碳化硅含量的测定综述

合集下载

碳化硅含量的测定方法

碳化硅含量的测定方法

碳化硅含量的测定方法
嘿,碳化硅含量的测定方法啊,那咱就来唠唠。

一种常见的方法是化学分析法。

这就像给碳化硅做个“体检”。

先把要检测的样品准备好,弄得碎碎的,这样才能更好地进行分析。

然后用一些化学试剂来和样品反应,通过观察反应的情况来确定碳化硅的含量。

比如说,可以用酸来溶解样品,看看能溶解多少,剩下的不溶解的部分可能就是碳化硅啦。

不过这可得小心操作,别把自己给伤到了,那些化学试剂可厉害着呢。

还有一种方法是仪器分析法。

现在科技可发达了,有很多仪器可以用来测定碳化硅含量。

比如光谱仪,就像给碳化硅照个“X光”,能分析出里面各种成分的含量。

把样品放到光谱仪里,它就能告诉你里面有多少碳化硅。

还有一些专门的分析仪,也能快速准确地测定碳化硅含量。

这就像有个超级聪明的小助手,帮你把难题都解决了。

在测定的时候,一定要注意准确性。

样品要准备得好,不能有杂质混进去,不然结果就不准了。

操作也要规范,按照正确的步骤来,不能瞎搞。

就像你做饭得按照菜谱来,不然味道就不对啦。

我给你讲个事儿吧。

我有个朋友在工厂里工作,他们要测定一批材料里的碳化硅含量。

一开始他们用了一种不太准确的方法,结果得出的结果乱七八糟的。

后来他们请了专业的人来,用了仪器分析法,一下子就把碳化硅含量测准了。

他们这才知道,测定碳化硅含量得用对方法,不然会耽误很多事情。

所以啊,测定碳化硅含量有很多方法,得根据实际情况选择合适的方法。

认真操作,保证准确性,这样才能得到可靠的结果。

哈哈。

碳化硅晶体表面的金属含量的检测方法_概述及解释说明

碳化硅晶体表面的金属含量的检测方法_概述及解释说明

碳化硅晶体表面的金属含量的检测方法概述及解释说明1. 引言1.1 概述随着碳化硅晶体在电子、光电子等领域中的广泛应用,对其表面金属含量进行准确检测和控制变得尤为重要。

因为金属元素的污染会严重影响碳化硅晶体的电学和光学性能,甚至导致设备故障。

因此,开发一种准确、可靠且高效的方法来检测碳化硅晶体表面金属含量是当前研究的热点之一。

1.2 文章结构本文将从概述、方法介绍、优点与局限性以及结论与展望四个方面来详细阐述碳化硅晶体表面金属含量的检测方法。

首先,在引言部分我们将对该课题进行概述,并介绍文章的结构。

然后,在第二部分我们将详细探讨两种常用的检测方法,包括前提条件以及具体步骤和原理。

接着,在第三和第四部分中,我们将分别探讨这两种方法的优点和局限性,旨在对读者提供一个全面评估不同方法并选择最适合实际需求的依据。

最后,在结论与展望部分,我们将总结现有的研究成果,并提出对未来研究方向的建议和展望。

1.3 目的本文的目的是概述并解释碳化硅晶体表面金属含量检测方法,通过对常用方法的系统比较和分析,为科研工作者和相关行业提供一个全面了解不同方法特点与适用性的指南。

希望本文能够促进该领域的进一步发展,并为更准确地检测和控制碳化硅晶体表面金属含量提供有效手段。

2. 碳化硅晶体表面金属含量检测方法:2.1 前提条件:在介绍具体的碳化硅晶体表面金属含量检测方法之前,我们需要先了解一些前提条件。

首先,为了准确地检测碳化硅晶体表面的金属含量,我们需要使用特定的实验设备和仪器,如能谱仪、扫描电镜等。

其次,我们需要对待测试的碳化硅晶体进行样品制备处理,包括清洗、抛光等步骤,以确保测试结果的准确性和可靠性。

2.2 方法一:第一种常用的方法是能谱分析法。

该方法通过使用能谱仪对碳化硅晶体表面进行扫描,利用能谱仪中搭载的X射线发射光谱分析技术来检测样品中存在的不同金属元素。

根据不同金属元素特有的X射线发射峰位及其强度,可以精确测定碳化硅晶体表面上各个金属元素的含量。

等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量

等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量

等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量(Free Total Silicon Content in Carbide,FTSC)是一种用于测量碳化硅中游离总硅含量的方法。

碳化硅是一种复杂的金属碳合物,主要由硅、碳和氢组成。

硅元素是碳化硅制造过程中最重要的元素,其含量可以影响碳化硅的性能。

因此,对碳化硅中的游离总硅含量的准确测量十分重要。

等离子体发射光谱法(plasma emission spectroscopy, PES)是一种高效和快速的分析方法,用于测定碳化硅中的游离总硅含量。

它是在电离等离子体中发生的一种依赖于离子能量的精确光谱测量,可以测量样品中的细微的元素。

PES的工作原理是将碳化硅样品放入一个电离容器中,该容器内有一个等离子体源,如等离子体放电灯或等离子体激光器。

在等离子体源中,使用高能量电子将碳化硅样品中的元素激发,从而释放出各种光谱线。

这些光谱线会进入一个光学装置,如棱镜或滤光片,然后经由光电检测器进行测量。

检测器将光信号转换为电信号,并输出到计算机。

计算机将测量的电信号转换为可读的数据,从而提供碳化硅样品中的游离总硅含量。

PES是一种快速而精确的分析方法,它可以在很短的时间内得出准确的结果,具有分析时间短、成本低、操作简单等优点。

然而,PES也有一些缺点,如受到非线性影响,元素吸光度不一致,需要大量样品等。

除了PES之外,还有其他一些测定碳化硅中游离总硅含量的方法,如原子吸收法、X射线荧光法、火焰原子吸收法和ICP-AES等。

综上所述,等离子体发射光谱法是一种快速、精确的分析方法,可以用来测定碳化硅中的游离总硅含量。

它具有分析时间短、成本低、操作简单等优点,可以在很短的时间内得出准确的结果。

虽然它也有一些缺点,但是它仍然是一种可靠的分析方法,用于测定碳化硅中的游离总硅含量。

碳化硅的测定

碳化硅的测定

碳化硅的测定碳化硅是一种重要的耐高温陶瓷材料,常用于高温炉、加热器、热交换器、气体转换器和电子元器件等领域。

因此,对碳化硅的测定非常重要。

本文将从碳化硅的概述、测定方法和应用等方面进行讲解。

一、碳化硅概述碳化硅全称为二硅化碳,由碳和硅的化合物组成,化学式为SiC。

碳化硅具有高强度、高硬度、高抗磨损性、高耐腐蚀性、高耐高温性、高热导率、高电导率、低线膨胀系数等优良性能,是一种重要的高科技材料。

由于碳化硅的硬度极高,可以用来制作切削工具和陶瓷刀具,还可以用于航空航天和核工业等领域的高科技产品制造。

1.成分分析法成分分析法主要是采用化学方法测定碳化硅中碳、硅等元素的含量。

常用的方法有化学分析法、光谱分析法、气相色谱法、元素分析法等。

其中,化学分析法是最常用的方法,通过化学反应使样品中的元素与化学试剂发生化学反应,然后利用化学计量学原理计算出元素的含量。

2. X射线衍射法X射线衍射法是通过碳化硅晶体的衍射图谱来分析碳化硅的晶体结构和取向。

该方法需要先将样品制成薄片或粉末,并通过X射线衍射仪进行测试。

通过测量碳化硅晶体衍射图谱中的衍射峰强度和位置,可以确定样品中晶体结构相对应的晶面和衍射角度,从而进一步分析出碳化硅晶体结构和取向。

3. 热重法热重法是通过样品在高温环境下发生质量变化来分析样品成分。

碳化硅在高温下,其化学反应会导致质量变化,该方法通过热重分析仪来测量样品在高温下质量的变化,根据变化数据来推算出样品组成成分。

三、碳化硅的应用碳化硅的应用非常广泛,常用于以下几个领域:1. 电子元器件碳化硅具有优良的导热性能和电热性能,可以用于制作电子元器件中的热敏电阻、基板、晶体管等。

2. 高温炉由于碳化硅具有优异的高温稳定性、高耐热性和抗氧化性,可以用于高温炉的制造。

3. 气体转换器碳化硅具有优异的耐腐蚀性,可以用于气体转换器中的反应器和传热器。

4. 切削工具碳化硅具有极高的硬度和抗磨损性,可以用于制作切削工具。

脱氧剂碳化硅含量的分析方法研究

脱氧剂碳化硅含量的分析方法研究

(作者单位:河南平煤淅川精密陶瓷有限公司)脱氧剂碳化硅含量的分析方法研究◎春辉目前被广泛使用的脱氧剂为碳化硅类脱氧剂,主要含量包括碳化硅、焦炭、铝、氧化镁和石墨等。

但是由于碳化硅类脱氧剂的熔点达到2700℃,总的含碳量达到60%,熔点和含碳量以及杂质都较高,使得对脱氧剂中碳化硅含量的测定较为困难。

一、脱氧剂碳化硅的概述碳化硅是一种无机物,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

碳化硅脱氧剂是一种新颖的高性能复合脱氧剂,可代替价格较贵的传统脱氧剂硅铁粉和合金粉,适用于普钢、合金钢和特种钢冶炼时脱氧,金石碳化硅脱氧剂具有脱氧迅速、成渣早、还原气氛浓、泡沫丰富等优点,还能有效地提高元素的回收率,也有增碳作用,代替部分增碳剂,大大地降低了炼钢成本。

用碳化硅作为炼钢脱氧剂可使钢水质量稳定,且具有细化晶粒,清除钢水中有害杂质的作用,使用后钢水浇铸温度高,铸坯质量好,单位成本低。

碳化硅脱氧剂是用于电炉炼钢还原期的脱氧材料,氧反应比硅铁粉、碳粉、电石块能缩短还原时间,降低电力消耗,提高劳动生产率。

同时,碳化硅脱氧剂在高温下的分解和氧化是放热反应过程,炉内正压强烈,能为脱氧和碚硫提供必要的条件,降低硫含量。

二、碳化硅在转炉炼钢中脱氧的作用碳化硅,分子式为SiC,密度是3.20克每立方米,分子量40.07,是人工合成的化合物。

目前已经取代传统的硅粉成为新型脱氧剂。

在转炉炼钢中加入含碳化硅的脱氧剂,可以将脱除钢水中的氧,并同时增加碳和硅的含量。

碳化硅脱氧剂能提高强度增强韧性,且有迅速脱氧成渣早,还原气氛浓有效地提高元素的回收率,大大降低冶炼成本,使铁水质量稳定,延缓铁水的孕育衰退时间的一种科技含量高的新材料。

通过碳化硅脱氧的反应要比硅铁,碳粉,电石粉反应的时间短。

一方面节省时间、节省电耗、节省人力,同时也提高了生产效率。

碳化硅在其中反应生产过程中产生的热量,可以更好的保证脱硫等条件的有利进行。

碳化硅检测标准[1]

碳化硅检测标准[1]

碳化硅检测标准碳化硅检测标准碳化硅物理指标检测标准、检测仪器及流程产品执行标准:JISR6001-1998检测仪器型号:美国贝克曼第三代库尔特电阻法粒度仪检测流程:1.取样准备,密封袋、取样器械2.查品控生产记录,记录产品名称、批次、数量、型号。

3.每吨取5个以上小样,分层次、差别性取样。

4.各个小样混合均匀,利用4等分法,混合均分4次。

5.称重,称出检验所需重量。

6.超声波分散,取微粉2g加入30ml的电解液,分散3min。

7.取样,取超声波分散瓶中部悬浮料,不准偏上或偏下。

8.库尔特分析,计数颗粒15000-202*0颗粒分析较为准确。

9.完成报告化学分析执行标准、主要设备及方法执行标准:GB/T3045-202*1.主要设备型号及用途:设备名称电子精密分析天平电砂浴高温炉干燥箱蒸发皿型号BT125D220v-400380v-1300101型铂金产地德国北京北京北京用途精密计量反应蒸发游离碳检测样品干燥试样反应器2.一般规定2.1仲裁分析时,同一试样平行份数不得少于3份。

分析结果的差值在允许范围时,取其算术平均值为最终分析结果。

2.2分析用试剂除注明特殊规格外,均应不低于分析纯。

作基准者应采用基准试剂或高纯试剂。

2.3除已指明溶液外,方法中所载之溶液,均系水溶液。

2.4方法中未注明浓度的液体试剂均指浓溶液,如盐酸(相对密度1.19),氨水(相对密度0.90);未注明的固体试剂,如苏打石灰,均指原试剂。

2.5溶液的百分浓度系指10mL溶液中含溶质的质量(g),(1+1)、(1+2)(V1+V2)等系指溶质体积与水体积之比。

2.6除特殊说明外,配制试剂及分析用水,均为蒸馏水或去离子水。

2.7所用分析天秤、砝码及容量器皿均须进行校正。

2.8除特殊说明外,所有操作均在玻璃器皿中进行。

2.9所载“灼烧至恒重”,系指经过连续两次灼烧并于干燥器中冷却至室温后,称量之差不超过0.2mg。

2.10所载“干过滤”,系指将溶液用干滤纸、干漏斗,过滤于干的容器中,干过滤均应弃去最初的滤液。

碳化硅化学分析方法

碳化硅化学分析方法

碳化硅化学分析方法碳化硅(SiC)是一种由碳和硅元素组成的陶瓷材料,具有高温、高强度、高硬度等优异的物理和化学性质。

碳化硅在许多工业和科学领域中得到广泛应用,例如高温电子器件、高温结构材料和耐磨材料等。

为了确保碳化硅材料的质量和性能稳定,需要进行化学分析以确定其组成、杂质含量和表面性质等。

碳化硅的化学分析方法主要包括元素分析、杂质分析和表面性质分析等。

下面将针对这些内容进行详细介绍。

首先是元素分析。

由于碳化硅主要由碳和硅元素组成,因此通常使用下列方法进行定量分析。

1.碳元素分析:可以使用燃烧法,将样品通过高温燃烧,使样品中的碳转化为二氧化碳,然后通过气体分析仪器测量二氧化碳的量。

也可以使用干燥燃烧法,将样品在空气中加热至高温,实现样品的完全氧化,并通过计算样品的质量损失来计算其碳含量。

其次是杂质分析。

碳化硅中可能存在的杂质包括金属杂质、其他非金属杂质以及氧化物等。

1.金属杂质分析:可以使用原子吸收光谱法或电感耦合等离子体发射光谱法来检测和定量测量金属杂质的含量。

在此过程中,需要将样品溶解在酸溶液中,然后使用仪器进行测量。

2.非金属杂质分析:可以使用红外光谱或质谱等方法分析非金属杂质。

红外光谱可以通过样品对红外光吸收的特性来确定非金属杂质的类型和含量。

质谱可以通过将样品分解并通过质谱仪进行离子化,测量离子的质量和相对丰度来确定非金属杂质的类型和含量。

最后是表面性质分析。

碳化硅的表面性质分析可以通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)等方法进行。

1.扫描电子显微镜:可以通过扫描电子束扫描样品表面,然后获取样品表面的形貌和微观结构信息。

2.原子力显微镜:可以通过监测探针与样品表面之间的相互作用力来确定样品表面的形貌、粗糙度和微纳米级结构等。

3.X射线光电子能谱:可以通过测量样品表面的光电子电子能谱,分析元素的组成和化学状态等。

综上所述,碳化硅的化学分析方法涵盖了元素分析、杂质分析和表面性质分析等。

碳化硅化学成分分析

碳化硅化学成分分析

碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤:1、试样的制备:取有代表性的样品10g左右,置102℃的烘箱中,烘半小时,取出放入干燥器内冷却备用。

2、清洗烘干铂皿。

将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中,于低温炉中煮沸10-20分钟,然后于烘箱中干燥,取出放入干燥器内冷却备用。

(注意:必要时要用1:1的盐酸溶液浸煮使铂皿清洗干净。

)3、称样在万分电子天平上,准确称取样品1g(注意:电子天平在使用之前要用砝码校正)测C:误差在0.003g左右测SiC:误差在0.0003g左右4、加水润湿、加酸溶解先用少量蒸馏水将铂皿内的样品润湿,然后加入4滴硫酸、9滴硝酸、10ml氢氟酸置于电砂浴上蒸发,至三氧化硫白烟冒尽,取下稍冷,再加10ml氢氟酸,置于电砂浴上蒸干。

(注意:蒸干过程中要不断的观察,切忌全部煮沸使液体溢出。

如果上部有煮沸现象,须将铂皿向上提升用以降温)5、去除四氧化三铁清洗铂皿外壁,用镊子夹取铂皿,置于1:1的温热盐酸溶液中,浸泡15-20分钟,用玻璃棒不断滚动铂皿,使料全部倒入烧杯中,用蒸馏水冲洗干净,不可使料散失。

6、过滤折叠滤纸,贴在漏斗壁上,用大拇指按住多层的一面,用蒸馏水不断润湿,使纸和壁之间没有空气,将烧杯中的液体沿着玻璃棒流至滤纸多层处过滤,滤液及洗液收集于250ml容量瓶中,冷却后稀释至刻度,摇匀,留作三氧化二铁用。

7、灼烧将滤纸及碳化硅放入铂皿中,然后置于温度为750℃的马弗炉中灼烧40分钟8、称重称量已冷却干燥至室温的铂皿9、记录数据与处理二、游离碳的测定步骤1、称样准确称取1g样品于瓷坩埚中2、灼烧将瓷坩埚置于温度为750℃的马弗炉中灼烧30分钟左右3、冷却干燥4、称重5、计算碳的含量(注意:测两次取平均值)三、三氧化二铁的含量1、三氧化二铁标准溶液的配制0.1mg/ml称取已烘干的三氧化二铁0.1g,置于250ml烧杯中,加入盐酸(1:1)30ml,加热溶解,冷却后移入1000ml的容量瓶中,用水稀释至刻度,摇匀,即为三氧化二铁标准溶液,1ml此溶液中含0.1㎎的三氧化二铁2、打开分光光度计电源,预热仪器30分钟(要对仪器进行校准,调T:100%,A:0.000)3、配制铁系列标准溶液用移液管移取(5+95)盐酸溶液10ml,分别放入6个50ml的容量瓶中,在依次加入三氧化二铁溶液0.00ml、1.00ml、2.00ml、4.00ml、6.00ml、8.00ml,然后加入15%磺基水杨酸溶液10ml,滴加1+1氨水至呈现稳定黄色,再过量3ml,冷却,用蒸馏水稀释至刻度线,摇匀备用。

红外碳硫分析仪测定耐火材料中碳化硅的含量

红外碳硫分析仪测定耐火材料中碳化硅的含量

红外碳硫分析仪测定耐火材料中碳化硅的含量钱利敏【摘要】采用红外碳硫仪测定耐火材料中碳化硅的含量,选用多元助熔剂(LHDY01),缩短了操作时间,测定结果的相对标准偏差小于1.0%(n=8)。

用该方法对两种碳化硅耐火材料样品进行测定,测定结果分别为16.16%,15.64%,与化学法测定结果(15.99%,15.38%)相符合。

该方法的精确度满足化学分析要求。

%The silicon content of refractories containing silicon-carbide was determined by infrared carbon-sulfur analyzer. Multiple fulx (LHDY01) was used to shorten the operation time and reduce the analysis error. The relative standard deviation of determination results was less than1.0%(n=8). Two samples were detected by this method, the results were 16.16%,15.64%, which were consistent with those (15.99%,15.38%) detected by chemical method. Precision and accuracy of the method can meet the requirement of chemical analysis.【期刊名称】《化学分析计量》【年(卷),期】2014(000)001【总页数】2页(P71-72)【关键词】红外碳硫仪;多元助熔剂;碳化硅含量;耐火材料【作者】钱利敏【作者单位】江苏省陶瓷耐火材料产品质量监督检验中心,江苏宜兴 214205【正文语种】中文【中图分类】O657.99碳化硅耐火材料具有优良的高温性能,广泛用于化工、冶金、能源、机械、建材等领域。

关于碳化硅的综述

关于碳化硅的综述

经济管理学院学院材料化学关于碳化硅的综述学号:**********专业:工商管理学生姓名:***任课教师:***2011年11月关于碳化硅的综述陈昊哈尔滨工程大学摘要:碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。

碳化硅又称碳硅石。

在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。

可以称为金钢砂或耐火砂。

碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。

目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体。

关键词:碳化硅立体结构耐火材料一、碳化硅概述碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

包括黑碳化硅和绿碳化硅,其中:黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。

其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。

绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。

其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。

常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体,一种是绿碳化硅,含SiC 97%以上,主要用于磨硬质合金工具。

另一种是黑碳化硅,有金属光泽,含SiC 95%以上,强度比绿碳化硅大,但硬度较低,主要用于磨铸铁和非金属材料。

碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。

碳化硅又称碳硅石。

在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。

可以称为金钢砂或耐火砂。

[1]碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。

目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。

其分子式为SiC,其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,可作为磨料和其他某些工业材料使用。

脱氧剂碳化硅含量的分析方法

脱氧剂碳化硅含量的分析方法

脱氧剂碳化硅含量的解析方法摘要:脱氧剂用于炼钢的脱氧过程中,以达到提升钢的质量的目的。

碳化硅类脱氧剂目前主要应用于炼钢的脱氧过程中。

但是脱氧剂中杂质许多,碳化硅含量丈量较为困难。

本文主要对几种目前宽泛使用的碳化硅类脱氧剂中碳化硅的解析方法进行比较。

谈论了依据国家标准测定碳化硅含量法、红外汲取法测定脱氧剂中碳化硅含量法和焦硫酸钾回收法测定脱氧剂中碳化硅含量法。

重点词:碳化硅;化学解析;脱氧剂0序言跟着炼钢技术水平的快速发展,对脱氧和保温等技术的要求也在不停提升。

脱氧剂目前已经被宽泛应用于炼钢的脱氧过程中以达到提升钢的质量的目的。

目前被宽泛使用的脱氧剂为碳化硅类脱氧剂,主要含量包含碳化硅、焦炭、铝、氧化镁和石墨等。

但是因为碳化硅类脱氧剂的熔点达到两千七百摄氏度,总的含碳量达到百分之六十,熔点和含碳量以及杂质都较高,使得对脱氧剂中碳化硅含量的测定较为困难。

所以,有必需对脱氧剂中碳化硅含量的解析方法进行比较和谈论。

1碳化硅在转炉炼钢中脱氧的作用碳化硅,分子式为SiC,密度是 3.20 克每立方米,分子量,是人工合成的化合物。

目前已经代替传统的硅粉成为新式脱氧剂。

在转炉炼钢中加入含碳化硅的脱氧剂,可以将脱除钢水中的氧,并同时增添碳和硅的含量。

2 依据国家标准测定脱氧剂中碳化硅含量目前,应用于脱氧剂碳化硅含量解析的方法有好多,包含依据国家标准 GB/T 3045-2003 规定、国家标准 GB/T16555-2008 规定、红外汲取法测定、焦硫酸钾回收法等。

根据国家标准GB/T 3045-2003 规定的方法,解析脱氧剂中碳化硅含量可以经过加热HNO3-H2SO4-HF酸液系统,使其将二氧化硅、游离的硅挥发,并对杂质分别,最后经过灼烧称重求得碳化硅的含量。

但是此种方法会因对含有铝杂质的样品分别不完全而以致丈量结果偏高。

依据国家标准GB/T 16555-2008 规定的方法,分别使用碱汲取重量以测定总含碳量,而后扣除游离的碳,最后依据含碳量变换计算脱氧剂中碳化硅的含量。

碳化硅含量检测方法

碳化硅含量检测方法

碳化硅含量检测方法嘿,你问碳化硅含量检测方法呀?这可有点门道呢。

要检测碳化硅含量,首先可以用化学分析法。

这就像个侦探在找线索一样。

把含有碳化硅的东西弄碎了,放到各种化学试剂里,看看会发生啥反应。

比如说用酸啊碱啊去泡一泡,然后根据反应的情况来判断碳化硅的含量。

这可需要耐心和细心呢,不能急急忙忙的。

就像做饭的时候放盐,得一点一点地放,不然味道就不对了。

还有一种方法是光谱分析法。

这就像用魔法棒在找东西。

用一种特别的仪器,发出各种光线照在样品上,然后根据反射回来的光线来分析碳化硅的含量。

这可高科技了,得有专业的人来操作。

就像开飞机一样,不是谁都能开的。

另外呢,还可以用重量法。

先称一下样品的重量,然后用一些办法把碳化硅从其他东西里分离出来,再称一下碳化硅的重量。

这样就能算出碳化硅的含量了。

这就像分苹果,把好苹果和坏苹果分开,然后数数好苹果有多少。

我给你讲个事儿吧。

我有个朋友在工厂里上班,他们工厂就是生产碳化硅制品的。

有一次,他们要检测一批产品里的碳化硅含量。

他们先用了化学分析法,弄了半天,结果不太准确。

然后又用了光谱分析法,可那个仪器坏了,修不好。

最后没办法,只好用重量法。

他们把样品称了又称,分了又分,忙活了好几天,终于算出了碳化硅的含量。

从那以后,他们就知道了,检测碳化硅含量可不容易,得准备好各种方法,以防万一。

所以啊,碳化硅含量检测方法有化学分析法、光谱分析法和重量法。

每种方法都有它的优缺点,得根据实际情况来选择。

哈哈。

碳化硅的测定方法

碳化硅的测定方法

碳化硅的测定方法嗨,朋友们!今天咱们来聊聊碳化硅这个神奇的东西,还有它的测定方法呢。

碳化硅啊,就像是工业界的一个小超人,在好多地方都发挥着超级重要的作用。

那怎么知道这个小超人到底有多少,质量咋样呢?这就需要测定方法啦。

我有个朋友,他在一家生产陶瓷的工厂工作。

他们厂里就经常用到碳化硅。

有一次,我去他那儿玩,他就跟我抱怨说:“哎呀,你知道吗?我们这碳化硅的量要是控制不好,整个陶瓷的质量就会出大问题,可我们现在对它的测定老是不太准呢!”我当时就想啊,这测定方法看来真的很关键呢。

那测定碳化硅有哪些方法呢?咱们先来说说化学分析法。

这就好比是给碳化硅来一场化学大考验。

有一种方法是通过与酸反应来测定。

你想啊,碳化硅这东西,它比较稳定,但是在特定的酸环境下,它会有一些特殊的反应。

就像我们人遇到不同的挑战会有不同的反应一样。

比如说,我们用氢氟酸和硝酸的混合酸去处理含有碳化硅的样品。

这时候,碳化硅会慢慢地发生反应,其他杂质呢,也会跟着反应,但是反应的情况不一样。

然后我们通过测量反应前后的各种数据,比如溶液里离子的浓度变化啊,就可以推算出碳化硅的含量了。

不过这方法可不容易呢,就像走钢丝一样,得小心翼翼地控制各种条件,稍微有点偏差,结果可能就差之千里了。

我朋友就说:“这化学分析法啊,听起来靠谱,可实际操作起来,真的是要了我的老命,一个不小心就前功尽弃了!”再说说重量分析法吧。

这个方法有点像我们称东西,不过要复杂得多。

把含有碳化硅的样品经过一系列的处理,让碳化硅和其他物质分离开来。

然后把碳化硅称重。

这就像是从一堆杂物里把我们想要的宝贝挑出来,然后称称这个宝贝有多重。

可是啊,这个过程中,要把碳化硅完全分离出来可不容易。

我有次跟一个做研究的大哥聊天,他就说:“重量分析法啊,理论上简单,实际操作的时候,那些杂质就像小尾巴一样,老是甩不掉,真让人头疼!”还有啊,光谱分析法。

这就像是给碳化硅照X光一样。

通过光谱仪,我们可以得到碳化硅的光谱信息。

游离二氧化硅、单质硅、碳化硅的测定

游离二氧化硅、单质硅、碳化硅的测定

游离二氧化硅、单质硅、碳化硅的测定对于含有游离二氧化硅、单质硅及碳化硅量的方法都比较繁杂。

而碳化硅制品中总硅含量较高(以SiO2计其质量分数常大于100%),因此,没有可套用的标准且测定误差较大,结果不可靠,根据碳化硅不溶于氢氟酸-硝酸及单质硅不溶于氢氟酸的原理,制定了氢氟酸挥散重量法联系测定游离二氧化硅、单质硅、碳化硅的方法,可提高功效近3倍,其准确度也有所提高。

1 灼烧温度试验利用氢氟酸挥散以除去二氧化硅及单质硅的测定方法比较成熟的,但对于含碳化硅耐火材料及原料,由于含有一定的游离碳,要在保证碳化硅不分解的条件下去除游离碳及四氟化硅,灼烧温度的选择是比较重要的。

称取一定量游离石墨碳及纯碳化硅的混合物,在高温炉中,以不同温度进行灼烧试验以测定碳化硅回收量,结果见表1由表2可见,当灼烧温度低于850℃,由于游离碳(特别含石墨碳时)未能灼烧完全,结果偏高。

在900-1050℃时,所测碳化硅含量与加入量吻合,说明游离碳已灼烧完全。

当灼烧温度>1100℃时,回收值偏高,说明有部分碳化硅分解成二氧化硅。

由此,选择灼烧温度为(900±50)℃较为合适。

此外,在温度下四氟化硅也可挥散完全。

2 回收试验称取含一定量二氧化硅、单质硅、碳化硅的混合样,用选定的方法进行回收试验,结果见表2.由上述试验可知,本方法对二氧化硅、单质硅、碳化硅的加入量回收是完全的。

3 试验方法3.1 主要试剂硝酸(ρ=1.42g/mL³);氢氟酸(ρ=1.42g/mL³);盐酸(1+1);盐酸(5+95);硫酸(1+1);混合溶剂:将1.5份无水碳酸钠、1.5份无水碳酸钾与0.7份硼酸混合研细,贮藏于磨口瓶中。

3.2 分析步骤3.2.1 游离二氧化硅量的测定称取0.1000g试料置于铂坩埚中,放入(900±50)℃高温炉中灼烧1h,取出,置于干燥器中,冷却至室温,称量。

如此反复操作(每次灼烧15min),直至恒量(m1)。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

2 8
维普资讯
s hu
221硅 钼 蓝 光 度 法 -.
3 结 语
15 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 ( / 6 5 .— . GB_ 1 5 52 r
特 点 : 法 简单 、 用 、 速 , 以分 析低 含量 方 实 快 可 SC; 聚 四氟 乙烯 坩埚 代替 铂金 皿 , 本 降低 。 i 用 成
22含碳 化硅 耐火材 料 中 SC 含量 的测定 _ i
碳 化 硅熔 点 高 . 高 温 . 较 高 的 强 度 和 耐磨 耐 有 性 好 . 学性 质 稳 定 , 化 耐腐 蚀 , 用 于制 造 磨 料 、 可 磨 具、 硅碳 棒 . 特种 耐 火材料 的填加 料 等 , 国内外 市场 需求 量较 大… 碳 化硅 含量 是衡 量 产 品质 量 的一项 重 要指 标 . 现将 各类 碳化 硅 含量 的测 定方 法综 述 如
碳 量 和碳化 硅量 的测定 。测 定范 围 : 离碳 01% 游 .0
50 %. . 0 总碳 ≥l. 0 碳化 硅 I4 . 0 5 o %, > 5 O %。
2化 学 分 析 方 法
2 1碳化 硅原 料 中 SC含 量 的测定 . i 2 11简 单化学 分析 方法 ..
主要 内容 与适 用 范 围 : 化硅 磨 料 中 的二氧 化 碳
测定 碳化 硅量
定 . 料级 碳化 硅也 可参 照使 用 磨
12普通 磨 料 碳 化 硅 化 学 分 析 方 法 ( / 0 5 . GB T 3 4 —
20 圈 0 3)
主 要 内容与适 用 范 围 : 定 了 吸收 重量 法测 定 规
游 离 碳量 、 碳 量 和碳 化 硅 量 的 方法 提 、 剂 和 总 试
主 要 内容与 适用 范 围 : 碳化 硅 磨料 及结 晶块 中 二 氧化 硅 、 游离 硅 、 游离 碳 、 总碳 、 化 硅 、 碳 三氧 化 二 铁 、 氧化二铝 、 化钙 、 三 氧 氧化 镁 的测 定 方法 ; 用 适 于 碳 化 硅 磨料 及碳 化 硅 含 量 不小 于 9 %的结 晶 块 5
T 0 5 — 3[ 2 6. ) 9 2 1 出 口碳 化硅 分析 方法: 化硅 含量 的测定 碳 适 用 于 冶金 脱 氧 剂 和 耐 火 材 料 出 口中碳 化 硅 含量 的分 析 方 法 ; 于 出 1 、 品 位 碳 化硅 的测 用 : 3中 低
19 同 9 6)碳化 硅耐 火材料 化学 分析 方法 : 收重量 法 吸
下:
1 61 99 【 叫
碳 化硅 耐火 材料 化学 分 析方 法 : 体容 量法 测 气
定碳 化 硅量
主要 内容 与适 用范 围 : 规定 了气体 容 量法 测定
游离碳 量 、总碳 量 和碳 化硅 量 的方 法 提要 和原 理 、
试 剂 和 材 料 、 器 设 备 、 样 、 析 步 骤 、 析 结 果 仪 试 分 分
碳化 硅含 量【 ”
SO +4 i 2 HF— SF +2 2 i4 H0 S + 6 F— 2i6 H i H ÷HSF +2 2 H SF 2i6 2 F+SF H i4 () 1 () 2 () 3
普 通磨 料碳 化硅 主要 内容 与适 用 范 围 :规 定 了碳 化硅 磨料 各 牌 号 产 品 的代 号 、 术要 求 、 技 试验 方 法 、 验规 则 和 检 包装 : 用 于制造 固结磨 具 和涂 附 磨具 等 用途 的碳 适 化硅磨 料
维普资讯
s hu
碳化硅含量的测定综述
王敏 丽 1 马 小娥 1 李 果 2
1 . 河南理 工大 学 ( 5 0 3 2濮 耐 高温材 料有 限公 司实 验检 测中 I 4 70 ) 440 ) . 1 5 10  ̄(
摘 要 : 绍 了六个 S 含量 测 定的 国家标 准和碳 化硅 原料 以及含 碳 化硅 耐 火材 料 中 SC含 量测 定 的化 学 介 i C i 分析 方法 。 关键 词 :i 含 量 测试 方法 碳化硅 原料 含碳 化硅 耐 火材料 S C
将试 样 灰化 除 碳 , 入 硝 酸 、 酸 、 氟酸 , 加 硫 氢 使
之 与试 样 中 的硅 、二 氧化 硅 反 应生 成 四氟 化 硅 除 掉, 反应 式 如 ( ) ( ) ( ) 1 、2 、3 。之后 , 加入 盐 酸溶 解 再
杂质 , 过滤 . 留物 质 为碳 化硅 . 灼烧 即可求 得 经 残 经
硅 、 离硅 、 离碳 、 游 游 总碳 、 化硅 、 氧 化二 铁 的测 碳 三 定 方 法 : 用 于碳 化硅 磨 料及 碳 化硅 含 量大 于 等于 适
9 %的结 晶块 的化学 成 分测定 5 14中华 人 民共和 国 国家标 准 ( / 4 0 1 9 ) . GB _ 2 9 — 9 6 同 r
的表 述及 允许 差 : 适用 于不 含 石 墨 的碳 化 硅 耐火 材
1国家 标 准
11中华 人 民共 和国 进 出 口商 品检 验行 业 标准 ( N . S /
料 中游离 碳量 、 碳量 和碳 化 硅量 的测 定 。测 定 范 总
围 : 离碳 O 1% .0 , 碳 3o % l . 0 碳 游 . O 5 % 总 o .0 5 o %。 化硅 50 % 5 0 .0 4 、 %。 0 1 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 ( / 6 5 .— . 6 GB_ 1 5 51 r
的化 学成 分测 定 13中华 人 民共和 国国 家标准 ( 0 5 8 )1 . GB 3 4 — 9 [ 4 碳化 硅化学 分析 方法
材料 、 器 设 备 、 样 、 析 步 骤 、 析 结 果 的表 述 仪 试 分 分 及允许 差 :适 用于 碳化 硅耐 火 材料 中游 离 碳量 、 总
相关文档
最新文档