电子电路第6章
第6章第2节集成电路
一、选择题(每题2分,共20分)1. 以下哪位是中国古代著名的文学家?()A. 王之涣B. 王维C. 杜甫D. 苏轼2. 下列哪个成语出自《战国策》?()A. 破釜沉舟B. 画龙点睛C. 一鼓作气D. 胸有成竹3. 下列哪个词语是表示时间的?()A. 阳春白雪B. 风花雪月C. 桃红柳绿D. 日月如梭4. 下列哪个词语是表示颜色的?()A. 风花雪月B. 桃红柳绿C. 日月如梭D. 阳春白雪5. 下列哪个成语是形容人很有智慧的?()A. 眼光如炬B. 精卫填海C. 拔苗助长D. 班门弄斧6. 下列哪个词语是表示方向的?()A. 南腔北调B. 东施效颦C. 倒行逆施D. 南辕北辙7. 下列哪个词语是表示数量的?()A. 千里之行B. 一日千里C. 百尺竿头D. 千里马8. 下列哪个成语是形容人很有耐心的?()A. 持之以恒B. 一鼓作气C. 亡羊补牢D. 胸有成竹9. 下列哪个词语是表示心情的?()A. 风花雪月B. 桃红柳绿C. 日月如梭D. 心旷神怡10. 下列哪个成语是表示时间的流逝?()A. 日月如梭B. 千里之行C. 一日千里D. 百尺竿头二、填空题(每题2分,共20分)11. 《孟子》中提到:“______,则不远人。
”12. “______,人不知而不愠,不亦君子乎?”出自《论语》。
13. “______,沉舟侧畔千帆过。
”出自唐代刘禹锡的《陋室铭》。
14. “______,有铁一般的胳膊和腰脚,领着我们向前走。
”出自《少年中国说》。
15. “______,春暖花开。
”出自唐代白居易的《赋得古原草送别》。
三、简答题(每题5分,共20分)16. 简述《三国演义》中诸葛亮的主要事迹。
17. 简述《红楼梦》中贾宝玉和林黛玉的性格特点。
18. 简述《西游记》中孙悟空的主要特点。
19. 简述《水浒传》中宋江的主要事迹。
20. 简述《童年》中阿廖沙的性格特点。
四、作文(40分)21. 请以“我的读书生活”为题,写一篇不少于300字的作文。
电子线路(I)课后习题第6章练习题参考解答
= −10υ i1 + 10υ i 2 + υ i 3
在图(c )中
υo = −
=−
Rf R1
υ i1 +
R1 + R f R1
×
R1 + R f R3 R2 υi2 + υi3 × R2 + R3 R1 R2 + R3
100 10 + 100 100 10 + 100 10 υ i1 + υi2 + υi3 × × 10 10 10 + 100 10 10 + 100
υi − υ M = R1 R2 −υ υ − υo υ M = M + M R3 R4 R2
可解得
R2 + R4 +
υo = −
比例系数 Aυ =
R2 R4 R3
R1
υi
=−
100 + 100 +
100 × 100 2 υ i = −104υ i 50
υo = −104 。 υi
RfΒιβλιοθήκη 100 100 100 υ i1 − υ i 2 + 1 + υ i 3 50 50 50 // 50
= −2υ i1 − 2υ i 2 + 5υ i 3
在图(b)中
υo = −
Rf R1
υ i1 +
R1 + R f R1
×
R1 + R f R3 R2 υi2 + υi2 × R2 + R3 R1 R2 + R3
υo 的波形如题图 6-13(c )所示。 6-25 设一阶 LPF 和二阶 HPF 的通带放大倍数均为 2,通带截止频率分别为 100 Hz 和 2 kHz。试用它们构成一个带通滤波电路,并画出幅频特性。 解:将一阶 LPF 和二阶 HPF 相串联,就构成如题图 6-25(a)所示的带通滤波器。在 电路中 ,
电子课件电子技术基础第六版第六章门电路及组合逻辑电路可编辑全文
逻辑函数除可以用逻辑函数表达式(逻辑表达式)表示以 外,还可以用相应的真值表以及逻辑电路图来表示。真值表 与前述基本逻辑关系的真值表类似,就是将各个变量取真值 (0 和 1)的各种可能组合列写出来,得到对应逻辑函数的真 值(0 或 1)。逻辑电路图(逻辑图)是指由基本逻辑门或复 合逻辑门等逻辑符号及它们之间的连线构成的图形。
TTL 集成“与非”门的外形和引脚排列 a)外形 bOS 集成门电路以绝缘栅场效应管为基本元件组成, MOS 场效应管有 PMOS 和NMOS 两类。CMOS 集成门电路 是由 PMOS 和 NMOS 组 成的互补对称型逻辑门电路。它具 有集成度更高、功耗更低、抗干扰能力更强、扇出系数更大 等优点。
三、其他类型集成门电路
1. 集电极开路与非门(OC 门) 在这种类型的电路内部,输出三极管的集电极是开路的, 故称集电极开路与非门,也称集电极开路门,简称 OC 门。
OC 门 a)逻辑符号 b)外接上拉电阻
74LS01 是一种常用的 OC 门,其外形和引脚排列如图所 示。
74LS01 的外形和引脚排列 a)外形 b)引脚排列
2. 主要参数 TTL 集成“与非”门的主要参数反映了电路的工作速度、抗 干扰能力和驱动能力等。
TTL 集成“与非”门的主要参数
TTL 集成“与非”门具有广泛的用途,利用它可以组成很多 不同逻辑功能的电路,其外形和引脚排列如图所示。如 TTL“ 异或”门就是在 TTL“与非”门的基础上适当地改动和组合而成 的;此外,后面讨论的编码器、译码器、触发器、计数器等 逻辑电路也都可以由它来组成。
《电子技术基础》第6章时序逻辑电路的分析与设计-1
6.1 时序逻辑电路的基本概念
1. 时序电路的一般化模型
I1 Ii
O1
Oj
Sm 特点: Ek 1)时序逻辑电路由组合电路(逻辑门)和存储电路( 一般由触 发器构成) 组成。 2)电路的输出由输入信号和原来的输出状态共同决定.
4/9/2019 12:58:22 PM
… … S1 …
… E1 … …
组合电路
1/0 1/0 1/0
01 01 0/0 10 10
00
11
10
01
0/1 11 11
1/1
0/0
电路进行减1计数 。 电路功能:可逆4进制计数器 Y可理解为进位或借位端。
4/9/2019 12:58:22 PM
D2 Q
n 1
(3) 根据状态方程组和输出方程列出状态表
Sn→Sn+1
S = Q2Q1Q0
Q
n 1 0
Q Q
n 1
n 0
Q
n 1 1
Q
n 0
n 1 Q2 Q1n
状态表
n 1 n n 1 n 1 n Q Q Q Q Q Q 0 1 0 1 2
n 2
(4) 画出状态图 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0
存储电路
时序电 路输入 信号
I1
Ii
O1 Oj
组合电路
时序电 路输出 信号
存储电路激 励信号(触发 器的输入)
… …
… …
存储电路输 出信号 (电路状态S) 各触发器的状态Q
S1 Sm …
E1
… Ek
存储电路
各信号之间的逻辑关系方程组为:
O = F1(I,Sn) E = F2
电工电子学第二版第六章
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
例:
D2 D1
求:UAB
两个二极管的阴极接在一起 A 取 B 点作参考点,断开二极管, + 分析二极管阳极和阴极的电位。 U
AB
6V
3k 12V
–
B
自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。在一 定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载 流子便维持一定的数目。
注意: (1) 常温下本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差; (2) 温度愈高, 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈 好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。 (3)相同条件下,本征半导体较一般半导体导电性弱很多。
Si
Si
Si 空穴
Si
价电子
在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填 补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动 (相当于正电荷的移动)称为复合运动。
本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流
DB导通
DA导通 均导通
当输入均为同3V时,输出才为3V 当输入有一为0V时,输出为0V 实现了“与”门逻辑
总结:
2、多个二极管连接: 若 共阴极,阳级最高一个先导通
若 共阳级,阴级最低一个先导通
先导通的一个二极管起嵌位作用。
例3限幅作用:R + ui – D + uo –
8V
已知:ui 18sin t V 二极管是理想的,试画 出 uo 波形。
电力电子技术第6章 交流交流变流电路
~u
VT1
uo
R
(a) 电阻负载单相交流调压电路 u1 O uo O i
o
α
π +α
t
VT1
VT2
t
u
O
V T
t
t O School of Electronics Science and Technology 7/57 (b)电阻负载单相交流调压工作波形
6.1.1 单相交流调压电路
每个晶闸管均在对应的交流电压 过零点关断,晶闸管的控制触发 角为α,导通角为θ = π-α。负载电 压波形是电源电压波形的一部分, 负载电流(也即电源电流)和负 载电压的波形相同,晶闸管也只 在两个晶闸管均关断时才承受电 压。 定量分析:由此可知,当晶闸管 的控制触发角为α时,负载两端的
ui 0 uo 0
t
t
图6-1 (c)斩控式交流调压方案 6/57
School of Electronics Science and Technology
6.1.1 单相交流调压电路
1 相控式交流调压电路
VT2
相控式交流调压电路的工作情 况和负载性质有很大的关系, 下面就电阻性负载和电感性负 载分别讨论。 (1)电阻性负载 单相相控式 交流调压电路电阻性负载电路 图如图所示,加在该电路输入 端的电源为正弦交流电。在交 流电源的正负半周分别在ωt =α 和ωt =π +α 时刻触发晶闸管VT1 和VT2,从而得到负载两端的电 压、电流以及VT两端电压波形 如图所示。
■直接方式
◆交流电力控制电路:只改变电压、电流或对电路的通 断进行控制,而不改变频率的电路。
◆交流调压电路:在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输 出电压有效值的电路。 ◆交流调功电路:以交流电周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数 和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路。 ◆交流电力电子开关:串入电路中根据需要接通或断开电路的晶闸管。
《电力电子技术》(第六七八章)习题答案
第6章 PWM 控制技术1.试说明PWM 控制的基本原理。
答:PWM 控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术。
即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需要波形(含形状和幅值)。
在采样控制理论中有一条重要的结论:冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同,冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。
上述原理称为面积等效原理以正弦PWM 控制为例。
把正弦半波分成N 等份,就可把其看成是N 个彼此相连的脉冲列所组成的波形。
这些脉冲宽度相等,都等于π/N ,但幅值不等且脉冲顶部不是水平直线而是曲线,各脉冲幅值按正弦规律变化。
如果把上述脉冲列利用相同数量的等幅而不等宽的矩形脉冲代替,使矩形脉冲的中点和相应正弦波部分的中点重合,且使矩形脉冲和相应的正弦波部分面积(冲量)相等,就得到PWM 波形。
各PWM 脉冲的幅值相等而宽度是按正弦规律变化的。
根据面积等效原理,PWM 波形和正弦半波是等效的。
对于正弦波的负半周,也可以用同样的方法得到PWM 波形。
可见,所得到的PWM 波形和期望得到的正弦波等效。
2.设图6-3中半周期的脉冲数是5,脉冲幅值是相应正弦波幅值的两倍,试按面积等效原理计算脉冲宽度。
解:将各脉冲的宽度用i(i =1, 2, 3, 4, 5)表示,根据面积等效原理可得1=m5m 2d sin U t t U ⎰πωω=502cos πωt - =0.09549(rad)=0.3040(ms)2=m525m 2d sin U t t U ωϖππ⎰=5252cos ππωt -=0.2500(rad)=0.7958(ms)3=m5352m 2d sin U t t U ωϖππ⎰=53522cos ππωt -=0.3090(rad)=0.9836(ms)4=m5453m 2d sin U t t U ωϖππ⎰=2=0.2500(rad)=0.7958(ms)5=m54m2d sin U tt Uωϖππ⎰=1=0.0955(rad)=0.3040(ms)3. 单极性和双极性PWM 调制有什么区别?三相桥式PWM 型逆变电路中,输出相电压(输出端相对于直流电源中点的电压)和线电压SPWM 波形各有几种电平?答:三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单一的极性,所得的PWM 波形在半个周期中也只在单极性范围内变化,称为单极性PWM 控制方式。
数字电子技术基础-第六章_时序逻辑电路(完整版)
T0 1
行修改,在0000 时减“1”后跳变 T1 Q0 Q0(Q3Q2Q1)
为1001,然后按
二进制减法计数
就行了。T2 Q1Q0 Q1Q0 (Q1Q2Q3 )
T3 Q2Q1Q0
50
能自启动
47
•时序图 5
分 频
10 分 频c
0
t
48
器件实例:74 160
CLK RD LD EP ET 工作状态 X 0 X X X 置 0(异步) 1 0 X X 预置数(同步) X 1 1 0 1 保持(包括C) X 1 1 X 0 保持(C=0) 1 1 1 1 计数
49
②减法计数器
基本原理:对二进 制减法计数器进
——74LS193
异步置数 异步清零
44
(采用T’触发器,即T=1)
CLKi
CLKU
i 1
Qj
j0
CLKD
i 1
Qj
j0
CLK0 CLKU CLKD
CLK 2 CLKU Q1Q0 CLK DQ1Q0
45
2. 同步十进制计数器 ①加法计数器
基本原理:在四位二进制 计数器基础上修改,当计 到1001时,则下一个CLK 电路状态回到0000。
EP ET 工作状态
X 0 X X X 置 0(异步)
1 0 X X 预置数(同步)
X 1 1 0 1 保持(包括C)
X 1 1 X 0 保持(C=0)
1 1 1 1 计数
39
同步二进制减法计数器 原理:根据二进制减法运算 规则可知:在多位二进制数 末位减1,若第i位以下皆为 0时,则第i位应翻转。
Y Q2Q3
电子电路技术考研习题及其详解第6章功率放大电路
电子电路技术考研习题及其详解第6章功率放大电路(总28页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--一、选择题(05 分)1.选择正确答案填空:1.在甲类功率放大电路中,功放管的导通角为();A .B .C.02.在甲乙类功率放大电路中,功放管的导通角为();A . B.>C.<3.在乙类功率放大电路中,功放管的导通角为();A . B.=C.<(05 分)2.选择正确答案填空:1.功率放大电路的主要特点是();A.具有较高的电压放大倍数 B.具有较高的电流放大倍数C.具有较大的输出功率2.功率放大电路的最大输出功率是负载上获得的();A.最大交流功率 B.最大直流功率 C.最大平均功率3.功率放大电路的效率是();A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与功放管耗散功率之比C.输出功率与电源提供的功率之比(05 分)3.选择正确答案填空:2651.分析功率放大电路时,应着重研究电路的();A.电压放大倍数和电流放大倍数 B.输出功率与输入功率之比C.最大输出功率和效率2.功率放大电路的最大输出功率是();A.负载获得的最大交流功率 B.电源提供的最大功率C.功放管的最大耗散功率2663.当功率放大电路的输出功率增大时,效率将()。
A.增大 B.减小 C.可能增大,也可能减小(05 分)4.选择正确答案填空:1.功率放大电路与电压放大电路的共同之处是();A.都放大电压 B.都放大电流 C.都放大功率2.分析功率放大电路时,应利用功放管的();A.特性曲线 B.h参数模型 C .高频混合模型3.在选择功率放大电路的功放管时,应特别注意其参数();A .、B .、、C .、(05 分)5.选择正确答案填空:1.功率放大电路与电流放大电路的共同之处是();A.都放大电压 B.都放大电流 C.都放大功率2.对于甲类功率放大电路,当输出功率增大时,功放管的管耗将();A.增大 B.不变 C.减小3.对于乙类功率放大电路,当输出功率增大时,功放管的管耗将();A.增大 B.可能增大,可能减小 C.减小(05 分)6.选择正确答案填空:1.功率放大电路的主要作用是使负载获得();A.尽可能大的电压 B.尽可能大的电流 C.尽可能大的交流功率2.对于甲类功率放大电路,当输出电压增大时,电源提供的功率将();A.增大 B.不变 C.减小2663.对于乙类功率放大电路,当输出电压增大时,功放管的管耗将();A.增大 B.减小 C.可能增大,也可能减小(05 分)7.有三种功率放大电路:A.甲类功率放大电路267B.甲乙类功率放大电路 C.乙类功率放大电路选择正确答案填空:1.静态时,功率损耗最大的电路是();2.能够消除交越失真的电路是();3.功放管的导通角最小的电路是()。
《电工电子学》第6章习题答案
第6章习题答案6.1.1 选择题(1)在LC并联谐振回路谐振时,若电感的中间抽头交流接地,则首端与尾端的信号电压相位 B 。
A. 相同B. 相反C. 90 。
D. -90 。
(2)在LC并联谐振回路谐振时,若电感的首端或尾端交流接地,则电感其它两个端点的信号电压相位 A 。
A. 相同B. 相反C. 90 。
D. -90 。
(3)自激振荡是电路在__B___的情况下,产生了有规则的、持续存在的输出波形的现象。
A. 外加输入激励B. 没有输入信号C. 没有反馈信号(4)正反馈是放大电路产生自激振荡的__A____。
A. 必要条件B. 充分条件C. 充要条件(5)在正弦波振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是__A____。
A. B. C.(6)正弦波振荡电路的起振条件是__B____。
A. B. C.(7)在RC型正弦波振荡器中,通常是利用___B______来自动的稳定振荡器输出的幅度。
A. 线性特性元件B. 非线性特性元件C. 电抗特性元件(8)在题图6.1.1所示电路中,谐振回路由___A______元件组成。
A. 、B. 、C. 、、题图 6.1.1(9)在题图6.1.1所示电路中,电路的谐振频率____C_____。
A. B. C.(10)电路如题图6.1.2所示,设运放是理想器件,,为使该电路能产生正弦波,则要求____C_____。
A. (可调)B. (可调)C. (可调)题图 6.1.2(11)对于LC正弦波振荡电路,若已满足相位平衡条件,则反馈系数越大,__A______。
A.越容易起振B. 越不容易起振错误C.输出越小6.1.2判断下列说法是否正确,在括号中画上“√”或“×”。
(1)在反馈电路中,只要安排有LC谐振回路,就一定能产生正弦波振荡。
(ⅹ)(2)对于LC正弦波振荡电路,若已满足相位平衡条件,则反馈系数越大,越容易起振。
(√)(3)电容三点式振荡电路输出的谐波成分比电感三点式的大,因此波形较差。
电子电路第六章习题及参考答案
习题六6-1 什么是本征半导体?什么是杂质半导体?各有什么特征?答:所谓本征半导体就是指完全纯净的、结构完整的半导体。
在本征半导体中掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。
本征的半导体中的自由电子数量和空穴的数量是相等的,而杂质半导体中根据掺杂的元素不同可分为N 型半导体和P 型半导体,在N 型半导体中电子的浓度远远大于空穴的浓度,而P 型半导体恰恰相反。
6-2 掺杂半导体中多数载流子和少数载流子是如何产生的?答:在本征半导体中,由于半导体最外层有四个电子,它与周边原子的外层电子组成共价键结构,价电子不仅受到本身原子核的约束,而且受到相邻原子核的约束,不易摆脱形成自由电子。
但是,在掺杂的半导体中,杂质与周边的半导体的外层电子组成共价键,由于杂质半导体的外层电子或多(5价元素)或少(3价元素),必然有除形成共价键外多余的电子或不足的空穴,这些电子或空穴,或者由于受到原子核的约束较少容易摆脱,或者容易被其它的电子填充,就形成了容易导电的多数载流子。
而少数载流子是相对于多数载流子而言的另一种载流子,它是由于温度、电场等因素的影响,获得更多的能量而摆脱约束形成的。
6-3,黑表笔插入COM ,红表笔插入V/Ω(红笔的极性为“+”),将表笔连接在二极管,其读数为二极管正向压降的近似值。
用模拟万用表测量二极管时,万用表内的电池正极与黑色表笔相连;负极与红表笔相连。
测试二极管时,将万用表拨至R ×1k 档,将两表笔连接在二极管两端,然后再调换方向,若一个是高阻,一个是低阻,则证明二极管是好的。
当确定了二极管是好的以后就非常容易确定极性,在低阻时,与黑表笔连接的就是二极管正极。
6-4 什么是PN 结的击穿现象,击穿有哪两种。
击穿是否意味着PN 结坏了?为什么? 答:当PN 结加反向电压(P 极接电源负极,N 极接电源正极)超过一定的时候,反向电流突然急剧增加,这种现象叫做PN 结的反向击穿。
击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种,齐纳击穿是由于PN 结中的掺杂浓度过高引起的,而雪崩击穿则是由于强电场引起的。
线性电子线路(戴蓓蒨)第六、七章答案
12
Vi1 Vi2
Rw
题 7.28
已知一个集成运放的低频增益为 ,以及它的三个转折频率分别为
,
,
,产生第一个转折频率的电路
的输出等效电阻
。若要求闭环增益
,并保证放大器能稳定工
作且有 的相位裕量,采用简单的电容补偿,则所需的最小补偿电容时多少?
若要求
,则电路稳定工作所需最小补偿电容时多少?
解: (1)
35
t/ms
-5V
8
vo / V
2.5 0-2.5源自51015
题 7.3
图 7.2(a)电路的输出电压的初始值 压波形。 解:根据 7.2 的结论,作图如下
vo / V
4.5
2
0
5
15
-0.5
t/ms
,画出图 b 输入波形时的输出电 t/ms
题 7.13
图为运放组成的绝对值运算电路,试分析工作原理,并画出
解: (b)如图,有
(c)如图,有
Vo
R3 R2
(Vi 2
Vi1 )
Vo
R2 R4 R1R3
Vi1
R4 R5
Vi 2
题 7.2
图(a)中运放电路的输入电压波形如图(b)所示,设 t=0 时的输出 路的输出电压波形,标出相关值。
0.1 F
100k
Vi
Vo
,试画该电
vi
5V
0
5
15
25
解: 电压并联负反馈 (1)根据例 6.4 的结论,有 解得 Rf 10.64k 。
电力电子技术 第6章 谐振开关电路
6.2.2 谐振开关变换器的分类
根据拓扑结构和谐振开关方法将谐振变换器划分为如下几种变换器模式。
1. 负载谐振变换器
谐振电路既可采用串联L-C谐振电路,也可采用并联L-C谐振电路。通过L-C的 谐振,使变换器的开关在零电压与/或零电流时通断。通过控制谐振电路的阻抗控制 流向负载的功率,故称之为负载谐振变换器。
2. 准谐振开关变换器
L-C谐振能够提供给变换器上的电力电子器件合适的开关电压与电流波形,使 器件在零电压与/或零电流下通断。准谐振式变换器主要分为零电流开关(ZCS)准 谐振变换器和零电压开关(ZVS)准谐振变换器
6.3.2 零电压开关准谐振变换器
零电压开关准谐振Buck变换器(ZVS-QRC)也有全波模式和半波模式2种电路。若 开关器件只能承受单方向电压,则ZVS-QRC工作于半波模式,其电路如图(a)所示; 若开关器件能承受双向电压,则ZVS-QRC工作于全波模式,其电路如图(b)所示。在 ZVS-QRC中,谐振电容Cr与开关管并联,谐振电感Lr与二极管VD串联。
在常规的开关型PWM直流-交流逆变器中,逆变器输入电压Ud是一个幅值固定的直 流电。在谐振直流环逆变器中,在输入直流电源和逆变器之间加入谐振电路,利用L-C 谐振使逆变器的输入电压围绕Ud形成振荡,使逆变器输入电压在某限定时间内为零,在 这段时间内控制电力电子器件通断的状态,从而实现了零电压通断。
6.3 准谐振开关变换器
6.2 开关模式与谐振变换器分类
6.2.1 硬开关模式和谐振开关模式
数字电子技术 第6章 时序逻辑电路的设计
17
2.画出次态状态表 画出次态状态表
次态 y=0(down) Q2 Q1 Q0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 y=1(up) Q2 Q1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 Q0 1 1 0 0 1 1 0 0
为使电路能自启动,将卡诺图中的最小项 xxx取做有效状态例如010状态,这时Q2n+1 的卡诺图应修改为右图。化简后得到新状 态方程: Q1n+1= Q2n⊕Q3n Q2n+1= Q1n+ Q2nQ3n Q3n+1= Q2n 驱动方程:J1=Q2n⊕Q3n 输出方程:C= Q1n Q2n Q3n K1=Q2n⊕Q3n J2=Q1n+Q3n K2=Q1n J3= Q2n K3= Q2n
检查自启动:设初态为000,来第1个CP脉冲,将跳变为010,进入循环状态,该电路可 以自启动。
11
6.3同步时序逻辑电路设计 同步时序逻辑电路设计 (时钟同步状态机的设计)
1.用状态图设计同步时序逻辑电路 ①状态序有规则的时序电路; ②态序不规则的Moore型; ③Mealy型 2. 使用状态表设计时序逻辑电路 3.使用状态转换表设计时序状态机
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例2:设计一个串行数据检测器。要求连续输入3个或3个以 上的1时,输出为1,其它情况下输出为0。
(1)因为输入多于3个1,有输出。设输入变量为x;检测 (5)最多连续输入m=3,可选用 结果为输出变量,定义为y;又因连续输入3个1以上有 (7)逻辑电路图: n=2,2个J-K FF,于是可画出次 输出,因此要求同步计数。 态及输出卡诺图。还可分解为3 个卡诺图。 (2)状态分析:初态S0为全0状态,设输入一个1时为S1 态,输入2个1时为S2,输入3个1及以上为S3。 Q1n+1 Q0n+1 y (3)状态转换图如图所示: (4)状态转换表。因为输入m>3和连续输入3个1(m=3)状态是相同的,都停留在S2上,故 (8)检查能否自启动: 状态转换图可以简化成如下。 当电路初态进入11状态后: (6)状态方程:Q1n+1=xQ0Q1+xQ 若x=1时,Q1n+1Q0n+1=10状态为 1 sn S S1 S2 S 0 X 次态;若x=0时,Q1n+1 Q0n+1=00 3 n 驱动方程:J1=xQ0 J0=xQ1 0 S0/0 S0/0 S0/0 S0/0 次态。 输出方程:y=xQ1n 1 S1/0 该电路可以自启动。S2/0 S3/1 S4/1 Q0n+1=xQ1Q0+1Q1 K1=x K0=1 自启动部分
高频电子线路第六章 高频功率放大器
6.3.4 高频功放的负载特性(输出特性) 高频功放工作于非线性状态,负载特性是指在晶体 管及VCC,VBB Ubm一定时,改变负载电阻RP,功放的各 处电压、功率及效率η随RP变化的关系。 1. Ico 、Icm1与RP关系曲线 在欠压状态,随Rp增大,ICO、ICm1基本不变,在 过压区,随着Rp增大,ic出现下凹,ICO、IC1m减小, 如图6-5(a)。
图 6-5 高频功放的负载特性
2. UCm与RP的关系曲线 如图6-5(a),欠压区内,Icm1变化很小;UCm1 =Icm1RP随RP增大而上升; 在过压区,RP线性增 加,Icm1减小较慢,UCm稍有上升。
3.功率,效率P= 、PO、 ηc与RP的关系曲线 在欠压状态,随Rp增大,P=基本保持不变,PO线性 增大,ηc逐渐增大。进入过压状态,随Rp增大,P= 减少。由此看出,临界状态输出功率最大。而集 电极效率在弱过压区由于PO下降较P=下降缓慢,ηc 略增,在临近临界线的弱过压区,ηc出现最大值。图 6-5(b)是随Rp变化的规律。
=g1(θc)ξ/2 (g1(θc)= α1 (θc)/ α0 (θc),称为波形系数)
6.3.2 高频功放的uBE~uCE的关系
图6-3 高频功放uBE~uCE的关系
动特性是指当加上激励信号及接上负载阻抗时, 晶体管集
电极电流iC与电压uCE的关系曲线,它在ic~uCE坐标系中是
一条曲线。图6-3表示在动态特性一定时uBE~uCE的关系。
(6-10)
直流输入功率与集电极输出高频功率之比就是集 电极定义集电极效率。
由式(6 -7)、(6-8)可以得到输出功率Po和集电极损 耗功率Pc之间的关系为:
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习题六6-1 什么是本征半导体?什么是杂质半导体?各有什么特征?答:所谓本征半导体就是指完全纯净的、结构完整的半导体。
在本征半导体中掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。
本征的半导体中的自由电子数量和空穴的数量是相等的,而杂质半导体中根据掺杂的元素不同可分为N型半导体和P型半导体,在N型半导体中电子的浓度远远大于空穴的浓度,而P型半导体恰恰相反。
6-2 掺杂半导体中多数载流子和少数载流子是如何产生的?答:在本征半导体中,由于半导体最外层有四个电子,它与周边原子的外层电子组成共价键结构,价电子不仅受到本身原子核的约束,而且受到相邻原子核的约束,不易摆脱形成自由电子。
但是,在掺杂的半导体中,杂质与周边的半导体的外层电子组成共价键,由于杂质半导体的外层电子或多(5价元素)或少(3价元素),必然有除形成共价键外多余的电子或不足的空穴,这些电子或空穴,或者由于受到原子核的约束较少容易摆脱,或者容易被其它的电子填充,就形成了容易导电的多数载流子。
而少数载流子是相对于多数载流子而言的另一种载流子,它是由于温度、电场等因素的影响,获得更多的能量而摆脱约束形成的。
6-3,黑表笔插入COM,红表笔插入V/Ω(红笔的极性为“+”),将表笔连接在二极管,其读数为二极管正向压降的近似值。
用模拟万用表测量二极管时,万用表内的电池正极与黑色表笔相连;负极与红表笔相连。
测试二极管时,将万用表拨至R×1k档,将两表笔连接在二极管两端,然后再调换方向,若一个是高阻,一个是低阻,则证明二极管是好的。
当确定了二极管是好的以后就非常容易确定极性,在低阻时,与黑表笔连接的就是二极管正极。
6-4 什么是PN结的击穿现象,击穿有哪两种。
击穿是否意味着PN结坏了?为什么?答:当PN结加反向电压(P极接电源负极,N极接电源正极)超过一定的时候,反向电流突然急剧增加,这种现象叫做PN结的反向击穿。
击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种,齐纳击穿是由于PN结中的掺杂浓度过高引起的,而雪崩击穿则是由于强电场引起的。
PN 结的击穿并不意味着PN结坏了,只要能够控制流过PN结的电流在PN结的允许范围内,不会使PN结过热而烧坏,则PN结的性能是可以恢复正常的,稳压二极管正式利用了二极管的反向特性,才能保证输出电压的稳定。
6-5 理想二极管组成电路如题图6-1所示,试确定各电路的输出电压u o。
解:理想二极管的特性是:当二极管两端加正向电压,二极管导通,否则二极管截止。
分析含有二极管电路的方法是:假定二极管是开路,然后确定二极管两端的电位,若二极管的阳极电位高于阴极电位,则二极管导通,否则截止。
对于图(a)假定D1、D2、D3截止,输出端的电位为-18V,而D1、D2、D3的阳极电位分别是-6V、0V、-6V,因此,理论上D1、D2、D3都能导通,假定D1导通,则输出点的电位为-6V,由于该点电位也是D2的阴极电位,因此D2会导通,一旦D2导通,u O点的电位就为0V,因此,D1、D3的阴极电位为0V,而阳极端为-6V,这样D1、D3必定截止,所以输出电压u o=0V(这就是脉冲数字电路中的或门,0V为高电平,-6V为低电平,只要输入端有一个高电平,输出就为高电平)。
对于图(b)依同样的道理可知:D1、D2、D3的阳极电位都低于+18V,所以三个二极管均截止,流过R的电流为0,故输出电位u o=18V试分析图(b)中的三个二极管极性都反过来,输出电压u o=?6-6 二极管电路如题图6-2所示,判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压U AO。
A(a) (b) (c)题图6-2 习题6-6电路图解:对于图(a),在闭合回路中12V电源大于6V电源,故在二极管D的两端加了正向电压,二极管导通,由于是理想二极管,二极管的管压降为0,所以U AO= -6V;对于图(b),假定D1、D2截止,A点电位是-12V,D1的阳极电位是0V,D2的阳极电位是-15V,所以D1两端加正向电压导通,D2加反向电压截止,因此,U AO=0V 对于图(c),同样假定D1、D2截止,A点电位是12V,D1的阴极电位是-6V,D2的阴极电位是0V,两个二极管都具备导通条件,但一旦D1导通,A点的电位就为-6V,D2两端加反向电压,故D2必截止,所以输出U AO= -6V(也可以假定D2导通,则A点电位为0V,而D1仍是正向偏置,所以D1必然导通,一旦D1导通,U AO= -6V)。
6-7 二极管电路如题图6-3所示。
输入波形u i=U im sinωt,U im>U R,二极管的导通电压降可忽略,试画出输出电压u o1~u o4的波形图。
o4(a) (b) (c) (d)题图6-3 习题6-7电路图解:由于u i=U im sinωt,且U im>U R,则有:图(a)当u i<U R时,二极管截止,输出为u i,当u i>U R时,二极管D导通,输出为U R;图(b)当u i<U R时,二极管导通,输出为U Ri,当u i>U R时,二极管D截止,输出为u i;图(c)当u i<U R时,二极管导通,输出为u i,当u i>U R时,二极管D截止,输出为U R;图(d)当u i<U R时,二极管截止,输出为U R,当u i>U R时,二极管D导通,输出为u i。
其波形如下图所示。
其中下图(a)是上图(a)、(c)的波形图;图(b)是上图(b)、(d)的波形图。
当U I形。
由是什么?如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用。
答:为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度高;基区宽度薄;集电结结面积比发射结面积大。
其理由是,由于发射极的掺杂浓度高,所以在发射结的正向偏置的作用下,会有大量的载流子漂移到基区,漂移到基区的载流子积聚在发射结附近,而在集电结附近载流子浓度几乎为0(集电结反向偏置的缘故),由于浓度差异,积聚在发射结附近的电子会向集电结扩散,只有基区宽度很薄,才能保证向集电结扩散过程中只有很少一部分与基区的空穴复合,大多数载流子可以扩散到集电结附近,又因为集电区面积比较大,所以在集电结反向偏置下,就可以尽可能多的收集扩散到集电结附近的多数载流子。
如果集电极和发射极对调,是不能起到放大作用的。
因为集电极的掺杂浓度低,即使在集电结正向偏置的作用下,也没有足够多的载流子漂移到基区,且由于发射区的面积不够大,也不能将接近发射极的载流子大量的收集到发射极。
6-11 工作在放大区的某个三极管,当I B 从20μA 增大到40μA 时,I C 从1mA 变成2mA 。
它的β值约为多少? 解:根据动态放大倍数的定义得:50201000204010002000==−−=∆∆=b c I I β 6-12 工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是什么?流过集电结的电流主要是什么?答:工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是 扩散电流 ,流过集电结的电流主要是 漂移电流 。
6-13 某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA 时,基极电流是多少?该管的β多大?另一只三极管,其β=100。
当发射极电流为5mA 时,基极电流是多少?该管的α多大? 解:根据α定义EC E C I I I I ≈≈∆∆=αα, 所以A mA I I I mA mA I I c E B E C µα4004.096.1296.1298.0==−=−==×=≈4904.096.1===B C I I β 由于100==B C I I β,所以A mA I I C B µβ5005.01005==== 99.005.055=+=+==E C C E C I I I I I α 6-14 放大电路中,测得几个三极管的三个电极电位U 1、U 2、U 3分别为下列各组数值,判断它们是NPN 型还是PNP 型?是硅管还是锗管?确定e 、b 、c 。
(1)U 1=3.3V ,U 2=2.6V ,U 3=15V(2)U 1=3.2V ,U 2=3V ,U 3=15V(3)U 1=6.5V ,U 2=14.3V ,U 3=15V(4)U 1=8V ,U 2=14.8V ,U 3=15V答:先确定是硅管还是锗管。
由于硅管的结电压降一般为0.6~0.8V ,锗管的结电压降约为0.1~0.3V ,所以(1) (3.3-2.6=0.7V)、(3) (15-14.3=0.7V)为硅管,(2) (3.2-3=0.2V)、(4) (15-14.8=0.2V)为锗管。
然后确定是NPN 还是PNP 管。
对于NPN 管,基极电位高于发射极电位(发射极正向偏置),而集电极的电位高于基极(集电极反向偏置)。
对于PNP 管,发射极电位高于基极电位(发射结正向偏置),基极电位高于集电极电位(集电结反向偏置),所以(1)、(2)是NPN 管;(3)、(4)是PNP 管因此:(1)是NPN 硅三极管;3.3V—b 极,2.6V—e 极,15V—c 极(2)是NPN 锗三极管;3.2V—b 极,3V—e 极,15—c 极(3)是PNP 硅三极管;6.5V—c 极,14.3V—b 极,15V—e 极(4)是PNP 锗三极管;8V—c 极,14.8V—b 极,15V—e 极6-15 电路如题图6-2所示,已知三极管为硅管,U BE =0.7V ,β=50,I CBO 忽略不计,若希望I C =2mA ,试求(a )图的R e 和(b)图的R b 值,并将两者比较。
解:对于图(a),在输入回路中(图中左边回路),R e 两端的电压降为6-0.7V ,所以B C E B ee E I I I I R R I ββ=+==−=13.57.06, 故Ω=××=×=+=+=K I I R C B e 598.2251503.5502513.5)1(3.5)1(3.5βββ 对于图(b),βC B b B I I R I =−=7.06,所以Ω=×=×=k I R C b 5.1322503.53.5β题图6-6 习题6-15电路图。