台湾亿光LED使用晶片简介-120515
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晶片表面電流擴散層
Without ITO
With ITO
ITO層可加強電流 均勻性增加亮度 ITO layer can gain more brightness
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晶片電極設計
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晶片前段製程-EPI
N metal
Active layer N-GaP GaAs Substrate
Bad heat conductive material
氧化鋁 Al2O3 (Sapphire) 不導電 {Ωcm > 1011} 導熱差 {W/mk = 38} 不吸光 {Eg = 8.5eV}
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N metal
砷化鎵 GaAs 導電 {Ωcm < 10-3} 導熱普通 {W/mk = 55 } 吸光 {Eg = 1.42eV}
溫度對波長&VF特性
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溫度對亮度特性
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晶片供應商
發光層 基板 廠商
晶元、TG、璨圓、廣 鎵、泰谷、華上、奇 美、晶發、新世紀、 showa denko、Epivalley、 Nichia
Sapphire
InGaN 藍綠光
SiC
III-V 族半導體組成
P
N
四元紅光
三元藍綠光
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發光顏色與材料選擇
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藍紅光晶片基本結構
P metal ITO Spreading P-GaN Active layer N-GaN Al2O3 Substrate P metal ITO Spreading P-GaP
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Q&A
Thank you
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CREE
Wafer bonding (Si/Cu/Ge)
CREE、旭明、Osram
GaAs AlGaInP 紅黃光
晶元、泰谷、華上、鼎 元、光磊、華鎵、洲磊
晶元、泰谷、華上、鼎 Wafer bonding 元、華鎵、聯勝、 (Si/GaP/Ge/AlN/Sapphire) Osram、Lumileds
42pcs wafer
wk.baidu.com
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晶片前段製程
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晶片後段製程
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水平與垂直藍光晶片
Al2O3 or SiC
Si or Cu
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電流對波長&VF特性
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晶片介紹
2012/05 RDMS Alan
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Outline 1.晶片顏色 & 基本結構 發光材料選擇 電極設計 2.晶片製程介紹 晶片EPI 前段製程 後段製程 3.水平、垂直晶片差異 4.晶片對電流特性
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Chip ??
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