模拟电子技术基础 第四版 童诗白 高等教育出版社 第五章答案

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模拟电子技术基础(第四版)第五章 童诗白主编

模拟电子技术基础(第四版)第五章 童诗白主编
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronics
华成英、童诗白 主编
—多媒体教学课件
华北科技学院 电子信息工程学院
主讲人:林亭生
第5章 放大电路的频率响应
重点:
1.频率响应的基本概念、波特图。 2.晶体管(场效应管)的高频等效模型
(混合模型)。 3.单管放大电路的频率响应。 4.多级放大电路的频率响应。
小结
(1)电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数τ ,即决定了fL和fH。
(2)当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降 3dB,且产生+450或-450相移。
(3)近似分析中,可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性。
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合 模 型

20lg Au / dB
对数幅频特性:
0
0.1 fH fH 10 fH
f
3dB
20
20dB/十倍频
40
对数相频特性:
在高频段, 0
低通电路产生
45º
0~ 90°的滞后
相移。
90º
0.1 fH fH 10 fH
f
5.71º
45º/十倍频
5.71º
图 5.1.3(b) 低通电路的波特图
二、简化的混合模型 通常情况下,rce远大于c--e间所接的负载电
阻,而rb/c也远大于Cμ 的容抗,因而可认为rce和 rb/c开路。
Cμ 跨接在输入与输出回路之间,电路分析变得相当复杂。 常将Cμ 等效在输入回路和输出回路,称为单向化。单向 化靠等效变换实现。
因极型为总图负C(π载C>)电>。阻CRu/// L,,且C一u//般中情的况电下流。可C忽u// 略的不容计抗远,大得于简集化电模

模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确�用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素�可将其改型为P型半导体。

(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子�所以它带负电。

(×)(3)P N结在无光照、无外加电压时�结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管�集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压�才能保证R大的特点。

(√)其G S(6)若耗尽型N沟道M O S管的G S U大于零�则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)P N结加正向电压时�空间电荷区将A。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时�发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G S=0V时�能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

A.结型管B.增强型M O S管C.耗尽型M O S管三、写出图T l.3所示各电路的输出电压值�设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解�U O1=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4=2V,U O5=1.3V,U O6=-2V。

模拟电子技术基础(童诗白第四版)答案

模拟电子技术基础(童诗白第四版)答案

模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知u i =10sin ωt (V),试画出u i 与u o 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。

1.3电路如图P1.3 所示,已知u i = 5sin ωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u o 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D = (V -U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈ U T / I D = 10Ω图 P1.4故动态电流的有效值: I d = U i / r D ≈ 1mA1.5 现有两只稳压管,稳压值分别是 6V 和 8V ,正向导通电压为 0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得 4 种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

模拟电子技术基础第四版习题解答

模拟电子技术基础第四版习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,β=100,U BE=0.7V。

童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路中的反馈)

童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路中的反馈)

第5章放大电路中的反馈5.1 复习笔记本章主要讲述了反馈的基本概念、负反馈放大电路的方块图、负反馈对电路性能的影响以及放大电路的稳定性等问题,阐明了反馈的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算、负反馈放大电路的稳定性判断方法和自激振荡的消除方法等。

通过本章的学习,读者应能做到会判,即能正确判断电路中是否引入反馈及反馈的性质;会算,即理解负反馈放大倍数A•的物理意义,并能够在深度负反馈条件下估算其值;会用,即掌握负反馈四种组态对电路f的影响,并能根据实际要求为放大电路选择组态类型;会判振、消振,即掌握自激振荡产生原因,并能根据环路增益波特图判断稳定性,同时了解消除自激振荡的方式。

一、反馈的基本概念及判断方法1.反馈的基本概念(见表5-1-1)表5-1-1 反馈的基本概念2.反馈的判断方法(见表5-1-2)表5-1-2 反馈的判断方法二、负反馈放大电路的方框图及四种基本组态1.负反馈放大电路的方框图任何反馈放大电路均可用图5-1-1所示方框图描述。

图5-1-1 负反馈放大电路方框图基本放大电路放大倍数A•、反馈系数F•和反馈放大电路的放大倍数A•f表达式为:其中,A•F•称为环路放大倍数。

2.负反馈中四种基本组态的比较反馈的组态不同,X•i、X•f、X•i′、X•o的量纲也就不同,因而A•、F•、A•f的物理意义也不同,四种反馈组态电路的方框图、它们的A•、F•、A•f及其量纲见表5-1-3。

表5-1-3 四种反馈组态电路三、放大电路在深度负反馈条件下的放大倍数1.深度负反馈的实质(见表5-1-4)表5-1-4 深度负反馈的实质2.深度负反馈条件下的近似计算若求出四种组态负反馈放大电路的反馈系数F•,则A•f≈1/F•,可求出电压放大倍数。

表5-1-3所示方框图中并联负反馈电路所加信号源为U s,且其内阻为R s,总负载电阻为R L′,则四种组态负反馈放大电路的反馈系数F•和电压放大倍数如表5-1-5所示。

模拟电子技术基础(第四版)童诗白、华成英 教材5

模拟电子技术基础(第四版)童诗白、华成英 教材5
// //
图5.2.2 简化混合 π 模型的简化 简化混合 型的简化 (b)单向化后的混合 π模型 单向化后的混合
图5.2.2 简化混合 π 模型的简化 简化混合 型的简化 (C) 忽略 //μ的混合 π模型 忽略C
第五章
等效电容的求法
密勒定理: 密勒定理: 用两个电容来等效 Cμ 。分别接在 b′、e 和 c、e 两端。 ′ 、 两端。
fH 称为上限截止频率
ɺ 则: A u =
1 1 + j ωτ
=
H
1 f 1+ j fH
f 1+ fH f ϕ = −arctan f H
ɺ Au =
1
2
第五章
ɺ 20 lg Au / dB
对数幅频特性: 对数幅频特性: 幅频特性
0.1 fH 3dB
fH
10 fH
/ /
第五章
Ub′e
(b)混合π 模型 )混合π
图5.2.2 混合 π 模型的简化 (a)简化的混合 π 模型 型的简化 简化的 简化的混合
第五章 Cμ跨接在输入与输出回路之间,电路分析变得相当复杂。 跨接在输入与输出回路之间,电路分析变得相当复杂。 常将C 等效在输入回路和输出回路,称为单向化 单向化。 常将 μ等效在输入回路和输出回路,称为单向化。单向 化靠等效变换实现。 化靠等效变换实现。 因为C 且一般情况下。 因为 π>> C u ,且一般情况下。 C u 的容抗远大于集电 // / , 极总负载电阻R 中的电流可忽略不计, 极总负载电阻 L C u 中的电流可忽略不计,得简化模 型图( ) 型图(C)。
ɺ Ic ɺ β= ɺ Ib
U ce =C
第五章
求共射接法交流短路电流放大系数β

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电电子技术基础第5章(第四版)童诗白 华成英

模拟电电子技术基础第5章(第四版)童诗白 华成英

模拟电子技术基础
放大电路的频率特性包括两部分: 幅度频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅度 固定,输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即 i ∣= ∣Vo /V∣= f ( ) ∣A
相位频率特性
相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即 ∠A ∠Vo ∠Vi f ( )
Ic gm jC bc 所以 I b 1/rbe j (C be C bc )
Ib
Rb
Ic I b Rc
RL VO
Rb >> rbe
固定偏流共射极放大电路
100Hz
1kHz 10kHz 100kHz 1MHz
79.62
7.962 0.796 0.08 0.008
f Xc1 Ib AV f <100Hz Xc1 与rbe = 863 不能短路 f 100Hz Xc1 <<rbe = 863 可以短路
当输入信号的频率等于上限频率或下限频率时,放大电路的 增益比通带增益下降3dB,或下降为通带增益的0.707倍,且 在通带相移的基础上产生-45°或+45°的相移.
3. 工程上常用折线化的近似波特图表示放大电路的频率响应。
模拟电子技术基础
5 放大电路的频率响应
5.1频率响应概述 5.2晶体管的高频等效模型
s s 1/ R2C2
AVL 1 1 ( fL / f ) 2
幅频响应
相频响应
H arctg ( fL / f )
输出超前输入
模拟电子技术基础
RC低通电路的幅频响应
RC高通电路的幅频响应
RC低通电路+ RC高通电路的幅频响应?

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详放大电路的频率响应)【圣才出品】

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十万种考研考证电子书、题库视频学习平 台
2.场效应管的高频等效模型
(a)场效应管的高频等效模型
(b)简化模型 图 5.6 场效应管的高频等效模型
三、单管放大电路的频率响应 1.单管共射放大电路的频率响应 (1)中频电压放大倍数:
其中,

(2)低频电压放大倍数:
其中,fL 为下限频率,
fbw fH fL
3.波特图 (1)横坐标取频率,幅频纵轴取 20 lg | Au | dB ,相频纵轴取度数(°)。 (2)高通电路波特图,如图 5.3 所示。
2 / 25
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对数幅频特性:
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相频特性:f ? fL 时, =0°;f=fL 时, =+45°;f = fL 时, =+90°。
f fL
为 A&u 的相频特性。可知,当 f ?
fL 时,
| A&u | ,≈00;当 f=fL 时, | A&u | ,≈450;当 f = fL 时,| A&u | f / fL ,表示
f 每下降 10 倍, | A&u | 降低 10 倍;当 f 趋于零时, | A&u | 趋于零, 趋于+900。
十万种考研考证电子书、题库视频学习平


设一个N级放大电路各级的下限频率分别为
,上限频率分别为
,通频带分别为 率、上限频率和通频带分别为
,则该放大电路的下限频
2.截止频率的估算 (1)下限截止fL:
(2)上限截止fH:
5.2 课后习题详解
5.1 在图 5.1 所示电路中,已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。

uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模电-童诗白课后题全解

模电-童诗白课后题全解
当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2) 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
(1)S闭合。
(2)
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)

解:(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。
解:由于 ,所以 。
空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故
时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故
电路如图所示,晶体管β=100, =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ;
(2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化?
(3)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?
ID=(V-UD)/R=,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
(1)两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=~Ω。
(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
RL=∞时; 图
RL=3kΩ时;
输出电阻:
电路如图所示,晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和

模拟电路(童诗白第四版)习题解答

模拟电路(童诗白第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

解:(a)将-VCC 改为+VCC。
(b)在+VCC 与基极之间加 Rb。
(c)将 VBB 反接,且在输入端串联一个电阻。
(d)在 VBB 支路加 Rb,在-VCC 与集电极之间加 Rc。
2.2 画出图 P2.2 所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a)
(b)
(c)
(d)
A.83
B.91
C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将( A ) 。
A.增大;
B.不变;
C.减小
1.2 电路如图 P1.2 所示,已知 ui = 10sin ωt (V),试画出 ui 与 uo 的波形。设二极管导通电
压可忽略不计。
图 P1.2
− U CES Rc
= 11.3mA ,
所以 T 处于饱和状态。
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE = 0.2V ,饱和管压降 UCES = 0.1V ;稳压
管 的 稳 定 电 压 UZ = 5V , 正 向 导 通 电压 UD = 0.5V 。 试 问 : 当 uI = 0V 时 uO = ? ; 当
分别求出 RL = ∞ 和 RL = 3kΩ 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom (有效值)。
10
(a)
(b)
图 P2.4
解:空载时: IBQ = 20µ A, ICQ = 2mA,UCEQ = 6V ;
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ,有效值约为 3.75V 。
带载时: IBQ = 20µ A, ICQ = 2mA,UCEQ = 3V ;
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( 4) 在 中 频 段 的 增 益 为
& 20 lg A usm ≈ 45dB
频 率 特 性 曲 线 如 解 图 T5.2 所 示 。
解 图 T5.2
三 、 已 知 某 放 大 电 路 的 波 特 图 如 图 T5.3 所 示 , 填 空 :
第五章题解-3
& |= ( 1 ) 电 路 的 中 频 电 压 增 益 20lg| A um
≈ 5.2kHz
第五章题解-7
5.6 已 知 某 电 路 电 压 放 大 倍 数
& = A u
− 10 jf f f (1 + j )(1 + j 5 ) 10 10
试求解:
& = ? fL= ? fH = ? ( 1) A um
( 2) 画 出 波 特 图 。
& 、 fL、 fH。 解: ( 1) 变 换 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 , 求 出 A um
5.11 在 图 P5.8 ( a ) 所 示 电 路 中 , 若 C e 突 然 开 路 , 则 中 频 电 压 放 大 倍 数
& 、 fH 和 fL 各 产 生 什 么 变 化 ( 是 增 大 、 减 小 、 还 是 基 本 不 变 ) ? 为 什 么 ? A usm & & & & 解: A usm 将 减 小 , 因 为 在 同 样 幅 值 的 U i 作 用 下 , I b 将 减 小 , I c 随 之 & 必然减小。 减小, U o
− 100 1 10 f (1 + )(1 + )(1 + j ) jf jf 2.5 × 105 + 10 f 2 f f (1 + jf )(1 + j )(1 + j ) 10 2.5 × 105

& = A u
5.4 已 知 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5.4 所 示 , 试 问 : ( 1) 该 电 路 的 耦 合 方 式 ; ( 2) 该 电 路 由 几 级 放 大 电 路 组 成 ; ( 3 )当 f = 10 4 Hz 时 ,附 加 相 移 为 多 少 ? 当 f = 10 5 时 ,附 加 相 移 又 约 为 多 少? 解 :( 1) 因 为 下 限 截 止 频 率 为 0, 所以电路为直接耦合电路; ( 2) 因 为 在 高 频 段 幅 频 特 性 为 - 60dB/ 十 倍 频 , 所 以 电 路 为 三 级 放 大 电 路 ; ( 3 ) 当 f = 10 4 Hz 时 , φ ' = - 135 o ; 当 f = 10 5 Hz 时 , φ ' ≈ - 270 o 。
( 2 ) Cπ ; ( 3) fH 和 fL; ( 4) 画 出 波 特 图 。
'
图 T5.2
解: ( 1) 静 态 及 动 态 的 分 析 估 算 :
I BQ =
VCC − U BEQ Rb
≈ 22.6µ A
I EQ = (1 + β ) I BQ ≈ 1.8mA U CEQ = VCC − I CQ Rc ≈ 3V rb'e = (1 + β ) 26mV ≈ 1.17kΩ I EQ
β02πBiblioteka b'e (Cπ + Cμ)
β0
2 πrb'e f T
− Cμ ≈ 214pF
' = Cπ + (1 + g m Rc )Cμ ≈ 1602pF Cπ
( 3) 求 解 上 限 、 下 限 截 止 频 率 :
R = rb'e ∥ (rb'b + Rs ∥ Rb ) ≈ rb'e ∥ (rb'b + Rs ) ≈ 567Ω fH = fL = 1 ≈ 175kHz ' 2 πRCπ 1 ≈ 14Hz 2π(Rs + Ri )C
模拟电子技术基础 第四版
第五章 放大电路的频率响应 自
一、选择正确答案填入空内。 ( 1) 测 试 放 大 电 路 输 出 电 压 幅 值 与 相 位 的 变 化 , 可 以 得 到 它 的 频 率 响 应,条件是 。 A. 输 入 电 压 幅 值 不 变 , 改 变 频 率 B. 输 入 电 压 频 率 不 变 , 改 变 幅 值 C. 输 入 电 压 的 幅 值 与 频 率 同 时 变 化 ( 2) 放 大 电 路 在 高 频 信 号 作 用 时 放 大 倍 数 数 值 下 降 的 原 因 是 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A. 耦 合 电 容 和 旁 路 电 容 的 存 在 B. 半 导 体 管 极 间 电 容 和 分 布 电 容 的 存 在 。 C. 半 导 体 管 的 非 线 性 特 性 D. 放 大 电 路 的 静 态 工 作 点 不 合 适 ( 3 )当 信 号 频 率 等 于 放 大 电 路 的 f L 或 f H 时 ,放 大 倍 数 的 值 约 下 降 到 中 频时的 。 A.0.5 倍 即增益下降 A.3d B 。 B.4dB C.5d B 。 B.0.7 倍 C.0 .9 倍 。 ,而
图 P5.3
解 :观 察 波 特 图 可 知 ,中 频 电 压 增 益 为 40dB ,即 中 频 放 大 倍 数 为 - 1 00 ;
& 的表达式 下 限 截 止 频 率 为 1 Hz 和 10 Hz , 上 限 截 止 频 率 为 250kHz 。 故 电 路 A u

第五章题解-6
& = A u
第五章题解-1
二 、 电 路 如 图 T5.2 所 示 。 已 知 : V C C = 1 2 V ; 晶 体 管 的 C μ = 4pF , f T = 50MHz , rbb ' = 1 00 Ω , β 0 = 8 0 。 试 求 解 :
& ; ( 1) 中 频 电 压 放 大 倍 数 A usm
10 3 ⋅ j f 5
& = A u & A um
f f f (1 + j )(1 + j 4 )(1 + j ) 5 10 2.5 × 10 5 = 10 3
f L = 5Hz f H ≈ 10 4 Hz
( 2 ) 波 特 图 如 解 图 P5.7 所 示 。
解 图 P5.7
第五章题解-9
5.8 电 路 如 图 P5.8 所 示 。 已 知 : 晶 体 管 的 β 、 rbb ' 、 C μ 均 相 等 , 所 有 电 容 的 容 量 均 相 等 ,静 态 时 所 有 电 路 中 晶 体 管 的 发 射 极 电 流 I E Q 均 相 等 。定 性 分 析 各电路,将结论填入空内。
图 P5.2
解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
& ≈ A u
− 32 (1 + f 10 )(1 + j 5 ) jf 10
& ≈ 或A u
− 3.2jf f f (1 + j )(1 + j 5 ) 10 10
& 的表达式。 5.3 已 知 某 共 射 放 大 电 路 的 波 特 图 如 图 P5.3 所 示 , 试 写 出 A u
rbe = rbb' + rb'e ≈ 1.27kΩ Ri = rbe ∥ Rb ≈ 1.27kΩ gm = I EQ UT ≈ 69.2mA/V
& = A usm
r Ri ⋅ b'e (− g m Rc ) ≈ −178 Rs + Ri rbe
( 2 ) 估 算 Cπ :
第五章题解-2
'
fT ≈ Cπ ≈
− 100 ⋅ j (1 + j f 10
& = A u & A um
f f )(1 + j 5 ) 10 10 = −100
f L = 10Hz f H = 10 5 Hz
( 2 ) 波 特 图 如 解 图 P5.6 所 示 。
解 图 P5.6
5.7 已 知 两 级 共 射 放 大 电 路 的 电 压 放 大 倍 数
R = Re ∥ fL ≈
rbe + Rs ∥ Rb rbe + Rs ≈ ≈ 20Ω 1+ β 1+ β
1 ≈ 80Hz 2π RC e
第五章题解-10
5.10 在 图 P5.8 ( b ) 所 示 电 路 中 , 若 要 求 C 1 与 C 2 所 在 回 路 的 时 间 常 数 相 等 , 且 已 知 r b e =1k Ω ,则 C 1 : C 2 = ? 若 C 1 与 C 2 所 在 回 路 的 时 间 常 数 均 为 25ms , 则 C1、 C2 各 为 多 少 ? 下 限 频 率 fL≈ ? 解: ( 1) 求 解 C1:C2 因为 C1( Rs+ Ri) = C2( Rc+ RL)
; ; ;
5.9
在 图 P5.8 ( a ) 所 示 电 路 中 , 若 β = 1 00 , r b e = 1k Ω , C 1 = C 2 = C e
= 100 μ F , 则 下 限 频 率 f L ≈ ? 解 :由 于 所 有 电 容 容 量 相 同 ,而 C e 所 在 回 路 等 效 电 阻 最 小 ,所 以 下 限 频 率 决 定 于 Ce 所 在 回 路 的 时 间 常 数 。
( 2) 电 路 的 下 限 频 率 fL≈
& = dB, A um
k Hz. 。

Hz , 上 限 频 率 f H ≈
& = ( 3) 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 A u
图 T5.3
解: ( 1 ) 60 ( 2 ) 10 ( 3) 10
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