逆变器制作过程大全

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

通用纯粹弦波逆变器制作

概述

本逆变器的PCB设计成12V、24V、36V、48V这几种输入电压通用。制作样机是12V输入,输出功率到达1000W功率时,可以连续长时间工作。

该逆变器可应用于光伏等新能源,也可应用于车载供电,作为野外应急电源,还可以作为家用,即停电时使用蓄电池给家用电器供电。使用方便,并且本逆变器空载小,效率高,节能环保。

设计目标

1、PCB板对12V、24V、36V、48V低压直流输入通用;

2、制作样机在12V输入时可长时间带载1000W;

3、12V输入时最高效率大于90%;

4、短路保护灵敏,可长时间短路输出而不损坏机器。

逆变器主要分为设计、制作、调试、总结四局部。下面一局部一局部的展现。

第一局部设计

1.1 前级DC-DC驱动原理图

DC-DC驱动芯片使用SG3525,关于该芯片的具体情况就不多介绍了。其外围电路按照pdf里面的典型应用搭起来就OK。震荡元件Rt=15k,Ct=222时,震荡频率在21.5KHz 左右。用20KHz左右的频率较好,开关损耗小,整流管的压力也小些,有利于效率的提高。不过频率低,不利于器件的小型化,高压直流纹波稍大些。

电池欠压保护,过压保护以及过流保护在DC-DC驱动上实现。用比拟器搭成自锁电路,比拟器输出作用于SG3525的shut_down引脚即可。保护电路均是比拟器搭建的常规电路。DC-DC驱动局部使用了准闭环,轻载时,准闭环将高压直流限制在380V左右,一旦负载加重前级立即进入开环模式,以最高效率运行。并且使用了光耦隔离,前级输入和输出

在电气上是隔离开的,这样设计也是为了平安。如图1.1所示,是DC-DC驱动电路原理图。

图1.1 DC-DC驱动电路原理图

1.2 前级DC-DC功率主板原理图

DC-DC功率主板采用的是常规推挽电路,8只功率开关管,每只管子有单独的栅极驱动电阻,分别用图腾驱动这8只功率管。变压器次级高压绕组经整流滤波后得到直流高压。辅助绕组经整流滤波稳压之后给后级SPWM驱动板以及反应用的光耦提供电压供电。

从原理图上可以看出,给前级驱动板供电,采用了电压变换电路,输入为12V时,为了保证在电池电压较低时前级驱动也充足,用LM2577升到15V,输入24V时,用LM7815降为15V,输入电压大于36V时,只能用LM2576HV来给驱动板供电了。大家都知道,像LM7815之类的线性电源容易受到干扰,所以建议24V的也用LM2576。

从原理图中可以看出,辅助电源也用了LM7815,建议最好换成LM2576。本次制作的时候也会用LM2576,把LM2576做在一块小板子上,最后输出三根线,和LM7815兼容。

关于前级驱动变压器的功率管选择,耐压值的经历选择为输入最高电压*2.4,即当12V 的机器,输入电压最高为14.5V,14.5V*2.4=34.8V,所以,12V的机器可以选耐压35V 的MOS。当然,这么选择是有前提的,就是你的变压器绕制工艺不能太差,漏感、分布参数不能太大,否则MOS会被变压器产生的尖峰击穿损坏。如果变压器绕制过关,可以选择耐压小点的管子,一般来说,电流一样,耐压更高的管子输入电容更大,阻也更大。但如果变压器绕的不咋样,乖乖,还是选择耐压高些的MOS管更好。

下面给出各种电压选择管子的参考:12V输入,4对IRF4104;24V输入,4对IRFP3710;36V输入:3对IRFP3710;48V输入:3对I*FH58N20。我给出的这些管子并不是最适宜的,但是这些管子都是我用过的,并且留有足够余量,实现本制作目标是没啥问题的。图1.2所示是DC-DC功率主板原理图。

图1.2 DC-DC功率主板原理图

关于变压器,打算用一个EE55来完成。12V输入时,初级2T+2T,单边用1.0的漆包线14根并绕,截面积到达11*2=22平方毫米,过100A的电流没问题了。次级1根1.0

的漆包线绕60T,辅助绕组用0.8的漆包线绕4T。变压器用治绕法,即次级、初级、次级、辅助。关于变压器的具体绕制,后面再说。

做24V输入的,EE55,初级4T+4T,单边用1.0的线8根并绕。次级1根1.0的漆包线绕60T,辅助绕组用0.8的漆包线绕4T。

做36V输入的,EE55,初级6T+6T,单边用1.0的线8根并绕。次级2根0.9的漆包线绕60T,辅助绕组用0.8的漆包线绕4T。

做48V输入的,EE55,初级8T+8T,单边用1.0的线8根并绕。次级2根1.0的漆包线绕60T,辅助绕组用0.8的漆包线绕4T。

由于24V、36V、48V输入时,功率可以大于1000W,因此漆包线的截面积〔即漆包线根数〕也应该增加,那样才能扛得住更大的功率。按照我上面给的参数,24V时能到1500W,36V能到2000W,48V搞个2500W或者3000W没啥问题。要说明的是,上面给出的参数我目前还没实际做过,给出的参数只作为参考。

1.3 SPWM驱动板原理图设计

SPWM采用专用芯片EG8010产生。EG8010还是挺好用的,虽然精度差些,但是也没有什么其他不好的,而且功能还挺多,最重要的是廉价,5元一片,都玩得起。关于EG8010的外围电路,参照其数据手册即可。

MOS驱动用IR2110,IR2110廉价,一只2110就可以驱动两只MOS,而且价格还比TLP250光耦廉价些,性能也不错,我比拟喜欢的就是IR2110有SHUT_DOWN引脚,部有D触发器,在做保护时,可以做成逐个周期限流。即一个50Hz的正弦周期保护后,要等到下一个正弦周期IR2110才会重新输出。大家看我做的24V/2000W的那个机器短路波形可以发现,在短路的时候,频率仍然为50Hz,这个就是IR2110部有D触发器的原因了。关于IR2110供电问题,就用自举供电。1000W的功率不大,自举供电完全OK,如果做独立供电,需要至少三组隔离电源,比拟麻烦,并且反激电源并不好做。

后级MOS的保护集成在SPWM驱动板上,采用检测管压降,稳定可靠,个人认为,比那种用电阻采样的要更可靠。关于管压降保护的,我不多讲,这也是我从别处学过来的,有些东西不方便说,好似是涉及了别人专利问题。我只说,按照我原理图里面的那些元件搭建起来,是完全可以的。

相关文档
最新文档