分布反馈布拉格半导体激光器(DFB-LD)

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半导体激光器国家标准(二)

半导体激光器国家标准(二)

半导体激光器国家标准(二)3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。

3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面(AR面)上的光强分布。

3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移,导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上,又称为"smile"效应。

3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内,使光波沿着有源区层传播,并通过腔面输出,半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关,对于横向电场(TE)偏振光,只存在(Ey,Hx,Hz)三个分量,对于横向磁场(TM)偏振光,只存在(Ex,Ez,Hy)三个分量。

半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征,偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值,通常以百分比表示。

3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,激光器产生1W 热量所引起的温升大小,单位为℃/W或K/W。

3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时,结温每升高1℃所引起的波长变化,单位是nm/K。

3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10%和90%对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。

3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。

扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。

dfb激光器原理

dfb激光器原理

dfb激光器原理DFB激光器原理。

DFB激光器是一种具有单模、窄线宽和高功率输出的激光器,其原理基于光栅的衍射效应。

DFB激光器在光通信、光纤传感、光谱分析等领域有着广泛的应用。

本文将介绍DFB激光器的原理及其工作过程。

DFB激光器的结构主要由光栅和半导体材料组成。

光栅是一种具有周期性折射率变化的光学元件,它能够选择性地增强或抑制特定波长的光。

半导体材料则是激光器的发光介质,通过注入电流使其产生光子。

在DFB激光器中,光栅的周期性折射率变化导致了光的衍射效应,从而实现了单模输出和窄线宽的特性。

DFB激光器的工作原理可以简单地描述为,在激发条件下,半导体材料中的电子和空穴复合产生光子。

这些光子在激光腔中来回反射,其中部分光子被光栅的衍射效应选择性地增强,形成了单模输出。

同时,光栅的周期性结构也限制了激光波长的选择,使得DFB激光器具有非常窄的线宽。

DFB激光器的工作过程中,光栅的周期性结构起到了关键作用。

光栅的周期决定了输出激光的波长,而光栅的折射率变化则决定了衍射效应的强度。

通过精确设计光栅的周期和折射率变化,可以实现对DFB激光器输出波长的精确控制,从而满足不同应用场景对波长的要求。

除了波长的精确控制,DFB激光器还具有高功率输出的特点。

这得益于激光腔中的光增益和光栅的衍射效应,使得DFB激光器能够实现高效的光放大和窄线宽的输出。

这使得DFB激光器在光通信和光纤传感等领域有着广泛的应用前景。

总结来说,DFB激光器是一种基于光栅衍射效应的激光器,其原理基于光栅的周期性折射率变化和半导体材料的光放大效应。

通过精确设计光栅的结构和半导体材料的特性,可以实现对波长和功率的精确控制,从而满足不同应用场景的需求。

DFB激光器在光通信、光纤传感和光谱分析等领域有着广泛的应用前景,对于推动光电子技术的发展具有重要意义。

分布反馈式半导体激光器

分布反馈式半导体激光器

分布反馈式半导体激光器
分布反馈式半导体激光器(DFB激光器)是一种高性能半导体激光器,具有独特的结构和工作原理。

DFB激光器主要由一个具有周期性折射率的光栅和一段活性区域组成,其中光栅用于选择性地调制激光器的输出波长,从而实现单一波长的激光输出。

DFB激光器具有高度的稳定性和精度,非常适用于通讯、光纤传输、生物医学、光学测量和一些高速数据传输等领域。

其波长范围广泛,可以覆盖从850nm到1600nm的波段,因此在多个领域中广泛应用。

DFB激光器不仅具有高效、稳定的单频输出和低噪声特性,而且还可以通过调整光栅的周期、深度、宽度等参数来控制输出波长,从而适应不同的应用需求。

它的稳定性和可靠性高,寿命长,使得它成为现代光电子器件中不可或缺的一部分。

DFB激光器调研报告(在实际工程中的应用)

DFB激光器调研报告(在实际工程中的应用)

分布反馈式半导体激光器在实际工程系统中的应用摘要:DFB (Distributed Feed Back) DFB型光发射机,分布反馈(激光器)半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的激光导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展、半导体激光器体积小、重量轻、成本低、波长可选择,其应用范围遍及的领域越来越宽广,其的出现带来了巨大的变化,使科技更发达,人们生活更加丰富多彩,应用范围遍及医学、科技、航天交通,通信等各个领域。

自从1962 年世界上第一台半导体激光器(Diode Laser)发明问世以来, 由于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点, 被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一. 四十几年来半导体激光器逐步应用在激光唱机、光存储器、激光打印机、条形码解读器、光纤电信以及激光光谱学中, 不断扩大应用范围, 进入了一些其它类型激光器难以进入的新的应用领域。

关键字: DFB、工作波长、边模抑制比、阈值电流、输出光功率一、分布反馈式半导体激光器简介1、分布反馈式半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带之间,或者半导体物质的能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS,InAS,Insb等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。

【半导体激光器国家标准(二)】

【半导体激光器国家标准(二)】

半导体激光器国家标准(二)3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。

3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面(AR面)上的光强分布。

3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移,导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上,又称为"smile"效应。

3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内,使光波沿着有源区层传播,并通过腔面输出,半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关,对于横向电场(TE)偏振光,只存在(Ey,Hx,Hz)三个分量,对于横向磁场(TM)偏振光,只存在(Ex,Ez,Hy)三个分量。

半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征,偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值,通常以百分比表示。

3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,激光器产生1W 热量所引起的温升大小,单位为℃/W或K/W。

3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时,结温每升高1℃所引起的波长变化,单位是nm/K。

3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10%和90%对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。

3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。

扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。

DFB 激光器

DFB 激光器

DFB 激光器性能参数2005/3/7/11:54DFB激光器是在FP激光器的基础上采用光栅虑光器件使器件只有一个纵模输出,此类器件的特点:输出光功率大、发散角较小、光谱极窄、调制速率高,适合于长距离通信。

多用在1550nm波长上,速率为2.5G以上。

DFB激光器有以下性能参数:工作波长:激光器发出光谱的中心波长。

边模抑制比:激光器工作主模与最大边模的功率比。

-20dB光谱宽度:由激光器输出光谱的最高点降低20dB处光谱宽度。

阈值电流:当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。

输出光功率:激光器输出端口发出的光功率。

其典型参数见下表所示:普通结构的分布反馈半导体激光器(DFB-LD),在高速调制状态下会发生多模工作现象,从而限制了传输速率。

因此,设计和制作在高速调制下仍能保持单纵模工作的激光器是十分重要的,这类激光器统称为动态单模(DSM)半导体激光器。

实现动态单纵模工作的最有效的方法之一,就是在半导体激光器内部建立一个布拉格光栅,依靠光栅的选频原理来实现纵模选择。

分布反馈半导体激光器的特点在于光栅分布在整个谐振腔中,光波在反馈的同时获得增益。

因为DFB-LD的谐振腔具有明显的波长选择性,从而决定了它们的单色性优于一般的FP-LD。

在DFB-LD中存在两种基本的反馈方式,一种是折射率周期性变化引起的布拉格反射,即折射率耦合(Index-Coupling),另一种为增益周期性变化引起的分布反馈,即增益耦合(Gain-Coupling)。

与依靠两个反射端面来形成谐振腔的FP-LD相比,DFB-LD可能激射的波长所对应的谐振腔损耗是不同的,也就是说DFB-LD的谐振腔本身具有选择模式的能力。

在端面反射为零的理想情况下,理论分析指出:折射率耦合DFB-LD在与布拉格波长相对称的位置上存在两个谐振腔损耗相同且最低的模式,而增益耦合DFB-LD恰好在布拉格波长上存在着一个谐振腔损耗最低的模式。

分布反馈式半导体激光器

分布反馈式半导体激光器

分布反馈式半导体激光器半导体激光器及其应用调研报告课程题目分布反馈式半导体激光器在实际工程系统中的应用学院光电技术学院班级电科一班姓名李俊锋学号2010031029 任课教师张翔2013年 5 月15 日分布反馈式半导体激光器在实际工程系统中的应用李俊锋2010031029 摘要:DFB (Distributed Feed Back) DFB型光发射机,分布反馈半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的激光导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展、半导体激光器体积小、重量轻、成本低、波长可选择,其应用范围遍及的领域越来越宽广,其的出现带来了巨大的变化,使科技更发达,人们生活更加丰富多彩,应用范围遍及医学、科技、航天交通,通信等各个领域。

自从1962 年世界上第一台半导体激光器(Diode Laser)发明问世以来, 于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点, 被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一. 四十几年来半导体激光器逐步应用在激光唱机、光存储器、激光打印机、条形码解读器、光纤电信以及激光光谱学中, 不断扩大应用范围, 进入了一些其它类型激光器难以进入的新的应用领域。

关键字:DFB、工作波长、边模抑制比、阈值电流、输出光功率一、分布反馈式半导体激光器简介1、分布反馈式半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带之间,或者半导体物质的能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是GaAS,InAS,Insb等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。

分布反馈布拉格半导体激光器DFBLD课件

分布反馈布拉格半导体激光器DFBLD课件

无人驾驶
在无人驾驶系统中,激光雷达通 过DFB LD生成稳定的激光信号
,实现车辆导航和避障。
显示与照明领域的实际应用
高亮度显示
DFB LD用于生成高亮度的可见光,推动高亮度显 示技术的发展。
投影显示
作为投影显示系统的光源,DFB LD提供高质量、 高亮度的图像。
照明艺术
在照明艺术领域,DFB LD用于创造动态、多彩的 视觉效果。
以满足各种复杂应用需求。
多波段、多模式的研究
03
开展多波段、多模式DFB LD的研究,拓展其在通信、光谱分析
等领域的应用范围。
05
DFB LD的实际应用案例
光纤通信领域的实际应用
高速数据传输
DFB LD在光纤通信中用于 生成稳定、低噪声的光信 号,实现高速数据传输。
长距离通信
由于其低噪声和窄线宽特 性,DFB LD在长距离光纤 通信中表现出色,能够减 小信号衰减和干扰。
04
光栅刻写
利用干涉仪和反应离子束刻蚀等手段 ,在DFB LD芯片上刻写光栅结构, 控制好刻写的深度和周期性。
06
芯片切割与测试
将制造好的芯片进行切割、打标和测试,确保 其性能符合要求。
制造中的关键技术
01
02
03
外延生长技术
控制外延层的晶体质量和 厚度,是制造DFB LD的 关键技术之一。
光栅刻写技术
在光纤通信中,DFB LD用作发射器,将信息调制到激光光束上,通过光纤传输,实 现高速、大容量的数据传输。
DFB LD具有低噪声、高稳定性和长寿命等优点,能够提高光纤通信系统的性能和稳 定性。
激光雷达
激光雷达是利用激光束探测目标 并获取其位置、速度和形状等信 息的一种技术。DFB LD在激光

(完整版)分布式反馈激光器

(完整版)分布式反馈激光器

DFB分布式反馈激光器091041A 谢伟超DFB( Distributed Feedback Laser),即分布式反馈激光器,其不同之处是内置了布拉格光栅(Bragg Grating),属于侧面发射的半导体激光器。

DFB激光器将布拉格光栅集成到激光器内部的有源层中(也就是增益介质中),在谐振腔内即形成选模结构,可以实现完全单模工作。

目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。

DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度),它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边摸抑制比(SMSR),目前可高达40-50dB以上。

设计和制作在高速调制下仍能保持单纵模工作的激光器是十分重要的,这类激光器统称动态单模半导体激光器。

实现动态单纵模工作的最有效的方法之一,就是在半导体激光器内部建立一个布拉格光栅,靠光栅的反馈来实现纵模选择。

这种结构还能够在更宽的工作温度和工作电流范围内抑制模式跳变,实现动态单模。

分布反馈半导体激光器(DFB-LD),在DFB-LD中,光栅分布在整个谐振腔中,所以称为分布反馈。

因为采用了内部布拉格光栅选择波长,所以DFB-LD的谐振腔损耗有明显的波长依存性,这一点决定了它在单色性和稳定性方面优于一般的F-P腔激光器。

结构及工作机理DFB激光器的激光振荡不是靠F—P腔来实现,而是依靠沿纵向等间隔分布的光栅所形成的光耦合,如图2—81所示。

图中光栅的周期为A,称为栅距。

当电流注入激光器后,有源区内电子——空穴复合,辐射出能量相应的光子,这些光子将受到有源层表面每一条光栅的反射。

在DFB激光器的分布反馈中,此时的反射是布拉格发射,光栅的栅条间入射光和反射光的方向恰好相反。

满足上式的那些特定波长的光才会受到强烈反射,从而实现动态单纵模工作。

式也称为分布反馈条件(一般m取1)。

DFB-LD的光栅是完全均匀对称的,使得其发光出现了两个主模同时振荡的现象。

一种半导体DFB激光器控制电路的设计

一种半导体DFB激光器控制电路的设计

一种半导体DFB激光器控制电路的设计半导体DFB激光器是一种常用的光电器件,具有自锁振荡和稳定单模输出的特点。

为了实现对DFB激光器的精确控制,需要设计一种合适的控制电路。

这篇文章将详细介绍一种基于反馈控制的DFB激光器控制电路设计方案。

首先,我们需要了解DFB激光器的工作原理。

DFB激光器是一种具有光栅衍射结构的半导体激光器,通过该结构可以实现选择性放大其中一特定波长的光信号,从而实现单模输出。

控制DFB激光器的输出波长主要通过改变激光器中的折射率或者光栅调制电流来实现。

基于以上的工作原理,我们可以设计一种基于PID反馈控制的DFB激光器控制电路。

PID控制器是一种经典的控制算法,通过对系统的误差、积分和微分进行综合处理,实现对系统的精确控制。

其数学描述为:u(t) = Kp * e(t) + Ki * ∫e(t)dt + Kd * de(t)/dt其中,u(t)为输出控制信号,e(t)为系统的误差,Kp、Ki和Kd为PID控制器的参数,分别对应比例、积分和微分增益。

对于DFB激光器的控制,我们可以将激光器的输出功率作为系统的误差信号。

具体设计步骤如下:1.传感器选择:选择一个合适的光功率传感器,用于测量DFB激光器的输出功率。

常用的光功率传感器有PIN光电二极管、光纤耦合探头等。

2.比例放大器:将光功率信号放大到适合PID控制器的输入范围。

可以使用运算放大器或者其它适当的电路来实现。

3.PID控制器:设计一个PID控制器电路,根据实际需求调整比例、积分和微分增益系数。

可以使用模拟电路或者数字信号处理器来实现PID控制器。

4.DA/AD转换:将数字控制信号转换为模拟控制信号,根据PID控制器的输出控制信号,调整DFB激光器的工作状态。

同时,将光功率传感器测得的光功率信号转换为数字信号,在PID控制器中作为反馈输入。

5.功率调节电路:根据PID控制信号,调节DFB激光器的工作状态,实现输出功率的稳定控制。

DFB简介剖析

DFB简介剖析
激光器分类

法布里-珀罗型激光器(FP) 分布反馈激光器(DFB)

垂直腔面发射激光器(VCSEL)
FP激光器
FP激光器的谐振腔由镀膜的自然解理面形成的 ,只能实 现静态单模工作。在高速调制或温度和电流变化时,会出现 模式跳跃和谱线展宽。
DFB激光器

DFB( Distributed Feedback Laser),即 分布式反馈激光器,其不同之处是内置了 布拉格光栅(Bragg Grating),属于侧面 发射的半导体激光器。 DFB激光器将布拉 格光栅集成到激光器内部的有源层中(也 就是增益介质中),在谐振腔内即形成选 模结构,可以实现完全单模工作。

尽管DFB激光器有很多优点,但并非尽善尽 美。例如,为了制作光栅, DFB激光器需 要复杂的二次外延生长工艺,在制造出光 栅沟槽之后由于二次外延的回熔,可能吃 掉已形成的光栅,致使光栅变得残缺不全, 导致谐振腔内的散射损耗增加,从而使激 光器的内量子效率降低。此外, DFB激光 器的震荡频率偏离Bragg频率,故其阈值增 益较高。
目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓 (GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。 DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度), 它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边摸抑 制比(SMSR),目前可高达40-50dB以上。
DFB-LD芯片制造

DFB激光器 DFB激光器在高速调制时也能保持单模 特性,这是F-P激光器无法比拟的。尽管 DFB激光器在高速调制时存在啁啾,谱线有 一定展宽,但比F-P激光器的动态谱线的展 宽要改善一个数量级左右。Leabharlann FP-LD与DFB-LD的比较

DFB简介

DFB简介
FP-LD与DFB-LD的比较
光谱特性
.
激光器光谱特性包括峰值(或中心)波长、光谱宽度、边模抑制比;
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• 多纵模工作,也就是说该激光器只能用于 短距离传输。
• DFB激光器
• DFB激光器在高速调制时也能保持单模 特性,这是F-P激光器无法比拟的。尽管 DFB激光器在高速调制时存在啁啾,谱线 有一定展宽,但比F-P激光器的动态谱线的 展宽要改善一个数量级左右。
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目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓 (GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。 DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度), 它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边摸抑 制比(SMSR),目前可高达40-50dB以上。
模式跳跃和谱线展宽。
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DFB激光器
• DFB( Distributed Feedback Laser),即 分布式反馈激光器,其不同之处是内置了 布拉格光栅(Bragg Grating),属于侧面 发射的半导体激光器。 DFB激光器将布拉 格光栅集成到激光器内部的有源层中(也 就是增益介质中),在谐振腔内即形成选 模结构,可以实现完全单模工作。

FBG 、DFB 、FP三类激光器的比较分析

FBG 、DFB 、FP三类激光器的比较分析

FBG、DFB、FP三类激光器的比较分析FP:Fabry-perot法布里-珀罗,就是说LD内有法布里-珀罗谐振腔;fp是F-P 腔的,多纵模。

DFB:DistributeFeedback分布反馈式.DFBLD与FPLD的主要区别在于它没有集总反射的谐振腔反射镜,它的反射机构是由有源区波导上的Bragg光栅提供的。

DFB是分布式负反馈的,单纵模。

FBG:Fiber Bragg Grating即光纤布拉格光栅。

DFB激光器性能参数DFB激光器是在FP激光器的基础上采用光栅虑光器件使器件只有一个纵模输出,此类器件的特点:输出光功率大、发散角较小、光谱极窄、调制速率高,适合于长距离通信。

多用在1550nm波长上,速率为2.5G以上。

DFB激光器有以下性能参数:工作波长:激光器发出光谱的中心波长。

边模抑制比:激光器工作主模与最大边模的功率比。

-20dB光谱宽度:由激光器输出光谱的最高点降低20dB处光谱宽度。

阈值电流:当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。

输出光功率:激光器输出端口发出的光功率。

其典型参数见下表所示:FP激光器FP激光器是以FP腔为谐振腔,发出多纵模相干光的半导体发光器件。

这类器件的特点;输出光功率大、发散角较小、光谱较窄、调制速率高,适合于较长距离通信。

FP激光器有以下性能参数:工作波长:激光器发出光谱的中心波长。

光谱宽度:多纵模激光器的均方根谱宽。

阈值电流:当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。

输出光功率:激光器输出端口发出的光功率。

典型参数见下表所示:FBG激光器在纤芯内形成的空间相位周期性分布的光栅,其作用的实质就是在纤芯内形成一个窄带的(透射或反射)滤波器或反射镜。

利用这一特性可制造出许多性能独特的光纤器件。

这些器件具有反射带宽范围大、附加损耗小、体积小,易与光纤耦合,可与其它光器件兼容成一体,不受环境尘埃影响等一系列优异性能。

目前应用主要集中在光纤通信领域(光纤激光器、光纤滤波器)和光纤传感器领域(位移、速度、加速度、温度的测量)。

DFB简介

DFB简介

边模抑制比 Side Mode Suppression Ratio
在最坏反射条件时、全调制条件下,激光器光谱中主纵模光 功率峰值强度(Pm0)与最大边模光功率峰值强度(P m1)之比的 对数,即: SMSR =10 lg (Pm0/P m1) SMSR示意图
DFB激光器的发展
DFB激光器的发展方向是,更宽的谐调范围和更窄的线宽, 在一个DFB激光器集成两个独立的光栅,实现更宽的波长谐调 范围,比如达到100nm谐调范围,以及更窄的光谱线宽。
目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓 (GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。 DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度), 它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边摸抑 制比(SMSR),目前可高达40-50dB以上。
DFB-LD芯片制造
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
一次外延生长 光栅制作 二次外延生长 脊波导制作 欧姆接触、减薄 解理成条 端面镀膜 解理成管芯 TO-CAN

光栅制作
1.全息曝光 2.干法或湿法 刻蚀
二次外延生长
生长:
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层:接触层
激光器的纵模
F-P腔激光器: 多纵模工作,也就是说该激光器只能用于 短距离传输。

DFB激光器 DFB激光器在高速调制时也能保持单模 特性,这是F-P激光器无法比拟的。尽管 DFB激光器在高速调制时存在啁啾,谱线有 一定展宽,但比F-P激光器的动态谱线的展 宽要改善一个数量级左右。

FP-LD与DFB-LD的比较
光谱特性 . 激光器光谱特性包括峰值(或中心)波长、光谱宽度、边模抑制比;

《光纤通信》第4章 复习思考题参考答案

《光纤通信》第4章  复习思考题参考答案

第4章 复习思考题参考答案4-1 简述半导体发光基理答:在构成半导体晶体的原子内部,存在着不同的能带。

如果占据高能带(导带)c E 的电子跃迁到低能带(价带)v E 上,就将其间的能量差(禁带能量)v c g E E E -=以光的形式放出,如图4.2.1所示。

这时发出的光,其波长基本上由能带差E ∆所决定。

能带差E ∆和发出光的振荡频率o v 之间有hv E =∆的关系,h 是普朗克常数,等于6.625?10?34 J ?s ?。

由c vλ=得出1.2398hc E Eλ==∆∆(?m ) (4.2.1) 式中,c 为光速,E ∆取决于半导体材料的本征值,单位是电子伏特(eV )。

图4.2.1 半导体发光原理4-2 简述激光器和光探测器的本质区别答:发光过程,除自发辐射外,还有受能量等于能级差hv E E E =-=∆v c 的光所激发而发出与之同频率、同相位的光(激光),即受激发射,如图4.2.2(b )所示。

图4.2.2 光的自发辐射、受激发射和吸收反之,如果把能量大于hv 的光照射到占据低能带v E 的电子上,则该电子吸收该能量后被激励而跃迁到较高的能带c E 上。

在半导体结上外加电场后,可以在外电路上取出处于高能带c E 上的电子,使光能转变为电流,如图4.2.2(c )所示,这就是光接收器件。

4-3 自发辐射的光有什么特点答:对于大量处于高能带的电子来说,当返回v E 能级时,它们各自独立地分别发射一个一个的光子。

因此,这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向,它们可以向各自方向传播。

同时,高能带上的电子可能处于不同的能级,它们自发辐射到低能带的不同能级上,因而使发射光子的能量有一定的差别,这些光波的波长并不完全一样。

因此自发辐射的光是一种非相干光,如图4.2.2(a )所示。

4-4 受激发射的光有什么特点答:受激发射生成的光子与原入射光子一模一样,即它们的频率、相位、偏振方向及传播方向都相同,它和入射光子是相干的。

光纤通信原理第二章2 半导体激光器和发光二极管

光纤通信原理第二章2 半导体激光器和发光二极管

+ B = m/n,
n ( 1 + sin n)= m
布喇格反射条件
2n = m
是波纹光栅的周期,也称为栅距;m为 整数;n为材料等效折射率;为波长
3.DFB激光器的优点
•单纵模 •光谱线宽窄 •动态单纵模 •线性好
DFB和DBR激光器
MQW-DFB-LD
§2.5半导体激光器的基本特性
垂直腔面发射激光器
垂直腔激光器的优点
• 发光效率高 , 850nm,10mA电流,1.5mW 功率
• 发射圆形光束,耦合效率高 • 阈值电流极低,工作电流也不高 • 可通过短腔(5~10µm)实现单纵模工作 • 高温度稳定性,200Mb/s速率以下应用,可
不需要APC • 高工作速率(达3Gb/s以上) ,高张弛振荡频
寿命长 可靠性高 调制电路简单 成本低
LD和LED的光谱比较
• 存在光学谐振机制,并在有源区建立 稳定的振荡 ---激光产生条件
在半导体激光器中光振荡主要采用 两种形式:
• F-P(法布里-珀罗)谐振腔:用半 导体晶体天然的解理面构成。
• DBR(分布布拉格反射器)—周期 性波纹结构
2.制作半导体激光器的材料
直接带隙的半导体材料:导带的最低点 和价带的最高点对应着相同的波数K。
降低器件的阈值电流密度 实现室温下连续工作
(2)按平行于PN结激光器
台面条形 激光器
平面条形 激光器
隐埋条形 激光器
宽面激光器
只有PN结中部与解 理面垂直的条形面积上 (10~30 m)有电流通过 的结构是条形结构。
条形激光器主要优 点是阈值电流低,发热 少,利于散热,可以改 善光谱特性。但受条宽 限制不宜作大功率输出 。

半导体分布反馈激光器--DFB

半导体分布反馈激光器--DFB

半导体分布反馈激光器半导体分布反馈激光器是采用折射率周期变化的结构实现谐振腔反馈功能的半导体激光器。

这种激光器不仅使半导体激光器的某些性能(如模式、温度系数等)获得改善,而且由于它采用平面工艺,在集成光路中便于与其他元件耦合和集成。

GaAs-GaAlAs分布反馈激光器已实现室温连续工作,阈值3.4×103安/厘米2(320K)。

282K下得到的最大连续输出功率为40毫瓦。

半导体分布反馈激光器-简介采用折射率周期变化的结构实现谐振腔反馈功能的半导体激光器。

这种激光器不仅使半导体激光器的某些性能(如模式、温度系数等)获得改善,而且由于它采用平面工艺,在集成光路中便于与其他元件耦合和集成。

1970年采用双异质结的GaAs-GaAlAs注入式半导体激光器实现了室温连续工作。

与此同时,贝尔实验室H.利戈尼克等发现在周期结构中可由反向布喇格散射提供反馈,可以代替解理面。

在实验中,最初是把这种结构用于染料激光器,1973年开始用于半导体激光器,1975年GaAs分布反馈激光器已实现室温连续工作。

半导体分布反馈激光器-原理半导体分布反馈激光器的反馈结构是一种周期结构,反馈靠反向布喇格散射提供(见图)。

为了使正向波与反向波之间发生有效的布喇格耦合,要求光栅周期满足布喇格条件:半导体分布反馈激光器,式中λ0是激射波长,Ng是有效折射率,m=1、2、3、…(相当于耦合级次)。

对于GaAs材料,一级耦合:Λ=0.115微米。

在实验中,使用3250埃He-Cd激光和高折射率棱镜(nP=1.539),已制出Λ=0.11微米的周期结构(见半导体激光二极管)。

1.结构及工作机理DFB激光器的激光振荡不是靠F—P腔来实现,而是依靠沿纵向等间隔分布的光栅所形成的光耦合,如图2—81所示。

图中光栅的周期为A,称为栅距。

当电流注入激光器后,有源区内电子——空穴复合,辐射出能量相应的光子,这些光子将受到有源层表面每一条光栅的反射。

光通信用分布式反馈激光器(DFB-LD)模块

光通信用分布式反馈激光器(DFB-LD)模块
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2.5Gbit/s光通信用分布式反馈激光器(DFB-LD)模块
这个产品是为2.5Gbps长距离大容量光通信系统用ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ光源而开发出来的1550nm波长的分布式反馈激光二极管(DFB-LD)模块。这个产品的特征是:小尺寸,宽带宽,内藏热电冷却器,蝶型封装,误码率小于10-12等等。
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设计符合国际标准Telcordia的可靠性要求
14-pin蝶型封装(CX)
主要光电特性:
产品型号
峰值波长
λP
光输出功率Pf(min)
阈值电流
Ith(typ.)
斜度
效率
Sr (dB)
(typ.)
上升/下降时间tr/tf(typ.)
FLD5F6CX
1550nm
2.0mW
11mA
40µW/mA
0.1ns
FLD5F6CX
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五、激光焊的优点
图7-21 深熔焊小孔示意图
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7.3 激光打孔
一、激光打孔原理
激光打孔机的基本结构包括激光器、加工头、冷却系统、数控装置和操作面盘 (图7-13)。
图7-13
激光打孔机的基本结构示意图
二、激光打孔工艺参数的影响
※ 脉冲宽度对打孔的影响 :脉冲宽度对打孔深度、孔径、孔形的影响较大。窄 脉冲能够得到较深而且较大的孔;宽脉冲不仅使孔深度、孔径变小,而且使孔的 表面粗糙度变大,尺寸精度下降。
图9-6 受激拉曼散射光纤激光器示意图
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9.1.2 光纤激光器
2.光纤激光器的分类及应用 (3)光纤光栅激光器 DBR 光纤激光器基本结构如图 9-7 所示,利用一段稀土掺杂光纤和一对相同谐振 波长的光纤光栅构成谐振腔,它能实现单纵模工作。
图9-7 DBR光纤光栅激光器基本结构示意图
DFB 光纤光栅激光器基本结构如图 9-8 所示,在稀土掺杂光纤上直接写入的光栅 构成谐振腔,其有源区和反馈区同为一体。
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7.3 激光打孔
二、激光打孔工艺参数的影响
※ 激光打孔中离焦量对打孔的影响
当激光聚焦于材料上表面时,打出的孔比较深,锥度较小。在焦点处于表面下某一 位置时相同条件下打出的孔最深;而过分的入焦和离焦都会使得激光功率密度大大 降低,以至打成盲孔(图7-15)。
图7-15
离焦量对打孔质量的影响
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7.3 激光打孔
※ 激光功率密度:激光功率密度低则熔深浅、焊接速度慢。见图7-20
图7-20 激光热导焊焊接不锈钢时功率与 焊接速度、熔化深度的关系
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7.2 激光焊接
三、激光热导焊
2)激光热导焊的工艺以及部分参数 ※ 离焦量对焊接质量的影响:因为焦点处激光光斑中心的光功率密度过高,激 光热导焊通常需要一定的离焦量,使得光功率分布相对均匀。 正离焦:焦平面位于工件上方;负离焦:焦平面位于工件下方 ※ 脉冲激光热导焊的脉冲波形:脉冲波形对于焊接质量也有很大的影响
※ 光束在质量、透镜焦距和离焦量:激光器输出光束的模式为基横模时对激光切 割最为有利。光斑大小与聚焦透镜的焦距成正比。短焦距的透镜虽然可以得到较 小光斑,但焦深很小。离焦量对切割速度和切割深度影响较大,切割过程中必须 保持不变,一般离焦量选用负值,即焦点位置置于切割板面下面某一点。 ※ 喷嘴:喷嘴是影响激光切割质量和效率的—个重要部件。激光切割一般采用 同轴(气流与光轴同心)喷嘴,喷嘴出口直径大小应依据板厚加以选择。另外,喷 嘴到工件表面的距离对切割质量也有较大影响,为了保证切割过程稳定,这个距 离必须保持不变。
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7.4 激光切割
二、激光切割分类及其机理
※ 汽化切割:工件在激光作用下快速加热至沸点,部分材料化作蒸汽逸去,部分 材料为喷出物从切割缝底部吹走。这种切割机制所需激光功率密度一般为108W /cm2左右,是无熔化材料的切割方式 ※ 熔化切割: 激光将工件加热至熔化状态,与光束同轴的氩、氦、氮等辅助气流 将熔化材料从切缝中吹掉。熔化切割所需的激光功率密度一般为107W/cm2左右 ※ 氧助熔化切割: 金属被激光迅速加热至燃点以上,与氧发生剧烈的氧化反应 (即燃烧),放出大量的热,又加热下一层金属,金属被继续氧化,并借助气体 压力将氧化物从切缝中吹掉。
和损伤,于是又提出了图9-2所示的DFB-LD结构
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9.1.1 半导体激光器
2. 作为通信光源的半导体激光器 (3)分布布拉格反射半导体激光器 考虑到布拉格光栅反射性好的特点,将光栅置于激光器谐振腔的两侧或一侧, 增益区没有光栅,光栅只相当于一个反射率随波长变化的反射镜,这样就构成 了 DBR-LD 。其中,三电极 DBR-LD 是最典型的基于 DBR-LD 的单模波长可调谐半导 体激光器,其原理性结构如图9-3。
四、工业材料的激光切割:金属材料的激光切割和非金属材料的激光切割
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9.1.1 半导体激光器
1.光纤通信对半导体激光器光源的要求
半导体激光器是激光器中的一个大家族。它与固体激光器、气体激光器以及其 它类型的激光器相比,具有体积小、重量轻、电光转换效率高、可以直接调制、 使用方便等优点,因此它非常适用于光纤通信之中。图9-1给出了光发射端机的 工作原理。
2)材料的反射、吸收和导热性
※激光正入射,在光点中央的温度上升值ΔT与被吸收的光功率、导热系 P 数之间的关系 T ' 0 K 2.激光加工举例 1)激光焊接 2)激光打孔 3)激光切割
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7.2 激光焊接
一、激光焊接是一种材料连接,主要是金属材料之间连接的技术。 其优点:
1)用激光很容易对一些普通焊接技术难以加工的如脆性大、硬度高或柔软性强 的材料实施焊接。 2)在激光焊接过程中无机械接触,易保证焊接部位不因热压缩而发生变形
3)激光束易于控制的特点使得焊接工作能够更方便的实现自动化和智能化。
二、图7-19所示为一种显象管阴极芯的激光焊接设备原理。
图7-19阴极芯的激光焊接设备原理图 1:光束分束器;2:聚焦透镜;3:阴极芯
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7.2 激光焊接
三、激光热导焊
1)激光热导焊的原理 热导焊时,激光辐射能量作用于材料表面,激光辐射能在表面转化为热量。表面 热量通过热传导向内部扩散,使材料熔化,在两材料连接区的部分形成溶池。溶 池随着激光束一道向前运动,溶池中的熔融金属并不会向前运动。 2)激光热导焊的工艺以及部分参数 ※ 激光热导焊的连接形式:片状工件的焊接形式有对焊、端焊、中心穿透熔化焊
※脉冲激光热导焊的脉冲宽度:脉冲宽度影响到焊接熔深,热影响区的宽度等 焊接的质量要求。脉宽时间长,焊接熔深热影响区都大,反之则小。因此,要根 据激光功率的大小,要求的焊接熔深和热影响区的宽度大小来适当选择脉冲宽度。
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7.2 激光焊接
四、激光深熔焊
1)激光深熔焊的原理 当激光功率密度达到106—107W/cm2时,功率输入远大于热传导、对流及辐射 散热的速率,材料表面发生汽化而形成小孔(图7-21),孔内金属蒸汽压力与四 周液体的静力和表面张力形成动态平衡,激光可以通过孔中直射到孔底。 2)激光深熔焊工艺参数 ※ 临界功率密度:深熔焊时,功率密度必须大于某 一数值,才能引起小孔效应。这一数值,称为临界 功率密度 ※ 激光深熔焊的熔深 :激光深熔焊熔深与激光输出 功率密度密切相关,也是功率和光斑直径的函数。 3)激光焊接过程中的几种效应
图9-5 光纤激光器原理示意图
(2)特点 耦合效率高基于激光介质本身就是导波介质;光纤纤芯很细,纤内易形成高功率 密度,可方便地与光纤传输系统高效连接。由于光纤具有很高的“表面积 / 体积” 比,散热效果好,因此光纤激光器具有很高的转换效率,很低的激光阈值,能在 不加强制冷却的情况下连续工作。又由于光纤具有极好的柔绕性,激光器可以设 计得相当小巧灵活,利于光纤通信系统的应用,同时可借助光纤方向耦合器构成 各种柔性谐振腔,使激光器的结构更加紧凑、稳定。光纤还具有相当多的可调谐 参数和选择性,能获得相当宽的调谐范围和相当好的色散性和稳定性。
#实现动态单纵模工作的最有效的方法之
一就是在半导体内部建立一个布拉格光 栅,依靠光栅的选频原理来实现纵模选 择。分布反馈布拉格半导体激光器 ( DFB-LD )的特点在于光栅分布在整 个谐振腔中,光波在反馈的同时获得增 益,因此其单色性优于一般的FP-LD。
图9-2 DFB-LD结构示意图
#在DFB-LD制作技术的发展过程中,人们发现直接在有源层刻蚀光栅会引入污染
图9-8 DFB光纤光栅激光器基本结构示意图
图9-1 光发射端机组成方框图
2. 作为通信光源的半导体激光器 半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层 次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。
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9.1.1 半导体激光器
2. 作为通信光源的半导体激光器 (1) 法布里-珀罗激光器 法布里-珀罗激光器( FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器,它的谐振 腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的 FP-LD的制作技术 已经相当成熟。 FP-LD的结构和制作工艺最简单,成本最低,适用于调制速度 小于622Mbit/s的光纤通信系统。 (2)分布反馈半导体激光器
三、激光切割的工艺参数及其规律
※ 激光功率: 激光切割时所需功率的大小,是由材料性质和切割机理决定的。 ※ 切割速度: 在一定功率条件下,板厚越大,切割速度越小。切割速度对切口表 面粗糙度也有较大影响。
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7.4 激光切割
三、激光切割的工艺参数及其规律
※ 气体的压力:在功率和切割材料板厚一定时,有一最佳切割气体流量,这时切 割速度最快。随着激光功率的增加,切割气体的最佳流量是增大的。
图9-3 三电极DBR-LD结构示意图
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9.1.1 半导体激光器
2. 作为通信光源的半导体激光器 (4)垂直腔面发射激光器 光数据传输和交换的多通道往往需要能够二维集成的器件,而垂直腔面发射激 光器(VCSEL)是一个很好的选择。它与边发射激光器最大的不同点是:出射光 垂直于器件的外延表面,即平行于外延生长的方向。图9-4为其典型结构图,其 上下分别为分布布拉格反射( DBR )介质反射镜,中间( InGaAsN )为量子阱有 源区,氧化层有助于形成良好的电流及光场限制结构,电流由P 、 N电极注入, 光由箭头方向发出。
图9-4 VCSEL的典型结构示意图
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9.1.2 光纤激光器
1. 光纤激光器的基本原理及其特点 光纤激光器和其他激光器一样,由能产生光子的增益介质、使光子得到反馈并在 增益介质中进行谐振放大的光学谐振腔和激励光子跃迁的泵浦源三部分组成。 (1)基本原理 以纵向泵浦的光纤激光器(如图9-5)为例说明光纤激光器的基本原理
二、激光打孔工艺参数的影响
※ 脉冲激光的重复频率对打孔的影响 用调Q方法取得巨脉冲时,脉冲的平均功率基本不变,脉宽也不变,重复频率越高 ,脉冲的峰值功率越小,单脉冲的能量也越小。这样打出的孔深度要减小。
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