放置三极管2N390广东环境保护工程职业学院

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数冠SGPT5903C 5.0mm NPN 达林顿光敏三极管用户手册说明书

1.发射极2.集电极注: 1. 所有尺寸单位为毫米(英寸) 2. 未说明误差的尺寸为±0.25mm(0.01英寸)产品说明书5.0mm NPN 达林顿光敏三极管SGPT5903C⏹描述SGPT5903C 是一款高速高灵敏度达林顿结构NPN 光敏三极管，5.0mm 封装，采用透明环氧材料封装，使产品适用于可见光和红外波段的微弱光线感光。

⏹特点●快速响应●高感光灵敏度●无铅环保⏹应用●仪器设备●汽车自动灯光●位置传感器●红外传感应用系统⏹封装尺寸⏹极限参数(Ta=25℃)参数名称符号参考值单位集电极-发射极电压V CEO60V发射极-集电极电压V ECO7.0V集电极电流Ic50mA焊接温度*1Tsol260℃工作温度Topr-20~+85℃存储温度Tstg-40~+85℃说明:*1:焊接时间≦5seconds.⏹光电参数(Ta=25℃)参数名称符号最小典型最大单位测试条件频谱范围λ0.5600--1000nm感光峰值波长λP--800--nm集电极–发射极击穿电压BV CEO60----V Ic=100μA,Ee=0mW/cm2发射极-集电极击穿电压BV ECO7.0----V Ic=100μA,Ee=0mW/cm2集电极暗电流I CEO----1000nA V CE=10V,Ee=0mW/cm2集电极-发射极饱和电压V CE（S）--- 1.0V Ic=15mA,Ib=100uA基极-发射极饱和电压V BE（S）--- 1.45V Ic=15mA,Ib=100uA集电极电流I C(on) 2.5 2.8--mA Ev=100Lx,V CE=5V 直流电流放大倍数H FE30000--90000V CE=5V,IC=10mA 上升/下降时间t r/t f--60/60μS V CE=5V,I C=1mAR L=100ΩAmbient Temperature Ta(°C)C o l l e c t o r P o w e rD i s s i p a t i o n (m W )50125020406080100-20-4075100251008060200500Wavelength(nm)R e l a t i v e S p e c t r a l S e n s i t i v i t y (%)Ta=25°4060070080090010001100300Ambient Temperature Ta(°C)R e l a t i v e C o l l e c t o r C u r r e n t (%)40608060100160Vce=5V204080120140Ee=1mW/cm 21020507010Luminance E (Lx )C o l l e c t o r C u r r e n t I c (m A )100100011010101010210Vce=5VT =25 Ca ° 特性曲线图图.1集电极耗散功率与环境温度图.2相对频谱灵敏度图.3相对集电极电流与环境温度图.4集电极电流与辐照度25Ambient Temperature (°C)C o l l e c t o rD a r k C u r r e n t I CE O (n A )50751000Vce=10V 105101010100Collector-Emitter Voltage V CE (V)C o l l e c t o r C u r r e n t I c (m A )12341.02.03.04.05.06.07.0E=10 LxE=50 Lx E=15 LxE=100 LxE=150 Lx 图.5集电极暗电流与环境温度图.6集电极电流与集射电压注意事项:1.我公司保留更改产品材料和以上说明书的权利，更改以上产品说明书恕不另行通知。

BU102S资料

额定值
≥ 400 ≥ 700
≥9 1 13
150 － 55 ～ 150
单位
V V V A W ℃ ℃
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称符号
集电极－发射极击穿电压集电极－基极击穿电压发射极－基极击穿电压集电极－发射极反向漏电流集电极－基极反向漏电流发射极－基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515

BU102S
Jingdao Electronic Corporation V01 3/3
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515

BU102S NPN 功率三极管
* 主要用途：
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
SOA（DC）安全工作区 5
1 0.5
Pc （W ）耗散功率
HFE 直流电流增益
HFE 直流电流增益－ Ic 集电极电流 50
40
30
Vce=5V
20
10
1
0.001
0.01
0.1
1
Ic（A）集电极电流
Pc 耗散功率－ Tj 结温 25 20 15 10 5
0
40
80
120
160 200
Tj（℃）结温
* 主要特点：
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
极限值：( Tc=25 ℃ )
参数名称
集电极－发射极击穿电压集电极－基极击穿电压发射极－基极击穿电压最大集电极直流电流最大耗散功率最高结温贮存温度

2N3906中文资料(nte)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

VCE = 1V, I C = 1mA
40 − − 80 − −
2N3905 2N3906
VCE = 1V, I C = 10mA
50 − 150 100 − 300
2N3905 2N3906
VCE = 1V, I C = 50mA
30 − − 60 − −
2N3905 2N3906
VCE = 1V, I C = 100mA
芯片中文手册,看全文,戳
2N3905 & 2N3906 硅PNP晶体管
一般用途
TO92类型封装
绝对最大额定值：
集电极 - 发射极电压,V
CEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
器件总功耗（T
C = +255C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W
减免上述255℃. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12MW / 5C
减免上述255℃. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0MW / 5C
器件总功耗（T

电子元器件识别(含图片)

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电容大小的表示方法（一）

标有单位的直接表示法：有的电容的表面上直接标志了其特性参数，如在电解电容上经常按如下的方法进行标志：4.7u/16V，表示此电容的标称容量为4.7 uF，耐压16V。不标单位的数字表示法：许多电容受体积的限制，其表面经常不标注单位。但都遵循一定的识别规则。当数字小于1时，默认单位为微法,当数字大于等于1时，默认单位为皮法。用2－4位数字和一个字母表示标称容量，其中数字表示有效数值，字母表示数值的量级。字母为m、u、n、p。字母m表示毫法（10 -3F）、u表示微法（10 -6F）、 n表示毫微法（10 -9F）、P表示微微法（10-12F）。字母有时也表示小数点。如33m表示33000 u F；47n表示0 ．047 u F；3 u 3表示3．3 u F； 5n9表示5900pF； 2P2表示 2．２pF。另外也有些是在数字前面加R，则表示为零点几微法，即 R表示小数点，如 R22表示0．22pF。
一、电阻
电阻
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作为电路中最常用的器件，电阻器，通常简称为电阻（以下简称为电阻）。电阻几乎是任何一个电子线路中不可缺少的一种器件，顾名思义，电阻的作用是阻碍电子的作用。在电路中主要的作用是：缓冲、负载、分压分流、保护等作用。
电阻的符号表示
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电子元器件技术培训
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电子元器件
电子电路中常用的器件包括：电阻、电容、二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、发光二极管、蜂鸣器、各种传感器、芯片、继电器、变压器、压敏电阻、保险丝、光耦、滤波器、接插件、电机、天线等。本课件只针最常用的各种元件进行讲解，抛砖引玉，各位学员在日常中应注意积累相关知识。

常用三极管参数大全

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【CN209402493U】一种大功率PMOS管的驱动电路【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920286456.7(22)申请日 2019.03.07(73)专利权人惠州市爱博智控设备有限公司地址 516081 广东省惠州市大亚湾西区响水北路11号(72)发明人陈旭东　(74)专利代理机构深圳市千纳专利代理有限公司 44218代理人蔡义文(51)Int.Cl.H03K 17/567(2006.01)H03K 17/081(2006.01)(54)实用新型名称一种大功率P-MOS管的驱动电路(57)摘要本实用新型公开了一种大功率P -MOS管的驱动电路，包括施密特触发器U2、光耦U1、P -MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P -MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P -MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接；通过P -MOS管T1设置，实现了大功率驱动控制，不受开关速度的限制，采用P -MOS芯片T1驱动，起到真正意义上的关断，不会出现漏电等隐患，采用光耦U1驱动，对单片机起到隔离和保护作用。

权利要求书1页说明书3页附图1页CN 209402493 U 2019.09.17C N 209402493U权　利　要　求　书1/1页CN 209402493 U1.一种大功率P-MOS管的驱动电路，其特征在于：包括施密特触发器U2、光耦U1、P-MOS 芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P-MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P-MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接。

项目二：手机分立元器件识别与检测

手机电阻、电容、电感识别与检测实训
（1）实训目的掌握手机电阻、电容、电感的识别技能，能对手机电阻、电容、电感进行简单检测。（2）实训器材与工作环境 1）手机主要元器件、手机主板若干，具体种类、数量由指导教师根据实际情况确定。 2）数字、模拟万用表各一只。 3）手机维修平台、热风枪、防静电调温电烙铁各一台。 4）建立一个良好的工作环境。（3）实训内容 1）识别手机主板上的电阻、电容、电感。 2）拆焊手机主板上的电阻、电容、电感，仔细观察电阻、电容和电感的特点(颜色、标识、引脚等)，并做简单检测。 3）元器件复位焊接。（4）注意事项（5）实训报告根据实训内容，完成手机电阻、电容、电感识别与检测实训报告。
2．稳压块的检测手机稳压块的检测常用在线测量法、触摸法、观察法、按压法、元件置换法等。其中在线测量法检测较为准确。
廣东轻工職業技术学院
GUANGDONG INDUSTRY TECHNICAL COLLEGE
1.4.2 任务二：VCO组件识别与检测
1．VCO组件识别 2．VCO组件检测
廣东轻工職業技术学院
1.3.1 任务一：电阻、电容、电感识别与检测
1．电阻的识别与检测（1）电阻的识别
廣东轻工職業技术学院
GUANGDONG INDUSTRY TECHNICAL COLLEGE
（2）电阻的检测测量法: 将模拟式万用表打倒Ω档，先将表笔短路调零，将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。由于贴片电阻太小，可在引脚两端焊接导线后，再用万用表测量。注意：测量时，特别是在测几十KΩ 以上阻值的贴片电阻时，手不要触及表笔和贴片电阻的导电部分。在实际故障检修时，如怀疑电阻变质失效，则不能直接在电路板上测量电阻值，因被测电阻两端存在其他电路的等效电阻，正确的方法是先将电阻从电路板上拆下，再选择合适的档Ω测量。如果所测电阻值为0，则电阻内部发生了短路；如果所测电阻阻值为无穷大，则表明电阻内部已断路，以上两种结果都是说明电阻损坏。

LDEEB2390中文资料

Code example: 1 2 L D 3 4 E C 5 6 D 3 7 4 8 9 10 11 12 13 14 7 0 J A 5 N --
Digit 1 to 3 Series code (L = leadless; DE = polyester family) Digit 4 d.c. or a.c. rated voltage (VR). C = 50Vdc D = 63Vdc E =100Vdc I = 250Vdc M = 400Vdc P =630Vdc Digit 5 Size code:
L
3.2 3.2 4.5 5.7
W
(mm) 1.6 2.5 3.2 5.1
H max
(mm) 1.1 1.5--2.0 1.7 2.3--2.6 2.3--2.7 3.3 4.2--4.4 3.5 4.5 5.4 3.6 4.5 5.4--5.6 3.6 4--4.5 5.5--5.7 3.6 4.5--4.9 5.5--5.7
50Vdc/40Vac
size code 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 18.12 22.20 22.20 22.20 22.20 22.20 22.20 28.24 28.24 28.24 50.40 50.40 50.40 50.40 60.54 60.54 60.54 H max 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 1.7 1.7 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 3.3 3.3 3.5 3.5 3.5 3.6 3.6 3.6 4.5 4.5 4.5 4.9 Part Number LDECC1100 - -5- LDECC1120 - -5- LDECC1150 - -5- LDECC1180 - -5- LDECC1220 - -5- LDECC1270 - -5- LDECC1330 - -5- LDECC1390 - -5- LDECC1470 - -5- LDECC1560 - -5- LDECC1680 - -5- LDECC1820 - -5- LDECC2100 - -5- LDECC2120 - -5- LDECC2150 - -5- LDECC2180 - -5- LDECC2220 - -5- LDECC2270 - -5- LDECC2330 - -5- LDECC2390 - -5- LDECC2470 - -5- LDECC2560 - -5- LDECC2680 - -5- LDECC2820 - -5- LDECC3100 - -5- LDECC3120 - -5- LDECC3150 - -5- LDECC3180 - -5- LDECC3220 - -5- LDECD3270 - -5- LDECD3300 - -5- LDECD3390 - -5- LDECD3470 - -5- LDECD3560 - -5- LDECD3680 - -5- LDECE3820 - -5- LDECE4100 - -5- LDECE4120 - -5- LDECG4150- -5- LDECG4180- -5- LDECG4220- -5- LDECG4270- -5- LDECH4330 - -5- LDECH4390 - -5- LDECH4470 - -5- -

一种手机的浪涌保护电路[发明专利]

专利名称：一种手机的浪涌保护电路专利类型：发明专利
发明人：黎凯华
申请号：CN201510133362.2
申请日：20150325
公开号：CN104701946A
公开日：
20150610
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种手机的浪涌保护电路，与手机的充电端口、PMU单元和电池连接，所述浪涌保护电路包括三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容，在手机充电时，充电电流从充电端口依次流过第一电阻、三极管、二极管、第一电阻再到电池。

这样手机充电时通过上述两级保护电路的保护，有效保护了手机的各个端口和电池。

申请人：黎凯华
地址：528000 广东省佛山市三水区西南街道基塘黄竹坑村二巷8号
国籍：CN
代理机构：深圳市精英专利事务所
代理人：冯筠
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自动频率跟踪中频电源的设计

自动频率跟踪中频电源的设计刘园园;周泽湘【摘要】针对目前晶闸管中频感应电源存在的问题,提出了一种新的主电路和控制电路设计方案.该方案采用了频率自动跟踪和PWM-IGBT,控制技术,运用了功率因数调节、零压扫频软启动、双闭环反馈、单片机数字控制等技术.所设计的中频感应加热电源能够满足多种加热要求,具有工作频率范围宽、稳定性好的特点,具有较高的生产实用价值.【期刊名称】《机电工程技术》【年(卷),期】2010(039)004【总页数】4页(P52-55)【关键词】中频电源;频率跟踪;软启动;单片机【作者】刘园园;周泽湘【作者单位】广东松山职业技术学院,广东韶关,512126;广东松山职业技术学院,广东韶关,512126【正文语种】中文【中图分类】TG155.21 引言中频感应电源是一种由大功率可控硅元件组成的静止式电源 [1]，利用电磁感应原理置工件于交变磁场中产生涡流而发热，达到熔炼、淬火、透热等加热要求，具有加热速度快、效率高、温度易控制、加热均匀、节能等优点，广泛应用于各种加热领域。

常用的晶闸管感应电源经过多年的发展已经得到了广泛的应用，但目前应用在工业生产中的中频感应电源存在一些缺点，如控制电路可靠性不高、功率调节有限、启动电路繁琐、功率因数低等。

针对该问题，本文提出了晶闸管感应电源新的设计方案，采用PWM－IGBT控制技术，运用频率自动跟踪、高频扫描启动等技术，同时采用80C196MC作为控制芯片，兼顾效益和性能，极大地提高了中频感应加热电源的性能。

2 中频电源电路设计常用的变频电路可以分为两大类：交－交变频电路和交－直－交变频电路，前者的特点是将50Hz的工频交流电直接变成频率可调的中频交流电，没有直流中间环节。

这种变频电路的优点是效率较高，但电路复杂，目前应用极少。

交－直－交变频电路的特点是有直流中间环节，通过整流电路先将工频交流电整流成直流电，再通过逆变电路变成频率可调的交流电。

具有电路简单，调试方便，运行可靠，效率可达90%以上等优点，该中频感应电源就采用交－直－交变频电路。

三极管基础分类,参数选择及常见型号对比

三极管基础分类,参数选择及常见型号对⽐三极管基础具体的原理就不说了, N型和P型都是通过硅和锗参杂不同的元素带来的电⼦富余或缺少从⽽产⽣内在的电动势, 这⾥说的是如何帮助记忆.半导体类型P型半导体, p-type Semiconductor, p-type 这个名称代表的是the positive charge of a hole, 知道这个就很好记忆了N型半导体, n-type Semiconductor, n-type 这个名称来⾃于the negative charge of the electron三极管类型PNP型三极管: 结构两端是P型, 中间是N型的三极管, 这种三极管中间是电⼦过剩的N型, 所以⼯作在放⼤状态时电⼦往外, 对应的电流⽅向是从两端往中间, 所以电路图中的标记为箭头朝⾥, 通过这个就很容易记忆了NPN型三极管: 结构两端是N型, 中间是P型的三极管, 这种三极管中间空⽳, 两端电⼦过剩, 所以⼯作在放⼤状态时电⼦往内, 对应的电流朝外, 所以电路图中的标记为箭头朝外三极管的主要参数了解三极管的四个极限参数：Icm, Bvceo, Pcm及fT即可满⾜95%以上的使⽤需要Icm是集电极最⼤允许电流，三极管⼯作时，当它的集电极电流超过⼀定数值时，他的电流放⼤系数β将下降。

为此规定三级电流放⼤系数β变化不超过允许值时的集电极最⼤电流称为Icm。

所以在使⽤中当集电极电流Ic超过Icm时不⾄于损坏三级管，但会使β值减⼩，影响电路的⼯作性能；Bvceo是三级管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。

如果在使⽤中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产⽣很⼤的集电电流，这种现象叫击穿。

三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降；Pcm是集电极最⼤允许耗散功率。

三极管在⼯作是，集电极电流集电在集电结上会产⽣热量⽽使三极管发热。

若耗散功率过⼤，三极管将烧坏。

在使⽤中如果三极管在⼤于Pcm下长时间⼯作，将会损坏三极管。

高温环境对三极管性能的影响

高温环境对三极管性能的影响曾经的我呢还一个单纯的小攻城狮，当自己设计完的电路板通过了功能测试、性能测试、环境实验后，我就可以开开心心的玩耍了，但是永远也想想不到用户会把你的产品用在什么地方（客户你们考虑过产品的感受吗）。

具体是这样的一个很简单的串口RS485电路，具体电路如下图所示，用了这个电路后就不要单独信号去管理485芯片的收发分时了（是不是很方便，我也这么想的）。

问题就是出现这这个电路上，我们做环境实验的时候是在55度做的一点点问题都木有，该收收该发发，但是一到了用户哪里工作一小会就挂了，啥也木的了，经过本人的现场排查（踩点），你知道用户放在哪里吗？他放在一个发热量巨大的发动机旁边（我TM，算了客户是上帝）本人亲自实际测了一下周围环境温度都48度以上，而且为了防尘，我的板卡和一个发热巨大的主控放在一个盒子里面，而且还没有风扇，这就导致盒子里面的温度到了70多度（你们是要搞烧烤吗），哪个安装环境啊没法说还不方便测量，我也很绝望啊，然后我灵机一动就对身后的嵌入式软件小哥说，是不是你软件配置有问题，人家ARM高温了会降频，你是不是没有配置好，导致收发有问题的（因为暂时我也不知道问题所在啊），然后小哥委屈说“没有啥特殊的啊，我都快把手册翻烂了也没有看到啊”，我呢首先表达对其深深的同情然后说“哥回去帮你好好想哪里出问题了”。

回到公司后，我就用热风枪使劲对着ARM吹，结果毛事没有，好家伙，锅是甩不掉了，剩下的电路一步一步的吹把，当吹到三极管时（图中Q4）果然，没得数据了，看来是三极管的事情，可是祸不单行啊，不吹后当温度降下来了也没得数据了，难道吹坏了？仔细一瞅，嘿把电阻给吹掉了（F***，在硬件的道路上一帆风顺是不存在滴），焊上电阻后调小风量，加大热度继续吹，还是出事了，那就目标锁定，测波形吧。

分别测量上图中所标识的1、2、3点，其中电路设计中用的限流电阻为1K，三级管为9013。

首先测量在常温下三个测试点得波形吧，第一点波形为隔离芯片ADuM1201输出引脚，其波形如下图所示，输出电压幅值为5V（忽略掉背景那个人影）。

元件静电敏感度

元件静电敏感度元器件静电敏感度等级静电敏感器件静电敏感度一般规定，静电损伤电压不小于16000V的为静电不敏感器件，小于16000V的为静电敏感器件. 静电敏感度分级：1级：不大于1999V2级：2000～3999V3级：4000～15999VESDS产品及其组件应有ESD保护电路,其最低要求应耐ESD电压值为：组件：不低于2000V产品：不低于4000V电子元器件静电敏感度的分级:1级（≤1999V）ESDS元器件a．微波器件（萧特基二极管,点接触二极管和f〉1GHZ的检波二极管）；b．MOS场效应晶体管（MOSFET)；c．结型场效应晶体管（JFET）;d．声表面波器件(SAW）；e．电荷藕合器件（CCD）;f．精密稳压二极管(线性或负载电压调整率小于0.5％）；g．运算放大器(OP AMP）；h．集成电路（IC）；i．混合电路（由1级ESDS元器件组成)；j．特高速集成电路(VHSIC）；k．薄膜电阻器l．可控硅整流器（Pt≤100mW，Ic<100mA）。

2级（2000～3999V）ESDS器件：a． MOS场效应晶体管；b．结型场效应晶体管；c．运算放大器；d．集成电路；e．特高速效应晶体管；f．精密电阻网络（RZ型）；g．混合电路(2级ESDS元器件组成）；h．低功率双极型晶体管（Pt≤100mW，Ic〈100mA）. 3级(4000～15999V）ESDS元器件：a． MOS场效应晶体管；b．结型场效应晶体管；c．运算放大器；d．集成电路；e．特高速集成电路；f． ESDS1级或2级不包括的所有其他电子元器件；g．小信号二极管(P<1W，I<1A)；h．一般硅整流器；i．可控硅整流器(I〉0.175A）；j．小功率双极型晶体管(350mW<P<100mW和400mW〈P<100mW）；k．光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）；l．片状电阻器；m．混合电路（3级ESDS元器件组成）;n．压电晶体。