四川大学微电子工艺试验报告
微波实验报告
微波实验报告之前⽹上下的学长学姐的报告有很多不靠谱,但是调谐都要调到中⼼频率上,否则都不对,还有⽼师验收的时候如果⾃⼰⼼情很不好,只要她发现⼀点错误就会坚定的认为不是⾃⼰做的,所以⼀定要确保没有错误,原理⼀定要弄清楚.愿后来⼈好运~~~实验2 微带分⽀线匹配器⼀．实验⽬的：1．熟悉⽀节匹配的匹配原理2．了解微带线的⼯作原理和实际应⽤3．掌握Smith图解法设计微带线匹配⽹络⼆．实验原理：1.⽀节匹配器随着⼯作频率的提⾼及相应波长的减⼩，分⽴元件的寄⽣参数效应就变得更加明显，当波长变得明显⼩于典型的电路元件长度时，分布参数元件替代分⽴元件⽽得到⼴泛应⽤。
因此，在频率⾼达GHz以上时，在负载和传输线之间并联或串联分⽀短截线，代替分⽴的电抗元件，实现阻抗匹配⽹络。
常⽤的匹配电路有：⽀节匹配器，四分之⼀波长阻抗变换器，指数线匹配器等。
⽀节匹配器分单⽀节、双⽀节和三⽀节匹配。
这类匹配器是在主传输线并联适当的电纳（或串联适当的电抗），⽤附加的反射来抵消主传输线上原来的反射波，以达到匹配的⽬的。
此电纳或电抗元件常⽤⼀终端短路或开路段构成。
本次实验主要是研究了微带分⽀线匹配器中的单⽀节匹配器和双⽀节匹配器，我都采⽤了短路模型，这类匹配器主要是在主传输线上并联上适当的电纳，⽤附加的反射来抵消主传输线上原来的反射波。
单⽀节调谐时，其中有两个可调参量：距离d和由并联开路或短路短截线提供的电纳。
匹配的基本思想是选择d ，使其在距离负载d处向主线看去的导纳Y是Y0+JB形式。
然后，此短截线的电纳选择为-JB，然后利⽤Smith圆图和Txline，根据该电纳值确定分⽀短截线的长度，这样就达到匹配条件。
双⽀节匹配器，⽐单⽀节匹配器增加了⼀⽀节，改进了单⽀节匹配器需要调节⽀节位置的不⾜，只需调节两个分⽀线长度，就能够达到匹配，但需要注意的是，由于双⽀节匹配器不是对任意负载阻抗都能匹配，所以不能在匹配禁区内。
2.微带线从微波制造的观点看，这种调谐电路是⽅便的，因为不需要集总元件，⽽且并联调谐短截线特别容易制成微带线或带状线形式。
微电子实验报告一
实验一MOS管的基本特性班级姓名学号指导老师袁文澹一、实验目的1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；2、熟练掌握MOS管基本特性；3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。
二、实验内容及要求1、熟悉Hspice仿真工具；2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线；三、实验原理1、N沟道增强型MOS管电路图a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。
b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。
c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。
但当出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。
2、NMOS管的输出特性曲线四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。
）软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。
）实验步骤：1、编写源代码。
按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。
并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。
3、编译与调试。
确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。
编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。
在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。
点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
5、断点设置与仿真。
…6、仿真平台各结果信息说明.五、实验仿真结果及其分析1、仿真过程1）源代码*Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析.TEMP 25.0000 $温度仿真设定.option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值.lib 'gd018.l' TT $使用库文件* --- Voltage Sources ---vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源vgs g 0 0 $分析栅源电压vds d 0 dc=5 $分析漏源电压vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压* --- Inverter Subcircuit ---Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数* --- Transient Analysis ---.dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析$vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1$vgs取1V、2V、3V、4V、5V.print dc v(d) i(Mnmos) $输出语句。
微电子参考实验报告1-9
实验1 硅片氧化层性能测试预习报告实验调研1：新型氧化工艺调研实验报告●氧化层性能测试1质量要求: 二氧化硅薄膜质量好坏，对器件的成品率和性能影响很大。
因此要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等缺陷。
厚度达到规定指标并保持均匀，结构致密。
对薄膜中可动带电离子，特别是钠离子的含量要有明确的要求。
2检验方法●厚度的检查测量二氧化硅薄膜厚度的方法很多。
如精度不高的比色法，腐蚀法，京都要求稍高的双光干涉法，电容电压法，还有精度高达10埃的椭圆偏振光法等。
1）比色法利用不同厚度氧化膜，在白色垂直照射下会呈现出不同颜色的干涉色彩这一现象，用金相显微镜观察并对照标准的比色样品，直接从颜色的比较来得出氧化层的厚度。
其相应的关系如下表所示：2）双光干涉法[测试仪器与装置][实验原理]干涉显微镜可用来检测经过精加工后工件的表面粗糙度，也可用来检测薄膜厚度。
精加工后，工件表面的微观不平度很小，实际上工件表面存在许多极细的“沟槽”。
检测时，首先通过显微系统将“沟槽”放大，然后利用干涉原理再将微观不平度显示出来。
常用的干涉显微镜是以迈克耳逊干涉仪为原型的双物镜干涉显微镜系统。
它的典型光路如上图所示。
光源1(白织灯)由聚光镜2成象在孔径光阑16上，插入滤光片3可以获得单色光。
视场光阑17位于准直物镜4的前焦面上。
由物镜4射出的平行光束在分光板5处分为两部分：一束向上反射，经显微镜7会聚在被测工件表面M 2上，M 2与显微镜7的焦面重合。
由M 2返回的光束依次通过显微物镜7、分光板5后被辅助物镜9会聚在测微目镜12的分划板111—白织灯 2—聚光镜 3—滤光片 4—准直物镜 5—分光板 6—补偿板7、8—显微物镜 M 2—被测工件 M 1—参考反射镜 9—辅助物镜 10、14—反射镜 11—分划板 12—测微目镜 13—摄影物镜 15—照相底版或观察屏 16—孔径光阑 17—视场光阑处，分划板11与物镜9的焦平面重合。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子工艺实习报告
实习报告实习时间：2022年6月1日至2022年6月30日实习单位：某微电子科技有限公司实习岗位：工艺工程师一、实习背景及目的随着科技的飞速发展，微电子技术在各个领域得到了广泛的应用。
为了更好地了解微电子工艺的基本原理和实际应用，提高自己的实践能力，我选择了某微电子科技有限公司进行为期一个月的实习。
实习期间，我主要担任工艺工程师岗位，参与了公司微电子工艺的相关工作。
二、实习内容及收获1. 实习内容（1）了解公司产品及工艺流程在实习初期，我对公司的主营业务、产品特点及工艺流程进行了全面的了解。
公司主要从事半导体器件的研发、生产和销售，主要产品包括功率器件、模拟器件和数字器件等。
通过学习，我掌握了各种器件的制备工艺和生产流程。
（2）参与生产实践在实习过程中，我参与了生产线的实际操作，学习了半导体器件的制备工艺，如氧化、扩散、离子注入、金属化等。
同时，我还参与了生产过程中的质量控制和故障排查，提高了自己的实际操作能力。
（3）学习相关设备的使用和维护为了更好地开展实习工作，我学习了公司常用设备的使用和维护方法，如光刻机、蚀刻机、清洗机等。
通过实践操作，我掌握了这些设备的基本操作技巧，并能够独立完成相关设备的维护工作。
2. 实习收获（1）理论联系实际通过实习，我将所学的微电子工艺理论知识与实际生产相结合，深入了解了微电子器件的制备过程，增强了自己的实践能力。
（2）提高团队协作能力在实习过程中，我与同事们共同解决生产中遇到的问题，学会了团队合作，提高了自己的沟通能力和协作精神。
（3）培养严谨的工作作风实习过程中，我深刻体会到严谨的工作态度对于微电子工艺的重要性。
在实际操作中，我遵循操作规程，细心观察生产过程，确保产品质量。
三、实习总结通过一个月的实习，我对微电子工艺有了更为深入的了解，实践能力得到了很大提高。
同时，我也认识到理论知识在实际工作中的重要性。
在今后的工作中，我将继续努力学习，将所学知识与实际工作相结合，为公司的发展贡献自己的力量。
微电子器件的工艺制备技术研究
微电子器件的工艺制备技术研究一、引言随着科技的发展，微电子器件越来越被广泛应用于各个领域，如消费电子、电子通信、医疗等。
微电子器件的工艺制备技术是实现小型化、高性能和低功耗的关键。
本文将探讨微电子器件的工艺制备技术研究进展。
二、微电子器件制备技术种类微电子器件的制备技术可以分为三种：扩散工艺、离子注入工艺和化学气相沉积工艺。
1.扩散工艺扩散工艺是指利用扩散原理，在半导体表面上形成p-n结或改变半导体的电性质，从而制备各种器件。
该工艺可以分为三种：固相扩散、气相扩散和液相扩散。
其中，固相扩散是最常用的一种。
2.离子注入工艺离子注入工艺是指将离子束射入半导体中，操纵半导体电物性，从而形成p-n结或制备器件。
该工艺具有制程简单、精度高和性能良好等优点。
3.化学气相沉积工艺化学气相沉积工艺是指利用化学反应在半导体表面上沉积薄膜，从而形成器件。
该工艺具有制程简单、成本低廉和控制性好等特点。
三、微电子器件制备技术的进展微电子器件制备技术在发展过程中，不断涌现出新的方法和技术。
下面将分别从扩散工艺、离子注入工艺和化学气相沉积工艺方面来介绍微电子器件制备技术的进展。
1.扩散工艺由于扩散工艺制备的器件成本低廉、效率高，因此得到了广泛应用。
在扩散工艺的研究中，最重要的问题是如何控制扩散过程中的杂质含量。
随着微电子器件的小型化，杂质的含量变得更加敏感，因此对杂质的控制要求更高。
目前，控制杂质含量的方法主要有如下几种：前处理、增量扩散和掺杂剂挥发。
其中，前处理是将器件的前部分进行清洗和去除，以减少杂质的影响。
增量扩散是指在扩散过程中，不断的补充新材料，以控制器件中的杂质含量。
掺杂剂挥发则是指在扩散过程中，通过加热掺杂剂将掺杂剂挥发出去，以减少杂质的含量。
2.离子注入工艺离子注入工艺在微电子器件制备中起到了重要的作用。
离子注入技术可以控制掺杂原子的深度、浓度和分布等参数，因而得到了广泛应用。
在离子注入工艺的研究中，最主要的问题是如何控制离子束和自生征上的温升。
2023年微电子科学与工程专业实践报告
2023年微电子科学与工程专业实践报告
作为微电子科学与工程专业的学生，我参加了一些实践活动，主要包括课程设计、实验和实习。
以下是我的实践经历和所学到的知识和技能。
一、课程设计
在《模拟电子技术基础》课程设计中，我们选取了一个简单的信号放大电路进行设计。
首先，我们选用了放大器的基本电路，即基本差动放大器电路。
然后，我们给出了输入信号和输出信号的频率响应和幅频特性曲线，来验证设计的效果。
通过课程设计，我学习到了放大器的基本电路、放大器的频率特性、信号放大技术等知识。
二、实验
在《数字电路与系统设计》实验中，我们进行了多个实验，如组合逻辑电路实验、时序电路实验等。
我们使用数字集成电路，设计了多种基本的数字电路，如同步计数器、二进制加法器等。
通过这些实验，我学到了数字电路的基本原理、电路构成和组合设计等知识。
三、实习
在暑期实习中，我进入了中国电子科技集团公司（中电科）的某研发中心。
我参与了一项针对电路信号传输的研究项目。
在实习中，我学习到了多种高精度测试设备的使用，如示波器、信号发生器等，还掌握了一些可编程数字电路（FPGA）设计的基本
方法。
与此同时，我也学习到了科研中的团队协作、项目管理和文献检索等实践技能。
通过这些实践活动，我加深了对微电子科学与工程专业的理解，也提高了自己的实践能力。
我相信这些经验和知识将对我的未来发展有所帮助。
实验报告芯片解剖实验
电子科技大学成都学院（微电子技术系）实验报告书课程名称：芯片解剖实验学号：姓名：教师：年6月28日实验一去塑胶芯片的封装实验时间：同组人员：一、实验目的1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。
2.了解集成电路工艺流程。
3.掌握化学去封装的方法。
二、实验仪器设备1：烧杯，镊子，电炉。
2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。
3：超纯水等其他设备。
三、实验原理和内容实验原理：1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装（1）塑料封装（环氧树脂聚合物）双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、四边形扁平封装QFP 具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装SOJ（2）陶瓷封装具有气密性好，高可靠性或者大功率A.耐熔陶瓷（三氧化二铝和适当玻璃浆料）：针栅阵列PGA、陶瓷扁平封装FPGB.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装LCCC2..集成电路工艺（1）标准双极性工艺（2）CMOS工艺（3）BiCMOS工艺3.去封装1．陶瓷封装一般用刀片划开。
2. 塑料封装化学方法腐蚀，沸煮。
（1）发烟硝酸煮（小火）20~30分钟（2）浓硫酸沸煮30~50分钟实验内容：去塑胶芯片的封装四、实验步骤1.打开抽风柜电源，打开抽风柜。
2.将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。
3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。
向石英烧杯中注入适量浓硝酸。
（操作时一定注意安全）4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。
（注意：火不要太大）5.观察烧杯中的变化，并做好记录。
6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。
7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。
五、实验数据1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应，此时溶液颜色开始变黑。
2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。
3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。
4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。
六、结果及分析1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。
实验报告
微电子课程设计实验报告一、设计要求：应用VHDL或Verilog硬件描述语言进行设计，在ISE5.2开发工具上选择Xinlix公司的FPGA芯片完成整个电路的设计工作，包括文件输入、编译、功能仿真、综合、时序仿真和下载实现等。
3道题必须在实验箱上进行下载后验证。
二、设计报告内容要求要有实验题目、设计思路、设计流程、硬件描述语言代码、电路图、时序仿真图和结果分析等。
用专用的报告纸手写报告，正文页必须在10页以上，仿真图打印出来粘贴在报告上，编程代码写在附页上。
若有报告雷同，报告成绩为零分。
三、设计实验内容1、某晚会用红绿黄3组彩灯采光，3组灯亮的顺序是：红灯亮—绿灯亮—黄灯亮—红绿灯亮—绿黄灯亮—黄红灯亮—全亮—全暗。
重复以上过程，试设计这三组灯的控制电路。
输入时钟频率为512Hz，灯亮的时间在1—4秒之间，可以自由控制。
电路中以“1”代表灯亮，以“0”代表灯灭。
1、2、奇偶校验器系统的功能是对八位二进制数据及其奇偶校验位的输入进行校验，输出正确的奇、偶校验位。
ODD_IN与EVEN_IN是控制奇校验和偶校验功能输入，IN0到IN7是七位数据及一位校验位数据输入，IN_READY表示输入数据已经准备好，可以处理，当OUT_REQ输入表示要求输出数据，CLK 端口用于接收时钟信号，支持系统的时钟上升沿同步。
当输出端口OUT_READY输出信号有效时，表示输出数据已经准备好，可以为下级电路使用，ODD_OUT与EVEN_OUT用来输出正确的奇偶校验位。
上述控制端口均为高电平有效。
图奇偶校验器示意图3.设计一个交通灯管理系统。
其功能如下：(1)公路上无车时，主干道绿灯亮,公路红灯亮(2)公路上有车时，传感器输出C=1，且主干道通车时间超过最短时间，主干道交通灯由绿→黄→红，公路交通灯由红→绿；(3)公路上无车，或有车，且公路通车时间超过最长时间，则主干道交通灯由红→绿，公路交通灯由绿→黄→红；(4)假设公路绿灯亮的最长时间等于主干道绿灯亮的最短时间，都为16秒，若计时到E=1；黄灯亮的时间设为4秒，若计时到F=1。
第十章 微电子工艺实验
颜色－ 颜色－厚度对照表
10.2 热扩散工艺
• 内容 ： 半导体集成电路中硼扩散的机理 、 内容： 半导体集成电路中硼扩散的机理、 方法和特性测量。 方法和特性测量。 • 要求 ： 熟悉硼扩散工艺中予淀积和再分布 要求： 的操作方法，掌握薄层电阻的测量方法。 的操作方法，掌握薄层电阻的测量方法。
tox + Atox = B(t + τ )
2
1 1 A = 2 D( + ) ks hg B= 2 DHPg N1
to 2 + At0 τ= B
B/A被称为线性速率系数；而B被称为抛物线 被称为线性速率系数； 被称为线性速率系数 被称为抛物线 速率系数
影响氧化速率的因素
1. 温度：氧化速率随温度升高而增大。 温度：氧化速率随温度升高而增大。 2. 气氛：掺氯气氛增加氧化速率。 气氛：掺氯气氛增加氧化速率。 3. 气压：氧化速率与氧化剂分压成正比。 气压：氧化速率与氧化剂分压成正比。 4. 硅衬底掺杂： 一般情况下硅中的掺杂会增加氧 硅衬底掺杂 ： 化速率。 化速率。 5. 硅片晶向 ： 硅原子密度大的晶面上氧化速率大 ， 硅片晶向： 硅原子密度大的晶面上氧化速率大， R(111)>R(110)>R(100)。 。
4 POCl3 + 3O2 → 2 P2O5 + 6Cl2 ↑
接着用硅取代磷， 接着用硅取代磷 ， 磷被释放出来后扩散进入 同时Cl 硅，同时Cl2被排出
2 P2O5 + 5Si → 4 P + 5SiO2
注意： 、在磷扩散时通入少量的氧气，是为了使源充分分解， 注意：1、在磷扩散时通入少量的氧气，是为了使源充分分解，否
Silicon dioxide (oxide)
微加工技术实验报告
微加工技术实验报告实验一：划片●实验目的通过本实验了解划片机的工作原理，掌握划片机的操作步骤。
●实验原理划片工艺是把前工序加工的晶片用划片机切割成单个芯片，再用分片机或手工将芯片分开。
当用高硬度的金刚石刀将晶片划出一道道刀痕，并在刀痕处施加外力时，晶片将沿刀痕裂开成一个个独立的芯片。
划片前将晶片放置载片台，用真空泵吸牢，调好金刚刀架刀角，设定划片范围、划片速度、划片压力、晶片尺寸等参数，确定好划线位置，即可划片。
划片质量的好坏直接关系着该工序的成品率，可根据刀痕的深浅、宽窄及崩边情况及时调整压力、角度和更换刀具。
与划片质量有关的因素有刀痕、划片刀的安装、压力等。
●实验步骤1.打开压缩空气、冷却水和电源开关2.对机器背后的排气过滤器排水3.检查工作区，启动划片机控制软件4.喷水检查水压、气压是否达到要求（气压达到0.55-0.6MPa，水压达到0.3MPa）5.按面板上的“回零”键对划片坐标系进行初始化6.模拟对刀，对刀（更换吸盘或重新安放吸盘时必须执行此步骤）7.用绷盘将粘有衬底的蓝膜平放在吸盘上，按“吸放”键8.根据芯片的划片对准标记，利用面板上各种动作键，完成对准9.设置预留厚度、步距等参数，确认无误后按“启动”键开始划片10.划片结束后，关“吸放”键，取下蓝膜11.通过软件界面“系统”——“关闭系统”，关闭划片机12.用气枪清除吸盘、刀盘及刀头等处残留水13.关闭电源、水路、气路14.检查整理15.做好划片准备维护1.X轴丝杠、导轨每周一次清洁、加涂锂基润滑脂2.Y、Z轴丝杠、导轨和轴涡轮涡杆每月至少一次清洁、加涂锂基润滑脂3.其他涂凡士林实验二台阶仪●实验目的通过本实验了解台阶仪的工作原理，掌握台阶仪的操作步骤。
●实验原理高度测量原理：当探针Stylus在样品表面扫描时，随着样品表面的起伏变化，使探针绕着弹性轴承Pivot转动，从而使反射镜Mirror的角度变化，最终导致经Mirror反射后打在光电探测器Photo Detector上的光斑的位置发生变化。
微电子工艺实习心得体会
微电子工艺实习心得体会篇一：微电子技术专业实习总结范文《浙江大学优秀实习总结汇编》微电子技术岗位工作实习期总结转眼之间，两个月的实习期即将结束，回顾这两个月的实习工作，感触很深，收获颇丰。
这两个月，在领导和同事们的悉心关怀和指导下，通过我自身的不懈努力，我学到了人生难得的工作经验和社会见识。
我将从以下几个方面总结微电子技术岗位工作实习这段时间自己体会和心得：一、努力学习，理论结合实践，不断提高自身工作能力。
在微电子技术岗位工作的实习过程中，我始终把学习作为获得新知识、掌握方法、提高能力、解决问题的一条重要途径和方法，切实做到用理论武装头脑、指导实践、推动工作。
思想上积极进取，积极的把自己现有的知识用于社会实践中，在实践中也才能检验知识的有用性。
在这两个月的实习工作中给我最大的感触就是：我们在学校学到了很多的理论知识，但很少用于社会实践中，这样理论和实践就大大的脱节了，以至于在以后的学习和生活中找()不到方向，无法学以致用。
同时，在工作中不断的学习也是弥补自己的不足的有效方式。
信息时代，瞬息万变，社会在变化，人也在变化，所以你一天不学习，你就会落伍。
通过这两个月的实习，并结合微电子技术岗位工作的实际情况，认真学习的微电子技术岗位工作各项政策制度、管理制度和工作条例，使工作中的困难有了最有力地解决武器。
通过这些工作条例的学习使我进一步加深了对各项工作的理解，可以求真务实的开展各项工作。
二、围绕工作，突出重点，尽心尽力履行职责。
在微电子技术岗位工作中我都本着认真负责的态度去对待每项工作。
虽然开始由于经验不足和认识不够，觉得在微电子技术岗位工作中找不到事情做，不能得到锻炼的目的，但我迅速从自身出发寻找原因，和同事交流，认识到自己的不足，以至于迅速的转变自己的角色和工作定位。
为使自己尽快熟悉工作，进入角色，我一方面抓紧时间查看相关资料，熟悉自己的工作职责，另一方面我虚心向领导、同事请教使自己对微电子技术岗位工作的情况有了一个比较系统、全面的认知和了解。
微电子技术实习报告加自我鉴定
微电子技术实习报告及自我鉴定一、实习报告在过去的三个月里，我有幸参加了微电子技术实习项目。
这次实习让我对微电子技术有了更深入的了解，并积累了宝贵的实践经验。
以下是我在实习期间的主要工作和学习内容。
1. 实习单位简介实习单位是某知名微电子企业，专注于研发和生产集成电路芯片。
公司拥有一流的研发团队和先进的生产设备，为员工提供了良好的学习和成长环境。
2. 实习内容（1）生产线实习在生产线实习期间，我了解了集成电路芯片的生产流程，包括晶圆制造、芯片设计、版图绘制、光刻、蚀刻、离子注入、金属化、封装和测试等环节。
通过实地观察和操作，我深刻掌握了各个环节的基本原理和操作技巧。
（2）研发部门实习在研发部门实习期间，我参与了集成电路芯片的设计和仿真工作。
通过使用EDA（电子设计自动化）工具，我学会了绘制电路原理图、编写Verilog/VHDL代码、进行仿真测试和功能验证。
此外，我还学会了与团队成员协作，共同完成项目任务。
（3）测试实验室实习在测试实验室实习期间，我学习了集成电路芯片的测试方法和设备操作。
通过使用ATE（自动测试设备）进行芯片测试，我掌握了测试方案的设计、测试程序的编写和测试结果的分析。
这使我能够更好地了解芯片的性能和质量。
3. 实习成果通过实习，我取得了以下成果：（1）掌握了微电子技术的基本原理和生产流程；（2）学会了使用EDA工具进行集成电路芯片设计和仿真；（3）具备了集成电路芯片测试和分析的能力；（4）提高了团队合作和沟通能力。
二、自我鉴定1. 学习态度在实习期间，我始终保持积极的学习态度，认真聆听导师的讲解，主动请教同事，积极参加培训和研讨活动。
我注重理论与实践相结合，不断丰富自己的专业知识。
2. 团队合作我意识到团队合作在实习过程中的重要性，始终保持团结协作的精神。
在与同事共同完成项目任务的过程中，我学会了倾听、沟通、协调和分工合作，为团队的整体发展做出了贡献。
3. 解决问题能力在实习过程中，我遇到了许多问题和挑战。
工艺实验报告
实验一加工方法及加工装备的归纳与调研一．车削加工1. 车削概述在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过程，称为车削加工。
其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。
车削适合加工回转零件，其切削过程连续平稳，可以加工各种内外回转体表面及端平面。
所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。
图1.1 车削加工主要应用范围车削加工的尺寸精度较宽，一般可达it12～it7，精车时可达it6～it5。
表面粗糙度ra数值的范围一般是6.3～0.8 2. 车床的组成车床的种类有很多，主要有卧式车床，立式车床，转塔车床等。
我们这次实验主要调研了ca6140a型卧式车床图1.2 卧式车床基本机构（1）1-床头箱；2-进给箱；3-变速箱；4-前床脚；5-溜板箱；6-刀架；7 -尾架；8-丝杠；9-光杠；10-床身；11-后床脚图1.2 卧式车床基本机构（2）12-中刀架；13-方刀架；14-转盘；15-小刀架；16-大刀架车床的基本结构如图1.2所示。
车床附件主要有三爪卡盘，四爪卡盘，顶尖，中心架和跟刀架等。
二．铣削加工1. 铣削概述在铣床上用铣刀加工工件的工艺过程叫做铣削加工。
铣削时，刀具作快速的旋转运动为主运动，工件作缓慢的直线运动为进给运动。
铣削主要用于加工各种平面，沟槽和成形面等，还可以进行分度工作，以及钻孔和镗孔。
图2.1 铣削加工的应用范围铣削可分为周铣和端铣，用端齿刀的端面刀齿加工平面称为端铣法，用圆柱铣刀的圆周刀齿加工平面称为周铣法，周铣又有逆铣法和顺铣法之分。
逆铣时，铣刀的旋转方向与工件的进给方向相反；顺铣时，则铣刀的旋转方向与工件的进给方向相同。
铣床的加工精度一般为it9～it8；表面粗糙度一般为ra6.3～1.6μm。
3. 铣床的组成铣床种类很多，常用的有卧式铣床、立式铣床、龙门铣床等。
我们这次实验主要调研了xk6125型卧式万能铣床图2.2 卧式铣床基本机构1-床身 2-电动机 3-变速机构 4-主轴 5-横梁 6-刀杆7-吊架8-纵向工作台 9-转台 10-横向工作台 11-升降台铣床的基本结构如图2.2所示，工作台可沿横，纵，垂直三个方向移动。
硅平面NPN三极管设计与制作
硅平面NPN 三极管设计与管芯制作四川大学 物理学院 微电子学 谭迁宁（第二组）摘要：本实验报告立足于微电子实验室的现有条件，根据实验要求的放大倍数与击穿电压设计出其他的工艺参数与各区的参数。
然后在实验室里用抛光好的硅片经过氧化、扩散、光刻以及其他步骤制作出能够用晶体管特性仪测试的NPN 管，然后利用特性仪测试各参数并理解工艺条件对三极管各个参数的影响。
关键词：NPN 三极管 放大倍数 击穿电压 方块电阻一、引言电子工业在过去40年间迅速增长，这一增长一直为微电子学革命所驱动。
从20世纪40年代晶体管发明开始，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段：1950第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展，为制造高频器件开辟了新途径；1960年由扩散、氧化、光刻组成的平面工艺的出现是半导体器件制造技术的重大变革，大幅度地提高了器件的频率、功率特性，极大地改善了器件的稳定性和可靠性。
在这期间每项变革对人们的生产、生活方式产生了重大的影响。
也正是由于微电子技术领域的不断创新，才能使微电子能够以每三年集成度翻两番、特征尺寸缩小倍的速度持续发展几十年。
在过去的几十年里，双极型晶体管做为微电子产业的基石有着无以伦比的作用。
虽然近年来，随着金属-氧化物-半导体都场效应晶体管（MOSFET ）技太迅速发展，双极型晶体管的突出地位受到了严重挑战。
但它在模拟电路领域仍然有着广泛的应用，发挥着不可取代的作用。
在这样的大环境下，了解晶体管的功能、工艺流程及工艺参数是十分必要的，这就是本实验的目的。
二、NPN 三极管设计根据实验的要求，本实验设计目标为放大倍数55；击穿电压60V ；样品三极管的纵向和横向结构如下：图1：晶体管结构示意图 器件制备工艺流程：→→→→→→硅片清洗一次氧化一次光刻基区硼扩散预淀积再分布二次光刻发射区磷扩及三极管特性测试工艺参数的设计过程：E BC一)晶体管参数设计在实验室里，硅片的衬底电阻率为3-6Ω·CM ，查表一得所对应的Nc=1510厘米－3。
微电子工艺实验报告
微电子工艺实验报告微电子实习报告实习报告专业：微电子学年级：2010级姓名：xx学号：xxxxxxxxxxxxx微电子学是研究在固体材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。
微电子专业主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它来实现一定的信号处理功能。
微电子是一门综合性很强的边缘学科，包括半导体器件物理、集成电路工艺、集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及电磁学、量子力学、热力学与统计物理学、固体物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、化学等诸多领域。
自摩尔定律提出以来，微电子领域一直如神话般按其所预言的规律不断发展。
微电子行业的进步使计算机的计算能力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。
微电子专业主要培养掌握集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级专门人才。
德才兼备的大学生不仅需要广泛的通识教育、扎实的专业理论功底，更需要理论与实践相结合的正规化训练。
学校和学生个人都有义务和责任将大学生培养成为既有理论知识、又有实际动手能力的综合型人才。
实习是绝大多数大学生必须参与的一项实践教学环节，通过或长或短的实习，学生可以更深入地了解本行业各岗位的工作性质，及该领域的发展状况和发展方向，以便能结合自己的能力特点和兴趣爱好，尽早寻找到适合各人的工作定位，为自己制定更长远、更细致的职业规划。
另外，学生在实践过程中也更易于懂得如何将理论知识与具体实际相结合，做到学以致用，不断提升自己的创造能力。
在大学生活接近尾声的时候，我们也迎来了本专业的毕业实习，实习地点为北京，共历时三日。
在学院教师与辅导员的带领下，我们班同学于5月25日下午抵达北京。
短暂的休息后，次日正式开始实习。
5月26日上午，参观北京京东方半导体有限公司。
据悉，该公司为京东方科技集团股份有限公司的集团企业之一。
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题目： 硅 NPN 平面晶体管工艺参数设计及管芯制作
学院：
物理科学与技术学院
专业：
微电子科学与工程
课程：
微电子器件设计与工艺实验
组员：
可效毓 张润泽 王勃雄 刘冰砚
日期：
2018.12.18
目录
0. 摘要..........................................................................................................................3
1. 引言..........................................................................................................................4
1.1 半导体工艺概述........................................................................................................4 1.2 双极型晶体管概述 .................................................................................................... 5
0.1 Abstract： In this paper, we mainly describe the characteristics and development history of
some semiconductor devices and bipolar transistors, provide a design method for the bipolar transistors to reach certain target amplification factor and voltage resistance characteristics, and record the actual experimental operation process. Successful testing results are presented after the test of the device; The factors which may contribute to the results are analyzed. At the end of the paper, Silvaco software was used to simulate the design parameters.And the results are satisfactory.
半导体生产的不同工艺可以分为四个大类：沉积工艺、去除工艺、图形化工 艺以及电学性能调整工艺。沉积工艺包含生长、涂敷，以及其它将半导体材料放 到晶圆上的工艺。可用的手段有物理气相沉积，化学气相沉积，电化学沉积，分 子束外延，以及最近的原子层沉积技术；移除工艺包含干法、湿法刻蚀，CMP 平 面工艺。
图形化工艺通常指光刻，比如在传统的光刻工艺中，晶圆涂上光刻胶，然后 通过步进机聚焦，对准，以及放置掩模版，将曝光的区域用显影溶剂洗掉，最后 经过刻蚀或者其他工艺，得到我们需要的图形电路。、
2
0. 摘要
文中，我们主要讲述了一些半导体器件与双极型晶体管的特点及其发展历史， 提供了一种朝向目标放大倍数与耐压特性去设计双极型晶体管的参数的设计方 法，记录了本组组员进行实际实验操作的流程；呈现了这些实验的成功的结果； 并对影响这些结果的因素进行了分析，以及在最后运用 silvaco 软件对设计的参 数执行了仿真模拟。
3. 实验流程 ................................................................................................................ 13
3.1 实验步骤 ................................................................................................................. 13 3.2 实验结果数据呈现 .................................................................................................. 17 3.3 实验数据分析： ...................................................................................................... 20 3.3.1 影响三极管放大倍数的因素 ....................................................................................... 20 3.3.2 三极管的结击穿特性 ................................................................................................... 22 3.4 光刻工艺讨论 ......................................................................................................... 24
2. 实验参数设计 ........................................................................................................... 7
2.1 器件参数设计 ........................................................................................................... 7 2.2 工艺参数设计 ........................................................................................................... 9 2.2.1 扩散工艺 ......................................................................................................................... 9 2.2.2 氧化工艺 ....................................................................................................................... 12
0.1 ABSTRACT： .பைடு நூலகம்............................................................................................................... 3 0.2 实验分工...................................................................................................................3
5. 实验总结 ................................................................................................................ 43
6．参考文献 ................................................................................................................. 44
4
图 1 光刻工艺 电性能的改善工艺通常包括晶体管的掺杂，掺杂后的热处理。现在改善工艺 延伸到了通过极紫外工艺调整材料的介电常数。改善工艺经常通过氧化完成，比 如用硅的局域氧化（LOCOS）去生产场效应管。
半导体制造技术是用来生产集成电路的工艺流程，这是一套包含光刻、化学 工艺的复杂流程，在这一过程中，电子电路一步一步的在硅的晶圆上成型。现代 集成电路的整个生产过程，从开始到封装，大概需要六到八周的时间，每一个工 序流程都分配给高度专业化的生产部门，在最先进的半导体工厂中，比如 14/10/7nm 工艺，一套生产流程走完大约需要 11-13 周的时间。根据工业界的标 准，每一代半导体工艺生产都是以最小的特征尺寸作为标志，在 2018 年，14nm 的半导体工艺已经进入了大规模生产，10nm 级别的芯片也即将进入市场。
0.2 实验分工 张润泽：实验工艺参数计算 可效毓：实验结果分析 王勃雄：实验流程的记录和分析 刘冰砚：利用 silvaco 工具进行工艺仿真 所有小组成员均完整的参与了工艺实验的所有步骤
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1. 引言
1.1 半导体工艺概述 上世纪 60 年代，半导体器件生产工艺同时诞生于美国的加州和德州，随后，
欧洲、中东以及亚洲等地也同时开展了半导体的生产制造，如今的半导体制造是 一项全球都在参与的领域，领先的半导体工厂通常在全球都会有设备。比如 Intel， 世界上最大的半导体工厂，在欧洲、亚洲同样也在美国拥有设备。三星，高通， 博通这些公司同样也在全球各地有分工。
4. 工艺仿真 ................................................................................................................ 28