锌还原四氯化硅热力学模拟与计算
四氯化硅西门子法多晶硅生产工艺
四氯化硅西门子法生产工艺四氯化硅西门子法生产工艺主要是以四氯化硅为原料,使用氢、锌等作为还原剂与四氯化硅发生反应,还原出高纯硅。
SiCl4的分子量为169.90,常温下为无色透明液体,有窒息气味,对皮肤有腐蚀,密度为1.50g/cm3。
熔点−70℃。
沸点57.6℃。
潮湿受气中水解生成硅酸和氯化氢,同时产生白烟。
溶于四氯化碳、四氯化钛、四氯化锡等有机溶剂。
能与水发生激烈的水解作用,也能与醇类起作用。
干燥空气中加热生成氧氯化硅。
与氢及其他还原剂作用生成三氯甲硅烷和其他氯代硅烷,与胺、氨迅速反应生成氮化硅聚合物,与醇反应生成硅酸酯类,与有机金属化合物(如锌、汞、钠)反应生成有机硅烷等。
由于STC原料获取较为便利,在多晶硅发展初期,部分机构和企业研究以SiCl4为原料生产多晶硅,使用Zn、Al、Ca、Mg或H2等还原四氯化硅,制取高纯多晶硅。
(1)锌还原四氯化硅使用锌还原四氯化硅的主要化学反应方式如下,其工艺流程如图所示。
Si+2Cl2=SiCl4SiCl4+2Zn=Si+2ZnCl2ZnCl2=Zn+Cl2此种生产技术是利用Zn还原SiCl4,从而获得高纯多晶硅,生产过程主要分为3步。
1)工业粗硅氯化制备四氯化硅目前,SiCl4的工业制备方法,一般是采用直接氯化法,将工业粗硅在加热条件下直接与氯反应制得SiCl4。
工业上常用不锈钢(或石英)制的氯化炉,将硅铁装入氯化炉,从氯化炉底部通入氯气,加热至200℃~300℃时,就开始反应生成SiCl4,其化学反应为Si+2Cl2=SiCl4生成的SiCl4以气体状态从炉体上部转至冷凝器,冷却为液态后,再流入储料槽。
在生产中,一般将氯化温度控制在450℃~500℃,这样一方面可提高生产率,另一方面可保证质量。
因为温度低时不仅反应速度慢,而且有副产品Si2Cl6、Si3Cl8等生成,影响产品纯度,但若温度过高,硅铁中其他难挥发杂质氯化物也会随SiCl4一起挥发出来,影响SiCl4纯度。
Zn还原法制多晶硅副产物ZnCl2的电解回收
Zn还原法制多晶硅副产物ZnCl2的电解回收张愿成;张滢清;韩晓龙;李红波【摘要】Zn还原法制多晶硅会产生大量的ZnCl2副产物,在不添加其他辅助电解质情况下,成功利用ZnCl2熔盐制备出了Zn,纯度可达70.74%,验收了工艺的可行性.结果表明,在400~550℃范围内,随着电解温度的升高,熔盐电导率逐渐升高,有利于电解反应.但是继续升高温度至700℃时,ZnCl2蒸气压迅速上升到63.204 kPa,挥发造成损失十分严重,且易堵塞出气管,反应温度控制在550℃左右较合适.另外,此工艺由于受ZnCl2本身属性的约束,离产业化还有一定距离.%Zinc reduction method for polysilicon production would produce large amounts of ZnCl2. This paper successfully prepared Zinc by ZnCl2 molten salt electrolysis with no other supporting electrolytes, the purity is up to 70. 74%. The results show that in the range of 400—550℃ , the molten salt conductivity gradually increases with the electrolysis temperature going up, which is conducive to the electrolysis reaction. But when the temperature goes up to 700℃ , ZnCl2 vapor pressure rose rapidly to 63. 204 kPa, ZnCl2 losses are very serious by volatilization, and easy to plug the trachea. So the reaction temperature is controlled at about 550℃ appropriately. In addition, this process due to the constraints of ZnCl2 itself is has a long way to achieve industrialization.【期刊名称】《青岛科技大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2013(034)001【总页数】4页(P38-41)【关键词】多晶硅;Zn还原法;熔盐电解;ZnCl2【作者】张愿成;张滢清;韩晓龙;李红波【作者单位】上海太阳能工程技术研究中心有限公司,上海200241;上海太阳能工程技术研究中心有限公司,上海200241;上海太阳能工程技术研究中心有限公司,上海200241;上海太阳能工程技术研究中心有限公司,上海200241【正文语种】中文【中图分类】TQ151.9随着光伏发电产业的发展,多晶硅材料的需求加大。
多晶硅生产中Si2Cl6生成的热力学分析
多晶硅生产中Si2Cl6生成的热力学分析王琴张海军(四川永祥多晶硅有限公司,四川乐山,614800)摘要利用HSC Chemistry软件的平衡组成计算模块来分析冷氢化、还原系统Si Cl平衡组成,为残液处理新技术#HSCChemistry9.0计算结果表明:(1)一定进料下化工况Si z Cl平衡浓度为0.119wt%,还原工况S2Cl平衡浓度为0.038wt%。
(2)增加冷氢化进料中Si2Cl的含量,对冷氢化系统的平衡影响较小。
(3)固定冷氢化和还原进料量,残液中Si z Cl含量84.03%来自冷氢化工序,15.97%来自工序。
关键词:多晶硅Si2Cl冷氢化还原热力学.2Cl是一种高效脱氧剂,也是一种生成乙硅烷的原料,可以用来生产无硅薄膜、光学纤维原料、玻璃MoSi2等在多晶硅的生产过程中,生成硅烷化合物,包括高沸点的硅烷和低聚氯硅烷此高沸点化合物进入多晶硅残液, Si2Cl是残液中最具高附加值的成分。
残液汇集在渣浆系统处理后水解排放,年产2万吨多晶硅,残液排放量为1t/h,残液中四氯化硅和三氯氢硅收率低。
多晶硅生产和研究人员在多晶硅残液回收处理工艺上做了大量研究,硅耗和氯耗仍然不理想。
究其原因是缺少大量基础理论数据#多晶硅生产属于硅、氯、氢复杂体系,通过热力学平衡计算,可以研究Si2C16在冷氢化和还原的平组成,继而计算其中的百分。
不仅可以为残液处理新技术提供研究方向,也可以为.2Cl回收处理提供科学依据。
平衡组成计算属于热力学计算。
在热力学的实际计算中,由于热力学函数计算大量非线性的及计算量烦冗的特点,由人工成热力学分析过程成为巨大的工程技术难题。
HSC Chemistry 9.0软件可解决这一技术难题。
该软件的平衡组成计算模块,通过先拟合中热力学表达式,物料平衡的下使恒温,的吉布斯自由能最小,从而得的平衡组成。
在计算过程中,只需要输入反应的总压和初始物质的、数量、状态以及随化过程中可能出现的稳定相态,就可以获得在一定压力和温度条件下的平相组成#1冷氢化系统1.1恒压27bar、温度对Si2CI6平衡浓度的影响恒压27bar,进料量为H2=1.9kmol、SiCl4=1 kmol、Si=2kmol适量氯化氢,计算100—1200C, Si2Cl平衡浓度。
周鸿军-锌还原四氯化硅的产业化应用研究
5、反应器生产出的副产物的后续处理 反应器生产出的副产物的后续处理 经过反应器多次循环利用,反应后的副产物主要是锌和氯化锌的 经过反应器多次循环利用,反应后的副产物主要是锌和氯化锌的 反应器多次循环利用 混合物,因此必须要考虑分离再利用。 混合物,因此必须要考虑分离再利用。 分离它们是比较容易的,这样得到锌和氯化锌,分离得到的锌可 分离它们是比较容易的,这样得到锌和氯化锌, 它们是比较容易的 以循环再利用 。
谢谢!
Thank you! you!
三、前人探索 前人探索
Matallurgy就此原理 在1954年时,国外由Kenji ONO and Tomoo Matallurgy就此原理 1954年时,国外由Kenji 年时 做了实验,验证过上述原理的可行性,取得多晶硅样品。 做了实验,验证过上述原理的可行性,取得多晶硅样品。 1955年时国外由专家I.J. AL也用试验验证过 1955年时国外由专家I.J. KRCHMA ET AL也用试验验证过 年时国外由专家 Zn+1/2SiCl4→1/2Si+ZnCl2原理的可行性 原理的可行性。 Zn+1/2SiCl4→1/2Si+ZnCl2原理的可行性。 1958年 1958年4月由北京有色研究总院首先在国内验证了上述原理的可 行性,并获得几百克针状多晶硅。 行性,并获得几百克针状多晶硅。 2006年 日本太阳硅株式会社目标是力争2008年 2006年,日本太阳硅株式会社目标是力争2008年6月确立太阳能 2008 电池用多晶硅的量产化技术。在此方面进行产业化研究, 电池用多晶硅的量产化技术。在此方面进行产业化研究,但具体 工艺实施路线还不清楚,根据行业背景判断, 工艺实施路线还不清楚,根据行业背景判断,可能与本工艺路线 相近。 相近。
镁还原四氯化硅生产多晶硅产业化研究
还原反应——在特制容器中,将SiCl4通入熔融金属镁,反应生成
Si和MgCl2。而后将Si分离。分析Si化学成分。
生成物处理——经弱酸处理后得到粉状多晶硅。这时的多晶硅中
重金属的纯度达不到太阳能级要求,也可能有少量镁残留,粉状多 晶硅经真空熔炼后,采用定向凝固的办法清除杂质,生成6~8N多 晶硅。
连续性——探索连续性实验工艺条件和装置
SiCl4* 多晶硅 氢还原 HCl合成 HCl SiHCl3 SiHCl3* H2 冷凝 SiHCl3* SiCl4 SiHCl3
SiCl4 Si 精镏
SiHCl3合成
氢化
图1 气汽混合物含氯硅烷, HCl和H2
2、项目背景
四氯化硅的物理化学性质:
分子式: SiCl4
分子量:169.90
2、项目背景
表1
主要方法
目前太阳能级硅材料的制造方式和性能
西门子法 改良西门子法 锌还原法 冶金法
环境影响
四氯化硅严重 四氯化硅减少
高纯度11N 高纯度8N以上
较少排放
6~8N
排放少
5~6N
材料品质
电子级
成本 (US$/Kg) 30
电子级、太阳 能级
19~21.8
太阳能级
11.67
太阳能级
12.33
蒸汽压:55.99kPa (37.8℃)
外观与性状:无色或淡黄色发烟液体,有刺激性气味,易潮解
熔 点:70℃ 沸 点:57.6℃
溶解性:可混溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
密 度: 相对密度(水=1):1.48 / 相对密度(空气=1):5.86
稳定性:稳定 险标记:20(酸性腐蚀品) 主要用途:用于制取纯硅、硅酸乙酯等,也用于制取烟幕剂
高考化学 原理
【4】 文献记载,常温下 H2S 可与 Ag 发生置换反应生成 H2。现将 H2S 气体通过装有银粉的玻璃 管 , 请 设 计 简 单 实 验 , 通 过 检 验 反 应 产 物 证 明 H2S 与 Ag 发 生 了 置 换 反 应 _______________________________________________________________________________ _______________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________。
【2】 Ⅰ.按下图所示过程制备 FeCl3•6H2O
废铁 盐酸
①
FeCl2 溶液 稀硝酸、盐酸
②
FeCl3 溶液 ③
FeCl3•6H2O 晶体
(1)①中产生气体的电子式是
。
(2)用离子方程式表示过程②中稀硝酸的作用
,
在该过程中要不断向溶液中补充盐酸,目的是
。
Ⅱ.由 FeCl3 • 6H2O 制得干燥 FeCl2 的过程如下: ⅰ. 向盛有 FeCl3 • 6H2O 的容器中加入 SOCl2,加热,获得无水 FeCl3 ⅱ. 将无水 FeCl3 置于反应管中,通入①中产生的气体一段时间后加热,生成 FeCl2 ⅲ. 收集 FeCl2,保存备用
【5】
以硅化镁为原料制备硅烷的反应和工业流程如下:
常温
反应原理:4NH4Cl+Mg2Si
4NH3↑+SiH4↑+2MgCl2(△H < 0)
锌还原四氯化硅的产业化应用研究
锌还原四氯化硅的产业化应用研究随着科技的不断发展,新材料的研究和应用已经成为了当今世界的热点之一。
其中,硅材料是一种非常重要的材料,广泛应用于光电子、半导体、光伏等领域。
而锌还原四氯化硅是一种重要的制备硅材料的方法,具有很大的潜在应用价值。
本文将从锌还原四氯化硅的原理、产业化应用现状和未来展望等方面进行探讨。
一、锌还原四氯化硅的原理锌还原四氯化硅是一种通过还原反应制备硅材料的方法。
其反应方程式如下:SiCl4 + 2Zn → Si + 2ZnCl2反应中,四氯化硅(SiCl4)和锌(Zn)经过还原反应生成硅(Si)和氯化锌(ZnCl2)。
该反应是一种典型的还原反应,其中锌是还原剂,四氯化硅是氧化剂。
二、锌还原四氯化硅的产业化应用现状1. 生产工艺锌还原四氯化硅的生产工艺主要包括以下几个步骤:首先将硅矿石经过破碎、粉碎等处理后,与氯化钠(NaCl)在电炉中进行反应,生成氯化硅(SiCl4)和氯化钙(CaCl2)。
然后将氯化硅经过蒸馏纯化处理,得到纯净的四氯化硅(SiCl4)。
最后将四氯化硅与锌粉在反应釜中进行反应,得到硅材料。
2. 应用领域锌还原四氯化硅制备的硅材料广泛应用于光电子、半导体、光伏等领域。
例如,硅材料可以制作成晶体管、太阳能电池等电子元器件;硅材料还可以用于制作半导体材料,如硅晶片等。
3. 优缺点锌还原四氯化硅制备硅材料的优点在于反应速度快、操作简单、反应温度低、产物纯度高等。
同时,该方法还可以利用废弃物料进行制备,具有很好的环保效益。
但该方法也存在一些缺点,如反应废气中含有氯气等有害物质,需要进行排放处理。
三、未来展望随着科技的不断发展,锌还原四氯化硅制备硅材料的应用前景十分广阔。
未来,随着技术的不断提升,该方法的生产成本将会进一步降低,同时其应用领域也将不断扩展。
例如,硅材料可以用于制作智能手机、电视等消费电子产品,也可以用于制作新能源汽车等领域。
总之,锌还原四氯化硅是一种重要的制备硅材料的方法,具有很大的潜在应用价值。
锌还原四氯化硅的产业化应用研究
锌还原四氯化硅的产业化应用研究摘要:锌还原四氯化硅是一种重要的化学反应,其产物六氯硅烷是一种重要的有机硅化合物,具有广泛的应用前景。
本文对锌还原四氯化硅反应机理、反应条件、反应中间体和产物的性质进行了详细的介绍,重点阐述了锌还原四氯化硅产业化应用的现状和发展趋势。
文章指出,锌还原四氯化硅产业化应用已经取得了一定的进展,但仍存在一些问题和挑战,需要进一步的研究和开发。
关键词:锌还原四氯化硅;六氯硅烷;产业化应用;研究进展;发展趋势。
一、引言锌还原四氯化硅是一种重要的化学反应,其产物六氯硅烷是一种重要的有机硅化合物,具有广泛的应用前景。
六氯硅烷是一种无色、透明的液体,在常温常压下具有较低的蒸汽压和较高的稳定性,可以作为硅烷化合物、有机硅化合物、有机金属化合物和有机合成材料的重要原料。
由于其具有良好的化学稳定性、热稳定性、电绝缘性和耐候性,因此在电子、医药、建筑、涂料、塑料、橡胶等领域具有广泛的应用前景。
目前,锌还原四氯化硅反应已经成为一种重要的工业化学反应,其产物六氯硅烷的生产已经进入了产业化应用阶段。
本文将对锌还原四氯化硅反应机理、反应条件、反应中间体和产物的性质进行详细的介绍,重点阐述锌还原四氯化硅产业化应用的现状和发展趋势,以期为相关研究提供参考。
二、锌还原四氯化硅反应机理锌还原四氯化硅的反应机理如下:SiCl4 + 4Zn → Si + 4ZnCl2该反应是一种还原反应,反应物四氯化硅被锌还原成硅和氯化锌。
反应中,四氯化硅分子被分解成一个硅原子和四个氯原子,锌原子与氯原子结合形成氯化锌,硅原子与锌原子结合形成硅锌化合物,最终生成硅和氯化锌。
锌还原四氯化硅反应的速率受到反应温度、反应物浓度、反应物比例、溶剂选择、反应时间等因素的影响。
在常温常压下,该反应速率较慢,需要在高温高压条件下进行。
三、锌还原四氯化硅反应条件锌还原四氯化硅反应的条件如下:反应物:四氯化硅、锌溶剂:无溶剂或有机溶剂反应温度:150-300℃反应压力:5-50MPa反应时间:5-10小时反应物浓度:2-4mol/L反应物比例:SiCl4:Zn=1:4四、锌还原四氯化硅反应中间体和产物的性质锌还原四氯化硅反应的中间体和产物的性质如下:反应中间体:四氯化硅产物:六氯硅烷六氯硅烷是一种无色、透明的液体,具有较低的蒸汽压和较高的稳定性。
江西省新余市高三下学期第一次月考化学试卷
江西省新余市高三下学期第一次月考化学试卷姓名:________ 班级:________ 成绩:________一、选择题 (共15题;共31分)1. (2分) Zn还原SiCl4的反应如下:下列说法正确的是()SiCl4(g)+2Zn(l)⇌Si(s)+2ZnCl2(g)△H1SiCl4(g)+2Zn(g)⇌Si(s)+2ZnCl2(g)△H2 .A . Zn(l)=Zn(g)△H= (△H1﹣△H2 )B . 用硅制作的太阳能电池是将化学能转化为电能C . 增加Zn(g)的量,△H2变大D . 以Zn片、铜片和稀硫酸构成的原电池,Zn片表面有气泡产生.2. (2分)工业上制备纯硅反应的热化学方程式如下:SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) △H=+QkJ·mol-1(Q>0),某温度、压强下,将一定量的反应物通入密闭容器中进行以上的反应(此条件下为可逆反应),下列叙述正确的是()A . 反应过程中,若增大压强能提高SiCl4的转化率B . 若反应开始时SiCl4为1mol,则达到平衡时,吸收热量为QkJC . 反应至4min时,若HCl的浓度为0.12mol·L-1 ,则H2的反应速率为0.03mol/(L·minD . 当反应吸热为0.025QkJ时,生成的HCl与100mL1mol·L-1的NaOH溶液恰好反应3. (2分) (2018高二上·鄂尔多斯期中) 某学生用纯净的Cu与过量浓HNO3反应制取NO2 ,实验结果如图所示,对图中曲线的描述正确的是()A . OA段表示开始时,反应速率较快B . AB段表示反应速率较快,可能因为产物有催化作用C . BC段表示反应速率最快,在该时间内收集到的气体最多D . OC线表示随时间增加,反应速率逐渐增大4. (2分) (2016高一下·宝应期中) 一定条件下,在体积一定的密闭容器中加入1mol N2和3mol H2发生反应:N2+3H2 2NH3(正反应是放热反应).下列有关说法正确的是()A . 达到化学反应限度时,可生成2mol NH3B . 向容器中再加入N2 ,可以加快反应速率C . 降低温度可以加快反应速率D . 1mol N2 和3mol H2的总能量低于2mol NH3的总能量5. (2分)下列叙述中,正确的是()A . 中和10 mL 0.1 mol•L﹣1 醋酸与中和100 mL 0.01 mol•L﹣1的醋酸所需同种碱溶液的量不同B . 常温下,pH=3的甲酸溶液的c(H+)与pH=11的氨水溶液中,由水电离产生的c(OH﹣)相等C . 向NH4Cl溶液中逐渐加入适量NaOH固体,溶液的导电性明显增强D . 向饱和石灰水中加入少量CaO,恢复至室温后溶液中c(OH﹣)增大,导电能力增强6. (2分) (2016高二上·沈阳期中) 25℃时,用浓度为0.1000mol•L﹣1 NaOH溶液分别滴定20.00mL浓度均为0.1000mol•L﹣1的三种酸HX、HY、HZ,滴定曲线如图所示.下列说法正确的是()A . 相同浓度时,三种酸的酸性强弱顺序是:HX>HY>HZB . 根据滴定曲线可得,Ka(HX)=10﹣3 mol•L﹣1C . 滴定HY,V(NaOH)=20 mL时,c(Na+)=c(Y﹣)>c(OH﹣)=c(H+)D . 滴定HZ,V(NaOH)=15 mL时,c(Z﹣)>c(Na+)>c(H+)>c(OH﹣)7. (2分) (2015高一上·宜宾月考) 下列物质分类正确的是()A . Na2O,Na2O2 , FeO,Fe2O3都是碱性氧化物B . 稀豆浆、硅酸、氯化铁溶液均为胶体C . 纯碱、烧碱、四氯化碳均为电解质D . 水玻璃、氯水、漂白粉均为混合物8. (2分) (2017高二上·黄陵期末) 在0.1mol•L﹣1氨水中加入少量的氯化铵晶体,则溶液的pH()A . 变小B . 变大C . 不变D . 无法确定9. (2分)(2019高一上·合肥月考) 已知在相同条件下,下列几种微粒的还原性强弱顺序为Cl<Br-<Fe2+<I-<SO2 ,由此判断下列反应不能发生的是()A . 2Fe3++SO2+2H2O=SO42-+4H++2Fe2+B . 2Br-+ SO42-+4H+=SO2+Br2+2H2OC . 2Fe2++2Br-+2Cl2=2Fe3++Br2+4Cl-D . 2Fe3++2I-=2Fe2++I210. (3分)关于硫的叙述正确的是()A . 硫的非金属性较强,所以只以化合态存在于自然界B . 分离黑火药(S、C、KNO3)的成分需要使用二硫化碳、水及过滤操作C . 硫与金属或非金属反应时均做氧化剂D . 1.6克硫与6.4克铜反应能得到8.0克纯净硫化物11. (2分)下列说法不正确的是()A . 因SiO2不溶于水,故H2SiO3不是SiO2对应的酸或者SiO2不是H2SiO3的酸酐B . CO2通入水玻璃,可以得到硅酸沉淀C . SiO2是一种空间立体网状结构的晶体,熔点高,硬度大D . 氢氟酸能够腐蚀玻璃,故不能用玻璃瓶来装氢氟酸12. (2分)下列电离方程式正确的是()A . NaOH →Na++O2-+ H+B . H2O →H+ +OH-C . HClO ClO-+ H+D . CH3COONH4 CH3COO- + NH4+13. (2分) (2018高二上·盐城期末) 下列反应的离子方程式书写正确的是()A . 钠与水反应:Na+2H2O=Na++2OH-+H2↑B . FeCl2溶液与Cl2反应:Fe2++Cl2=Fe3++2Cl-C . Cu(OH)2与稀HNO3反应:Cu(OH)2 + 2H+= Cu2+ +2H2OD . CaCO3与CH3COOH反应:CaCO3+2H+ = Ca2+ +CO2↑+H2O14. (2分) (2019高一下·白山期中) 下列实验操作、现象与结论均正确的是()操作和现象结论A将Na放入硫酸镁溶液中,有镁析出钠比镁的金属性强B 将Ba(OH)2·8H2O和NH4Cl晶体在小烧杯中混合搅拌,用手触摸烧杯外壁感觉变凉Ba(OH)2·8H2O与NH4Cl反应是吸热反应C卤族元素最外层电子数都为7最高正价都为正7价D 向盛有H2O2溶液的两支试管中,分别加入少量MnO2粉末和FeCl3溶液,前者反应速率变得比后者快很多只有MnO2可以加快H2O2分解的速率A . AB . BC . CD . D15. (2分) (2018高一上·湛江月考) 下列反应可用离子方程式H++OH−=H2O表示的是()A . NaHSO4溶液与NaOH溶液混合B . H2SO4溶液与Ba(OH)2溶液混合C . NaHCO3溶液与KOH溶液混合D . NH4Cl溶液与NaOH溶液混合二、解答题 (共9题;共69分)16. (8分)硫化碱法是工业上制备Na2S2O3的方法之一,其反应原理为:2Na2S+Na2CO3+4SO2=3Na2S2O3+CO2(该反应△H>0),某研究小组在实验室用硫化碱法制备Na2S2O3·5H2O的流程如下。
多晶硅生产方法
多晶硅生产方法多多晶硅生产方法,查看后请回复半导体多晶硅的生产的起步在20世纪40-50年代,但发现硅的一些半导体特性是比较早的(1930年),多晶硅生产工艺的发明与完善经历了慢长时间的探索。
1,锌还原法(杜邦法),美国杜邦公司于1865年发明SiCL4 + 2Zn ==== Si + 2ZnCL2900-1000℃经过7-8年的探索,制得30-100Ω.cm电阻率的多晶硅样品。
2,四氯化硅氢还原法(贝尔法),贝尔实验室于1930-1955年发明SiCL4 + H2 ==== Si +4 HCL1100-1200℃在钼丝上沉积,然后将多晶硅剥下来拉制单晶硅,或在石英管内反应制得针状硅收集后拉制单晶硅,制得P型电阻率100-3000Ω.cm的单晶硅。
3,三氯氢硅热分解法(倍西内法),法国于1956年发明,4SiHCL3====Si + 3 SiCL4 +2H2900-1000℃在钽管上沉积,然后将多晶硅剥下来拉制单晶硅,或在石英管内反应制得针状硅收集后拉制单晶硅,制得P型电阻率400-600Ω.cm的单晶硅。
4,三氯氢硅氢还原法(西门子法),德国于1955-1957年发明SiHCL3 + H2 ====Si + 3 HCL1000-1100℃在硅芯发热体上沉积多晶硅,纯度提高,多晶硅经区熔后基硼含量0.05PPB,P 型电阻率数千到30000Ω.cm,寿命达到1000μS5,硅烷热分解法SiH4====Si + 2H2900-1000℃6,改良西门子法各国于1960年-1975年间不断改进与完善,是目前普遍采用的工艺技术。
SiHCL3 + H2 ====Si + 3 HCL1000-1100℃在硅芯发热体上沉积多晶硅,纯度提高,硅、氯原料消耗大幅度地降低。
目前世界上生产半导体级多晶硅主要采用此法,(当然有少数公司采用硅烷热分解法)。
所谓改良西门子法,即以原料(三氯氢硅)闭路循环为主。
由于西门子法生产多晶硅时,进入还原炉的三氯氢硅和氢气的混合物是在流动状态下进行的,反应速度不快,一次硅的转化率只有15-25%,其余75-85%的高纯原料从还原炉尾气排出,过去没有回收,而用水洗法处理后排入大气和河道。
电子级四氯化硅的模拟精馏及节能工艺分析
电子级四氯化硅的模拟精馏及节能工艺分析电子级四氯化硅是光伏产业和电子工业所需的主要原料,国内对于高纯四氯化硅的需求巨大。
本文通过分析粗四氯化硅组成和性质,确定四塔精馏工艺流程,利用化工流程模拟软件对各塔进行稳态模拟,确定优化后的操作参数,根据精馏过程能量消耗,选择热泵精馏节能方案,合理配置系统能量,分析对比节能前后的经济效益,继而对各塔进行动态模拟,确定合适的控制方案。
本文处理的主要物系是四氯化硅(STC)-三氯氢硅(TCS),利用热力学一致性检验的面积积分法验证STC-TCS汽液相平衡数据的可靠性,以实验数据为基础,以Aspen Plus内置的Data Regression模块为工具,拟合回归二元交互作用参数,确定PENG-ROB物性方法对后续工艺流程进行模拟计算。
利用Aspen Plus严格算法对四塔进行稳态模拟,通过单因素灵敏度分析和多因素正交试验优化确定各塔的操作参数,优化后各塔的塔板数N、进料板位置NF、回流比及、采出比分别为:T1为61、5、6.1、0.127(D/F);T2 为 56、33、3.9、0.0035(B/F);T3 为 51、5、11.3、0.1(D/F);T4 为 39、32、10.8、0.06(B/F)。
优化后得到的产品符合行业要求。
在稳态模拟收敛的基础上,分析热泵精馏节能工艺,调整进料温度为54.5 ℃,对比节能前后经济效益,其中节省能耗94.53%,节省循环水273.88万吨/年,节省蒸汽4.529万吨/年。
由于实际生产并非稳态,存在各种扰动,利用Aspen Dynamics对各塔设计不同的控制方案并进行动态模拟以提高精馏操作稳定性。
首先确定各精馏塔灵敏板位置和精馏流程设备尺寸,根据进料量和进料组分的微小扰动下的动态响应,确定各塔的控制方案,分别为:T1塔为物料平衡控制方案;T2、T3、T4精馏段分别为物料平衡控制方案、D/F恒比例控制方案、R/F恒比例控制方案,T2、T3、T4提馏段均为能量平衡控制方案。
三氯氢硅、四氯化硅相关反应
02.三氯氢硅氢还原反应基本原理用氢气作为还原剂,在1100~1200℃下还原SiHC13,是目前多晶硅生产的主要方法。
由于氢气易于净化,而且在硅中的溶解度极低,所以用氢气还原生产的多晶硅较其他还原剂(如锌、碘)所制得的多晶硅纯度要高得多。
2.1 三氯氢硅氢还原反应原理SiHCl 3和H 2混合,加热到900℃以上,就能发生如下反应:)(H C l 3)( S i )( H )(S iHCl 110090023气固气气℃~+−−−−→←+同时,也会产生SiHCl 3的热分解以及SiCl 4的还原反应:2490032H 3SiCl Si 4SiHCl ++−−→←℃ 4HCl Si 2H SiCl 24+−→←+此外,还有可能有43SiCl 2HCl Si 2SiHCl ++−→←HCl SiCl SiHCl 23+−→←以及杂质的还原反应:6HC1 2B 3H 2BCl 23+−→←+6HC1 2P 3H PCl 23+−→←+这些反应,都是可逆反应,所以还原炉内的反应过程是相当复杂的。
在多晶 硅的生产过程中,应采取适当的措施,抑制各种逆反应和副反应。
以上反应式中, 第一个反应式和第二个反应式可以认为是制取多晶硅的基本反应,应尽可能地使 还原炉内的反应遵照这两个基本反应进行。
四氯化硅氢化1. 四氯化硅来源与性质1.1 四氯化硅的产生在多晶硅生产过程中,在SiHCl 3 合成工序和氢还原制取多晶硅工序,会产生大量的副产物SiCl 4,并随着尾气排出。
在氢还原工序中,会发生以下几个反应:主反应:Si 3HCl H SiHCl 23+−→−+ 副反应:2490032H 3SiCl Si 4SiHCl ++−−−→−℃以上 43SiCl 2HCl Si 2SiHCl ++−→−在SiHCl 3合成工序中主要发生以下反应:主反应: 23H SiHCl 3HCl Si +−→−+ 副反应: 242H SiCl 4HCl Si +−→−+ SiHCl 3合成中副反应产生的SiCl 4约占生成物总量的约 10% ,在氢还原工序中也有部分SiHCl 3 发生副反应生成了SiCl 4 。
sicl4还原制取太阳级硅的技术进步
锌还原法生产多晶硅赵春江(上海电力学院太阳能研究所,上海200090)摘要:锌还原法是一种低成本节能环保的太阳级硅生产方法,其设备投资是西门子法的约1/3,生产耗电大体上也是西门子法的约1/3,还原度几乎达到100%,工业尾气全部回收再利用。
其高效率的制硅技术是西门子法无法做到的。
本文主要介绍锌还原法生产多晶硅原料的技术和实际生产需要解决的问题。
关键词:锌还原法;多晶硅;四氯化硅中图分类号:TM615 文献标识码:B0 引言生产太阳电池所需要的硅(以下简称太阳级硅)的纯度一般需要至少6N(99.9999%)。
以前太阳级硅的专门生产线是没有的,太阳电池工业历来都是采用半导体工业废弃的头尾料、次品料及坩埚残料,这些原料都是西门子法生产工艺的产物,纯度都相当高(7N以上),用于太阳电池绰绰有余,可惜其量太少,根本无法满足日益增长的太阳电池生产能力,太阳电池市场急需能够大规模生产太阳级硅的工艺技术。
由此锌还原法、冶金法等生产工艺登上了科技舞台。
锌还原法制备多晶硅的技术并不是最新技术,就历史而言,它早在西门子法之前就诞生了。
上世纪50~60年代,全球半导体工业发展迅猛,急需高纯度的硅材料。
在这种形势下,美国杜邦公司在上世纪50年代开发了锌还原法并投入实用。
其后半导体大国日本引进了该技术,目的是生产低成本高纯度的半导体级多晶硅。
但是经过实验研究,发现该技术生产出来的硅的纯度只能达到6N~7N,无法满足半导体工业对硅纯度的要求,而当时太阳能光伏发电(以下简称PV)技术尚未引起人们的重视,这项能够满足太阳级硅纯度要求的硅提纯技术没有被继续研究下去,随着西门子法的诞生,锌还原法作为一项技术被存入了科学研究历史档案。
半个世纪过去了,锌还原法制备多晶硅的技术在大规模推广PV技术的形势下时来运转,由于目前世界上专门用于生产太阳级硅的技术稀少,锌还原法的低成本、低能耗的高纯度硅生产特性得到了重新认识。
本文主要介绍锌还原法生产太阳级硅的技术和实现自动化生产需要解决的问题。
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模拟计算,在热力学的基础研究了锌还原四氯化硅反应,这个看似简单的反应,温
度、压力、物料摩尔比、物态对反应的影响。
2 Zn (l)
SiCl4 (g)
Si (s)
2 ZnCl2 (l) 693~1029K / 420~756℃
2 Zn (l)
SiCl4 (g)
Si (s)
2 ZnCl2 (g) 1029~1180K / 756~907℃
后得到太阳能级多晶硅【4】。国内的北京京仪公司,在西门子工艺中形成的四氯化硅 与锌在高温下反应生成颗粒状的硅颗粒,而氯化锌通过电解使 Zn 和 Cl2 回收利用[5]。 所以锌还原四氯化硅生产太阳能级多晶硅本身是低成本低能耗,同时利用西门子的 副产物四氯化硅。这个方法的深入研究对于整个光伏行业具有重要的意义。本文对 于锌还原四氯化硅这个反应从热力学上做了模拟计算与分析。
项目
表 1. 锌与四氯化硅摩尔比例 2:1 时初始的设定值列表
Zn
SiCl4
N2
起始摩尔数(Kmol)
2
1
0.00234
所占比例%
66.66
33.33
0.078
O2 0.00189
0.021
表 2. 计算中涉及的各个反应物生成物副产物热力学数据
物质 性质
熔点 mp ℃
Si
Zn SiCl4 ZnCl2 ZnO
考虑到过量的锌对于后续硅纯度的影响,锌应稍过量为宜,压强的增加有利于反应 效率的提高,尤其在 1 个到 3 个大气压的范围内提高压强。
参考文献
[1] [J].氯碱工业,四氯化硅工业应用研究进展;吕咏梅,罗鹏举,姚德. 2008,44(5):25-31;
[2] 通过四氯硅烷的热氢化反应制备三氯硅烷的方法;瓦克化学股份公司:中国: CN 101107197A. 2008-01-16;
图 4.950℃~1250℃四氯化硅:锌= 1:2反应时,生成的杂质与副产物分布
表 3.在 1100℃可能生成杂质与其含量
物料名称
si SiCl4 ZnCl2 Zn
ZnO
Si3N4
SiCl2
SiO
SiO2
摩尔比例(%) 19.9 11.6 41.6 25.1 4.68×10-10 0.013 1.8 0.0014 0.0063
[3] Production process for high purity silicon,CHISSO CORPORATION,09.25,2008US2008/0233036A1; [4] 比利时 UMICORE 公司,Process for the production of Si by reduction of SiCl4 with liquid Zn,09.28,2006
2.模拟计算结果与分析
2.1 温度对反应效率的影响
设定起始的常温到 1400℃反应温度范围,以每隔 100℃取一个计算点,来计算 反应效率。该反应效率以模拟计算生成的硅与完全反应生成的硅之比,计算如下图 所示.在温度低于 600℃时,反应效率维持在 90%以上,在 700℃以上氯化锌逐步汽 化,反应效率降低到 80%以下,当反应温度达到 1200℃时反应效率降低到约 40%一 下。可见温度的升高不利于该反应的进行。
锌还原四氯化硅反应的热力学模拟计算
摘要 本文就锌还原四氯化硅的反应从热力学的角度做了模拟分析,分析表明反应物料 的中锌过量有利于增加反应效率,而温度对于反应的影响非常显著,随着反应温度的 升高,反应效率逐步降低,在温度低于 600℃的反应效率大于 95%,当在温度 1200℃以 上时,反应效率低于 50%,而压强对于反应效率的影响在低于 3 个大气压时是显著的。 随着压强的增加有利于反应效率的提高。模拟分析表明,反应中可能生成的副产物与 主要生成物的量相比很少。 关键词 四氯化硅 锌 反应 热力学模拟
WO2006/100114A1; [5]物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法,北京京仪公司,CN101293652A;
419.6
1414
-70
8
283 1975
SiO2 1723
Si2Cl6
-132. 5
Si3N4 2151
Zn2SiO
4
1785
SiCl2 —
SiCl —
沸点 bp℃ 3265 907 57.57 732
— 2950 145
—
—
—
—
常温密ρ g/cm3
25℃ΔHm KJ/mol
25℃ΔSm J/(mol*K)
2.33 7.14 1.483 2.91 5.606 2.6
— 3.44 4.1
—
—
0.00 0.00 -692 -416 -351 -910 -316 -828 -1644 -163.1 142.3
18.82 41.63 239.7 111.5 43.16 41.46 273.8 64.2 131.4 281.6 237.9
2 Zn (g)
SiCl4 (g)
Si (s)
2 ZnCl2 (g) 1180~1683K / 907~1410℃
在初始值的设置时,由于考虑到实际的反应过程中,由于高温体系的密封性难于 保障,过程中可能有微量的氧、微量的氮进入到反应体系。空气为四氯化硅的 0.1% (摩尔百分比,其中 N2 为 0.078%, O2 为 0.021%),当锌与四氯化硅设定的初始值 如下表
图 1. SiCl4 与 Zn 摩尔比 1:2 时反应温度对反应效率的影响
而如下图所示,未反应的锌与四氯化硅的量随反应温度的升高而逐渐增加。
图 2. 反应物剩余量随温度的变化
2.2 物料摩尔比对反应效率的影响
设定不同的锌与四氯化硅摩尔反应比例,由于从工艺要求的考虑,反应温度从 1000℃到 1200℃中设定 5 个点进行反应效率的计算,结果如下图所示,锌的过量有 利于反应效率的提高,四氯化硅的过量不利于反应效率的提高。
2.4 压强对于反应效率的影响
设定反应温度为 1150℃,四氯化硅与锌的摩尔比例为 1:2,改变压强参数进行 模拟计算,结果如下图所示,随着压强的增大,反应效率逐渐增加,尤其在压强较 低的范围内,压强的增加使反应效率明显地增加。
kmol 1.5
1.4
File: C:\Documents and Settings\lenovo\桌面\GibbsIn.OGI ZnCl2(g)
1.模拟分析条件
热力学分析主要涉及锌与四氯化硅反应的热力学问题进行分析,在理论上确定
最佳的反应效率、最佳的反应物摩尔质量、最佳的反应温度、最佳的反应压力,以
及可能生成的副产物。如下是锌与四氯化硅反应的主要方程式:
2 Zn SiCl4
Si
2 ZnCl2
依据热力学上的熵焓原理,使用的是 HSC Chemistry5.11○R 化学分析软件进行
kmol 2.0
File: C:\Documents and Settings\lenovo\桌面\12.OGI
1.5 ZnCl2(g)
Zn(g) 1.0
Si 0.5
Si3N4 0.0
950
1000
1050
1100
1150
SiCl4(g) SiCl2(g)
1200
Temperature 1250 C
1.3
1.2
1.1
1.0 Zn(g) 0.9
0.8
0.7
Si
0.6
0.5 SiCl4(g) 0.4
0.3
0.2 SiCl2(g)
0.1
0.0
Pres s ure
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 bar
图 5. 1150℃时,四氯化硅:锌= 1:2反应压强对反应物生成物的影响 锌还原四氯化硅压强对于温度的影响如下图所示,反应体系太阳能电池仍是硅太阳能电池,而单晶硅太阳 能电池转换效率高、技术较为成熟,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位, 太阳能级多晶硅作为其生产原料,需求量很大,2010 年的国内多晶硅产量预计会超 过 30000t。国内生产多晶硅的企业几乎都采用改良的西门子法[1],在生产过程中会 产生大量的副产物—四氯化硅,生产 1t 多晶硅会产生 15-20t 的四氯化硅,如果四 氯化硅得不到很好的处置,会对环境造成极大的危害,而四氯化硅的处理特别是氢 化技术几乎都被国外企业所垄断,致使四氯化硅的氢化的成本很高,国内多晶硅企 业由于成本问题在建设过程中很少有氢化处理线,以致多晶硅行业被冠以高污染、 高成本行业。因此,妥善的处理和利用四氯化硅,使之变废为宝,不仅对改善环境 有重大意义,更对多晶硅企业的可持续发展影响深远【2】 。锌还原四氯化硅具有单次 反应效率高的优势,从而可以作为多晶硅副产物回收在利用的一个有效方法,日本 Chisso(智索)公司通过在 800~1000℃下,气态的四氯化硅与气态的锌蒸气反应, 使生成的硅相沉积在热的硅棒上。生成的氯化锌通过电解使锌和氯气可以循环利用 『3』。比利时 Umicore 公司针对气相沉积效率低,装置设计复杂的困难而开发的一种 新型太阳能级多晶硅提纯技术。以高纯石英或石墨容器作反应器,以液态 SiCl4 为原 料,通过导入石英管中加热生成气态 SiCl4,同时辅以 N2 形成混合气体,然后导入液 态 Zn 中进行反应,反映温度 750~880℃;生成的气态 ZnCl2 通过冷凝收集,最后电 解得到 Zn 和 Cl2,其中 Zn 再放入反应器中作为还原剂重复使用。实现了 Zn 料的循 环。反应器中生成的 Si 颗粒,由于富积作用沉积在反应器底部沉积,通过导出后在 高于 Zn 和 ZnCl2 沸点,低于 Si 沸点的温度下将除 Si 以外的元素和化合物挥发,最
硅的生成。但是当压强增加到 3 个大气压以上则对反应的影响就不是很显著。所以