即使作为开关使用，它们之间却也存在着很大的差异。

与二极管比较，晶闸管具有可控性，即在阳极和阴极之间加上正向电压的时候，并且在控制极和阴极之间也加上正向电压晶闸管才能导通。

二极管没有可控性，只要在阳极和阴极之间加上正向电压二极管就会导通。

此外，晶闸管导通后可以通过几十至上千安培的电流，比二极管大得多。

与三极管比较，晶闸管不具有放大作用，只有当控制极电流达到某一数值时，阳极与阴极之间由阻断突然变为导通，导通后可以通过几十至上千安培的电流，并且控制极就不再起控制作用。

三极管具有放大作用，在放大区集电极电流与基极电流成正比，即使在饱和区或截止区，也可以通过改变基极电流使其脱离饱和区或截止区，仍可用基极电流去控制集电极电流的大小。

解晶闸管的导通条件是：在阳极和阴极之间加适当的正向电压UAK，并且在控制极和阴极之间加适当的正向触发电压UGK。

因为晶闸管导通后的管压降约为1V左右，电源电压UA 几乎全部加到负载电阻RA上，阳极电流，所以，晶闸管导通后阳极的电流大小基本上由电源电压UA和负载电阻RA决定。

晶闸管阻断分正向阻断和反向阻断两种情况。

正向阻断时所承受的正向电压由正向转折电压UBO决定，超过此值时晶闸管被击穿导通而损坏。

通常将正向转折电压UBO的80%规定为正向阻断峰值电压UFRM。

反向阻断时所承受的反向电压由反向转折电压UBR决定，超过此值时晶闸管被反向击穿，漏电流剧烈增大而损坏。

通常将反向转折电压UBR的80%规定为反向阻断峰值电压UFRM。

解晶闸管由导通变为阻断状态的条件是，晶闸管阳极电流小于维持电流IH，或将阳极与电源断开或给阳极与阴极之间加反向电压。

《电子技术基础》教学课件PPT

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不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的移动都能形成电流。但是，由于多子的数量远大于少子的数量，因此起主要导电作用的是多数载流子。
注意：
掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体，但整个半导体晶体仍然呈电中性。
一般可近似认为多数载流子的数量与杂质的浓度相等。
P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；
热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；
掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强；
半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。
3. 本征半导体
最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，即每个原子最外层电子数为4个。
原子核
＋
导体的特点：
内部含有大量的自由电子
（2）绝缘体
绝缘体的最外层电子数一般为6~8个，且距原子核较近，因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，因此导电能力极差或不导电。常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。
原子核
＋
绝缘体的特点：
1. 半导体中少子的浓度虽然很低，但少子对温度非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断。
半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是由本征激发产生的自由电子和复合运动产生的空穴两种载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，电流的方向为空穴载流子的方向即自由电子载流子的反方向。

电子技术基础教程第12章组合逻辑电路

实现编码的逻辑电路，称为编码器。
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编
M个待编码对象码器 N位二进制代码
十进制数0－9
101个键
4位代码
？位代码
对M个信号编码时，应如何确定代码位数N？
N位二进制代码可以表示多少个待编码信号？例： BCD码？对101键盘编码时，应采用几位二进制代码？
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输入：八个信号（对象）对房间号码编码
I0~I7 （二值量）
输出：三位二进制代码 Y2Y1Y0
图12-4
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普通编码器的方框图
又称八线—三线编码器。
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设输入信号为1表示请求对该输入进行编码。 8个输入信号，共有 128种输入取值组合。真值表？表12-4 编码器输入输出的对应关系
11
(4) 画逻辑电路图：用与非门实现，其逻辑图与例12-1相同。如果作以下变换：
用一个与或非门加一个非门就可以实现，其逻辑电路图如图12-3所示。
2018/7/10
图12-3 例12-3的逻辑电路图
12
人们为解决实践上遇到的各种逻辑问题，设计
了许多逻辑电路。然而，我们发现，其中有些逻辑
电路经常、大量出现在各种数字系统当中。为了方
第12章
组合逻辑电路
12.1 SSI组合逻辑电路的分析和设计 12.2 编码器 12.3 译码器 12.4 数据选择器 12.5 加法器 12.6 数值比较器 12.7 MSI组合逻辑电路的分析
2018/7/10 1
第12章
组合逻辑电路
数字电路分类：组合逻辑电路和时序逻辑电路。
组合逻辑电路: 任意时刻的输出仅仅取决于当时
电路没有考虑低位的进位，

《电子技术基础》中国劳动与社会保障出版社第四版100P.

二极管的反向伏安特性图 7、总结实验，由图可见： 5、按照下表缓慢增大稳压电源的输出电压，直到电流表读数显著增大为止（1）、反向电压小于某个电压值时I很小，二极管截止。（输2出）电、压反（向V电）压1达0 到2某0 个3电0 压4值0 时5I0急6剧0增7大0，8二0极9管0 击1穿00。110 120 （电3流）读、数反向(m电A)压达到击穿电压后，时间一长二极管将会烧毁。
连接线若干
二极管
再把二极管反请分析得灯出泡什亮么吗结？论？
过来接试试看
《电子技术基础》教案
P
PN结（即二极管）的基本特性
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实验结论： PN结具有单向导电性
电流只能单个方向流过PN结，只能由P区流向N区，即从二极管正极流向负极。
N
＋
—
正向偏置——导通；
反向偏置——截止
《电子技术基础》教案
二极管的检测
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2、测量正向电阻.对于指针式万用表，黑表笔连接着万用表
3、测量反向电阻.测反向电阻时红表笔接二极管的正极，如图内部电池的正极，所以是黑表笔流出电流，因此测正向电阻时黑表笔接二极管的正极，如图
正常的二极管正反向电阻值较很小大，指针摆不幅摆大动
《电子技术基础》教案
返回目录
作业
P 型半导体：在本征半导体内掺入少量三价元素杂质（如硼）形成。
N 型半导体：在本征半导体内掺入少量五价元素杂质（如磷）形成。
二极管的符号＋
—
把P型P半型导半体导和体N型或半者导N 体型结半合导到体一虽块然，具交备界导处电形能成力一，个但很单特纯殊的的一薄块层P ，
型称半为导PN体结或，者有一特块殊的N型导半电导性体能还，是这没是有制实造用半价导值体。器件的基础。

精品文档-数字电子技术基础(刘振庭)-第1章

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第1章逻辑代数基础 11
第1章逻辑代数基础
1.1.3 数字电路的发展数字电路的发展经历了由电子管、半导体分立器件到集成
电路的过程。从20世纪60年代开始，数字集成器件以双极型工艺制成了小规模逻辑器件，随后发展到中规模；70年代末，微处理器的出现使得数字集成电路进入了大规模、超大规模阶段，其性能也产生了质的飞跃。
2. 数字电路的优点数字电路被广泛应用于数字电子计算机、数字通信系统、数字式仪表、数字控制装置及工业逻辑系统等领域。数字电路大致包括信号的产生、放大、整形、传送、控制、存储、计数、运算等组成部分。
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第1章逻辑代数基础
与模拟电路相比，数字电路具有以下显著的优点： (1) 结构简单，便于集成化、系列化生产，成本低廉，使用方便。 (2) 抗干扰性强，可靠性高，精度高。 (3) 处理功能强，不仅可以实现数值运算，还可以实现逻辑运算和判断。 (4) 可编程数字电路可容易地实现各种算法，具有很大的灵活性。 (5) 数字信号更易于存储、加密、压缩、传输和再现。
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第1章逻辑代数基础
例如，二进制数(1101.01)2可以表示为
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第1章逻辑代数基础
3. 八进制和十六进制二进制数通常位数很多，不便于书写和记忆，因此在数字计算机的资料中也常采用八进制数或十六进制数。八进制的基数为8，采用的8个数码为0、1、2、3、4、5、 6、7，进位规则为“逢八进一”。八进制用下标“O”或“8” 表示。任何一个八进制数N可以表示为
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第1章逻辑代数基础
1.2 数制与编码
1.2.1 几种常用的计数体制数制就是表示数值大小的各种计数体制。在日常生活中，
人们习惯采用的计数体制是十进制，即规定的“逢十进一”。在数字电路中经常使用的计数体制除了十进制以外，还包括二进制、八进制和十六进制。

电工电子技术基础-第12章

第 12 章
组合逻辑电路
[12.01] 将下列二进制数转换为等值的十进制数。（1） (110010111) 2 （2） (0.1101) 2 [解 ]
（3） (1101.101) 2
(110010111) 2 (256 128 16 4 2 1)10 (407)10 1 1 1 (0.1101) 2 ( )10 (0.5 0.25 0.0625)10 (0.8125)10 2 4 16 1 1 (1101.101) 2 (8 4 1 )10 (13 0.625)10 (13.625)10 2 8
[12.05] 用逻辑代数的基本公式将下列逻辑函数化简为最简与—或式。
Y1 AB B AB Y2 ABC A B C Y3 ABCD ABD AC D
[解 ]
Y1 AB B AB A B AB A B Y2 AB C A B C A B C Y3 AB CD ABD AC D AD( B C B C ) AD( B C C ) AD
[解 ]
Y1 的卡诺图如图 JT12.07(1)所示，化简结果 Y1 B 。 Y2 的卡诺图如图 JT12.07(2)所示，化简结果 Y2 A B 。 Y3 ( AB AC ) BC C D ( AB) ( AC ) BC C D ( A B)( A C ) BC C D AB AC BC BC C D Y3 的卡诺图如图 JT12.07(3)所示，化简结果 Y3 B AC C D 。
11 1 0
01 1 1 1 1
11 0 1 1 0
10 0 1 1 0 Y4 BC 00 A 0 0 1 1 01 1 1 11 1 1 10 0 1

电子技术基础(张龙兴版)教案

《电子技术基础(张龙兴版)全套教案》之第一至五章第一章：电子技术导论1.1 电子技术的定义与发展历程1.2 电子技术的基本组成部分1.3 电子技术的主要应用领域1.4 学习电子技术的方法与意义第二章：电子元件2.1 半导体器件的基本原理与特性2.2 晶体管的结构与类型2.3 电阻、电容、电感的作用与计算2.4 常用电子元件的识别与选用第三章：基本电路分析3.1 电路的基本概念与基本定律3.2 简单电阻电路的分析与计算3.3 交流电路的分析与计算3.4 电路仿真软件的使用与实践第四章：放大电路4.1 放大电路的基本原理与类型4.2 晶体管放大电路的设计与分析4.3 放大电路的频率响应与稳定性4.4 放大电路的应用实例第五章：数字电路基础5.1 数字电路的基本概念与逻辑门5.2 组合逻辑电路的设计与分析5.3 时序逻辑电路的设计与分析5.4 数字电路仿真与实践第六章：信号与系统6.1 信号的分类与特性6.2 系统的性质与分类6.3 信号的时域分析6.4 信号的频域分析第七章：模拟电子技术7.1 模拟电路的基本概念7.2 运算放大器的基本原理与应用7.3 滤波器的设计与分析7.4 模拟信号处理实例第八章：数字信号处理8.1 数字信号处理的基本概念8.2 数字滤波器的设计与分析8.3 快速傅里叶变换（FFT）8.4 数字信号处理在实际应用中的实例第九章：电子测量技术9.1 电子测量的基本概念与方法9.2 常用电子测量仪器与仪表9.3 测量误差与数据处理9.4 电子测量实验指导第十章：电子技术实验与实践10.1 电子技术实验的基本要求与流程10.2 常用实验仪器的使用与维护10.3 经典电子技术实验介绍第十一章：通信原理基础11.1 通信系统的概述11.2 模拟通信系统11.3 数字通信系统11.4 通信系统的性能评估第十二章：微电子技术与集成电路12.1 微电子技术概述12.2 集成电路的类型与设计12.3 半导体器件的封装与测试12.4 集成电路的应用实例第十三章：电源技术与电子负载13.1 电源技术的基本概念13.2 开关电源的设计与分析13.3 电子负载的设计与应用13.4 电源系统的测试与保护第十四章：嵌入式系统与微控制器14.1 嵌入式系统的基本概念14.2 微控制器的结构与工作原理14.3 嵌入式系统的编程与开发14.4 嵌入式系统的应用实例第十五章：电子技术在现代社会中的应用15.1 电子技术在通信领域的应用15.2 电子技术在计算机领域的应用15.3 电子技术在医疗领域的应用15.4 电子技术在交通领域的应用重点和难点解析第一章：电子技术导论重点：电子技术的定义与发展历程、电子技术的主要应用领域。

《电子技术基础》中国劳动与社会保障出版社第四版(100

(2）按结构分: 根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。
(3）按用途分: 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。
(4）按封装形式分:有塑封、玻璃封及金属封装等。 (5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。
《电子技术基础》教案
常见各种类型二极管的外观
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由图可见二极管型
二极管的检测
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检测依据：二？极？管的单向导电性
正向偏置：阻值很小（导通）即
反向偏置：阻值很大（截止）
可见，我们可以用万用表电阻档检测二极管的正反向阻值来判断二极管性能。
调零旋钮
1、调零
选择R×100档位，将两支表笔短路，调节万用表的调零旋钮使指针摆到最右边指着 0的位置。
《电子技术基础》教案
电流读数 (mA)
《电子技术基础》教案
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现在将二极管极性调转连接，测试其反向伏安特性
6、按照下表绘出电压－电流的关系图（坐标）
击穿电压
I(mA) 0 U(V)
现在把二极管换成锗管2AP4再重复上述实验，并归纳锗实管验的结死果区，电看压看为与0.之2V前，硅导管通有电何压不为同0。.3V
二极管的反向伏安特性图 7、总结实验，由图可见： 5、按照下表缓慢增大稳压电源的输出电压，直到电流表读数显著增大为止（1）、反向电压小于某个电压值时I很小，二极管截止。（输2出）电、压反（向V电）压1达0 到2某0 个30电压40值5时0I急60剧增70大8，0二9极0管10击0穿1。10 120 （电3流）读、数反(向m电A压) 达到击穿电压后，时间一长二极管将会烧毁。
二极管的检测
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2、测量正向电阻 3、对测于量指反针向式电万阻用表，黑表笔连接着万用表内部测电反池向的电正阻极时，红所表以笔是接黑二表极笔管流的出正电极流，，如因图此测正向电阻时黑表笔接二极管的正极，如图

[理学]电子技术基础教学基本要求

电子技术基础II
本学期教学内容、教学要求及考核方法
1ห้องสมุดไป่ตู้本课程教学内容
□本课程共44学时,分理论和实验两部分内容,理论部分 34学时,实验部分10学时.
□理论教学选用的教材《电子技术基础》刘继承、申功迈主编高等教育出版社出版
□实验教学选用《自编讲义》及《电子技术基础实验— 分析、调试、综合设计》王传新主编高等教育出版社出版
2.教学要求
□理论部分严格按照教学大纲要求组织教学 □实验教学按照教学大纲实施方案执行
□按时出勤；遵守上课纪律；认真记笔记
□课后按时完成作业；有问题及时参加答疑
3.考核方法
□本课程平时成绩与期末考核成绩各占 50% □理论部分部占总成绩70% □实验部分占总成绩30%
□理论部分教学内容
第6章功率电路及功率器件第11章信号的产生与变换电路第12章有源滤波器第13章中规模集成时序电路及其应用第14章数模与模数转换第15章半导体存储器与可编程逻辑器件
□实验部分教学内容
实验一：电子技术故障检测与排除绪论实验二：单管放大电路故障检测与排除实验三：功率放大电路故障检测与排除实验四：直流稳压电源故障检测与排除实验五：实验考试

电子信息工程技术《继承》

第四页，共四页。
继承的代码实现
语法规那么：
class 子类 etends 父类
{
}
注意：一个类只能有一个父类子类要继承父类中所有public和protected修饰的方法和属性，不可以有选择的继承
第三页，共四页。
内容总结
本讲主要内容。继承是对现实生活中的分类概念的一种模拟。继承了Animal类的相关属性和方法。class 子类 etends 父类。一个类只能有一个父类
本讲主要内容
01 继承的概念 02 继承的实现
第一页，共四页。
什么是“继承〞？
继承是对现实生活中的分类概念的一种模拟。
例如：狗狗是一种动物
class Animal { }
class Dog { }
Dog类继承了Animal类的相关属性和方法
第二页，共四页。
继承是一种类与类之间的关系；
优点：
利用代码的重复使用缩短开发周期

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

图 1-45 题 1-11 图
解：此时 I C
9 U CES 9 0.3 5.8mA 1.5 103 RC
IB R
IC

5.8 0.116mA 50
9 0.6 72.4k 0.116
分析：此题目考的是晶体管工作状态的判别，注意此题所说的晶体管处在临界饱和的状态，即
IR I
VDB

10 1mA 10 103
U Y 1 9 9V
(3) UA=10V，UB=0V，两个二极管都拿掉电路处在开路状态，VDA 处的开路电压 UA=10V，VDB 处的开路电压 UB=0V，VDA 导通，VDB 截止。
IR I
VDA

10 1mA 10 103
）。
图 1-44 题 1-10 图
解：处于饱和区时发射结正偏，集电结正偏。所以处在饱和状态的晶体管是 a。 UBE ＝0.6V，为使电路在可变电阻 RP＝0 时， 1-11 放大电路如图 1-45 所示,设晶体管 β=50， RC＝1.5k，晶体管刚好进入饱和状态，电阻 R 应取多少？
第 5 页，共 100 页
图 1-43 题 1-7 图
解：a）两个管子都处在稳压状态 U 0 5 10 15V b) 两个管子都正向导通 U 0 0.7 0.7 1.4V c） U 0 5V
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d） U 0 0.7V 1-8 设某晶体管 3 个极的电位分别为 VE = 13V，VB = 12.3V ，VC = -6.5V，试判断此晶体管的类型。解：本题依照以下思路分析： 1) 基极一定居于中间电位。 2) 按照 UBE = 0.2～0.3V 或 UBE=0.6～0.7V 可找出发射极 E，并可确定出锗管或硅管。 3) 余下第三脚必为集电极。 4) 若 UCE＞0 为 NPN 型管，UCE ＜0 为 PNP 型管。

盘中孔凸起失效探讨

刘继承，从事ＰＣＢ技术行业多年，任技术研发工程师
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２．２ＤＯＥ试验方案
根据特征要因分析结果，结合生产控制的实际情况，对电流密度、镀层厚度、树脂凸起的高度、树脂的处理方式四个可能的影响因子进行试验验证，选取的试验因子与水平如表１。
表１
因子＼水平
１２３
电流密度／（Ａ／ｄｍ２）１．０８１。６２．１５
镀层厚度１０ｕｍ２０ｕｍ３０ｐｒｏ
树脂凸起高度１０儿ｍ２０ｔｌｍ
３０ｕｍ
处理方式不处理
不织布磨板１次不织布磨板２次
采用“田”口试验设计，试验计划如图４。
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产品检测与可靠性ＩｎｓｐｅｃｔｉｏｎａｎｄＲｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ
２０１３秋季国际ＰＣＢ技术／信息论坛
图４
由于塞孔孔径在试验板上可实现不同孔径设计，而塞孔树脂的种类可以通过后续对比验证试验独立验证，为减少ＤＯＥ试验的次数，将孔径与塞孔树脂的种类两个因子通过不同的实现方式来实现试验验证。
传统的ＰＯＦＶＩ艺（通孔填平）较为引人关注的缺陷是填平镀铜后出现的Ｄｉｍｐｌｅ（凹陷），在ＩＰＣ标准对Ｄｉｍｐｌｅ的大小的可接受范围也有所规范；而之前不被客户所重视甚至ＩＰＣ标准中都没有提及的盘中孔填平镀铜后的凸起（图１、图２），它对电子产品封装难度的增加、产品良率的影响，已经受到越来越多的技术人员关注。
３试验过程分析
３．１试验条件
试验流程（图５）。
四甲
图５试验板设计（图６）：设计孔径为０．１ｍｍ的递增数列，最小孔径为０．３ｍｍ，最大孔径为１．０ｍｍ：孔径设计为ｌＯｍｍ×１０ｍｍ的矩阵，大小孔错位排列，ｐｉｔｃｈＪ０３．０ｍｍ。
图６试验板设计的效果图试验塞孔树脂的种类：常规的专用塞孔树脂Ａ、半固化片压胶的树脂Ｂ；