用MOS管防电源反接电路原理
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流今天说两个问题：1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、MOS管体二极管能过多大的电流？为啥会有这两个问题？我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。
而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。
原理我还是先大致说下。
1、在电源正常接入的时候电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体二极管就会导通，于是此时S极的电压就约为0.7V左右（体二极管导通电压）。
同时栅极G极接的是VCC，所以Vgs=Vcc-0.7V>Vgsth，NMOS管会导通。
NMOS管导通之后，导通压降基本为0，那么Vgs=Vcc，MOS 管维持导通状态。
这样整体电源通路就是通的，电源给后级负载供上了电，后级电路正常工作。
这里有一点需要特别注意，就是此时MOS管的电流是S到D的，与往常我们经常见的D到S是反的。
2、在电源接反的时候（电源和地接反了）栅极G接电源负极，也就是0V，S极经过负载接到了电源负极，也就是0V，所以Vgs=0V，MOS管也不导通。
与此同时， D极为Vcc，S极为0V，体二极管反向偏置，也不导通，所以无法通过NMOS管流过电流。
对于负载来说，就是电源断开了。
接反的电源不会怼到后面的负载上面，所以后级电路就不会烧了，我们只要把前面的电源正负极接对，那么后级电路又能正常工作了，如此，便实现了防反接的功能。
需要说一点，这里的防反接并不是说电源接反了，后级电路也还能工作。
而是电源接反了，后级电路不会冒烟烧坏了。
我以前乍一看到这个电路的时候，其实是心里打鼓的这个MOS管导通时，电流能反着流？D到S，S到D无所谓吗？除了这个电流的方向问题，还有就是MOS管的体二极管问题，这个二极管能过多大的电流？如果不了解，会认为这个二极管能流过的电流非常小，因为它还有一个名称叫“寄生二极管”，很容易被它骗。
结合实际聊聊防反接电路(防反接电路总结)
结合实际聊聊防反接电路（防反接电路总结）•前言•一、二极管防反接▪ 1.1 基本电路▪ 1.2 桥式整流电路•二、保险丝和二极管防反接•三、MOS管防反接▪ 3.1 PMOS电路▪ 3.2 NMOS电路•结语前言又到了电路小课堂时间，今天我们要聊的是防反接电路，防反接电路是硬件工程师必备的基础知识，在网上已经有大量的防反接电路总结文章，我也查阅了大量文章。
虽然说实用的电路就那么几种，这个可谓英雄所见略同，但是大部分文章的说明部分都一样，那么这就……（不符合我的风格，不浮夸，不将就。
即便是总结，原理可以一样，但是说明照搬那就说不过去了~ ~）说明一下，本文的防反接电路主要针对是单片机系统，因为博主是在智能家居领域工作的，我会结合自己的工作经验，设计的产品来说说这些电路。
一、二极管防反接又是从二极管开始（和MOS管一样，用得这么多，我得写一篇全面认识二极管的文章了），利用PN结的单向导电性（不要钻牛角尖说反向漏电流）。
1.1 基本电路直接在电源入口处串联一个二极管，电路简单，成本低，如下图（本图就是实际使用过的）：在这里插入图片描述上图是最简单也是最常用的防反接方式，上图是二极管接在入口Vin 端，也可以接在GND端，二极管反着接，是一样的效果。
电路分析在单片机系统中，使用此电路一般一般一般只需要注意一个参数：最大整流电流。
首先你在设计自己电路的时候应该知道自己的负载功率，比如一般来说STM32 最小系统，也就是20/30 mA，加上其他的一些传感器，可以知道系统平时运行的功耗，要注意STM32 的功耗是3.3V状态下的，入口电源是 5V 或者 12V，电流需要就更小了，当然不要忘记DC/DC, 或者 LDO 的转换效率之类的。
每个二极管都有一个参数，最大整流电流，比如上图中的SS34：电路设计需要冗余，所以我一般直接使用一个SS34，基本上所有的项目都能满足要求，当然SS34封装稍微大一点。
网上的大部分介绍这个电路的时候都说到，二极管0.7V 的压降，2A电流或者更多电流的时候发热之类，我怎么看？首先，这个说法没有错，理论上就是这么分析的！实际应用我从以下几个点分析：二极管的选型，二极管压降与电流的关系，应用领域。
nmos防反接_原理_概述说明以及解释
nmos防反接原理概述说明以及解释1. 引言1.1 概述引言部分旨在介绍本篇长文的主题，即NMOS防反接。
本文将详细说明NMOS 防反接的原理、方法和解释。
NMOS防反接是一种必要的电路设计策略，用于保护NMOS（MOSFET的一种形式）不被反向电压损坏。
1.2 文章结构为了展现逻辑性和层次清晰性，本文按照以下结构进行组织：引言部分提供了一个总体概述，紧接着是NMOS防反接原理、概述说明和解释三个主要部分。
每个部分都进一步细分为几个小节，以便更全面地探讨该主题。
1.3 目的文章的目标是向读者介绍和解释NMOS防反接的原理，并提供各种常见的防反接电路方案及其优缺点。
同时，我们还将详细解释如何保护NMOS不受到反向电压损坏，并对电流流向、开关特性以及直流偏置和交流耦合解决方法进行分析和说明。
通过这篇长文，读者将能够全面了解NMOS防反接，并且可以根据自身需求选择合适的设计方案。
以上是“1. 引言”部分的详细内容。
2. NMOS防反接原理：2.1 NMOS工作原理:NMOS（Negative-channel Metal-oxide-semiconductor）是一种常见的场效应晶体管。
它由金属电极、绝缘层和半导体材料构成。
当在栅极施加正电压时，形成电子气，使得通道内的N型半导体导电。
当源极施加正电压，漏极为负电压时，NMOS开启并允许电流通过。
2.2 反接的危害与问题:反接指的是在驱动NMOS过程中，源极与漏极之间的电压方向与NMOS设计要求相反。
如果源极为负电压且漏极为正电压，就会出现反接状况。
这样会导致两个主要问题：首先，会产生大量倒偏击穿电流损坏器件；其次，在大功率情况下可能引起温度升高，并使晶体管失效。
2.3 防止NMOS反接的方法:有几种常见的方法可以防止NMOS发生反接现象：- 使用二级保护回路：可以通过添加二级保护来控制源漏电路方向，以避免外部条件导致的误操作。
- 添加反向并联二极管：在NMOS的漏极和源极之间添加一个并联的反向二极管，这样当出现反接时，电流会通过二极管流回。
mos管 ovp和防接反复合电路
文章标题：深度解析 MOS 管 OVP 和防接反复合电路1.引言在当今电子产品中，为了确保电路和电子设备的安全和稳定运行，MOS 管 OVP（过压保护）和防接反复合电路成为了至关重要的组成部分。
本文将对这两个主题进行深度探讨，以期帮助读者全面了解它们的作用、原理和应用。
2. MOS 管 OVP 的概念与作用MOS 管 OVP，即过压保护，是指一种在电路中起到保护作用的器件或电路。
它的主要作用是在电压超过设定值时，迅速切断电路，防止电子元件受到过压的损坏。
在电子设备中，MOS 管 OVP 素被广泛应用，例如在电源供应器、充电器和电池管理系统中。
3. MOS 管 OVP 的原理和设计MOS 管 OVP 的设计原理基于过压保护的需求，通过对电路进行合理设计，使其能够在电压超过设定范围时，及时触发切断电路。
通常采用电压比较器和触发器等电路元件来实现。
在设计时，需要考虑电路的响应速度、误差范围和稳定性等因素。
4. 防接反复合电路的概念与作用防接反复合电路是用于防止电路中的接反和反复合现象的保护电路。
接反是指电路中电源和载荷之间接错极性，而反复合则是指在开关动作后电路自动闭合。
防接反复合电路可以有效避免这些不良现象的发生，保护电子设备和电路。
5. 防接反复合电路的原理和设计防接反复合电路的设计原理主要是基于对接反和反复合现象的分析和理解，通过合理设计电路结构和添加保护元件来实现。
在设计时，需要考虑电路的响应时间、灵敏度和稳定性，以确保其可靠地发挥作用。
6. 个人观点和总结从以上的探讨可以看出，MOS 管 OVP 和防接反复合电路在电子设备中起着举足轻重的作用。
合理设计和应用这些保护电路可以有效保护设备和电路，延长其使用寿命，提高系统稳定性。
在实际应用中，需要根据具体的电路和设备要求进行精心设计，并且不断优化和改进。
通过本文的阐述，相信读者对于 MOS 管 OVP 和防接反复合电路有了更加深入的了解。
在实际工程与应用中，希望读者能够灵活运用这些知识，为电子设备的稳定运行保驾护航。
MOS管防电源反接电路
MOS管防电源反接电路首先用PMOS管画了一个。
输入电源是5V，当5V正常接时，5V从U1的D极经过体二极管到达S极，因为有一个压降，S极电压约4.3V，Ugs=-4.3V，所以MOS管导通。
MOS管导通之后，D和S之间的导通压降很小，体二极管也就截止了，所以输出VOUT_5V=5V。
当5V电源接反时，此时G极电压为5V，Ugs>0，所以PMOS管不会导通，也就保护了后端电路。
PMOS管防电源反接电路使用上述电路，需要注意如下几点：1. 这个电路适用于低压的场合，MOS管的导通内阻很小（小的一般是mΩ级别），所以输出电压几乎输入电压。
2. MOS管选择合适的导通电压，如果输入电压很低，MOS管可能无法导通，而是直接走体二极管，导致输出电压更低。
3. 5V输入电源可以加MLCC滤波，切记不能加有极性的器件，防止反接时损坏。
有人会问了，为什么上图中的D和S方向和我们平时用的不一样，下图是我们经常用的PMOS管开关电路。
PMOS管电源开关电路上述开关电路的原理是：电源正接时，Ugs<0，MOS管导通，D极电压就等于5V；当5V电源反接时，S=0，G=5V，Ugs>0，MOS管是关闭状态的，看到这里，似乎是合理，也能防止反接。
但是S=0时，PMOS的体二极管会导通，会将VOUT_5V钳位在0.7V左右，那又有人说了，为什么MOS管的体二极管会导通，S和D 都为0啊，那是因为在实际电路中，VOUT_5V后端可能有很多负载，如果有串电流，体二极管可能就会导通，这就是为什么S和D需要调换。
再来用NMOS管画一个。
NMOS管防电源反接电路当5V电源正接时，MOS管的G=5V，D=0V，MOS管的体二极管会导通，将S电压钳在0.7V左右，需要注意，图中的R2看做是一个负载，并不单单是一个电阻，Ugs>0，所以MOS管导通，MOS管导通之后，因为导通压降很低，体二极管截止了，S电压等于0V，负载正常工作。
mos管反向电路
mos管反向电路
一、简介
MOS管反向电路是一种常见的电路，主要用于电子设备中的开关控制和信号放大。
它由MOS管和其他元器件组成，具有低功耗、高速度和可靠性等优点。
二、MOS管反向电路的基本原理
MOS管反向电路是利用MOS管的导通特性实现的。
当输入信号为低电平时，MOS管处于截止状态，输出端口为高电平；当输入信号为高电平时，MOS管处于导通状态，输出端口为低电平。
三、MOS管反向电路的基本构成
1. MOS管：作为开关控制元件，负责控制输入信号与输出信号之间的连接和断开。
2. 限流器：用于限制输出端口的电流大小。
3. 负载：接收输出信号并实现相应功能。
四、常见类型
1. CMOS反向器：由两个互补型MOS管组成，具有低功耗、高速度和可靠性等优点。
2. TTL反向器：由晶体管和二极管组成，具有高噪声容限和抗干扰能
力强等特点。
3. ECL反向器：由晶体管和二极管组成，在高速数字系统中应用广泛。
五、应用领域
1. 数字电路：用于数字信号的处理和传输。
2. 模拟电路：用于信号放大和滤波。
3. 通信系统：用于信号调制和解调。
4. 控制系统：用于开关控制和逻辑运算。
六、总结
MOS管反向电路是一种常见的电路，具有低功耗、高速度和可靠性等优点。
它由MOS管和其他元器件组成，主要应用于数字电路、模拟
电路、通信系统和控制系统等领域。
在实际应用中，应根据具体需求
选择合适的类型，并进行正确的设计与调试。
防反接，4种常用简单的电路
防反接，4种常用简单的电路防反接电路，在电子设计中非常重要，一个好的防反接电路，虽然只是增加了一点点元器件，却可以很好的保护我们的后级电路，下面介绍4种常用简单的电路：二极管防反接电路原理我们一看就懂，利用二极管的单向导电性，实现防反接功能，这种方法简单，安全可靠，成本也最低，但是输出端会有0.7V左右的压降，还有就是如果线路上的电流过大，比如有2A的电流，那么就会一直有1.4W的损耗，发热也非常大，而且，如果反向电压稍微偏大，并非完全截止，会有一个比较小的漏电流通过，使用时需要留足余量。
PMOS管防反接电路上图是PMOS接法的电路，这里简单的说明原理，刚上电时，MOS管的寄生二极管导通，S级电压为VCC-0.6，G级为0，PMOS 导通；当电源反接时，G级为高电平，不导通，保护后级。
实际应用中PMOS 栅极与源级之间再加一个电阻比较好，这种办法也有PMOS跟NMOS之分，都是利用MOS管的寄生二极管以及其导通性，不过NMOS的导通电阻比PMOS小，比PMOS会降低一丢丢功耗，不过还是很小很小了，如果算10毫欧的导通电阻，2A的电流才0.04W的功耗，是非常低了，电源反接后，MOS管就是断路，可以很好的保护后级电路，这种方法也是应用比较广泛的一种电路，推荐使用，实际使用中可以使用NMOS。
整流桥防反接电路上图是桥式整流电路，无论什么级性都能工作，但是导通之后会有两个二极管的压降，发热了也是第一种方式的两倍，有优点但缺点也很明显，除非是一些特殊的场合需要用到，否则不推荐使用。
保险丝+稳压二极管防反接电路上图是保险丝+稳压二极管防反接电路（第四种方法来自CSDN 博客，硬件工程师修炼之路），非常简单，既可以防止反接，又可以防止过压，这个电路设计非常巧妙，下面介绍下其原理：当电源Vin接反时，稳压二极管D1正向导通，负载的负压为二极管的导通电压Vf，Vf一般比较低，不会烧坏后级负载电路。
同时，Vin反接时，D1正向导通，电压主要落在F1上，因此开始时电流会迅速上升，直至超过F1的熔断电流，保险丝F1熔断，电源断开，不会因为电流过大而烧坏D1。
n沟道mos管的防反接电路
n沟道mos管的防反接电路【引言】在电子设备中，MOS管是一种常见的电子元件，其广泛应用于功率放大、开关控制等领域。
然而，MOS管在使用过程中往往容易受到电路中的防反接电路的影响。
本文将详细探讨n沟道MOS管的防反接电路，介绍其原理、设计和应用等方面的内容，帮助读者全面了解和理解该电路的作用及其在电子领域的重要性。
【正文】1. n沟道MOS管的工作原理n沟道MOS管是一种场效应管，其工作原理基于电场控制。
当控制电压施加在栅极上时，电场将改变沟道中的载流子密度，从而控制器件的电导。
n沟道MOS管的源极、栅极和漏极分别对应器件的供电、输入信号和输出信号，因此其在电路中具有重要的作用。
2. 防反接电路的作用防反接电路是一种用于防止器件在电路中被反向偏置的保护电路。
由于n沟道MOS管本身对电压的极性很敏感，如果电路中的输入信号或供电电压出现反向连接的情况，将导致器件损坏甚至烧毁。
使用防反接电路是保护n沟道MOS管安全工作的重要手段。
3. 防反接电路的设计原理防反接电路的设计原理基于对n沟道MOS管的特性和逻辑判断。
一种常见的设计思路是使用二极管作为开关，当输入信号或供电电压出现反向连接时，二极管将截断电路，阻断反向电流的流动，从而保护n沟道MOS管。
4. 防反接电路的设计方法与实例4.1 二极管反向连接保护一种简单而常见的防反接电路设计是采用二极管反向连接保护。
如图1所示，当输入信号或供电电压正常时，二极管正向偏置，电路正常工作；当输入信号或供电电压反向连接时，二极管截断，阻断反向电流。
图1 二极管反向连接保护电路示意图4.2 器件级别的保护设计除了电路级别的防反接电路设计外，还可以在器件级别对n沟道MOS 管进行保护。
在芯片设计过程中，可以通过引入保护结构来实现对器件的保护。
这种保护结构可以在器件内部添加保护二极管或其他保护元件，以提高器件的耐压和抗反向偏置能力。
5. n沟道MOS管防反接电路的应用n沟道MOS管的防反接电路在实际应用中具有广泛的应用场景。
MOS管防反接电路设计
MOS管防反接电路设计转⾃嵌⼊式单⽚机之家公众号问题的提出电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。
所以，我们就需要给电路中加⼊保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的⽬的01⼆极管防反接通常情况下直流电源输⼊防反接保护电路是运⽤⼆极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠，但当输⼊⼤电流的情况下功耗影响是⾮常⼤的。
以输⼊电流额定值抵达2A,如选⽤Onsemi的快速恢复⼆极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗⾄少也要抵达：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样功率低，发热量⼤，要加散热器02 整流器防反接其他还可以⽤⼆极管桥对输⼊做整流，这样电路就永久有正确的极性(图2)。
这些⽅案的缺点是，⼆极管上的压降会消耗能量。
输⼊电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。
03 MOS管防反接图3运⽤了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来规划防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很⼩，现在 MOSFETRds（on）现已可以做到毫欧级，处理了现有选⽤⼆极管电源防反接⽅案存在的压降和功耗过⼤的问题。
极性反接保护将保护⽤场效应管与被保护电路串联联接。
保护⽤场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。
若为PMOS，其栅极和源极分别联接被保护电路的接地端和电源端，其漏极联接被保护电路中PMOS元件的衬底。
若是NMOS，其栅极和源极分别联接被保护电路的电源端和接地端，其漏极联接被保护电路中NMOS元件的衬底。
⼀旦被保护电路的电源极性反接，保护⽤场效应管会构成断路，防⽌电流焚毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。
N沟道MOS管经过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供应电压偏置，运⽤MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，然后防⽌电源反接给负载带来损坏。
正接时分，R1供应VGS电压，MOS丰满导通。
反接的时分MOS不能导通，所以起到防反接作⽤。
mos管防反接电路原理
mos管防反接电路原理MOS管防反接电路原理在电路设计中，我们通常都会谨慎考虑反向电压对电路带来的影响，因为反向电压是一种非常重要的电路保护手段。
而任何一种能够防止反向电压影响到电路的电路都被称为防反接电路。
MOS管防反接电路就是其中的一种重要电路之一。
一、MOS管的基本工作原理MOS管，又称金属氧化物半导体场效应管，是一种分别采用P型和N型半导体材料制成的电晕管，其主要工作原理是通过调节栅极电压，再通过薄的氧化层来控制源极和漏极之间的导通情况。
因此，MOS 管具有电压控制电流的特性，广泛应用于各种不同的电路设计中。
二、防反接电路的设计原理在MOS管的工作原理基础上，我们可以通过对栅极电压以及源极和漏极的连线进行调整，从而达到防止反向电压对电路造成负面影响的目的。
防反接电路的设计原理如下：1. 在电路中添加电感元件，起到沉积磁场的作用，从而保证电路中的电流在运行过程中不会发生逆变；2. 在MOS管的防反向电压电路中，可以选择使用电阻元件进行连接，从而保证其正常运行；3. 在电路中添加二极管元件，以提高阻挡电流的水平，从而起到防反向电压的作用。
三、MOS管防反接电路的操作方法MOS管防反接电路的操作方法是整个电路设计过程中的一个非常重要的环节。
具体步骤如下：1. 确定电路中MOS管的品牌、型号以及特性参数；2. 根据具体的电路要求，选择适合的电感、电阻和二极管等元件；3. 调整MOS管的栅极电压，确保电路中的源极和漏极之间的导通情况正常；4. 将所选的电感、电阻和二极管等元件分别连接到电路的不同位置；5. 通过实验和测试，确保整个MOS管防反接电路能够正常工作。
总之，MOS管防反接电路是一种常用的电路保护手段，特别适用于DC电源、DC电动机、电子电路等电路设计中，具有简单易用、防反向效果显著等优点。
设计和操作Mos管防反接电路需要考虑多种因素，防止电路的意外反向电压影响电路内部的正常工作。
mos管漏极源极反接
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。
在实际应用中，有时会出现漏极源极反接的情况，这可能会导致设备无法正常工作，甚至损坏。
首先，我们需要了解MOS管的工作原理。
MOS管主要由栅极、漏极和源极三个电极组成。
当栅极上加有电压时，会在其下方形成一个电场，这个电场会控制源极和漏极之间的电流。
如果栅极上的电压为正，那么源极和漏极之间的电流就会增加；如果栅极上的电压为负，那么源极和漏极之间的电流就会减少。
在正常情况下，MOS管的漏极和源极是按照正常的电路连接方式进行连接的，即漏极连接到电源的正极，源极连接到电源的负极。
但是，如果在实际应用中，由于操作失误或者其他原因，将漏极和源极反接，那么就会导致电流的方向发生改变，从而影响设备的正常工作。
具体来说，如果MOS管的漏极和源极反接，那么在栅极上加有电压时，源极和漏极之间的电流就会反向流动。
这种情况下，如果设备的设计是按照正常的电流方向进行设计的，那么设备就无法正常工作。
例如，如果设备是一个放大器，那么在漏极和源极反接的情况下，放大器的输出信号就会反向，从而导致设备无法正常工作。
此外，如果MOS管的漏极和源极反接，还可能会导致设备的损坏。
因为在反向电流的作用下，MOS管的工作状态会发生改变，可能会导致其击穿或者烧毁。
因此，我们在使用MOS 管时，必须注意避免漏极和源极反接的情况发生。
总的来说，MOS管的漏极和源极反接会导致电流的方向发生改变，从而影响设备的正常工作，甚至可能导致设备的损坏。
因此，我们在使用MOS管时，必须注意避免这种情况的发生。
如果不小心发生了漏极和源极反接的情况，那么我们需要立即断开电源，检查MOS管是否已经损坏，然后再进行相应的处理。
mos管防接反电路
mos管防接反电路mos管防接反电路是一种常见的电路设计，用于避免mos管在开关过程中产生的接反现象。
接反现象指的是当mos管在切换过程中，由于电流和电压的突变，会导致mos管的源极和漏极之间出现反向电压，从而损坏mos管或者影响电路的正常工作。
为了解决接反问题，设计者通常会在mos管的源极和漏极之间添加一种电路，即mos管防接反电路。
这种电路可以有效地保护mos 管，防止接反现象的发生。
下面将介绍mos管防接反电路的原理和实现方法。
mos管防接反电路的原理是利用二极管的特性，在mos管的源极和漏极之间串联一个二极管。
当mos管处于导通状态时，二极管处于反向偏置状态，不导通。
这样可以避免mos管的源极和漏极之间出现反向电压。
当mos管处于截止状态时，二极管处于正向偏置状态，也不导通。
这样就可以保护mos管，避免接反现象的发生。
mos管防接反电路的实现方法有多种，下面将介绍其中两种常见的方法。
第一种方法是使用二极管防接反电路。
这种方法的实现比较简单，只需要在mos管的源极和漏极之间串联一个二极管即可。
二极管的正极连接到漏极，负极连接到源极。
这样当mos管处于导通状态时，二极管处于反向偏置，不导通。
当mos管处于截止状态时，二极管处于正向偏置，也不导通。
这种方法适用于大部分情况，可以有效地防止接反现象的发生。
第二种方法是使用二极管和电阻组成的防接反电路。
这种方法相对复杂一些，但是在一些特殊情况下更有效。
具体实现方法是在mos 管的源极和漏极之间串联一个二极管和一个电阻。
二极管的正极连接到漏极，负极连接到源极。
电阻连接在二极管的负极和mos管的源极之间。
这样当mos管处于导通状态时，二极管处于反向偏置，不导通。
当mos管处于截止状态时，二极管处于正向偏置，也不导通。
同时，通过电阻可以限制mos管源极和漏极之间的电流，避免过大的电流对mos管造成损坏。
除了上述方法，还有其他一些变种的mos管防接反电路。
用MOS管实现电源防反接电路
用MOS管实现电源防反接电路
在接电源到板子的时候，如果一个疏忽接反了，极有可能烧毁芯片或器件，所以需要设计防反接的电路。
本文就介绍如何用MOS管来实现电源防反接电路。
使用PMOS或者NMOS都是可以的，下面先来看一下PMOS怎么实现。
如图所示，MOS管G极接地，D极为VBAT，续流二极管导通，使得S极为VBAT-0.7V左右，Vgs<Vgs(th)，MOS管导通，之后DS 相当于直连，二极管不再起作用，S极的电压也基本上是VBAT。
电源正常
如果电源反接，G极的电压为VBAT，如果是阻性或感性负载，S 极的电压也为VBAT，Vgs>Vgs(th),MOS管不导通，电路不工作。
如果是容性负载，电路断路，Vgs>Vgs(th)（这里S极的状态怎么确定我不清楚，只知道不可能大于G极，求小伙伴解答），同样MOS管没法导通。
电源反接
这里MOS管的DS极不可以对调，否则反接的时候D极电压会大于S极使得续流二极管导通。
如果使用NMOS，需要将MOS管接到电路下边，如下图所示。
电源正常
正常情况下，G极为VBAT，如果是阻性或感性负载，S极的电压大于D极，续流二极管导通，进而拉低S极的电压，Vgs>Vgs(th)，MOS管导通。
容性负载直接G极电压高于S极，MOS管导通。
如果电源反接，G极电压为0V，正常情况下无论如何都不会大于S极的电压，所以MOS管不会导通，电路不工作。
电源反接
同样，这里MOS管的DS极不可以对调，否则反接的时候S极电压会大于D极使得续流二极管导通。
用NMOS管实现电源反接保护电路(带仿真)演示教学
用N M O S管实现电源反接保护电路(带仿真)
用NMOS管实现电源反接保护电路
一：基本电路及优化电路（适合更高电压、优化性能等）
二：原理
正接时候，电路提供VGS电压，MOS饱和导通。
反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。
三：使用要点
1. mos栅耐压一般正负20V，所以一般只能应用于12V以下电路，否则就要加一个分压电
路，稳压管限流电路根据输入电压、稳压管值、及管压管功率计算。
一般在1K-20K之间。
2. 不适用于无软启动的前级，这点特别重要！MOS管GS有沟道电容，虽然容量很小！但
一上电时还是有一段GS电压上升时间，如在上升过程中你的前级启动了，并电流上升超过MOS管的Di/Dt则会损坏MOS！
3. 可在D与S这间并一个0.1uF CBB电容防止开通时产生尖峰。
4. 电流不够时可并接多个MOS管, 耐压不够时用可选择更高耐压的MOS管。
5.可在负载上反并二极管，并在电源中串接合适的保险管，使之更可靠。
作用是防止mos
管击穿让电流通过二极管熔断保险丝来保护负载。
6.想要控制正极，可选用P-MOS管。
四：仿真结果（电源正接时，向负载供电；电源反接时，载止供电）。
mos管正反接电路
mos管正反接电路
MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在电路设计中，正确连接MOS管的正反极性至关重要，因为它决定了MOS管能否正常工作以及电路的稳定性和可靠性。
MOS管的正反接电路是指将MOS管的源极（S）、栅极（G）和漏极（D）正确接入电路中。
在N型MOS管中，源极通常是负极，漏极是正极，而栅极则用于控制MOS管的导通与截止。
对于P型MOS管，源极和漏极的极性相反。
在实际应用中，如果MOS管的正反极性接反，可能会导致MOS管无法正常工作，甚至损坏。
例如，将N型MOS管的源极和漏极接反，会导致MOS管始终处于导通状态，无法实现开关功能。
同样，如果栅极电压控制不当，也可能导致MOS管损坏。
为了确保MOS管在电路中的正常工作，需要注意以下几点：
在设计电路时，务必明确MOS管的型号和极性，正确连接源极、栅极和漏极。
为栅极提供适当的控制电压。
对于N型MOS管，栅极电压应高于源极电压以使MOS管导通；对于P型MOS管，栅极电压应低于源极电压。
避免栅极电压过高或过低，以防止MOS管击穿或无法导通。
在MOS管周围添加适当的保护电路，如过流保护、过压保护等，以提高电路的可靠性和稳定性。
总之，正确连接MOS管的正反极性对于电路的正常工作至关重要。
在实际应用中，务必注意以上几点，以确保MOS管在电路中的稳定、可靠运行。
nmos控电源负极电路
nmos控电源负极电路nmos控电源负极电路是一种常用的电路设计方案，其主要用途是使负载电流在电路开关时可以更加平稳，同时也可以有效地保护电路中的其他元器件。
下面我们将针对nmos控电源负极电路的主要结构和工作原理进行详细的介绍。
一、电路结构nmos控电源负极电路主要由MOS管、负载、电源和控制电路组成。
其中MOS管是整个电路的核心部件，负责控制电路的通断状态。
通过调整MOS管的正向偏压，我们可以在负载电路中实现无瞬间开关，从而确保电路中各组件的安全可靠性。
二、电路工作原理这种电路方案的工作原理主要基于MOS管的特性，通过控制其质子数，即可更改其电阻大小，从而实现负载电路的通电和断电状态的转变。
当我们需要将电路开关打开时，只需向MOS管施加正向偏压信号即可；而当我们需要将电路开关关闭时，则需要向MOS管施加负向电压，将其阻断，即可实现负载电路的瞬间断开。
三、实现步骤1. 选取适当的MOS管：首先需要仔细挑选适合负载电路的MOS 管。
一个好的MOS管要具备哪些特点呢？既要有足够的承受电流能力，同时也要有较低的导通电阻，从而可以确保电路的高效运行。
2. 确定电路连接方式：根据负载电路的具体情况，我们可以选择不同的连接方式。
一般情况下，nmos控电源负极电路的连接方式有两种：（1）直接接入电源和负载：这种连接方式简单易用，方便调试，但也存在一定风险，如MOS管过分烧损等。
（2）接入二极管反并联电路：这种连接方式可以有效地抑制负载电流的反漏，提升电路效率，同时也能更好地保护MOS管。
3. 连接电路：将各个元器件按照电路图连接好即可。
在连接过程中，需要注意各种信号线和电源线的正负极连接，以及MOS管极性是否正确。
4. 线路调试：当电路全部连接好后，需要进行线路调试。
如果电路能够正常工作，LED等明示部件亮起来，则说明线路连接没问题；如果出现异常，则需要检查并重新调整。
结语：nmos控电源负极电路是一种常见的电路设计方案，能够有效地提升电路的安全可靠性，同时还可以较为有效地控制负载电流变化。
mos防止电源倒流
在MOS电路中，可以通过一些措施来防止电源倒流。
例如，可以在电路中添加二极管或使用特殊的防倒灌措施来防止电流倒流。
此外，设计电池充电电路时，可以添加防倒灌的措施，如使用防倒灌的二极管或者MOS管等。
另外，对于降压电源芯片来说，可以通过检测电路中电流的方向来防止电源倒流。
例如，可以在电路中添加一个比较器，通过检测MOS管的漏极电压来检测电流的方向，从而防止电源倒流。
总之，防止电源倒流的方法有很多种，需要根据具体的应用场景和电路设计要求来选择合适的方法。
用MOS管防止电源反接的原理？
用MOS管防止电源反接的原理？
普通可以用法在电源的正极串入一个解决，不过，因为二极管有压降，会给造成不须要的损耗，尤其是电池供电场合，原来电池就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池用法时光大减。
MOS管防反接，益处就是压降小，小到几乎可以忽视不计。
现在的MOS 管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的为1A(这个电流已经很大了)，在他上面的压降惟独6.5毫伏。
因为MOS管越来越廉价，所以人们逐渐开头用法MOS管防电源反接了。
NMOS管防止电源反接电路：
正确衔接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位也许就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，因为内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降几乎为0。
电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路平安。
PMOS管防止电源反接电路：
正确衔接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。
电源接反时：G极是高电平，PMOS管不导通。
庇护电路平安。
衔接技巧
NMOS管DS串到负极，PMOS管DS串到正极，让寄生二极管方向朝向正
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mos管和三极管防倒灌电路
mos管和三极管防倒灌电路导言：在电子电路设计中，为了保护电路中的元件不受到过高的电压或电流的损害，常常需要使用防倒灌电路。
其中，MOS管和三极管是常用于防倒灌电路中的器件。
本文将介绍MOS管和三极管的基本原理以及它们在防倒灌电路中的应用。
一、MOS管防倒灌电路MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组成。
MOS管主要由栅极、漏极和源极三个电极组成。
在正常工作状态下，当栅极电压高于源极电压时，MOS管处于导通状态；当栅极电压低于源极电压时，MOS管处于截止状态。
MOS管在防倒灌电路中常用于保护负载或其他器件不受到倒灌电流的损害。
倒灌电流指的是当电路中的电压或电流突然改变时，可能会产生反向的电流。
为了防止倒灌电流对负载或其他器件造成损害，可以将MOS管配置在电路中，利用其导通和截止的特性来实现倒灌电流的防护。
二、MOS管防倒灌电路的工作原理MOS管防倒灌电路的工作原理是基于MOS管的导通和截止特性。
当电路中的电压或电流突然改变时，可能会产生反向的电流。
如果这些倒灌电流直接作用在负载或其他器件上，就会对其造成损害。
为了防止倒灌电流的损害，可以将MOS管配置在电路中，并根据倒灌电流的特点选择合适的工作方式。
在MOS管防倒灌电路中，常常使用N沟道增强型MOS管（N-channel Enhancement-mode MOSFET）作为保护器件。
当电路中的电压或电流突然改变，产生倒灌电流时，MOS管会根据其工作方式自动实现导通或截止。
当倒灌电流的绝对值较小时，MOS管处于截止状态，倒灌电流不会通过MOS管流入负载或其他器件；当倒灌电流的绝对值较大时，MOS管会自动导通，将倒灌电流流入地或其他回路，以保护负载或其他器件的安全。
三、三极管防倒灌电路三极管（Transistor）是一种常用的半导体器件，它由发射极、基极和集电极三个电极组成。
mos管漏极源极反接
mos管漏极源极反接摘要：一、mos管基本概念及工作原理二、mos管漏极源极反接的后果三、解决mos管漏极源极反接的方法四、注意事项正文：一、mos管基本概念及工作原理MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子电路的半导体器件。
它由金属层、氧化物层和半导体层组成。
在工作中，MOS管的栅极施加正向电压，源极和漏极之间形成一个电场，使得电子从源极流向漏极，实现电流的控制。
二、mos管漏极源极反接的后果当MOS管的漏极和源极反接时，会导致以下后果：1.器件无法正常工作：由于漏极和源极之间的电场方向相反，无法形成有效的电流流动，使得MOS管无法正常导通。
2.损坏MOS管：长时间反接会导致漏极和源极之间的氧化层受损，进而引发器件失效或短路。
3.功耗增加：由于电流无法正常流动，导致栅极和漏极之间的电场增强，从而增加功耗。
三、解决mos管漏极源极反接的方法1.正确连接线路：在搭建MOS管电路时，确保正确连接漏极、源极和栅极，避免误接。
2.采用保护电路：对于易发生反接的场合，可以设计保护电路，如使用二极管或稳压器等，以防止MOS管受损。
3.加强检测与监测：在实际应用中，加强对电路的检测和监测，发现异常及时处理，避免长时间反接造成器件损坏。
四、注意事项1.在搭建MOS管电路时，务必认真核对元件参数和连接方式，确保正确无误。
2.对于新购得的MOS管，先进行测试，确保其性能正常后再应用于实际电路。
3.在使用过程中，注意观察电路的工作状态，发现异常及时处理。
4.避免在高温、潮湿环境下存放和使用MOS管，以免影响其性能。
总之，MOS管漏极源极反接会对器件造成不良影响，通过正确连接、采用保护电路和加强检测等措施，可以有效避免此类问题。
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用MOS管防电源反接电路原理
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。
所以，我么就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。
MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。
现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。
由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。
NMOS管防止电源反接电路：
正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降几乎为0。
电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。
PMOS管防止电源反接电路：
正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS 管导通，从D流向S的电流把二极管短路。
电源接反时：G极是高电平，PMOS管不导通。
保护电路安全。
连接技巧
NMOS管DS串到负极，PMOS管DS串到正极，让寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。
感觉DS流向是“反”的？
仔细的朋友会发现，防反接电路中，DS的电流流向，和我们平时使用的电流方向是反的。
为什么要接成反的？
利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得UGS满足阀值要求。
为什么可以接成反的？
如果是三极管，NPN的电流方向只能是C到E，PNP的电流方向只能是E到C。
不过，MOS管的D和S是可以互换的。
这也是三极管和MOS管的区别之一。
上面是示意图，实际应用时，G极前面要加个电阻。