集成复习
系统集成项目管理工程师考试大纲复习知识点
1：系统集成工程办理根底常识1.信息化常识1.1信息化概念●信息与信息化本体论信息概念：事物的运动状态和状态变化方式的自我表述。
认识论信息概念：主体对于该事物的运动状态以及状态变化方式的具体描述，包罗对于他的“状态和方式〞的形式、含义和价值的描述。
信息本体论和认识论的彼此关系：〔1〕认识论信息和本体论信心是相通的，它们共同的核心都是“事物运动的状态和状态变化的方式〞；〔2〕两者之间还可以彼此转化，转化的底子条件就是主体因素：引入主体因素，本体论信息就转化为认识论信息；去除主体因素，认识论信息就转化成为主体论信息；〔3〕人类认识世界的任务和先觉条件之一，就是要把本体论信息恰如其分的转化为认识论信息，为其后的决策提供依据。
信息化：信息化是人类社会开展的一个高级进程，其核心是要通过全体社会成员的共同努力，在经济和社会各个领域充实应用基于现代化信息技术的先进社会出产东西，创立信息时代社会出产力，鞭策出产关系和上层建筑的鼎新，使国家的综合实力、社会的文明本质和人民的生活质量全面到达现代化程度。
●国家信息化体系要素国家信息化体系包罗信息技术应用、信息资源、信息网络、信息技术和财产、信息化人才、信息化法规政策和尺度尺度6个要素。
●国家信息化开展战略推进国民经济信息化；推行电子政务；建设先进网络文化；推进社会信息化；完善综合信息根底设施；加强信息资源的开发操纵；提高信息财产竞争力；建设国家信息平安保障体系；提高国民信息技术应用能力，造就信息化人才步队。
●战略资源地盘、能源、材料+信息1.2电子政务●电子政务的概念和内容电子政务：指当局机构在其办理和效劳本能机能中运用现代信息技术，实现当局组织布局和工作流程的重组优化，超越时间、空间和部分分隔的制约，建设一个精简、高效、廉洁、公平的当局运作模式。
电子政务的广义概念包罗电子政务、电子党务、电子政协、电子人大。
电子政务模型：可简单概括为2个方面，〔1〕当局部分内部的办公自动化、办理信息化、决策科学化；〔2〕当局部分与社会各界操纵网络信息平台充实进行信息共享与效劳、加强群众监督、提高处事效率及促进政务公开等。
半导体集成电路复习
填空，判断，简答，计算一、填空题1.用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
1．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
2．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
3．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
4．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
5．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。
6．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。
7．化学气相淀积是通过（气体混合）的化学反应在硅片表面淀积一层（固体膜）的工艺。
硅片表面及其邻近的区域被（加热）来向反应系统提供附加的能量。
8．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。
9．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。
10．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。
11．光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。
12．刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。
13．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散掺杂）和（离子注入）两种，其中（离子注入）是最重要的掺杂方法。
14．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。
集成电路原理及应用期末复习资料..
1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。
共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。
差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。
对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压3.共模抑制比的定义？集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比4.集成运放的主要直流参数：输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压5.集成运放主要交流参数：开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
6.理想集成运放的基本条件。
1.差模电压增益为无穷大2.输入电阻为无穷大3.输出电阻为04.共模抑制比CMRR为无穷大5.转换速率为无穷大即Sr=006.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为08.干扰和噪声均为07.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。
代表的实际物理意义。
其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。
半导体集成电路工艺 复习
第一次作业：1，集成时代以什么来划分？列出每个时代的时间段及大致的集成规模。
答：类别时间数字集成电路模拟集成电路 MOS IC 双极ICSSI 1960s前期MSI 1960s~1970s 100～500 30～100LSI 1970s 500～2000 100～300 VLSI 1970s后期~1980s后期 >2000 >300 ULSI 1980s后期~1990s后期GSI 1990s后期~20世纪初SoC 20世纪以后2，什么是芯片的集成度？它最主要受什么因素的影响？答：集成度：单个芯片上集成的元件（管子）数。
受芯片的关键尺寸的影响。
3，说明硅片与芯片的主要区别。
答：硅片是指由单晶生长，滚圆，切片及抛光等工序制成的硅圆薄片，是制造芯片的原料，用来提供加工芯片的基础材料；芯片是指在衬底上经多个工艺步骤加工出来的，最终具有永久可是图形并具有一定功能的单个集成电路硅片。
4，列出集成电路制造的五个主要步骤，并简要描述每一个步骤的主要功能。
答：晶圆(硅片)制备(Wafer Preparation)；硅(芯）片制造(Wafer Fabrication)：在硅片上生产出永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。
硅片测试/拣选(Die Test/Sort)：单个芯片的探测和电学测试，选择出可用的芯片。
装配与封装(Assembly and Packaging)：提供信号及电源线进出硅芯片的界面；为芯片提供机械支持，并可散去由电路产生的热能；保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。
成品测试与分析（或终测） (Final Test)：对封装后的芯片进行测试，以确定是否满足电学和特性参数要求。
5，说明封装的主要作用。
对封装的主要要求是什么。
答：封装的作用：提供信号及电源线进出硅芯片的界面；为芯片提供机械支持，并可散去由电路产生的热能；保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。
主要要求：电气要求：引线应当具有低的电阻、电容和电感。
数字集成电路复习必备知识点总结
1. 集成电路是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管、MOS管等有源器件和阻、电容、电感等无源器件，按一定电路互连，“集成”在一块半导体晶片（硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的一种器件。
2.集成电路的规模大小是以它所包含的晶体管数目或等效的逻辑门数目来衡量。
等效逻辑门通常是指两输入与非门，对于CMOS集成电路来说，一个两输入与非门由四个晶体管组成，因此一个CMOS电路的晶体管数除以四，就可以得到该电路的等效逻辑门的数目，以此确定一个集成电路的集成度。
3.摩尔定律”其主要内容如下：集成电路的集成度每18个月翻一番/每三年翻两番。
摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是三方面的贡献:（1）特征尺寸不断缩小，大约每3年缩小 1.41倍；（2）芯片面积不断增大，大约每3年增大 1.5倍；（3）器件和电路结构的改进。
4.反标注是指将版图参数提取得到的分布电阻和分布电容迭加到相对应节点的参数上去，实际上是修改了对应节点的参数值。
5.CMOS反相器的直流噪声容限:为了反映逻辑电路的抗干扰能力，引入了直流噪声容限作为电路性能参数。
直流噪声容限反映了电流能承受的实际输入电平与理想逻辑电平的偏离范围。
6. 根据实际工作确定所允许的最低输出高电平，它所对应的输入电平定义为关门电平；给定允许的最高输出低电平，它所对应的输入电平为开门电平7. 单位增益点.在增益为0和增益很大的输入电平的区域之间必然存在单位增益点，即dVout/dVin=1的点8. “闩锁”现象在正常工作状态下，PNPN四层结构之间的电压不会超过Vtg，因此它处于截止状态。
但在一定的外界因素触发下，例如由电源或输出端引入一个大的脉冲干扰，或受r射线的瞬态辐照，使PNPN四层结构之间的电压瞬间超过Vtg，这时，该寄生结构中就会出现很大的导通电流。
只要外部信号源或者Vdd和Vss能够提供大于维持电流Ih的输出，即使外界干扰信号已经消失，在PNPN四层结构之间的导通电流仍然会维持，这就是所谓的“闩锁”现象9. 延迟时间：T pdo ——晶体管本征延迟时间；UL ——最大逻辑摆幅，即最大电源电压；Cg ——扇出栅电容(负载电容)；Cw ——内连线电容；Ip ——晶体管峰值电流。
集成电路设计基础复习
1. 在P 衬底硅片上设计的PMOS 管可以分为n+层、SiO 2层、多晶硅层、金属层和N 井层。
2. 在集成电路设计中，制造厂商所给的工艺中有R □为它成为（方块电阻）。
3. MOS 管元件参数中的C ox 是栅极单位面积所具有的（电容值）。
4. 对于NMOS 而言，工作在饱和区中，其漏电流I D 等于（21()2D P ox GS TH WI C V V Lμ=-），不能使用β或K 来表示。
5. 对于PMOS 而言，工作在饱和区中，其漏电流I D 等于（21(||)2D P ox SG TH WI C V V Lμ=--），不能使用β或K 来表示。
6. 对于工作在饱和区的NMOS 而言，其g m 等于（2Dm GS THI g V V =-），只能有I D 和过驱动电压表示。
7. 对于工作在饱和区的NMOS 而言，其g m等于（m g =），只能有I D 、W 、L 以及工艺参数表示。
8. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域，可以作为MOS 电阻的区域为（深度三极管区）。
9. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（饱和区）。
10. 对于NMOS 而言，导电沟道形成，但没有产生夹断的外部条件为（V DS 小于V GS -V TH ）。
11. 差动信号的优点，能（有效抑制共模噪声），增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和输出线性度更高。
12. 分析MOS 共栅放大电路，其电流增益约等于（1）。
13. 差动信号的优点，能有效抑制共模噪声，增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和（输出线性度更高）。
14. 共源共栅电流镜如下图所示，当V X 电压源由大变小的过程中，M2和M3管，（M3）先退出饱和区。
1. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（ B ）。
A 线性区B 饱和区C 截止区D 三极管区2. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为MOS电阻的区域为（ A ）。
集成电路总结(附重点知识点参考答案)
1.集成电路重点知识复习点1.芯片制作过程中主要的工艺有哪些？主要的三项工艺：薄膜制备工艺、光刻/图形转移工艺、掺杂工艺薄膜制备工艺：在晶圆表面生长或淀积数层材质不同，厚度不同的膜层，如器件工作区的外延层，绝缘介质层，金属层等。
该工艺通过常用方法有：外延生长，氧化，淀积。
图形转移工艺：包括掩膜版的制作，涂光刻胶，曝光（光刻），显影，烘干，刻蚀。
电路结构以图形的形式制作在光刻掩膜版上。
然后通过图形转换工艺转移精确转移到硅晶片上。
掺杂工艺：包括扩散工艺和离子注入工艺。
各种杂质按照设计要求掺杂到晶圆上，形成晶体管的源漏端以及欧姆接触等。
2.PN结形成的过程是什么？在纯净的本增半导体中少量掺杂施主杂质，如磷，取代硅原子，就形成了N型半导体。
参与导电的主要是带负电的电子，电子为多数载流子，又称多子。
空穴为少数载流子，又称少子。
在纯净的本增半导体中少量掺杂受主杂质，如硼，取代硅原子，就形成了P型半导体。
因为参与导电的主要是带正电的空穴，空穴为多子。
当P型半导体和N型半导体放在一起之后，多子和少子从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，P区留下的不能移动的负离子和N区留下的不能移动的正离子在半导体交界面形成了一个很薄的空间电荷区，又称耗尽层。
这就是PN结。
ＰＮ结有内电场，由N区指向P区，内电场阻止多子的扩散运动，促使少子的漂移运动。
最终PN结达到动态平衡。
ＰＮ结具有单向导电性，当外加正向电压（Ｐ区接正电压）时，ＰＮ结处于导通状态，结电阻很小。
当外加负向电压（Ｎ区接正电压）时，ＰＮ结处于截止状态，结电阻很大。
当反向电压加到一定程度，PN结会击穿二损坏。
3.典型的N阱CMOS的剖面图是什么？4.MOS器件的工作区域有哪些？每个区域中的载流子是如何运作的？以NMOS为例：截止区：Vgate加较小的正电压，外加电场使得正电荷积聚在栅极，同时，空穴被排斥到更为底层的主体的衬底区；当空穴被排斥，在栅极下端的主体的P区表面，只留下带负电的不可移动的离子,耗尽区在栅极下方形成；Vgate进一步加大，更多衬底的少子被吸引到表面，当Vgs=VT时，表面将产生足够的电子，使得主体表面形成一层很薄的N型区，此N型区域中，电子的浓度大于空穴的浓度。
集成电路复习题
图3-1-2 二极管对数器 的传输特性
当 t=25 º 时，UT≈59mV。 C
7.2 三极管对数放大器
在理想运放的条件下
I c I E I S e
输出电压为
q U be kT
Ui 2.3kT U o U be lg ( ) q RIS Ui 图3-1-3 三极管对数放大电路 U T lg( ) RIS 采用三极管作变换元件，可实现5～6个数量级的动态范 围，而采用二极管可实现3～4个数量级的动态范围。
这种特性称为上行特性
图3-6-1 具有上行特性的单限 电压比较器及其输入输出特性
外加一个门限电位Em 当Ui＞Em时，uO=UOL；
当Ui＜Em时，uO=UOH。
这种特性称为下行特性。
图3-6-2 具有下行特性的单限 电压比较器及其输入输出特性
11 迟滞电压比较器
具有迟滞输出特性的电压 比较器，叫迟滞电压比较器， 也称回差电压比较器。 1. 输入输出特性 有两个门限电位，数值大 EmH叫上门限电位，数值小 EmL叫下门限电位，两者之 差叫门限宽度，用Em表示， Em= EmH EmL 。
9 二极管检波器（精 密半波整流）
1.理想二极管检波器
工作原理：
当ui＞0时，VD1导通， VD2截止，
图3-3-1 理想二极管检波电路
uo U D uo u 0
当ui ＜0时，VD1截止，VD2导通， u o ＞0 ，
R2 u o ui R1
uo U D + uo U D R2 R1 ui
输出电流为1A 的恒流源电路
输出电流可调 的恒流源电路
图7-1-18 恒流源电路
扩大输出电流的电路
系统集成学习计划复习
系统集成学习计划复习一、总体目标系统集成学习计划复习是为了巩固和拓展系统集成相关知识，提高系统集成能力，从而更好地应对实际工作中的挑战。
通过系统学习、复习和实践，达到以下总体目标：1. 熟练掌握系统集成的基本理论知识；2. 能够熟练运用系统集成的工具和方法；3. 能够独立完成系统集成的任务；4. 提高解决问题的能力和创新思维。
二、复习内容系统集成学习计划复习的内容主要包括以下方面：1. 系统集成的基本概念和原理；2. 系统集成的基本方法和工具；3. 系统集成的实际案例和实践经验；4. 系统集成的最新发展和趋势。
三、复习方法为了达到上述总体目标，制定了以下复习方法：1. 系统学习：通过系统学习相关的教材、课件、案例等，深入理解系统集成的基本理论知识。
2. 实践应用：通过完成实际的系统集成任务，熟练运用系统集成的方法和工具，提高实际操作能力。
3. 经验总结：学习并总结各种实际案例和经验，不断提升自己的系统集成能力。
4. 学习更新：关注系统集成行业的最新发展和趋势，不断学习和更新知识。
四、复习计划为了有条不紊地进行系统集成学习计划复习，制定了以下复习计划：1. 第一阶段：系统学习首先，我们将花费2个月的时间系统学习相关的理论知识，包括系统集成的基本概念、原理、方法和工具等。
在这段时间内，我们将阅读相关的教材和课件，深入理解系统集成的基本理论知识。
2. 第二阶段：实践应用接下来，我们将投入3个月的时间进行实践应用，通过完成实际的系统集成任务，熟练运用系统集成的方法和工具。
在这段时间内，我们将结合实际案例，深入理解系统集成的实际应用。
3. 第三阶段：经验总结然后，我们将花费1个月的时间学习并总结各种实际案例和经验，不断提升自己的系统集成能力。
在这段时间内，我们将结合实际工作和案例，不断总结经验，提高解决问题的能力。
4. 第四阶段：学习更新最后，我们将花费1个月的时间关注系统集成行业的最新发展和趋势，不断学习和更新知识。
集成电路设计复习题
集成电路设计复习题（部分）相关说明：（1）这只是部分内容，但基本可以保证大家通过考试；（2）请大家利用这个周末的时间好好复习，希望大家最好都能记住；（3）最后强调一下：因为最后一周是考试周，学校考场纪律会比较严格，巡考的老师和领导会比较多，大家最好不要带纸条到考场！也就是说，之前的允许大家打小抄的说法基本作废！该花的时间还是要花的！祝大家考试顺利！1、集成电路的发展遵循了什么定律？简述集成电路设计流程。
说明版图设计在整个集成电路设计中所起的作用。
2、（1）集成电路设计方法的种类主要有哪些？（2）名词解释：ASIC、SOC、DSP、HDL等常见缩写3、（1）描述多晶硅在CMOS工艺中所起的基本作用。
（2）假定某材料的方块电阻值为10 Ω，电阻的长度为30 μm，宽度为10 μm，该电阻阻值为多少？如果其他条件不变，长度变为25 μm，则该电阻的阻值又是多少？4、SOI材料是怎样形成的，有何特点？肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？5、讨论半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
6、写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并说明各自的优缺点。
给出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式。
7、简述双阱CMOS工艺的基本工艺流程。
8、（1）MOSFET的饱和电流主要取决于哪些参数？（2）什么是MOS器件的体效应？请指出（3）版图中有源区接触孔、多晶硅接触孔和通孔的作用各是什么？8、讨论MOSFET的基本结构。
讨论MOSFET的阈值电压及其影响因素。
9、画出电阻的高频等效电路。
集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件，能进行哪些性能分析？10、信号线的版图设计准则有哪些？集成电路封装工艺基本流程有哪些？11、（1）版图设计规则中的基本几何关系主要包括哪几种，试画图说明？（2）电源线的版图设计准则有哪些？（3）某电阻需要通过100微安电流，该电阻宽2微米，如果它的电流密度值为0.12毫安/微米，试通过计算判断该电阻能否可靠工作。
集成电路设计复习题
集成电路设计复习题微电子导论复习题第一章绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2．集成电路分类情况如何？第二章半导体物理和器件物理基础1．什么是半导体？特点、常用半导体材料2．掺杂、施主/受主、P型/N型半导体。
半导体中的载流子、迁移率3．PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性，PN结击穿有几种4．双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性5．MOS晶体管基本结构、工作原理、I-V方程、三个工作区的特性，MOS晶体管分类第三章大规模集成电路基础1．集成电路制造流程、特征尺寸2．CMOS集成电路特点3．MOS开关、CMOS传输门特性4．CMOS反相器特性(电压传输特性、PMOS和NMOS工作区域)5．CMOS组合逻辑：基本逻辑门、复合门、反相器、二输入与非、或非门7．闩锁效应起因？第四章集成电路制造工艺1．集成电路工艺主要分几大类，各包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用2．简述光刻的工艺过程第五章集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。
（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。
为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。
10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.形式验证（Formal Verification）的含义？7.什么是DFT（Design for Test）？8.常用的可测性设计方法有哪些？9.物理验证包括哪些项？10.SoC中常用的总线有哪些？各有什么特点？11.IP的基本概念和IP分类12.IP设计流程13.IP的验证14.IP复用技术面临的挑战15.简要说明什么是Synopsys DesignWare？16.什么是可综合RTL代码，下面的设计是否可综合，为什么？Initial Beg in #10 data_out = 8’h55 ;End17.什么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？18.异步电路之间如何实现数据传输？19.逻辑综合的概念。
集成电路复习
集成电路复习⼀填空题：（⼀⽹上）1.在集成电路设计中，常⽤的电路仿真软件有___SPICE__________________ 、_____SPECTRE_________2.在模拟集成电路中MOS晶体管是四端器件即：_源极______、__栅极______、___漏极____、_衬底_____.3.MSO管的主要⼏何参数：沟道长度、_沟道宽度_、__栅氧化成厚度________________。
4.饱和区MOS管的直流导通电阻表达式是：________________________________________1，描述集成电路⼯艺技术⽔平的五个技术指标为：集成度、特征尺⼨芯⽚⾯积、晶⽚直径以及封装。
2．在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为有源区区；⼀种很厚的氧化层，位于芯⽚上不做晶体管、电极接触的区域，称为场区。
3．摩尔定律是：?集成电路的集成度，即芯⽚上晶体管的数⽬，每隔18个⽉增加⼀倍或每3年翻两番。
4．IC设计单位不拥有⽣产线，称为⽆⽣产线，IC制造单位致⼒于⼯艺实现，没有IC设计实体，称为代⼯。
6．根据阈值电压不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。
7．IC⼯艺中的“制版”就是要产⽣⼀套分层的版图掩模，为将来进⾏图形转换，即将设计的版图转移到晶圆上去做准备。
8．薄层电阻⼜称⽅块电阻，其定义为正⽅形的半导体薄层，在电流⽅向所呈现的电阻，常⽤欧姆每⽅表⽰。
其值直接反映的是扩散薄层的杂质总量的多少。
9．半导体集成电路薄膜制备的主要⼯艺有：外延、氧化、蒸发、淀积。
10．在单位电场强度作⽤下，载流⼦的平均漂移速度称为载流⼦的迁移率[cm2/V?S]，它反映了载流⼦在半导体内作定向运动的难易程度，其值的⼤⼩直接影响器件的⼯作速度。
11.CMOS 逻辑电路中NMOS 管是（增强）型，PMOS 管是（增强）型；NMOS 管的体端接（地），PMOS 管的体端接（VDD ）。
12.CMOS 逻辑电路的功耗由3 部分组成，分别是（动态功耗（开关过程中的短路功耗）和（静态功耗）；增⼤器件的阈值电压有利于减⼩（短路功耗和静态）功耗。
软考系统集成项目管理工程师复习重点
软考系统集成项目管理工程师复习重点第一章信息化基础知识信息与信息化信息是一种客观事物，它与材料、能源一样，都是社会的基础资源。
信息化是现代信息技术与社会各个领域及其各个层面相互作用的动态过程与结果。
国家信息化体系要素包括信息技术应用、信息资源、信息网络、信息技术和产业、信息化人才、信息化法规政策和标准规范。
国家信息化发展战略指导思想：以邓小平理论和“三个代表”重要思想为指导，贯彻落实科学发展，坚持以信息化带动工业化，以工业化促进信息化，坚持以改革开放和科技创新为动力，大力推进信息化，充分发挥信息化在促进经济、政治、文化、社会和军事等领域发展的重要作用，不断提高国家信息化水平，走中国特色的信息化道路，促进我国经济社会又好又快地发展。
战略方针：统筹规划、资源共享，深化应用、务求实效，面向市场、立足创新，军马结合，安全可靠。
战略目标：《2006-2020年国家信息化发展战略》促进经济增长方式的根本转变。
实现信息技术自主创新、信息产业发展的跨越。
提升网络普及水平、信息资源开发利用水平和信息安全保障水平。
增强政府公共服务能力、社会主义先进文化传播能力、中国特色的军事变更能力和国民信息技术应用能力。
我国企业信息化发展的战略要点：1、以信息化带动工业化2、信息化与企业业务全过程的融合、渗透3、信息产业发展与企业信息化良性互动4、充分发挥政府的引导作用5、高度重视信息安全6、企业信息化与企业的改组改造和形成现代企业制度有机结合7、“因地制宜”推进企业信息化推进企业信息化的指导思想是：政府推动，统筹规划，企业行为，政府支持，分步实施。
推进企业信息化原则：1、效益原则；2、“一把手”原则；3、中长期与短期建设相结合；4、规范化和标准化原则；5、以人为本的原则。
企业信息系统：企业资源计划是建立在信息技术基础上，利用现代企业的现代管理思想，全面地集成企业的所有资源信息，并为企业提供决策、计划、控制与经营业绩评估的全方位和系统化的管理平台。
集成电路工艺原理(期末复习资料)
第一章概述1、集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如Si、GaAs）上，封装在一个内，执行特定电路或系统功能。
2、特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。
它是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，越小，芯片的集成度越高，速度越快，性能越好3、摩尔定律：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月就翻一番。
4、High-K材料：高介电常数，取代SiO2作栅介质，降低漏电。
Low-K 材料：低介电常数，减少铜互连导线间的电容，提高信号速度5、功能多样化的“More Than Moore”：指的是用各种方法给最终用户提供附加价值，不一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向3D集成或精确的封装级(SiP)或芯片级(SoC)转移。
6、IC企业的分类：通用电路生产厂；集成器件制造；Foundry厂；Fabless：IC设计公司；第二章：硅和硅片的制备7、单晶硅结构：晶胞重复的单晶结构能够制作工艺和器件特性所要求的电学和机械性能8、CZ法生长单晶硅：把熔化的半导体级硅液体变成有正确晶向，并且被掺杂成n或p型的固体硅锭；9、直拉法目的：实现均匀掺杂和复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径，限制杂质引入；其关键参数：拉伸速率和晶体旋转速度10、区熔法特点：纯度高，含氧低；晶圆直径小。
第三章集成电路制造工艺概况11、亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型第四章氧化12、热生长：在高温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，得到一层热生长的SiO2 。
13、淀积：通过外部供给的氧气和硅源，使它们在腔体中方应，从而在硅片表面形成一层薄膜。
14、干氧：Si（固）＋O2（气）－> SiO2(固)：氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好.水汽氧化：Si （固）＋H2O （水汽）－>SiO2（固）+ H2 （气）：氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差。
网络集成复习题
一、选择题1、下列选项中，（）不是网络互联设备。
A 显示卡B 网卡C 中继器D 交换机2、IP地址共占（）位，一般以（）个十进制数字表示。
A 36、9B 32、4C 128、16D 128、323、CNNIC是指（）。
A 中国国家计算和网络设施B亚太互联网络信息中心C 中国互联网络信息中心D 网络服务提供商4、TCP/IP协议根据（）区分网络号和主机号。
A子网地址 B DNS地址 C 默认子网掩码 D 默认网关5、路由器工作在（）。
A数据链路层B传输层C物理层D网络层6、下面说法错误的是（）。
A路由器能实现子网隔离，抑制广播风暴。
B DNS和WINS都是名字服务。
C在windows 2003中，只能使用IIS发布WEB服务。
D VPN是对内部网的扩展，它可以帮助远程用户、公司分支同公司的内部网建立可信的安全链接。
7、国内最大的路由器生产商是（）。
A 华为B 思科C 中兴D 大唐8、Http协议的默认端口是（），FTP是使用（）端口发送和接收FTP的控制信息。
A 8080、20B 8080、21C 80、21 D80、209、查询DNS信息的常用命令是（）。
A telnetB pingC ipconfigD nslookup10、以下（）是正确的电子邮件地址。
A @B zhang@C D zhang@group1@11、在OSI模型中，共有（）层。
A 5B 6C 7D 812、在OSI模型中，由（）构成通信子网。
A 会话层、表示层、会话层B 物理层、数据链路层、网络层C 网络层、传输层、应用层D 传输层、会话层、表示层13、下列不属于TCP/IP参考模型的是（）。
A网络接口层B应用层C互联网层D会话层14、下列属于电子邮件服务的协议是（）。
A SNMPB HTTPC SMTPD Telnet15、IP地址的4个字节全部是1表示（）。
A这是一个网络地址 B 这是一个向本网广播的地址C 这是一个保留地址D这是一个向特定网广播的地址16、从IP地址193.100.20.11中可以看出（）。
系统集成项目管理工程师重点复习章节
系统集成项目管理工程师重点复习章节一、项目管理概述项目管理的定义项目管理的目标和作用项目管理的原理和特点二、项目生命周期及其特点项目生命周期的定义项目生命周期的阶段和特点项目生命周期的管理原则三、项目经济决策与效益评价项目经济决策的方法和指标项目效益评价的方法和指标项目投资决策的过程和关键点四、需求管理需求管理的定义和重要性需求获取和定义的方法和技巧需求分析和验收的方法和工具五、项目范围管理项目范围管理的目标和任务项目范围的定义和划分项目范围变更的控制和管理六、项目进度管理项目进度管理的目标和原则项目进度计划的制定和控制项目进度延误的原因和解决方法七、项目成本管理项目成本管理的目标和原则项目成本估算的方法和工具项目成本控制的方法和技巧八、项目质量管理项目质量管理的目标和原则项目质量计划的制定和执行项目质量控制和评估的方法和工具九、项目风险管理项目风险管理的目标和原则项目风险识别和评估的方法和工具项目风险控制和应对的策略十、项目资源管理项目资源管理的目标和原则项目人力资源管理的方法和技巧项目物资资源管理和供应的方法和工具十一、项目沟通管理项目沟通管理的目标和原则项目沟通计划和执行的方法和工具项目沟通障碍和解决方法十二、项目合同管理项目合同管理的目标和原则项目合同的签订和履行流程项目合同风险的控制和解决方法十三、项目信息管理项目信息管理的目标和原则项目信息收集和整理的方法和工具项目信息保密和安全的策略十四、项目干系人管理项目干系人管理的目标和原则项目干系人识别和分析的方法和工具项目干系人参与和影响力的管理总结：本文通过对系统集成项目管理工程师的重点复习章节进行论述，首先概述了项目管理的定义、目标和作用，以及项目管理的原理和特点。
接着讨论了项目生命周期及其特点、项目经济决策与效益评价、需求管理、项目范围管理、项目进度管理、项目成本管理、项目质量管理、项目风险管理、项目资源管理、项目沟通管理、项目合同管理、项目信息管理和项目干系人管理等内容。
集成电路制造工艺客观题复习含答案精选全文
可编辑修改精选全文完整版集成电路制造工艺客观题复习含答案化学汽相淀积的英文缩写是（）。
[单选题]A.VPEB.CVD(正确答案)C.PVDSERPVD是指（）。
[单选题]A.物理汽相淀积(正确答案)B.等离子体C.汽相外延D.二氧化硅LPCVD的气压控制在（）范围。
[单选题]A.10~100torrB.1~100torrC.0.01~1torr(正确答案)D.0.001~1torr低压化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]A.APCVDB.LPCVD(正确答案)C.PECVDD.LCVD常压化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]A.APCVD(正确答案)B.LPCVDC.PECVDD.LCVD等离子体增强化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]A.APCVDB.LPCVDC.PEPVD(正确答案)D.LCVD激光诱导化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]A.APCVDB.LPCVDC.PEPVDD.LCVD(正确答案)CVD的过程是（）。
[单选题]A.排出-反应-扩散B.转移-介吸-反应-扩散C.输送-扩散-吸附-反应-介吸-转移-排出(正确答案)D.反应-吸附-转移VPE是指（）。
[单选题]A.低压外延B.离子注入C.等离子体D.汽相外延(正确答案)物理汽相淀积的英文缩写是（）。
[单选题]A.VPEB.CVDC.PVD(正确答案)SERPVD是指（）。
[单选题]A.物理汽相淀积(正确答案)B.等离子体C.汽相外延D.二氧化硅Ti.Ta.Al.Cu.Pt对应的物质分别是（）。
[单选题]A.钛.钽.铜.铝.铂B.钛.钽.铝.铜.铂(正确答案)C.钛.钽.铝.铜.金D.钛.钽.铝.铜.银蒸镀的过程为（）。
[单选题]A.蒸发—气相质量输运—淀积成膜(正确答案)B.离化—气相质量输运—淀积成膜C.蒸发—离化—淀积成膜D.离化—挥发—淀积成膜薄膜对应的英文是（）。
[单选题]A.siliconB.polyC.substrateD.film(正确答案)蒸发和溅射对应的英文是（）。
集成模拟考试题及答案
集成模拟考试题及答案# 集成模拟考试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 以下哪个不是数字信号的特点？A. 离散性B. 确定性C. 连续性D. 随机性答案：C3. 在数字电路设计中，以下哪个不是常用的逻辑门？A. AND门B. OR门C. XOR门D. NOT门答案：D（NOT门是最基本的逻辑门之一）二、填空题1. 模拟信号具有______和______的特点。
2. 数字信号的传输方式主要有______和______。
答案：1. 连续性，不确定性2. 并行传输，串行传输三、简答题1. 简述模拟信号与数字信号的区别。
答案：模拟信号是连续变化的信号，可以表示任何连续的波形，如声音、温度等。
数字信号则是离散的，它表示的是一系列离散的值，通常用二进制数表示。
模拟信号与数字信号的主要区别在于模拟信号是连续的，而数字信号是离散的。
四、计算题1. 假设有一个RC电路，其中R=1kΩ，C=1μF，求该电路的充电时间常数τ。
答案：充电时间常数τ由公式τ=RC计算得出，代入数值得到τ=1kΩ*1μF=1秒。
五、论述题1. 论述数字电路与模拟电路在现代电子系统中各自的优势和应用场景。
答案：数字电路的优势在于其处理速度快，可靠性高，易于实现大规模集成，适合用于计算机、通信设备等需要高速处理和精确控制的场合。
模拟电路则在处理连续信号方面具有优势，如音频放大、信号调制解调等，它们在需要模拟信号处理的场合中不可或缺。
结束语：本次集成模拟考试题涵盖了模拟与数字电路的基本概念、特点、区别及其应用场景，旨在帮助考生全面复习和掌握相关知识点。
希望考生能够通过本次模拟考试，加深对电路基础知识的理解，为实际应用打下坚实的基础。
中级系统集成项目管理工程师之定期复习与总结
中级系统集成项目管理工程师之定期复习与总结近年来，信息技术行业飞速发展，系统集成项目管理工程师成为一项备受青睐的职业。
作为一名中级系统集成项目管理工程师，定期的复习与总结是提升自身技能和知识的重要途径。
本文将对中级系统集成项目管理工程师的定期复习与总结进行探讨。
1. 了解最新技术趋势在信息技术行业中，科技产品和解决方案的更新换代速度很快。
作为系统集成项目管理工程师，必须保持敏锐的技术嗅觉，及时了解最新的技术趋势。
可以通过参加相关领域的研讨会、技术交流会等活动来增加对最新技术的了解。
此外，定期阅读相关领域的技术文章、研究报告等也是有效的途径。
2. 复习基础知识与理论中级系统集成项目管理工程师需要掌握一定的基础知识与理论，包括但不限于项目管理、系统架构设计、软件开发等方面。
定期复习基础知识与理论可以帮助工程师巩固所学，并保持对领域知识的全面了解。
可以通过阅读相关的教材、参考书籍、行业规范等进行复习，也可以通过参加培训班、在线学习平台等形式加强对基础知识的掌握。
3. 总结项目经验与教训作为中级系统集成项目管理工程师，项目经验是提升自身能力的重要组成部分。
定期总结项目经验与教训，可以帮助工程师反思自身的工作方式与方法，提高工作效率和质量。
可以针对每个项目，总结项目的成功经验和存在的问题，并提出相应的改进措施。
此外，也可以与其他工程师进行交流和讨论，互相分享项目经验和教训，促进共同成长。
4. 学习项目管理工具与方法中级系统集成项目管理工程师需要熟练掌握项目管理工具与方法，如甘特图、风险管理、资源分配等。
定期学习和使用项目管理工具与方法，可以帮助工程师更好地组织和管理项目，提高项目的成功率和质量。
可以通过参加项目管理培训课程、阅读相关的书籍和论文等方式进行学习。
同时，也可以通过实际项目的实践和应用来提升自身的项目管理能力。
5. 提升沟通与团队合作能力中级系统集成项目管理工程师需要与各个项目成员进行有效的沟通和协调，同时也要与不同团队进行紧密的合作。
集成电路工艺复习资料
1.特征尺寸〔Critical Dimension,CD〕的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。
①在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。
②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。
2.集成电路制造步骤：①Wafer preparation(硅片准备)②Wafer fabrication (硅片制造)③Wafer test/sort (硅片测试和拣选)④Assembly and packaging (装配和封装)⑤Final test(终测)3.单晶硅生长：直拉法〔CZ法〕和区熔法〔FZ法〕。
区熔法〔FZ法〕的特点使用掺杂好的多晶硅棒；优点是纯度高、含氧量低；缺点是硅片直径比直拉的小。
4.不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。
例如迁移率，界面态等。
MOS集成电路通常用〔100〕晶面或<100>晶向；双极集成电路通常用〔111〕晶面或<111>晶向。
5.硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。
氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片外表生长氧化硅的过程。
氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片外表、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。
氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2 →SiO2②湿氧氧化：Si ＋H2O ＋O2 →SiO2+H2③水汽氧化：Si ＋H2O →SiO2 ＋H2硅的氧化温度：750 ℃～1100℃6.硅热氧化过程的分为两个阶段：第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。
第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子充足7.在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷。
①. 可动电荷：指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第一章1.集成电路工艺对衬底的材料要求？1.衬底材料必须纯净，晶体结构完美；2.单晶硅片单面或双面高度平整和光洁；3.衬底片的厚度在800~500 μm范围内；4.导电类型为N型或P型;5.要有确定的体电阻率；6.符合要求的晶体结晶质量；7.具有确定的的晶体取向，如<111><100><110>。
2. 光电导效应/光生伏特效应？在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量，若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度，就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。
光照使半导体材料的不同部位之间产生电位差的现象为光生伏特效应。
3. 晶体的特点？1.均匀原子周期性排列。
2.各向异性,也叫非均质性.(各个方向上物理和化学性质不同)。
3.明显确定的熔点。
4.有特定的对称性。
5.使X射线产生衍射。
4. 缺陷的种类？点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷5. 多晶硅按纯度分几类，各自应用？冶金级硅、太阳能级（主要用于太阳能电池芯片的生产制造）、电子级（主要用于半导体芯片制造。
）6. 四氯化硅还原法步骤？1.沙（二氧化硅）金级硅；2.MGS 粉末放进反应炉和氯化氢反应生三氯硅烷(TCS)；3.由气化和凝结过程纯化三氯硅烷；4.硅烷和氢气反应生成电子级硅材料(EGS)；5.GS熔化和晶体提拉制备单晶硅直拉法悬浮区熔法。
7. RCA及其作用？RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法。
作用：清除有机沾污,重金属和碱离子。
8. 吸杂定义及步骤？定义：把重金属离子和碱金属离子从有源区引导到不重要的区域。
1.杂质元素从原有陷阱中被释放，成为可动原子；2.杂质元素扩散到吸杂中心；3.杂质元素被吸杂中心俘获。
9. 净化的必要性？器件：少子寿命↓，VT改变，Ion↓，Ioff↑，栅击穿电压↓，可靠性↓电路：产率↓，电路性能↓10. 净化的层次（三道防线）？1.环境净化；2.硅片清洗；3.吸杂。
11.杂质的种类？：金属、有机物、颗粒、天然氧化层。
12. 直拉法制备单晶的主要工艺流程及各自作用？1.籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。
2.引晶：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。
此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”，又称“下种”。
3.缩颈：“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。
其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。
颈一般要长于20mm。
4.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。
这称为“放肩”。
在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。
单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别，<111>方向应有对称三条棱，<100>方向有对称的四条棱。
5.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。
收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。
此时要严格控制温度和拉速不变。
6.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。
13. 直拉法与悬浮区熔法的优缺点？1.直拉法优点：所生长单晶的直径较大成本相对较低;通过热场调整及晶转，埚转等工艺参数的化，可较好控制电阻率径向均匀性。
缺点：石英坩埚内壁被熔硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧碳杂质，不易生长高电阻率单晶。
2.悬浮区熔法优点：可重复生长、提纯单晶，单晶纯度较CZ法高；无需坩埚、石墨托，污染少；FZ 单晶：高纯、高阻、低氧、低碳；缺点: 单晶直径不及CZ法。
14. 单晶硅的加工流程？1.单晶硅的切割；2.硅单晶的研磨；3.硅单晶的倒角；4.硅单晶片的抛光。
15. 抛光的目的及方法？抛光目的：晶圆表面光滑，像镜面一样亮。
第二章1.外延的定义？定义：是在单晶衬底上新生一层单晶膜的技术。
2.按制备方法，外延气相外延（VPE）、液相外延（LPE）、固相外延（SPE）、分子束外延（MBE) 、金属有机物化学气相淀积（MOCVD）。
3.按外延的生长方法，外延可分为哪几种？1.直接外延；2. 间接外延。
4.外延生长与哪些因素有关？1.反应剂浓度；2. 反应温度；3. 气流速度；4. 衬底晶向。
5.典型的外延生长工艺流程？1.装片前，基座除尘、检查有无损坏（裂缝）;2.取片，装片（真空镊子）;3.设定气体流量、温度、时间（电阻率、厚度）;4.分2步升温（受热均匀，减少位错等缺陷）;5.HCl抛光;6.外延生长，氢气清洗体统6.什么是SOI技术，其特点有哪些？SOI技术: 绝缘衬底上的硅。
特点：1.速度高；2.功耗低；3.集成密度高；4.成本低；5.特别适合于小尺寸器件；6.特别适合于低压低功耗电路。
7.SOI技术有哪几种主要技术？SOI材料制备的两个主流技术——SIMOX技术（注氧隔离）和BOUNDED SOI（硅片键合技术）8.SIMOX及键合技术的定义？SIMOX：separation by implantation of oxygen, separation with implanted oxygen.硅片键合技术：指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。
硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在MEMS的加工工艺中。
9.什么是浮体效应，如何抑制浮体效应？在SOI技术中实现的晶体管与体势相关的效应，如寄生晶体管的电容效应。
抑制浮体效应：1.Ar注入增加体/源结漏电；2.LBBC结构；3.在源区开一个P区通道；4.肖特基体接触技术；5.场屏蔽隔离技术；6.这些技术都存在各种各样的自身缺陷，不能被广泛接受。
10.二级效应？二级效应：在硅气相外延生长过程中由结晶学过程、热力学过程及动力学过程而引发的效应。
11.什么是硅气相外延法？定义：利用硅的气态化合物，在加热的硅衬底表面与氢气发生反应或自身发生热分解反应，进而还原生成硅，并以单晶的形式淀积在硅衬底表面的过程。
12.自掺杂效应及其来源？自掺杂：非反应气体中有意掺杂的杂质所应起的的对外延层施加的掺杂。
来源：（1）衬底杂质蒸发（2）系统污染第三章SiO的存在形式？1.2i.结晶型(石英,水晶)ii.无定形(硅石,石英砂)SiO的化学性质？2. 2i.常温与氢氟酸反应SiO2 +6HF == H2[SiF6] +2H2Oii.二氧化硅与碱作用SiO2+2NaOH==Na2SiO3+H2Oiii.高温与活泼金属或非金属作用SiO2+3AL==3＋AL2O3SiO的基本性质？3. 2i.良好的电绝缘介质；ii.高的击穿场强；iii.稳定的可重复的Si/SiO2界面特性；iv.在Si表面的均匀的SiO2生长；SiO在集成电路制造中的用途？4. 2i.扩散，离子注入的掩蔽层；ii.器件表面保护和钝化层；iii.MOS器件的组成部分－－栅介质；iv.电容介质；v.器件隔离用的绝缘层；vi.多层布线间的绝缘层SiO作为阻挡层的作用，原因及条件？5. 2原因：利用硼和磷在二氧化硅中的扩散速率都要远低于其在硅单晶中的扩散速率。
条件：二氧化硅的厚度足够厚。
6. 热氧化的定义及分类？硅的热氧化是指在1000℃以上的高温下,硅经过氧化生成二氧化硅的过程.热氧化分为干氧氧化、湿氧氧化、水气氧化以及掺氯氧化、氢氧合成等。
7. 干氧氧化，湿氧氧化，水气氧化的优缺点？8. 影响氧化速度的因素？a)氧化速率与时间的关系：在初始阶段氧化层厚度(X)与时间(t)是线性关系，而后变成抛物线关系。
b)温度对氧化速率的影响：温度与氧化速率成指数关系，温度越高，氧化速率越大。
c)压力对氧化速率的影响：压力与氧化速率成线性关系，压力越大，氧化速率越大。
d)杂质对氧化速率的影响：重掺杂的硅比轻掺杂的硅氧化速率快。
硼掺杂比磷掺杂氧化速率快。
e)晶向对氧化速率的影响：在适当温度(111)晶向硅的B/A为(100)硅的1.68倍9. 快速热处理（RTP）的分类？a)绝热型b)热流型c)等温型10. 退火的定义及原理？退火是简单地将硅片加热和冷却来达到特定结果的一个工艺。
原理：利用热能使得原子的排列得以重整。
11. 主要的退火制程？a)后离子注入b)金属硅化物的退火c)BPSG——硼磷硅玻璃d)SOG（Spin-On Glass）旋涂式玻璃12. 什么是硅化反应（举一实例）？硅化反应：金属与硅的反应Ti＋2Si——TiSi213. 绝缘层隔离工艺分类？a)局部氧化隔离法隔离(LOCOS)b)浅沟槽隔离(STI)14. LOCOS和STI技术定义，及各自工艺流程？LOCOS：传统的0.25µm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
利用了氧在Si3N4中扩散非常缓慢的性质，使得被氮化硅覆盖的硅层极难生成氧化物.工艺流程: 1.氮化硅淀积2.氮化硅掩蔽与刻蚀3.硅的局部氧化4.氮化硅去除STI：是一种全新的器件隔离方法，使“鸟嘴”区宽度接近于零，目前已成为0.25m以下集成电路生产过程中的标准器件隔离技术。
工艺流程： 1.氮化硅淀积2.沟槽掩蔽与刻蚀3.侧墙氧化与沟槽填充4.氧化硅平坦化（CMP)5.氮化硅去除15. 垫氧层的作用？a)缓冲氮化硅的高应力张力b)预防应力产生硅的缺陷16. 什么是鸟嘴效应，如何抑制？鸟嘴效应：氧通过衬垫氧化层横向扩散，使得靠近场区的氮化硅下面会生成一定的氧化层，该部分的形状和鸟的嘴部类似,通常叫鸟嘴。
抑制方法：多晶硅缓冲PBL(poly buffered LOCOS)制程17. 什么是金属化？淀积金属薄膜形成互连金属线和孔填充塞的过程。
18. 对IC金属化系统主要要求？a)低阻互连b)金属和半导体形成低阻欧姆接触c)与下面的氧化层或其它介质层的粘附性好d)对台阶的覆盖好e)结构稳定，不发生电迁移及腐蚀现象f)易刻蚀g)制备工艺简单19. 尖峰效应及其危害？尖峰效应：硅不均匀溶解到Al中，并向Al中扩散，硅片中留下空洞,Al填充到空洞。
危害：引起短路。
20. 金属电迁移及其危害？金属电迁移：当直流电流流过金属薄膜时，导电电子与金属离子将发生动量交换，使金属离子沿电子流的方向迁移的现象。
危害：电迁移会使金属离子在阳极端堆积，形成小丘或晶须，造成电极间短路，在阴极端由于金属空位的积聚而形成空洞，导致电路开路。
21. 合金化的目的？目的：使接触孔中的金属与硅之间形成低阻欧姆接触，并增加金属与二氧化硅之间的附着力。
22. IC互连金属化引入铜的优点？a)电阻率的减小：互连金属线的电阻率减小可以减少信号的延迟，增加芯片速度。