模拟集成电路基础实验报告
模拟集成电路实验实验四报告
单级电流源负载共源放大器设计集成电路设计与分析实验B（四）一、实验目的1.熟练掌握使用Cadence Virtuoso ADE5.1.41软件进行原理图的编辑2.使用器件设计参数表格的数据进行电路设计3.掌握电流源负载的共源放大器的设计方法二、实验软件：Cadence IC Virtuoso ADE 5.1.41三、实验要求：实验前请做好预习工作，实验后请做好练习，较熟练地使用Virtuoso软件对原理图进行编辑并熟练掌握常用的几种低频模拟电路的分析方法。
华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University）1单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）2 第一部分 单级共源放大器设计已知：VDD=3.3V ， I=100uA 要求：Av>30dB , 输出摆幅>2V1.1 单级共源放大器设计一、参数估算1.根据输出摆幅的要求，分配NMOS 和PMOS 的过驱动电压，电路如图1所示，1.30.35,0.5onN onP onP V V V V V V +<⇒==onN 可以取V2.估算共源放大器增益111211(||)()()v mN oN oP G thN n p onN n p I A g r r V V I V λλλλ===-++由此可知，电流源负载的共源放大器小信号增益只和过驱动电压和放大级的沟道长度调制系数有关，选择合理的过驱动电压和沟道长度调制系数使其满足设计要求。
选择的输入管的过驱动电压为0.35V ，L 取1um 时即可满足设计要求。
2.估算静态工作电压：共源放大器的输入电压0.350.350.550.9G thN V V =+=+=3.30.50.75 2.05Vbp =--=单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）3 输出节点的静态工作点(0.35 2.8)/2 1.575+= 3.验证增益是否满足设计要求：查表1.2可知，此时NMOS 的0.03n λ=，PMOS 0.11p λ=2200/0.35571/mN onNIg uA V uA V V === 11171.4()(0.030.11)100out n p D R k I V uAλλ-===Ω++⨯ 571/71.440.7v m out A g R uA V k ==⨯Ω=4.估算器件宽长比，查表1可知：92,43n p K K ==221(/)/()100/(920.35)8.8799/1MN n onN W L I K V u u =⨯=⨯=≈=221(/)/()100/(430.5)9.39.59.5/1MP p onP W L I K V u u =⨯=⨯=≈=二、仿真验证：1.静态工作点仿真结果如图所示，仿真结果显示单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）4 2．输出电压摆幅仿真结果如图所示：设置仿真时不需要从0扫到VDD ，只需要在静态工作点附近3.跨导m GSdIg dV，所以可以先扫描出I-VG 曲线然后在Tools 中选择Calculator …工具（计算器）点击wave 然后在显示的波形中选择你需要进行数学处理的曲线，如 选择后计算器中会有显示如本例中（IS(“M0/D ””/home/hww/…”)）接着对该曲线进行处理，需要对其微分，在计算器中Special Functions 下拉菜单中选择Deriv单级电流源负载共源放大器设计华侨大学电子工程系（The Department of Electronic Engineering Huaqiao University ）5 选择完成后，最终需要将其显示出来： 在ADE 中OUTPUTs 选择Setup …选择Get Expression选择OK 后，该波形将进行数学处理显示出来： 点击Plot Outputs 将显示处理完的波形，如下所示：输入为900mV 时跨导约为320uA/V 。
集成电路实验日常实训报告
一、实训时间2022年X月X日至2022年X月X日二、实训地点XX大学电子实验室三、实训目的1. 熟悉集成电路的基本原理和实验方法；2. 培养动手能力和实验操作技能；3. 深入了解集成电路的设计与制造过程；4. 提高对电子电路的分析与解决实际问题的能力。
四、实训内容1. 集成电路基本原理及实验（1）半导体材料与器件：了解半导体材料的特性，掌握PN结、二极管、晶体管等基本器件的原理和特性。
（2）集成电路基本电路：学习放大器、稳压器、滤波器等基本电路的设计与实验。
（3）集成电路制造工艺：了解集成电路的制造工艺流程，包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散等。
2. 集成电路设计及实验（1）模拟集成电路设计：学习模拟电路的基本原理，掌握运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法。
（2）数字集成电路设计：学习数字电路的基本原理，掌握逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法。
（3）集成电路版图设计：学习版图设计软件，掌握版图设计的基本规则和技巧。
3. 集成电路制造工艺实验（1）光刻实验：学习光刻原理，掌握光刻机的操作方法和光刻工艺流程。
（2）蚀刻实验：学习蚀刻原理，掌握蚀刻机的操作方法和蚀刻工艺流程。
（3）离子注入实验：学习离子注入原理，掌握离子注入机的操作方法和离子注入工艺流程。
五、实训过程及结果1. 集成电路基本原理及实验在实训过程中，我们学习了半导体材料与器件的基本原理，掌握了PN结、二极管、晶体管等基本器件的特性和应用。
通过实验，我们验证了放大器、稳压器、滤波器等基本电路的性能。
2. 集成电路设计及实验在模拟集成电路设计方面，我们学习了运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
在数字集成电路设计方面，我们掌握了逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
3. 集成电路制造工艺实验在光刻实验中，我们学会了光刻机的操作方法和光刻工艺流程，成功完成了光刻实验。
模拟cmos集成电路设计实验
模拟cmos集成电路设计实验实验要求：设计一个单级放大器和一个两级运算放大器。
单级放大器设计在课堂检查，两级运算放大器设计需要于学期结束前，提交一份实验报告。
实验报告包括以下几部分内容：1、电路结构分析及公式推导（例如如何根据指标确定端口电压及宽长比）2、电路设计步骤3、仿真测试图（需包含瞬态、直流和交流仿真图）4、给出每个MOS管的宽长比（做成表格形式，并在旁边附上电路图，与电路图一一对应）5、实验心得和小结单级放大器设计指标两级放大器设计指标实验操作步骤：a.安装Xmanagerb.打开Xmanager中的Xstartc.在Xstart中输入服务器地址、账号和密码Host：202.38.81.119Protocol: SSHUsername/password: 学号（大写）/ 学号@567& （大写）Command : Linux type 2然后点击run运行。
会弹出xterm窗口。
修改密码输入passwd，先输入当前密码，然后再输入两遍新密码。
注意密码不会显示出来。
d.设置服务器节点用浏览器登陆http://202.38.81.119/ganglia/,查看机器负载情况，尽量选择负载轻的机器登陆，（注：mgt和rack01不要选取）选择节点，在xterm中输入 ssh –X c01n?? (X为大写，??为节点名)如选择13号节点，则输入ssh –X c01n13e.文件夹管理通常在主目录中，不同工艺库建立相应的文件夹，便于管理。
本实验采用SMIC40nm工艺，所以在主目录新建SMIC40文件夹。
在xterm中，输入mkdir SMIC40然后进入新建的SMIC40文件夹，在xterm中，输入cd SMIC40.f.关联SMIC40nm 工艺库在xterm窗口中，输入gedit&,(gedit为文档编辑命令)将以下内容拷贝到新文档中。
SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/dfII/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/hdl/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/pic/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/sg/cds.libDEFINE smic40llrf /soft2/eda/tech/smic040/pdk/SPDK40LLRF_1125_2TM_CDS_V1.4/smic40llrf_1 125_2tm_cds_1P8M_2012_10_30_v1.4/smic40llrf保存为cds.lib 。
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告
模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告一、概述在现代集成电路设计领域，模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的课题。
本实验旨在通过对模拟CMOS集成电路设计相关内容的学习和实践，加深对该领域的理解，并提升设计实践能力。
本文将介绍实验内容、实验过程和实验结果，并结合个人观点对模拟CMOS集成电路设计进行探讨。
二、实验内容1. 实验名称：基于CMOS工艺的运算放大器设计与仿真2. 实验目的：通过对基本运算放大器的设计与仿真，理解模拟CMOS 集成电路设计的基本原理和方法。
3. 实验要求：设计一个基于CMOS工艺的运算放大器电路，并进行仿真验证。
4. 实验器材与软件：PSPICE仿真软件、计算机、基本电路元件。
三、实验过程1. 设计基本运算放大器电路a. 根据理论知识，选择合适的CMOS工艺器件，并进行电路拓扑设计。
b. 计算电路的主要参数，如增益、带宽、输入输出阻抗等。
c. 优化设计，满足实际应用需求。
2. 运算放大器电路仿真a. 在PSPICE软件中建立电路模型。
b. 分析仿真结果，验证设计参数是否符合预期。
c. 优化设计，使得电路性能达到最佳状态。
四、实验结果经过反复设计与仿真，最终得到了一个基于CMOS工艺的运算放大器电路。
在PSPICE软件中进行仿真测试，结果表明设计的运算放大器电路性能良好，能够满足设计要求。
在输入端加入正弦波信号，输出端得到经过放大和处理的信号，验证了电路的正常工作。
五、总结与回顾通过本次实验，我深刻理解了模拟CMOS集成电路设计的基本原理和方法。
从初步设计到最终仿真，我逐步掌握了电路设计与优化的过程，并将理论知识应用到实践中。
在今后的学习和工作中，我将继续深入研究模拟CMOS集成电路设计，不断提升自己的技能。
六、个人观点与理解模拟CMOS集成电路设计是一个复杂而又具有挑战性的领域。
在实验过程中，我深刻意识到了理论知识与实际应用的紧密通联，只有不断实践与探索，才能够更好地理解与掌握。
模电知识集成电路实训报告
一、实训背景随着电子技术的飞速发展，模拟电子技术（简称模电）在电子工程领域扮演着至关重要的角色。
为了更好地理解和应用模电知识，我们选择了集成电路实训作为实践学习的重要环节。
本次实训旨在通过实际操作，加深对模拟电路基本原理、集成电路工作原理及电路设计方法的理解。
二、实训目的1. 理解模拟电子技术的基本原理，包括放大、滤波、稳压等。
2. 掌握常用集成电路的应用，如运算放大器、比较器、整流器等。
3. 培养电路设计与调试能力，提高动手实践能力。
4. 增强团队合作精神，提高沟通协调能力。
三、实训内容1. 基本放大电路实训内容：搭建基本放大电路，包括共射、共集、共基等放大电路，观察并分析电路性能。
实训过程：首先，根据设计要求，选用合适的放大电路类型；然后，进行电路元件的选择和连接；最后，通过示波器观察输出波形，分析电路性能。
2. 运算放大器电路实训内容：利用运算放大器搭建非反相放大器、反相放大器、加法器、减法器等电路。
实训过程：选择合适的运算放大器型号，设计电路图，进行元件选择和连接；通过示波器观察输出波形，验证电路功能。
3. 滤波电路实训内容：搭建低通、高通、带通滤波电路，观察滤波效果。
实训过程：根据滤波需求，选择合适的滤波电路类型；进行元件选择和连接；通过示波器观察滤波效果，验证电路性能。
4. 整流电路实训内容：搭建全波整流、半波整流电路，观察整流效果。
实训过程：选择合适的整流元件，进行电路设计；通过示波器观察整流效果，验证电路性能。
5. 集成稳压器实训内容：搭建集成稳压器电路，观察稳压效果。
实训过程：选择合适的集成稳压器型号，进行电路设计；通过示波器观察稳压效果，验证电路性能。
四、实训结果与分析1. 基本放大电路实训结果表明，基本放大电路能够实现对输入信号的放大，但放大倍数和带宽受到电路元件的影响。
2. 运算放大器电路实训结果表明，运算放大器电路具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点，能够实现多种功能。
电子科技大学集成电路实验报告——模拟集成电路
CMOS 模拟集成电路设计及HSPICE 使用实验学时：4学时实验一 CMOS 工艺参数测量 一、实验目的：学习和掌握EDA 仿真软件Hspice ；了解CMOS 工艺技术及元器件模型，掌握MOSFET 工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得CMOS 中NMOS 和PMOS 的工艺参数,,,,,p n p n tp tn k k V V λλ，为后续实验作准备。
二、实验内容：1） 通过Hspice 仿真，观察NMOS 和PMOS 管子的I-V 特性曲线；2）对于给定长宽的MOSFET ，通过Hspice 仿真，测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据，代入公式21()()(1)2DSn n n GS tn n DS WI K V V V Lλ=-+，求得对应的工艺参数,,,,,p n p n tp tn k k V V λλ 。
三、实验结果：本实验中所测试的NMOS 管、PMOS 管L=1u ，W 由学号确定。
先确定W 。
W 等于学号的最后一位，若学号最后一位=0，则W=10u 。
所以，本实验中所测试的NMOS 管、PMOS 管的尺寸为：L=1u ，W=（ 8 ）u 。
（1） 测0.5um 下NMOS 和PMOS 管的I-V 特性曲线所用工艺模型是 TSMC 0.50um 。
所测得的Vgs=1V 时，NMOS 管Vds 从0V 到2.5V 变化时的I-V 特性曲线为：所测得的Vds=1.2V时，NMOS管Vgs从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vsg=1V时，PMOS管Vsd从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vsd=1.2V时，PMOS管Vsg从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：（2）计算TSMC 0.50um工艺库下mos管对应的工艺参数测试NMOS管相关参数，Hspice中仿真用源文件（.sp文件）为：NOMS I-V CharacteristicM1 OUT IN 0 0 CMOSn L=1U W=8UVIN IN 0 1VOUT OUT 0 1.2.OPTIONS LIST NODE POST*.DC VOUT 0 2.5 0.1.DC VIN 0 2.5 0.1*.DC VOUT 0 2.5 0.1 VIN 0.8 1.0 0.2.PRINT DC I(M1).LIB "C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib" CMOS_MODELS .END所测得的NMOS 管电流曲线为：所测的数据如下表：Ids Vds1V 1.5V Vgs 1V65．4uA 66．5 1.2V14．014．4根据公式21()()(1)2DSn n n GS tn n DS I K V V V Lλ=-+，计算,,n n tn k V λ，分别为： -611910,0.028, 1.37n n tn k V λ≈⨯≈≈测试PMOS 管相关参数，Hspice 中仿真用源文件（.sp 文件）为： POMS I-V CharacteristicM1 OUT IN Vdd Vdd CMOSP L=1U W=8UVIN Vdd IN 1 VOUT Vdd OUT 1.2.OPTIONS LIST NODE POST *.DC VOUT 0 2.5 0.1 .DC VIN 0 2.5 0.1*.DC VOUT 0 2.5 0.1 VIN 0.8 1.0 0.2.PRINT DC I(M2).LIB "C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib" CMOS_MODELS .END所测得的PMOS 管电流曲线为：所测的数据如下表：Isd Vsd1V 1.5VVsg 1V 1．17 1．181.2V 4．87 5．15计算TSMC 0.50um 工艺中 pmos 参数p p tp ，分别为：-654.8910,0.017,0.927p p tp K V λ≈⨯≈≈综上所述，可得：TSMC 0.50um 工艺参数=n λ0.028=p λ0.017=tn V 0.37V=tp V 0.927V2/119V A K n μ=2/89.54V A K p μ=四、思考题2） 不同工艺，,p n λλ不同。
集成电路设计基础实验报告
集成电路设计基础实验报告专业：电子信息工程班级：姓名：学号：电子与信息工程学院实验一Tanner 软件的安装和使用一、实验目的1．掌握Tanner 的安装过程。
2．了解Tanner 软件的组成及使用。
3．掌握使用S-Edit 和T-Spice 对nMOS 管的I-V 特性仿真的方法。
二、实验仪器计算机一台。
三、实验内容1.1 tanner的安装Tanner 软件的安装是比较简单的，主要分为安装和安装license 两部分。
第一步，双击安装文件夹…\Tanner L-EDIT 11.1 下的setup.exe 文件，得到安装向导，按默认选项，依次点击“下一步”，直至安装完成。
第二步，将….\Tanner L-EDIT 11.1\crack 文件夹下的所有文件复制到安装目录utilities 下，然后双击运行其中的crack.bat 文件安装license，得到相应的界面，然后点击“instance”，安装成功之后点击“exit”。
至此，tanner 就安装成功了。
在桌面上就会看到快捷方式，分别对应tanner pro 软件的五个功能模块。
1.2 nMOS管I-V特性（1）打开S-Edit 程序。
（2）另存新文件。
（3）环境设置。
（4）编辑模块。
(5) 浏览元件库。
（6）从元件库引用模块。
（7）编辑电路。
（8）加入联机。
（9）加入输入端口与输。
（10）模块重命名出端口。
（11）加入工作电源。
(12) 加入输入信号。
(13) 编辑Source_v_dc 对象。
(14) 输出成SPICE 文件。
(15) 加载包含文件。
(16) 分析设定。
(17) 输出设定。
(18) 进行仿真。
（19）观看结果。
四、实验结果1.最终绘制出的电路图如下：2.经过设定，最终完成的网表如下：3.仿真结果曲线如下：上图为N型MOS管的IV特性曲线，输入为栅源电压，单位为V；输出为漏电流，单位为mA。
输入从0到5V线性扫描，得到上图曲线。
集成电路实验报告
集成电路实验报告第一篇：集成电路实验报告集成电路实验报告班级：姓名：学号：指导老师：实验一：反相器的设计及反相器环的分析一、实验目的1、学习及掌握cadence图形输入及仿真方法；2、掌握基本反相器的原理与设计方法；3、掌握反相器电压传输特性曲线VTC的测试方法；4、分析电压传输特性曲线，确定五个关键电压VOH、VOL、VIH、VIL、VTH。
二、实验内容本次实验主要是利用 cadence 软件来设计一基本反相器(inverter)，并利用仿真工具Analog Artist(Spectre)来测试反相器的电压传输特性曲线(VTC，Voltage transfer characteristic curves)，并分析其五个关键电压:输出高电平VOH、输出低电平VOL、输入高电平VIH、输入低电平VIL、阈值电压 VTH。
三、实验步骤1.在cadence环境中绘制的反相器原理图如图所示。
2.在Analog Environment中，对反相器进行瞬态分析(tran)，仿真时间设置为4ns。
其输入输出波形如图所示。
分开查看：分析：反相器的输出波形在由低跳变到高和由高跳变到底时都会出现尖脉冲，而不是直接跳变。
其主要原因是由于MOS管栅极和漏极上存在覆盖电容，在输出信号变化时，由于电容储存的电荷不能发生突变，所以在信号跳变时覆盖电容仍会发生充放电现象，进而产生了如图所示的尖脉冲。
3.测试反相器的电压传输特性曲线，采用的是直流分析(DC),我们把输入信号修改为5V直流电源，如图所示。
4.然后对该直流电源从0V到5V进行线性扫描,进而得到电压传输特性曲线如图所示。
5.为反相器创建symbol，并调用连成反相器环，如图。
6.测量延时，对环形振荡器进行瞬态分析，仿真时间为4ns，bcd 节点的输出波形如图所示。
7.测量上升延时和下降延时。
(1)测量上升延时：可以利用计算器(calculator)delay函数来计算信号c与信号b间的上升延时和下降延时如图所示。
cmos模拟集成电路设计-实验报告
cmos模拟集成电路设计-实验报告————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：北京邮电大学实验报告实验题目：cmos模拟集成电路实验姓名：何明枢班级：2013211207班内序号：19学号：2013211007指导老师：韩可日期：2016 年 1 月16 日星期六目录实验一:共源级放大器性能分析 (1)一、实验目的 (1)二、实验内容 (1)三、实验结果 (1)四、实验结果分析 (3)实验二:差分放大器设计 (4)一、实验目的 (4)二、实验要求 (4)三、实验原理 (4)四、实验结果 (5)五、思考题 (6)实验三：电流源负载差分放大器设计 (7)一、实验目的 (7)二、实验内容 (7)三、差分放大器的设计方法 (7)四、实验原理 (7)五、实验结果 (9)六、实验分析 (10)实验五：共源共栅电流镜设计 (11)一、实验目的 (11)二、实验题目及要求 (11)三、实验内容 (11)四、实验原理 (11)五、实验结果 (15)六、电路工作状态分析 (15)实验六：两级运算放大器设计 (17)一、实验目的 (17)二、实验要求 (17)三、实验内容 (17)四、实验原理 (22)五、实验结果 (23)六、思考题 (24)七、实验结果分析 (25)实验总结与体会 (26)一、实验中遇到的的问题 (26)二、实验体会 (26)三、对课程的一些建议 (27)实验一:共源级放大器性能分析一、实验目的1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法；2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线；4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响二、实验内容1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告1. 引言在现代电子工程领域中，模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的研究领域。
本文将对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行全面评估，并撰写一份有价值的实验报告。
通过这篇文章，我们将深入探讨模拟CMOS集成电路设计的原理、方法和实践，为读者带来深刻而全面的理解。
2. 实验内容本次课程实验旨在通过实际操作，让学生深入理解模拟CMOS集成电路设计的基本原理和流程。
实验包括了对CMOS集成电路的基本认识、基于SPICE仿真工具的电路模拟设计、以及实际电路的布局与布线等内容。
在实验中，学生需要掌握CMOS集成电路的工作原理、信号传输特性、电路设计的基本流程以及布局与布线的关键技术。
3. 深度评估通过对实验内容的深度评估，我们可以认识到模拟CMOS集成电路设计的复杂性和重要性。
学生需要理解CMOS技术在集成电路设计中的核心地位，以及其在实际电路中的应用。
SPICE仿真工具在电路设计中的作用和优势也是本次实验的重要内容。
电路的布局与布线对于电路性能的影响不可忽视，学生需要深入理解布局布线的原理和方法。
4. 文章撰写在文章的撰写过程中，我们将按照知识的文章格式进行，使用序号标注，并在内容中多次提及模拟CMOS集成电路设计这一主题。
在文章的开头，我们将对模拟CMOS集成电路设计的重要性和实验的背景进行介绍，为读者带来对主题的直观了解。
我们将从CMOS集成电路的基本原理和工作特性入手，逐步展开对实验内容的深入解析。
在文章的结尾，我们将总结实验的收获和体会，共享对模拟CMOS集成电路设计的个人观点和理解。
5. 总结与展望通过本文的撰写和深度评估，我们不仅对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行了全面解析，同时也为读者带来了对这一领域的深刻理解和启发。
未来，希望能进一步探讨模拟CMOS集成电路设计的前沿技术和发展趋势，为电子工程领域的学术研究和技术应用提供更多有价值的内容。
集成电路实习报告(通用6篇)精选全文
可编辑修改精选全文完整版集成电路实习报告艰辛而又充满意义的实习生活又告一段落了，想必都收获了成长和成绩，是时候回头总结这段时间的实习生活了。
你所见过的实习报告应该是什么样的？下面是小编帮大家整理的集成电路实习报告（通用6篇），仅供参考，大家一起来看看吧。
集成电路实习报告1一：实习目的1、学习焊接电路板的有关知识，熟练焊接的具体操作。
2、看懂收音机的原理电路图，了解收音机的基本原理，学会动手组装和焊接收音机。
3、学会调试收音机，能够清晰的收到电台。
4、学习使用protel电路设计软件，动手绘制电路图。
二：焊接的技巧或注意事项焊接是安装电路的基础，我们必须重视他的技巧和注意事项。
1、焊锡之前应该先插上电烙铁的插头，给电烙铁加热。
2、焊接时，焊锡与电路板、电烙铁与电路板的夹角最好成45度，这样焊锡与电烙铁夹角成90度。
3、焊接时，焊锡与电烙铁接触时间不要太长，以免焊锡过多或是造成漏锡；也不要过短，以免造成虚焊。
4、元件的腿尽量要直，而且不要伸出太长，以1毫米为好，多余的可以剪掉。
5、焊完时，焊锡最好呈圆滑的圆锥状，而且还要有金属光泽。
三：收音机的原理本收音机由输入回路高放混频级、一级中放、二级中放、前置低放兼检波级、低放级和功放级等部分组成接收频率范围为535千赫1065千赫的中段。
1、具体原理如下原理图所示：2、安装工艺要求：动手焊接前用万用表将各元件测量一下，做到心中有数，安装时先安装低矮和耐热元件（如电阻），然后再装大一点的元件（如中周、变压器），最后装怕热的元件（如三极管）。
电阻的安装：将电阻的阻值选择好后根据两孔的距离弯曲电阻脚可采用卧式紧贴电路板安装，也可以采用立式安装，高度要统一。
瓷片电容和三极管的脚剪的长短要适中，它们不要超过中周的高度。
电解电容紧贴线路板立式焊接，太高会影响后盖的安装。
、棒线圈的四根引线头可直接用电烙铁配合松香焊锡丝来回摩擦几次即可自动上锡，四个线头对应的焊在线路板的铜泊面。
模电集成电路设计实训报告
一、实训背景随着信息技术的飞速发展，集成电路设计作为电子工程领域的关键技术之一，其重要性日益凸显。
为了提升学生在模拟电子技术（模电）领域的实践能力和设计水平，我们参加了为期两周的模电集成电路设计实训。
本次实训旨在通过实际操作和理论学习，使学生掌握模拟集成电路的基本设计方法、电路分析方法以及设计工具的使用。
二、实训目的1. 熟悉模拟集成电路的基本设计流程和步骤。
2. 掌握常用的模拟集成电路设计方法，如运算放大器、滤波器、稳压器等。
3. 学会使用电路仿真软件，如Multisim、LTspice等，进行电路仿真和分析。
4. 培养学生的动手能力和团队合作精神。
三、实训内容1. 模拟集成电路设计基础首先，我们对模拟集成电路设计的基本原理进行了深入学习。
包括模拟信号的基本概念、半导体器件的工作原理、电路分析方法等。
通过学习，我们了解了模拟集成电路设计的基本流程和步骤。
2. 运算放大器设计运算放大器是模拟集成电路设计中最为常见的电路之一。
在实训中，我们学习了运算放大器的电路结构、工作原理以及设计方法。
通过实际操作，我们设计并制作了一个简单的运算放大器电路，并使用Multisim软件进行了仿真验证。
3. 滤波器设计滤波器在信号处理领域有着广泛的应用。
我们学习了滤波器的基本原理和设计方法，包括低通、高通、带通和带阻滤波器。
在实训中，我们设计并制作了一个低通滤波器电路，并对其进行了仿真和分析。
4. 稳压器设计稳压器是模拟集成电路设计中用于提供稳定电压的电路。
我们学习了不同类型的稳压器，如线性稳压器、开关稳压器等。
在实训中，我们设计并制作了一个线性稳压器电路，并对其性能进行了测试。
5. 电路仿真与分析为了验证我们的设计，我们使用了Multisim软件对电路进行了仿真和分析。
通过仿真，我们能够直观地观察电路的性能，并根据仿真结果对电路进行调整和优化。
四、实训成果1. 设计并制作了多个模拟集成电路电路，包括运算放大器、滤波器、稳压器等。
模拟集成电路实验1
一、实验目的1.熟练掌握使用Cadence Virtuoso ADE5.1.41软件进行原理图的编辑2.使用器件设计参数表格的数据进行电路设计3.掌握基本差分对电路的设计方法二、实验软件：Cadence IC Virtuoso ADE 5.1.41第一部分 基本差分对设计独立完成实验设计指标： 已知：VDD=3.3V ， Iss=300uA要求：Av>40dB ,共模输入范围1.2 2.5inCM V ≤≤,最大共模输入电压下，输出摆幅1V >，共模抑制比85CMRR dB ≥1.1 基本差分对设计分析及参数估算一、参数估算1.根据共模输入范围inCM V 和输出摆幅的要求，各个MOS 管的过驱动电压并估算偏置电压VB 和输出Vout （也即VA ）的静态值，电路如图1所示，min 131 1.2inCM GSN B TN on B V V V V V V =+-≈+≤B N30.2, 1.00.8,0.80.540.26on V V V V V ⇒=≤==-=onN1B 可以取V V 取max 121212|| 2.5inCM A TN GSP TN onP TN TP V V V VDD V V VDD V V V =+=-+=-+-≥即2 3.3 2.50.540.750.59onP V ≤-+-=指标要求最大共模输入电压，输出摆幅要求大于1Vmin max 1 2.50.54 2.06out inCM Tn V V V =-=-=故max 2.061 3.06out V ≥+=，由此可得2max 3.3 3.060.24onP out V VDD V ≤-=-=该值要和通过共模输入范围要求得到的2 3.3 2.50.540.750.59onP V ≤-+-=求交集，取20.2onP V V =，于是估算输出点的静态电压223.3(||) 3.3(0.20.75) 2.35out A onP TP V V V V ==-+=-+=2.确定输入的静态共模电平值。
北邮模拟集成电路设计CMOS实验报告
北邮模拟集成电路设计CMOS实验报告实验名称：CMOS集成电路设计实验一、实验目的：1.理解CMOS集成电路的基本原理和设计方法；2.掌握CMOS逻辑门电路的设计过程；3.学会使用EDA软件进行CMOS集成电路的仿真和布局。
二、实验原理：CMOS逻辑门电路常用的基本逻辑门有与门（AND）、或门（OR）、非门（NOT）和异或门（XOR）等。
通过适当的连接和组合可以实现各种复杂的逻辑功能。
三、实验仪器和材料：1.电脑：用于运行EDA软件进行仿真和布局；2. EDA软件：如Cadence、Virtuoso等。
四、实验步骤：1.设计CMOS逻辑门电路。
a.确定逻辑门的功能要求，选择合适的逻辑门类型；b.根据逻辑门的真值表进行逻辑电路的设计；c.根据逻辑电路设计生成CMOS电路原理图。
2.仿真验证电路功能。
a.在EDA软件中加载CMOS电路原理图；b.设置输入信号，并运行仿真进行波形分析；c.验证逻辑门电路的功能和时序响应。
3.进行电路布局。
a.根据设计要求和布局规范进行电路布局；b.确保电路布局符合工艺和物理约束条件；c.生成电路布局图。
4.查看布局成果。
a.在EDA软件中加载电路布局图；b.观察和分析电路布局的效果和问题；c.对电路布局进行进一步优化和调整。
五、实验结果和分析：在实验中，我们选择设计了一个4输入与门电路。
通过EDA软件仿真，我们可以看到当所有输入均为高电平时，输出才为高电平；否则，输出为低电平。
仿真结果符合与门的逻辑功能要求，说明我们的设计是正确的。
同时，我们也进行了电路的布局，保证了电路的正确性和合理性。
通过查看布局成果，我们发现一些电路单元之间的间距不合适，会造成电路性能的影响。
因此，我们对电路布局进行了调整和优化，使其满足工艺和物理要求。
六、实验总结：通过本次实验，我们深入理解了CMOS集成电路的基本原理和设计方法。
通过搭建CMOS逻辑门电路，我们掌握了逻辑电路的设计过程，并借助EDA软件进行了仿真和布局。
集成电路实验(模拟)
例如:.AC DEC 10 1 10K (指从1到10KHZ范围,每个数量级取10点,交流小信号分析
③､瞬态分析:
瞬态分析是指计算的电路结果作为时间的函数｡
一般形式: .TRAN TSTEP TSTOP <TSTART <TMAX>> <UIC>
2､输入网表文件
输入网表(Netlist)文件主要由以下几部分组成:
3､电路元器件及模型描述
Hspice要求电路元器件名称必须以规定的字母开头,其后可以是任意数字或字母｡除了名称之外,还应指定该元器件所接节点编号和元件值｡
①､电阻,电容,电感等无源元件描述方式如下:
R1 1 2 10k (表示节点1与2间有电阻R1,阻值为10k欧)
Hspice中的激励源分为独立源和受控源两种,这里我们仅简单介绍独立源｡独立源有独立电压源和独立电流源两种,分别用V和I表示｡他们又分为直流源,交流小信号源和瞬态源,可以组合在一起使用｡
①､直流源
VX N+ N- DC VALUE
IX N+ N- DC VALUE
例如:VCC 1 0 DC 5v(表示节点1,0间加电压5v)
TYPE为指定的输出分析类型,如(DC);V(node)表示节点电压,I(node)表示节点电流,p(rload)表示在负载rload上的分析点的功耗｡
②､交流分析:
用于显示节点电压和支路电流的实部､虚部和相位｡
vi(node)表示节点电压的虚部,ip(node)表示节点电流的相位,vp(4,6)表示节点4､6间的相位角｡
TSETP为时间增量,TSTOP为终止时间,TSTART为初始时间(若不设定,则隐含值为0)
模拟集成电路基础实验报告
实验报告课程（项目）名称：模拟集成电路基础一Multisim 7 的应用一．实验目的1. 学会使用电路仿真软件Multisim 7完成三种放大电路。
2.调电路参数观察对输出波形的影响。
3.放大电路的电压放大倍数、输出电阻的测量。
二、实验内容1. 共发射极放大电路（如下图）（1）调整和测试静态工作点调整直流稳压电源为12伏，接通电源，调整电位器RP, 用万用表测UCEQ=6V。
测量基极电阻（RP+Rb）并记录。
如图所示为直流电路，测得的基极电阻为1.138GOhm。
通过静态分析可得到静态工作点，锗三极管的Ubeq=0.2V,Ibq=1.037mA,共基电流直流传输系数为0.99, 共射电流直流传输系数为99，Icq=102.663 mA。
（2）计算电压放大倍数放大电路的输入端加有效值为5mv,频率10KHz的正弦波，观察输出波形是否失真。
记录输入、输出波形曲线，测量不失真时的输出电压，并计算电压放大倍数。
输出波形没有失真。
输入电压=9.995mv，输出电压=1.299V，放大倍数=129.96（3）观察放大电路最大不失真输出范围a.加大输入信号的幅值，观察到的最大不失真的输出电压的波形。
测量其峰峰值。
b．调节静态工作点，确立电路最大不失真电压范围，并指出最大饱和不失真电压值和最大截止不失真电压值。
加大输入信号的幅值为9.194mV，最大不失真的输出电压峰峰值=2.360V（4）观察静态工作点对的影响放大电路的输入端加有效值为5mv,频率10KHz的正弦波。
增大电位器RP 阻值为最大，观察输出波形出现何种失真，并记录输入、输出波形曲线。
减小电位器RP 阻值为最小，观察输出波形出现何种失真，并记录输入、输出波形曲线。
（5）测量放大电路的输出电阻不接RL时,U1=751.851mv接RL时,U2=392.90mvR0=(U1/U2-1)RL=2.73kohm2．共集电极放大电路（如下图）步骤及要求同共发射极放大电路（1）调整和测试静态工作点调整直流稳压电源为12伏，接通电源，调整电位器RP, 用万用表测UCEQ=6V。
模拟集成电路实践小结
实践模拟集成电路是电子工程或相关专业学生在课程中常常会进行的一项实验。
以下是一份可能的模拟集成电路实践小结：---实验名称：模拟集成电路实践实验目的：通过搭建和测试模拟集成电路电路，理解模拟电路的基本工作原理，培养实际操作和问题解决的能力。
实验内容：1. 电路设计：根据实验要求，设计模拟集成电路电路图。
选择合适的器件和参数，保证电路正常工作。
2. 电路搭建：使用实验箱和各种电子元器件，按照设计图搭建电路。
注意连接的准确性和电路的整体布局。
3. 电路调试：逐步进行电路调试，确保各部分电路的正常工作。
通过测量电压、电流等参数，发现并解决问题。
4. 性能测试：运行电路，观察各部分电路的性能。
通过示波器、多用表等仪器检测信号波形和频率等参数。
5. 数据记录与分析：记录实验中的关键数据，包括电压、电流、频率等。
进行数据分析，比较实验结果与理论设计的差异。
实验心得：通过这次模拟集成电路实践，我深刻理解了模拟电路的设计和调试过程。
在搭建电路的过程中，我学到了如何正确选择电子元器件，确保电路的稳定运行。
调试过程中，遇到了一些问题，但通过查阅资料、请教老师和同学，逐步解决了这些问题。
这次实践让我对电子电路的理论知识有了更深入的理解，并培养了我的动手能力和问题解决能力。
总结：模拟集成电路实践是一次非常有益的实验，通过亲自动手搭建和调试电路，使我更加熟悉了课堂学到的理论知识。
在实践中，我不仅提高了电路搭建和调试的能力，还培养了独立解决问题的能力。
这次实验让我更加深入地了解了模拟电路的运作原理，为今后的学习和工作奠定了坚实的基础。
模拟集成电路实验报告
CMOS放大器设计实验报告一、实验目的1.培养学生分析、解决问题的综合能力；2.熟悉计算机进行集成电路辅助设计的流程；3.学会适应cadence设计工具；4.掌握模拟电路仿真方法6.掌握电子电路、电子芯片底层版图设计原则和方法；7.掌握使用计算机对电路、电子器件进行参数提取及功能模拟的过程；8.熟悉设计验证流程和方法。
二、实验原理单级差分放大器结构如下图所示：在电路结构中，M2和M3组成了NMOS差分输入对，差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M0和M1电流镜为有源负载，可将差分输入转化为单端输出；M5管提供恒定的偏置电流。
三、实验要求设计电路使得其达到以下指标：1.供电电压：2.输入信号：正弦差分信号3.共模电压范围为4.差分模值范围5．输出信号：正弦信号6.摆率大于7.带宽大于8.幅值增益：9.相位裕度：10.功耗：11.工作温度：四、差分放大器分析1、直流分析为了使电路正常工作，电路中的MOS管都应处于饱和状态。
1.1 M2管的饱和条件:1.2 M4管的饱和条件:2.小信号分析小信号模型如下：由图可得：2．1 增益分析其中2.2 频率响应分析由小信号模型易知：其中3．电路参数计算3．1确定电流根据摆率指标：根据功耗指标易知：根据带宽指标：综上，取:3.2宽长比的确定M4与M5：电流源提供的电流为，参数设为，根据电流镜原理，可以算出M2与M3：带入数据可得取值为20，则取M0与M1：这两个PMOS管对交流性能影响不大，只要使其下方的管子正常开启即可，实验中取值：五、仿真结果1、幅频特性设置激励如下：信号名称信号类型参数VDD直流V=3.3VGND直流V=0VVin+交流小信号幅值1mV,频率50KHz直流电压1.65V,初相0 Vin-交流小信号幅值1mV,频率50KHz电压1.65V,初相180进行ac仿真，仿真结果如下：增益，，相位裕度为，满足指标要求。
2、摆率仿真通过加入方波激励进行测试摆率信号名称信号类型参数VDD直流V=3.3VGND直流V=0VVin+方波V1=0V,V2=3.3V周期2,占空比50%Vin-方波V1=3.3V,V2=0V周期2,占空比50%仿真结果如下：得到：满足指标要求。
模拟cmos集成电路实验报告
模拟CMOS集成电路设计实验报告反相器原理图设计学院机械与电子工程学院班级学号姓名指导老师报告时间 2015.6.2一、实验目的1.学会创建模型库和单元视图2.了解schematic 设计环境3.学会如何画反相器原理图二、实验内容和步骤1 调用candence 软件运行虚拟机直接点击三角形运行的图标然后输入icfb命令调用candence软件，此时会弹出CIW 窗口2 创建工作路径库与单元视图进入candence 后点击CIW 窗口的file—new—library，此时弹出对话窗口如下图，Name栏输入库文件名myfxq，右侧Technology File栏选择第二个。
点击OK 弹出如下窗口，这时让你选择工艺库的我们选择sto2 这个工艺库点击OK 弹出窗口中在library中可以看到我们自己建的模型库myfxq。
选中自己建好的模型库然后点击上面的File—cellview 弹出如下图窗口library name 栏不用改，cell name 栏可以自定义toll栏选择第一个则view name 栏自动为schematic。
点击OK 就弹出Schematic Editing 窗口到此单元视图也建好了。
3 画原理图⑴画原理图之前先了解以下几个快捷键：i----插入元器件w----连线p----插入输入输出引脚q----查看器件属性f----调节合适的窗口c----复制u----撤销m----移动器件del----删除⑵添加元件n管p管的添加在Schematic Editing 窗口中按下快捷键i 弹出窗口如下图点击Browse弹出Library Browse进行p管添加，再对p 管属性设置的窗口如下图，这里Total Width 设为1.4uM其它不变。
点击Hide此时鼠标箭头上就有了p管的symbol，n管的插入和p管类似，把n管的Length 改为550nm,total width为700nm。
cmos模拟集成电路设计-实验报告
cmos模拟集成电路设计-实验报告————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：北京邮电大学实验报告实验题目：cmos模拟集成电路实验姓名：何明枢班级：2013211207班内序号：19学号：2013211007指导老师：韩可日期：2016 年 1 月16 日星期六目录实验一:共源级放大器性能分析 (1)一、实验目的 (1)二、实验内容 (1)三、实验结果 (1)四、实验结果分析 (3)实验二:差分放大器设计 (4)一、实验目的 (4)二、实验要求 (4)三、实验原理 (4)四、实验结果 (5)五、思考题 (6)实验三：电流源负载差分放大器设计 (7)一、实验目的 (7)二、实验内容 (7)三、差分放大器的设计方法 (7)四、实验原理 (7)五、实验结果 (9)六、实验分析 (10)实验五：共源共栅电流镜设计 (11)一、实验目的 (11)二、实验题目及要求 (11)三、实验内容 (11)四、实验原理 (11)五、实验结果 (15)六、电路工作状态分析 (15)实验六：两级运算放大器设计 (17)一、实验目的 (17)二、实验要求 (17)三、实验内容 (17)四、实验原理 (22)五、实验结果 (23)六、思考题 (24)七、实验结果分析 (25)实验总结与体会 (26)一、实验中遇到的的问题 (26)二、实验体会 (26)三、对课程的一些建议 (27)实验一:共源级放大器性能分析一、实验目的1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法；2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线；4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响二、实验内容1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。
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实验报告
课程（项目）名称：模拟集成电路基础
一Multisim 7 的应用
一．实验目的
1. 学会使用电路仿真软件Multisim 7完成三种放大电路。
2.调电路参数观察对输出波形的影响。
3.放大电路的电压放大倍数、输出电阻的测量。
二、实验内容
1. 共发射极放大电路（如下图）
（1）调整和测试静态工作点
调整直流稳压电源为12伏，接通电源，调整电位器RP, 用万用表测UCEQ=6V。
测量基极电阻（RP+Rb）并记录。
如图所示为直流电路，测得的基极电阻为1.138GOhm 。
通过静态分析可得到静态工作点，锗三极管的Ubeq=0.2V,Ibq=1.037mA,共基电流直流传输系数为0.99, 共射电流直流传输系数为99，Icq=102.663 mA 。
（2）计算电压放大倍数
放大电路的输入端加有效值为5mv,频率10KHz 的正弦波，观察输出波形是否失真。
记录输入、输出波形曲线，测量不失真时的输出电压，并计算电压放大倍数。
输出波形没有失真。
输入电压=9.995mv，输出电压=1.299V，放大倍数=129.96
（3）观察放大电路最大不失真输出范围
a.加大输入信号的幅值，观察到的最大不失真的输出电压的波形。
测量其峰峰值。
b．调节静态工作点，确立电路最大不失真电压范围，并指出最大饱和不失真电压值和最大截止不失真电压值。
加大输入信号的幅值为9.194mV，最大不失真的输出电压峰峰值=2.360V
（4）观察静态工作点对的影响
放大电路的输入端加有效值为5mv,频率10KHz的正弦波。
增大电位器RP 阻值为最大，观察输出波形出现何种失真，并记录输入、输出波形曲线。
减小电位器RP 阻值为最小，观察输出波形出现何种失真，并记录输入、输出波形曲线。
（5）测量放大电路的输出电阻
不接RL时,U1=751.851mv
接RL时,U2=392.90mv
R0=(U1/U2-1)RL=2.73kohm
2．共集电极放大电路（如下图）
步骤及要求同共发射极放大电路
（1）调整和测试静态工作点
调整直流稳压电源为12伏，接通电源，调整电位器RP, 用万用表测UCEQ=6V。
测量基极电阻（RP+Rb）并记录。
如图所示为直流电路，万用表测的Uceq=3.149V。
基极电阻为100kOhm,共基电流直流传输系数为0.99, 共射电流直流传输系数为99，Icq=102.663 mA。
（2）计算电压放大倍数
放大电路的输入端加有效值为5mv,频率10KHz的正弦波，观察输出波形是否失真。
记录输入、输出波形曲线，测量不失真时的输出电压，并计算电压放大倍数。
输出波形没有失真。
输入电压=9.974mv，输出电压=9.846mV，放大倍数=1
（3）观察放大电路最大不失真输出范围
a.加大输入信号的幅值，观察到的最大不失真的输出电压的波形。
测量其峰峰值。
b．调节静态工作点，确立电路最大不失真电压范围，并指出最大饱和不失真电压值和最大截止不失真电压值。
加大输入信号的幅值为1.848 V，最大不失真的输出电压峰峰值=3.698 V
（4）观察静态工作点对的影响
放大电路的输入端加有效值为5mv,频率10KHz的正弦波。
增大电位器RP 阻值为最大，观察输出波形出现何种失真，并记录输入、输出波形
曲线。
减小电位器RP 阻值为最小，观察输出波形出现何种失真，并记录输入、输出
波形曲线。
（5）测量放大电路的输出电阻
不接RL时，U1=3.512 mV
接RL时，U2=3.491 mV
放大电路的输出电阻R0=(U1/U2-1)Rl=18.046 ohm
实验过程中要注意选择正确元件。
吸取这次的教训。
因为选择了理想型晶体管。
耽误了进度。