TFT-LCD工艺流程教学提纲

第二章TFT显示器的制造工艺流程和工艺环境要求第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程（二）工艺制程1、成膜：PVD、CVD2、光刻：涂胶、图形曝光、显影3、刻蚀：湿刻、干刻4、脱膜二、辅助工艺制程1、清洗2、打标及边缘曝光3、AOI4、Mic、Mac观测5、成膜性能检测（RS meter、Profile、RE/SE/FTIR）6、O/S电测7、TEG电测8、阵列电测9、激光修补三、返工工艺流程PR返工Film返工四、阵列段完整工艺流程五、设备维护及工艺状态监控工艺流程Dummy Glass的用途Dummy Glass的流程第二节制盒段流程取向及PI返工流程制盒及Spacer Spray返工流程切割、电测、磨边贴偏光片及脱泡、返工第三节模块段流程激光切线、电测COG邦定、FPC邦定、电测装配、电测加电老化包装出货TFT 显示器的生产可以分成四个工序段：CF 、TFT 、Cell 、Module 。

其相互关系见下图：阵列段是从投入白玻璃基板，到基板上电气电路制作完成。

具体见下图：CF工序是从投入白玻璃基板，到黑矩阵、三基色及ITO制作完成。

具体见下图：Cell工序是从将TFT基板和CF基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。

具体见下图：Module工序是从LCD屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。

具体示意图如下：在以下的各节中，我们将逐一介绍TFT、Cell、Module的工艺制程。

由于天马公司现在没有规划CF 工厂，所以CF的工艺流程在此不作详细介绍。

第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程上海天马采用背沟道刻蚀型（BCE）TFT显示象素的结构。

具体结构见下图：对背沟道刻蚀型TFT结构的阵列面板，根据需要制作的膜层的先后顺序和各层膜间的相互关系，其主要工艺流程可以分为5个步骤（5次光照）：第一步栅极（Gate）及扫描线形成具体包括：Gate 层金属溅射成膜，Gate 光刻，Gate 湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。

经过这些工艺，最终在玻璃基板Gate 电极。

工艺完成后得到的图形见下图：第二步 栅极绝缘层及非晶硅小岛（Island ）形成具体包括：PECVD 三层连续成膜，小岛光刻，小岛干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。

经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT 用非晶硅小岛。

工艺完成后得到的图形见下图：CCross-section CC’第三步 源、漏电极（S/D ）、数据电极和沟道（Channel ）形成 具体包括：S/D 金属层溅射成膜，S/D 光刻，S/D 湿刻，沟道干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。

经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT 的源、漏电极、沟道及数据线。

到此，TFT 已制作完成。

工艺完成后得到的图形见下图：CSiNa-Si/n+第四步 保护绝缘层（Passivition ）及过孔（Via ）形成具体包括：PECVD 成膜，光刻，过孔干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。

经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT 沟道保护绝缘层及导通过孔。

工艺完成后得到的图形见下图：C第五步 透明象素电极ITO 的形成具体包括：ITO 透明电极层的溅射成膜，ITO 光刻，ITO 湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。

经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成透明象素电极。

至此，整个阵列工序制作完成。

工艺完成后得到的图形见下图：C至此，整个阵列工序制作完成。

简单来说5次光照的阵列工序就是：5次成膜＋5次刻蚀。

（二）工艺制程在上面的工艺流程中，我们提到，阵列的工艺流程是成膜、光刻、刻蚀等工艺制程的反复使用。

以下就这些工艺制程作具体的介绍。

1、成膜顾名思义，成膜就是通过物理或化学的手段在玻璃基板的表面形成一层均匀的覆盖层。

在TFT阵列制作过程中，我们会用到磁控溅射（Sputter，或称物理气相沉积PVD）和等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）。

A）磁控溅射（Sputter）溅射是在真空条件下，用He气作为工作气体。

自由电子在直流DC电场的作用下加速获得能量，高能电子碰撞He原子，产生等离子体。

He离子在DC电场的作用下，加速获得能量，轰击在靶材上，将靶材金属或化合物原子溅射出来，沉积在附近的玻璃基板上，最后形成膜。

磁场的作用是控制等离子体的分布，使成膜均匀。

磁控溅射的原理示意图如下：生产用磁控溅射设备如下图：具体溅射原理的介绍和详细的设备介绍参见后面相关的章节。

B ）PECVDPECVD 是通过化学反应在玻璃基板表面形成透明介质膜。

等离子体的作用是使反应气体在低温下电离，使成膜反应在低温下得以发生。

其原理示意图如下：Ar S u b s t r a t e h o l d e rT a r g e t h o l d e r+plasmaRF power 13.56 MHz ~ 1 mTorrUsed for ITO (Indium Tin Oxide transparent conductor) and for metals (Al, Mo, Ti, Cr, etc.)2典型的PECVD设备如下图：具体PECVD 原理的介绍和详细的设备介绍参见后面相关的章节。

2、光刻：涂胶、图形曝光、显影光刻的作用是将掩模版（Mask ）上的图形转移到玻璃表面上，形成PR Mask 。

具体通过涂胶、图形曝光、显影来实现。

见以下示意图：Layer to be patternedPhotoresistcoatingExposure through maskPhotoresist developingPhotoresist strippingEtching of layerA) 涂胶在玻璃表面涂布一层光刻胶的过程叫涂胶。

对于小的玻璃基板，一般使用旋转涂布的方式。

但对大的基板，一般使用狭缝涂布的方式。

见以下示意图：B) 图形曝光涂胶后的玻璃基板经干燥、前烘后可以作图形曝光。

对于小面积的基板，可以采用接近式一次完成曝光。

但对大面积的基板，只能采用多次投影曝光的方式。

下图是Canon 曝光机的工作原理图：由于大面积的均匀光源较难制作，Canon 采用线状弧形光源。

通过对Mask 和玻璃基板的同步扫描，将Mask 上的图形转移到玻璃基板上。

C) 显影经图形曝光后，Mask 上的图形转移到玻璃基板上，被光阻以潜影的方式记录下来。

要得到真正的图形，还需要用显影液将潜影显露出来，这个过程叫显影。

如果使用的光阻为正性光阻，被UV 光照射到的光阻会在显影过程中被溶掉，剩下没有被照射的部分。

Resist dispenserPhotoresistSpin coating Slit (extrusion) coating显影设备往往会被连接成线，前面为显影，后面为漂洗、干燥。

示意图如下：3、刻蚀：湿刻、干刻刻蚀分为湿刻和干刻两种。

湿刻是将玻璃基板浸泡于液态的化学药液中，通过化学反应将没有被PR 覆盖的膜刻蚀掉。

湿刻有设备便宜、生产成本低的优点，但由于刻蚀是各向同性的，侧蚀较严重。

干刻是利用等离子体作为刻蚀气体，等离子体与暴露在外的膜层进行反应而将其刻蚀掉。

等离子体刻蚀有各向异性的特点，容易控制刻蚀后形成的截面形态；但但高能等离子体对膜的轰击会造成伤害。

湿刻与干刻的原理见下图：湿刻的设备一般与后面清洗、干燥的设备连成线，见下图：Isotropic wet etchingAnisotropic dry etchingWet etching vs. dry etching (RIE)Glass substrateO 2containing etching gasGlass substrateGlass substrate干刻设备与PVD及PECVD设备一样，一般采用多腔体枚叶式布局。

由于设备内是真空环境，玻璃基板进出设备需要1－2个减压腔。

其余腔体为工艺处理腔。

见以下示意图：一般金属膜采用湿刻，介质膜采用干刻。

4、脱膜刻蚀完成后，需要将作掩模的光阻去除，去除光阻的过程叫脱膜。

一般脱膜设备会与其随后的清洗、干燥设备连线。

见下图：二、辅助工艺制程阵列工序的工艺流程中，除了以上介绍的主要工艺制程外，为了监控生产线的状态，提高产品的合格率，方便对产品的管理和增加了一些辅助的制程，如：清洗、打标及边缘曝光、AOI、 Mic/Mac观测、成膜性能检测、电测等。

以下就这些辅助工艺制程逐一作个简单介绍。

1、清洗清洗，顾名思义就是将玻璃基板清洗干净。

这是整个LCD工艺流程中使用最频繁的工艺制程。

在每次成膜前及湿制程后都有清洗。

清洗有湿洗和干洗，有物理清洗和化学清洗。

其作用和用途详见下表：具体在工艺流程中，玻璃基板流入生产线前有预清洗；每次成膜前有成膜前清洗；每次光阻涂布前有清洗；每次湿刻后及脱膜后也有清洗。

一般清洗设备的结构如下：由于清洗设备的结构与湿刻及脱膜设备的结构非常相识，所以这三个制程往往统称为湿制程。

2、打标及边缘曝光为了方便生产线的管理，我们需要对在生产线流通的每一张玻璃基板和Panel打上ID，这是通过打标制程来完成的。

通常打标制程会放在栅极光刻制程中，即栅极图形曝光后，显影前。

打标一般采用激光头写入。

随着玻璃基板的增大，曝光机的制作和大面积均匀光源的获得变得较难。

为了有效利用曝光设备，在图形曝光时只对玻璃基板中间有图形的有效区域进行曝光。

之后采用一种不需要Mask的边缘曝光设备对边缘区域曝光，然后去做显影。

这一过程叫边缘曝光。

3、自动光学检测（AOI）为了提高产品的合格率，在每次显影后和刻蚀后，一般会作一次光学检测。

一般采用线性CCD对玻璃基板上的图形进行扫描，将扫描后的图像作计算机合成处理后，与设计图形作比对，以发现可能存在的问题。

此过程即称为自动光学检测。

其典型设备如下图：4、宏微观检查（MAC/MIC）微观检查主要是通过显微镜对AOI或其他检测过程中发现的问题作进一步观测确认。

宏观检测是利用人眼对光和图像的敏锐观察，以发现显影后或刻蚀后大面积的不均匀。

微观、宏观检查往往设计在同一机器上。

典型的机器见下图：5、成膜性能检测在阵列的制程中有5次成膜。

成膜质量的好坏直接关系到产品的性能和合格率的高低。

所以生产中有许多对膜性能作检测的工序，尽管这些工序也许只是抽测。

对导电膜，一般会用四探针测试仪（RS Meter ）作膜层方块电阻测试；用反射光谱仪（SR ）作反射性能测试。

对介质膜，一般会用椭偏仪（SE ）作膜厚和透过性能测试；用付氏红外分析仪（FTIR ）作成分分析。

对所有的膜层都会用台阶仪（Profile ）作膜厚分析；用Mac 作宏观检查；用AFM 作表面形貌分析。