10nm制程技术稳定 Intel新处理器顺利推出
半导体制程及摩尔定律
神秘的处理器制程工艺摩尔定律指导集成电路(IC，Integrated Circuit)工业飞速发展到今天已经40多年了。
在进入21世纪的第8个年头，各类45nm芯片开始批量问世，标志着集成电路工业终于迈入了低于50nm的纳米级阶段。
而为了使45nm工艺按时“顺产”，保证摩尔定律继续发挥作用，半导体工程师们做了无数艰辛的研究和改进—这也催生了很多全新的工艺特点，像大家耳熟能详的High-K、沉浸式光刻等等。
按照业界的看法，45nm工艺的特点及其工艺完全不同于以往的90nm、65nm，反而很多应用在45nm制程工艺上的新技术，在今后可能贯穿到32nm甚至22nm阶段。
今天就让我们通过一个个案例，来探索一下将伴随我们未来5年的技术吧。
你能准确说出45nm是什么宽度吗？得益于厂商与媒体的积极宣传，就算非科班出身，不是电脑爱好者的大叔们也能知道45nm比65nm更加先进。
但如果要细问45nm是什么的长度，估计很多人都难以给出一个准确的答案。
而要理解这个问题，就要从超大规模集成电路中最基本的单元—MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)晶体管说起。
我们用半导体制作MOS管就是利用其特殊的导电能力来传递0或者1的数字信号。
在栅极不通电的情况下，源区的信号很难穿过不导电的衬底到达漏区，即表示电路关闭(数字信号0)；如果在栅极和衬底间加上电压，那么衬底中的电荷就会在异性相吸的作用下在绝缘氧化层下大量聚集，形成一条细窄的导电区，使得源区和漏区导通，那么电流就可以顺利从源区传递到漏区了(信号1)。
这便是MOS最基本的工作原理。
在一块高纯硅晶圆上(在工艺中称为“P型半导体衬底”)通过离子扩散的方法制作出两个N型半导体的阱——通俗地讲P型是指带正电的粒子较多，N型则是带负电的粒子比较多。
再通过沉积、光刻、氧化、抛光等工艺制造成如图中所示的MOS管，两个阱的上方分别对应源区(source)和漏区(drain)，中间的栅区(gate)和下方的衬底中间用一层氧化绝缘层隔开。
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最早是由美国伯克利大学的Krest教授及其研究团队提出的，当时提出的初衷是为了计算机/电子类方向的学生做课程实践服务的。
全球先进制程技术参数对比
全球先进制程技术参数对比随着科技的不断发展，全球各个国家都在竞相研发先进的制程技术，以提高芯片的性能和功耗。
在全球先进制程技术中，目前以台积电、英特尔和三星电子为代表的三大巨头处于领先地位。
本文将对比这三家公司的先进制程技术参数，分析其优势和差异。
1. 制程节点：制程节点是衡量芯片制造工艺的重要指标，通常以纳米为单位表示。
台积电的最新制程节点为5纳米，英特尔为10纳米，而三星则将其制程节点命名为8纳米。
可以看出，台积电的制程节点最为先进，有着更高的集成度和性能。
2. 晶体管密度：晶体管密度是指在单位面积上能够容纳的晶体管数量。
台积电的5纳米制程节点具有超过1.8亿个晶体管，相比之下，英特尔的10纳米制程节点约为26亿个晶体管，而三星的8纳米制程节点则可以容纳约为29亿个晶体管。
可以看出，尽管台积电的制程节点更为先进，但其晶体管密度却不如英特尔和三星。
3. 时钟频率：时钟频率是指芯片内部时钟的运行频率，通常以赫兹为单位表示。
由于不同公司的芯片设计和制造工艺不同，时钟频率的差异也较大。
以最新的处理器为例，台积电的5纳米芯片可以达到超过3.5GHz的时钟频率，英特尔的10纳米芯片可以达到超过5GHz的时钟频率，而三星的8纳米芯片可以达到超过4GHz的时钟频率。
可以看出，英特尔的芯片具有更高的时钟频率，有着更强的计算性能。
4. 功耗：功耗是指芯片在工作过程中所消耗的电能。
低功耗是现代芯片设计的重要目标之一。
台积电的5纳米制程技术相较于英特尔和三星来说，具有更低的功耗。
这得益于台积电采用了更先进的FinFET技术和优化的电源管理设计。
5. 成本：芯片制造的成本也是一个重要的考虑因素。
尽管制程节点和性能都是重要的竞争因素，但成本的控制同样关乎公司的盈利能力。
相对而言，台积电的制程技术在成本方面具有一定优势。
台积电作为代工厂商，通过与全球各大芯片设计公司的合作，共享研发成本，实现规模经济效应。
台积电、英特尔和三星电子作为全球先进制程技术的代表，各自在制程节点、晶体管密度、时钟频率、功耗和成本等方面存在差异。
英特尔芯片最高工艺技术
英特尔芯片最高工艺技术英特尔芯片是全球最大的微处理器制造商之一，具有许多创新和先进的技术。
其中，芯片的工艺技术是其核心竞争力之一。
最高工艺技术是指芯片制造中使用的最新的、最先进的工艺技术，它决定了芯片的性能、功耗、尺寸和生产成本等方面。
目前，英特尔芯片的最高工艺技术是10纳米制程。
与过去的工艺相比，10纳米工艺技术能够将更多的晶体管集成到芯片上，并且晶体管的尺寸更小，从而提高了芯片的性能。
10纳米制程还采用了三维晶体管架构，即FinFET技术，使得晶体管更加紧密地堆叠在一起，进一步提高了芯片的性能。
除了10纳米制程，英特尔还在研发和生产7纳米制程。
7纳米工艺技术是目前最先进的工艺技术之一，它能够实现更高密度的晶体管集成，进一步提升芯片的性能。
此外，7纳米制程还采用了更先进的EUV（极紫外）光刻技术，使得芯片中更细微的结构更容易制造，提高了制造效率。
最高工艺技术的提升对于英特尔芯片的发展具有重要意义。
首先，它将带来更高的芯片性能。
更多的晶体管集成和更小的尺寸将提高芯片的计算能力和响应速度，使得电子设备更加快速、高效。
其次，最高工艺技术还能够降低功耗和热量的产生。
更小的晶体管尺寸意味着更低的功耗，使得设备在工作时更加节能和环保。
此外，由于工艺技术的提升，芯片的尺寸也会更小，有利于电子设备的轻薄化和微型化。
然而，最高工艺技术也面临一些挑战。
首先，新一代工艺技术的研发需要大量的人力、物力和财力投入，成本较高。
其次，工艺技术的提升也面临物理极限的挑战。
当晶体管尺寸缩小到一定程度时，会出现量子效应和漏电现象，影响芯片的稳定性和可靠性。
因此，工艺技术的进一步提升需要克服这些挑战。
总的来说，英特尔芯片的最高工艺技术是其核心竞争力之一，它决定了芯片的性能和功耗等方面。
目前，英特尔的最高工艺技术是10纳米制程，未来将推出更先进的7纳米制程。
工艺技术的提升将带来更高的芯片性能和更低的功耗，推动电子设备的发展和创新。
不过，工艺技术的进一步提升还面临一些挑战，需要克服。
性能之王掠夺者战斧300 SpatialLabs超感空间裸眼3D版电竞本
性能之王掠夺者战斧300 SpatialLabs超感空间裸眼3D版电竞本作者：王索蔚来源：《计算机与网络》2022年第10期2022年5月18日晚9点，宏碁全球春季新品发布会于线上举办。
对于期盼已久的游戏玩家来说，本次发布会最值得关注的重点便是新发布的掠夺者战斧300 SpatialLabs超感空间裸眼3D版电竞本。
这款专为游戏玩家量身打造的游戏笔记本极具创意的将宏碁领先行业的SpatialLabs裸眼3D技术与游戏结合，让游玩体验更上一个台阶，更让掠夺者系列游戏笔记本具备独特的满足生产力工具的能力，成功“破圈”。
战斧300 SpatialLabs超感空间裸眼3D版的全新配置性能延续掠夺者高端电竞强悍特性，搭载最新的十二代英特尔酷睿i9处理器以及英伟达RTX 3080移动显卡，最高支持32 GB内存以及PCIE4.0固态硬盘，可轻松驾驭目前市面上各类3A游戏大作；同时机身散热系统采用掠夺者第五代3D刀锋速冷金属风扇搭配CPU液金散热设计，确保高端硬件稳定、低噪运行；配备游戏本标准的15.6英寸屏幕，不同寻常的是使用了超清晰的4K分辨率并支持SpatialLabs技术，可在不借助其他辅助设备的情况实现裸眼3D功能。
如果说顶尖的游戏硬件让战斧300 SpatialLabs超感空间裸眼3D版轻松问鼎电竞笔记本中王座，那SpatialLabs裸眼3D技术的加入足以撼动游戏世界。
目前宏碁SpatialLabs裸眼技术不仅支持了各大图形开发软件，还增加了TrueGame平台对各类3A游戏大作进行裸眼3D使用的适配，目前已经支持50款3A级PC游戏，让玩家获得非比寻常的真实游戏体验。
SpatialLabs技术不仅仅局限在生产力软件与游戏内。
借助强大的AI引擎，升级后的SpatialLabs Go可以实现将任意2D图形3D化并通过裸眼3D视觉显示，用户可以通过该技术将日常任务照片，喜爱的2D卡通人物、一些简单的3D草稿设计图通过SpatialLabs Go转换为裸眼3D进行观察，不仅可以让使用者感受更高维度的视觉，还能激发更多创作灵感或者在商谈中提供更立体的展示效果。
intel工艺技术
intel工艺技术英特尔(Intel)是世界领先的半导体技术公司，以其卓越的创新能力和高效的制造工艺而闻名于世。
其工艺技术是其成功的关键之一，使其能够开发出高性能、高效能的处理器和芯片组。
英特尔的工艺技术不断地进步和演变，以跟上科技发展的日新月异。
最近的一个里程碑是英特尔所推出的10纳米工艺技术。
这一技术是英特尔在其制造工艺上的重大突破，使其能够在更小的空间内集成更多的晶体管。
晶体管的密度决定了处理器的性能，而10纳米工艺技术的推出使英特尔的处理器性能大幅提升。
然而，英特尔并不满足于此。
目前，英特尔正在不懈努力开发7纳米、5纳米和3纳米的工艺技术。
这些都是高度挑战性的目标，需要克服许多技术难题。
例如，要在更小的空间内集成更多的晶体管，就需要克服电子迁移、热量散失和电压漏电等问题。
为了解决这些问题，英特尔不断地投入研发资源，与各种科研机构和大学展开合作，寻找创新的解决方案。
除了集成度的提升，英特尔还在降低功耗方面取得了显著的进展。
功耗的降低意味着处理器可以更加节能，更加环保。
英特尔的工艺技术使得处理器能够在更低的电压下运行，减少功耗的同时不影响性能。
这对于移动设备和数据中心等对功耗要求较高的领域尤为重要。
另外，英特尔的工艺技术还提供了更好的可靠性和稳定性。
通过采用更先进的材料和制造工艺，英特尔的处理器能够更快地响应和处理任务，减少系统崩溃和失效的风险。
这对于企业和个人用户来说都是非常重要的，他们需要稳定可靠的计算设备来完成工作和娱乐活动。
总的来说，英特尔的工艺技术在半导体行业中是独具竞争力和领先地位的。
其不断突破的创新能力使其能够在更小的空间内集成更多的晶体管，提高处理器的性能，同时降低功耗，提供更好的可靠性和稳定性。
通过持续不断的研发和合作，英特尔将继续引领半导体行业的发展，推动科技进步的步伐。
三星10nm怎么样？ 10nm工艺和14nm的工艺的对比
三星10nm怎么样？10nm工艺和14nm的工艺的对比三星10nm怎么样？众所周知，2016年11月份，三星已经开始将10LPE制造技术应用到其生产的SOC中。
这一制造技术与三星之前使用的14LPP工艺相比，将能够缩小30%的晶片面积，同时能够降低40%的功耗或者是提高27%的性能（以同样的能耗）。
到目前为止，三星已经用该技术加工量超过七万片wafer，从这一过程中规可以大概估算出三星的技术（考虑到10nm的工艺生产周期为90天左右）。
同时，我们应当知道的是，三星目前还没有推出很多10nm工艺的产品：只有三星自己的Exynos系列和三星为高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工艺。
除了以上产品之外，三星计划在2017年底量产采用第二代10nm工艺的芯片，也就是三星所说的10LPP工艺。
未来，三星将会在2018年底推出采用第三代10nm工艺的芯片（10LPU）。
去年，三星曾表示，10LPP工艺比现有的10LPE工艺提高了10%左右的性能。
三星电子前不久对外公布了晶片发展规划，三星第一代10纳米FinFETLPE制程于去年10月量产，当然基本都是提供给高通S835和三星Exynos8895使用，按照目前三星的计画备货量来看，其10nm的良率仅有70%左右，远不及台积电的85%以上的良率，但是骁龙835的和8895的进度远高于联发科的x30，这使得台积电在名义上落后于三星。
不过三星当下的日产能已经提升至月产2.5万片左右，可提供每月约300万片10nm芯片。
10nm工艺和14nm的工艺的对比芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。
制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。
就比如小米6的骁龙835 用上了更先进的10nm 制程，在集成了超过30 亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820 还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27%。
10nm制程，英特尔第11代酷睿H45处理器登场
10nm制程，英特尔第11代酷睿H45处理器登场作者：来源：《电脑报》2021年第19期英特尔近日发布了针对游戏本、高性能本的10nm制程第11代酷睿H移动处理器，也就是Tiger Lake-H45，或叫作第11代酷睿H45处理器（45指标准TDP为45W，其实这早就失去了意义，一般就叫做酷睿H。
此次特意强调H45，是为了和之前发布的H35做区别——后者可理解为“提升功率至35W的第11代酷睿U处理器”）。
老规矩，先上规格表，我们先基于表格中提供的信息进行解读：第11代H45处理器是6核12线程起了，10nm制程，最高依然是8核16线程。
8核16线程处理器的缓存大幅提升了，从第十代酷睿的16MB提升到了24MB，不过6核款依然是12MB。
支持的内存从第10代酷睿H的DDR4 2933提升到了DDR4 3200。
集显部分依然是UHD Graphics而非第11代酷睿U用的Iris Xe（但其架构是最新Xe架构的），另外EU执行单元为32个，比酷睿U系列处理器的集显EU少很多。
这主要是考虑到这类处理器通常会搭载强力独显，所以Iris Xe这样的强力集显有些“费力不讨好”，还会分掉部分CPU功率，因此干脆降低EU数量。
不过频率方面小幅提升到1450MHz（第10代酷睿H的UHD是1200MHz）。
全核最高睿频和单核最高睿频总体来看提升都不大，有些100MHz，有些200MHz;基础频率的变化也不算太大。
可以理解的是，这么多核心数量，频率哪怕要提升一点，尤其是睿频，也会提升非常多的功率/功耗，即便制程进步，再把频率往上拉也有些得不偿失。
更何况笔记本都会受到散热的限制，所以只能有所取舍。
这里还有个“非官方声音”，认为频率没太多提升，原因之一是引入了AVX512指令集，而引入AVX512在理论上可加强处理器AI运算能力（AI性能很猛的近两代酷睿U就是支持AVX512的）。
但具体的应用情况需要后续跟进了解。
解读完了表格，再从偏技术的角度做一些解读。
桌面PC小精灵 英特尔猎豹峡谷NUC迷你主机
想要拥有一台Intel NUC小主机，这样的心心念随着第11代英特尔猎豹峡谷NUC的上市终于如愿以偿。
实际上从上一代就在关注NUC，之所以当时没有入手，主要是还没有说服自己，买一台这么小的主机究竟有什么用？以及NUC能否给出一个必须入手的理由。
2020年的9月初，英特尔正式推出搭载英特尔锐炬Xe显卡的第11代智能英特尔酷睿处理器（代号“Tiger Lake”），这次的处理器有很多新技术，比如全新Willow Cove CPU微架构，全新的SuperFin制程技术，对比上一代，运行频率显著提高。
另外一个很大的变化就是搭载的英特尔锐炬Xe显卡，不仅满足多种办公应用的需求，还能流畅运行包括《无主之地3》《孤岛惊魂：新曙光》《杀手2》和其他主流1080p游戏，相比上代产品，游戏时性能提高多至2倍。
当然，还有PCIe4.0，WiFi6（Gig+），以及雷电4等多项新特性，足够领先目前的主流配置。
此外，在桌面办公方面，相比笔记本电脑和台式机电脑的体积都要更小，意味着能够节省很多空间，连接大屏显示器也更加方便。
这款NUC是英特尔猎豹峡谷（Panther Canyon），型号为NUC11PABi7，外观规格为117mm×112mm×56mm，主机重量仅为643g，甚是轻巧，放在桌面上一点儿也不占空间，甚至可以“隐藏”起来。
前面板的左侧有一个若隐若现圆形的区域，这里是隐藏式硬盘指示灯，可以用来显示硬盘读写状态。
中间1个Thunderbolt3接口，1个USB3.1Gen2Type-A接口以及1个3.5mm耳机/麦克风插口，最右侧的电源按钮，开机后也会亮起蓝光。
主机顶部还搭载了1个无线充电区域，最高功率15W，可以为手机或耳机等小产品充电，相当方便。
需要说明的是，在另外的NUC11PAH/PAK型号上是没有无线充电功能的。
NUC主机重量为643g，就主机本身来说，倒是非常便携，但没有电源是不行的，所以在加上这个120W的适配器后，就达到了1086g，这个重量也能接受，毕竟比很多轻薄本还要轻，就是电源看上去太笨重，跟mini小主机完全不搭，希望能推出一款更小巧的适配器。
2023年英特尔Atom处理器报道分析
3.Atom处理器功耗控制出色，适合移动设备和消费电子设备
Atom处理器介绍
Introduction to Atom processors
英特尔Atom处理器，灵活高效，适用于平板、手机、智能家居
Atom处理器在处理日常任务时表现出色，但在处理复杂的多线程应用和大型文件时性能受限
HDMI、USB和DDR3
智能节能技术
性能比较
英特尔Atom处理器：性能与功耗平衡
英特尔Atom处理器功耗低，适合电池供电设备
英特尔Atom处理器低功耗优势明显，但性能相对较低
英特尔Atom处理器：性能与功耗平衡
英特尔Atom处理器，低功耗、高性能，主宰消费电子市场
英特尔Atom处理器：高效图形媒体、快速内存访问、优化微架构
1.英特尔Atom处理器用于消费电子产品，具备低延迟、高能效特点
2.Atom处理器低功耗适合电池设备，快速性能满足日常需求
3.Atom处理器性能不佳，不估电子设备性能和节能潜力的重要手段
低功耗处理器
英特尔Atom处理器
40纳米工艺技术
多核CPU和GPU
4. 智能穿戴设备Atom处理器可以用于各种智能穿戴设备，如智能手表、智能手环等。它可以提供高性能和低功耗的特性，让穿戴设备更加舒适和实用。
5. 车载设备Atom处理器可以用于各种车载设备，如车载导航、车载娱乐系统等。它可以提供高性能和低功耗的特性，让车载设备更加智能化和安全化。
Atom处理器应用场景
英特尔Atom处理器功耗提升，电池续航时间更长
英特尔优化Atom处理器，迎接5G和物联网新时代
发展趋势
Atom处理器应用场景
终进10nm时代解析英特尔第十代移动酷睿处理器
在正式发布前，英特尔第十代酷 睿移动处理器经历了多次曝光。远的 包括数次介绍Sunny Cove架构和10nm 工艺研发情况，近的则是今年5月份 ComputeX上对Ice Lake和第十代酷睿处 理器的发布。不过都是嘴上说，而没 有具体产品可看。直到8月1日，英特尔 宣布第十代酷睿移动处理器全面上
应用与技术
Comet Lake的命名方式和之前10n m 的Ice L a ke有很大相似性，但也有明 显不同。其中的主要差异在于C o m e t L a k e型号命名中采用了5位数字的方 式，而之前Ice Lake则采用的是4位数 字。以Comet Lake的Core i7-10710U为 例，数 字 中 的“10 7 10 ”前 两 位代 表 第十代酷睿移动处理器，710则是具 体型号，其中“7”是指6核心12线程， “5”“3”和“2”是指4核心8线程产 品，“1”是指2核心4线程。另外由于 整 体 架 构 并 未 采 用 全 新 设 计，因 此 集成的核芯显卡等都和上代产品一 致，本文就不多介绍了。
另 外 再 来 说 点 题 外 话，是 有 关14n m工艺和10n m工艺的对比。从 规格来看，Comet Lake在14nm工艺、 低功耗情况下，最大Tu r b o频率甚至
艺已经完成，即将开始商业化生产。那么，英特尔10nm工艺的首批产品都有哪些型号呢？除了10nm之外，英特尔
还有哪些新品和新技术发布呢？
文/图 李实
在刚刚过去不久的8月，对英特 尔来说可谓新闻不断。先是在8月1日， 英特尔宣布采用全新10nm工艺的第十 代酷睿移动处理器正式上市，随后英 特尔通过各种渠道分享10nm新品的详 尽信息。不过英特尔10n m工艺在目前 看来依旧有产能不足的问题，因此在8 月21日英特尔又发布了基于14nm工艺 的全新处理器产品，并将其纳入第十 代酷睿移动处理器的产品矩阵。
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！在英特尔Accelerated 活动中，英特尔表⽰正在考虑到 2025 年的⽬标。
⾸席执⾏官 Pat Gelsinger在今年早些时候表⽰，英特尔将在 2025 年重返产品领导地位，但⼀直没有解释如何实现。
直到今天，英特尔披露了其到 2025 年的未来五代⼯艺节点技术的路线图。
英特尔相信它可以采取积极的战略来匹配并超越其代⼯竞争对⼿，同时开发新的封装服务为外部客户开展代⼯业务。
最重要的是，英特尔重命名了其⼯艺节点。
以下是英特尔今天的披露的路线图。
技术⽤于⽣产和进⼊零售之间是有区别的；英特尔将某些技术称为“准备就绪”，⽽其他技术则称为“加速”，因此这个时间表只是提到的那些⽇期。
正如您想象的那样，每个⼯艺节点都可能存在数年，此图只是展⽰了英特尔在给定时间的领先技术。
英特尔定义了⼀个强⼤的未来：台积电是否⾯临风险？今年早些时候，⾸席执⾏官 Pat Gelsinger 宣布了英特尔的新 IDM 2.0 战略，包括三个要素：1.建⽴ (7nm)2.扩张（台积电）3. 产业化（英特尔代⼯服务）这⾥的⽬标是继续致⼒于英特尔的⼯艺节点技术开发，超越⽬前⽣产中的当前 10nm 设计，但同时使⽤合作伙伴（或竞争对⼿）的其他代⼯服务来重新获得/保持英特尔在其处理器中的地位的公司收⼊。
第三个要素是 IFS，即英特尔的代⼯服务，英特尔正在⼤⼒承诺向外部半导体业务开放其制造设施。
⽀撑建⽴和产业化⽬标的是英特尔如何执⾏⾃⼰的⼯艺节点开发。
虽然在英特尔最近的 2021 年第三季度财报电话会议中，⾸席执⾏官 Gelsinger 证实，英特尔现在每天⽣产的 10nm 晶圆⽐ 14nm 晶圆多，这标志着两种设计之间的信⼼发⽣转变，但英特尔难以从 14nm ⼯艺过渡到其 10nm ⼯艺已不是什么秘密。
今年 6 ⽉ 29 ⽇，英特尔还表⽰，其下⼀代 10nm 产品需要额外的验证时间，以简化 2022 年在企业系统上的部署。
英特尔第四代酷睿处理器详解
英特尔此次公布的产品以高端四核处理器为主，其中包括酷睿i7和酷睿i5产品，分为12款桌面处理器和10款移动处理器。
如果用户关注U系列和Y系列低电压处理器，即针对超极本的产品，或酷睿i3、奔腾和赛扬系列产品，那么还需要等待更长时间。
我们将回顾Haswell处理器的CPU、GPU和芯片组改进，随后将讨论英特尔此次发布的CPU型号，以及将采用这些CPU的系统。
这些信息全部来自英特尔，我们将在今年夏季晚些时候对Haswell处理器计算机的评测中对这些信息进行验证。
CPU：性能小幅提升，功耗大幅下降第四代酷睿处理器的最主要部分就是Haswell架构，这一新CPU架构将替代Ivy Bridge和Sandy Bridge架构。
在英特尔的“Tick-Tock(嘀嗒)”升级策略中，Haswell是一次“Tock”，表明这是一款基于英特尔现有22纳米3D三栅极制造工艺的全新架构。
明年代号为“Broadwell”的升级将采用同样的架构，但将转向14纳米的制造工艺。
与以往升级类似，Haswell比Ivy Bridge的性能更强大，而功耗相仿或较低。
不过这一次，英特尔更多地注重降低功耗，将Haswell 称作“英特尔史上产品换代中电池续航时间最大幅度的提升”。
根据英特尔的数据，采用Haswell处理器的笔记本电池续航时间比采用Ivy Bridge处理器的笔记本最多长1/3。
不过这样的说法仍需要在实际产品中验证。
在这样的情况下，许多硬件厂商可能会选择维持当前的电池续航时间不变，同时缩小电池尺寸，从而使笔记本更轻薄。
另一方面，硬件厂商也可能引入更耗能的功能，例如高清显示屏。
Haswell的节能主要是由于，这是第一款针对22纳米制造工艺设计的CPU架构，而此前Ivy Bridge架构针对上一代制造工艺，仅仅只是为了适应22纳米工艺对架构进行了微调。
Haswell其他方面的改进还包括空闲功耗，以及在空闲状态和激活状态切换过程中的功耗。
i7-1185G7怎么样？i7-1185G7详细评测
i7-1185G7怎么样？i7-1185G7详细评测⼤家都知道，英特尔⼗⼀代酷睿处理器上市已经有⼀段时间了，基于其打造的新品也已经全⾯上市。
不过对于⽤户⽽⾔，最常见的⼗⼀代酷睿产品主要是搭载了英特尔⼗⼀代酷睿i5-1135G7和i7-1165G7两款处理器。
但其实关注⼗⼀代酷睿的朋友已经发现了，酷睿i7-1165G7并⾮该系列最⾼端的型号，因为在其之上还有⼀颗酷睿i7-1185G7处理器。
它与i7-1165G7处理器的主要区别就在于主频和睿频加速能⼒。
那么⼗⼀代酷睿i7-1185G7处理器的实际性能表现如何呢？近期我们终于拿到了搭载这颗处理器的笔记本产品，接下来我们就来看看⼗⼀代酷睿家族⽬前的这颗顶级处理器，究竟有怎样的性能表现？⾸先我们先来看看这颗处理器的基本信息，根据AIDA 64的CPUID检索来看，这颗处理器为原⽣4核8线程设计，主频为3GHz，睿频加速可达4.8GHz，三级缓存⾼达12MB。
此外这颗处理器⽀持12-28W的动态TDP调整，基于深度优化的Willow Cove微架构设计，并且采⽤了更为先进的10nm SuperFin晶体管⼯艺。
其实从最基本的参数来看，如果⽐较熟悉近两代酷睿处理器的话就会知道，⼗⼀代酷睿处理器主要是解决了⼗代Ice Lake，也就是上⼀代10nm处理器在主频和睿频加速⽅⾯的不⾜。
那么在⼤幅提升主频和睿频加速能⼒之后，这颗⼗⼀代酷睿家族中的顶级处理器的实际性能表现如何呢？先以CINEBENCH R15/R20测试标准为例。
在CR15标准下，其单核得分217cb，多核得分887cb；CR20标准下，其单核得分574cb，多核得分2055cb。
可以看到，如果对⽐上⼀代酷睿i7-1065G7处理器的话，⼗⼀代酷睿处理器在单核和多核性能⽅⾯都有了⾮常明显的提升。
其中，多核性能提升约30%，单核性能提升约31%。
在Geekbench 5测试标准中，英特尔酷睿i7-1185G7处理器单核得分1511，多核得分5212。
全线升级 英特尔第十代酷睿桌面版处理器
全线升级英特尔第十代酷睿桌面版处理器作者：来源：《电脑爱好者》2020年第12期不知不觉，英特尔的酷睿处理器已经陪伴我们十多年，发展到了第十代，其中第十代的桌面版产品在不久之前也终于来到了我们面前。
第十代酷睿桌面版处理器采用Comet Lake-S核心，奔腾及以上的型号都采用了超线程技术，酷睿i9型号则拥有了更多的核心，再加上全线频率和缓存提升，使得第十代酷睿的规格全面超越第九代产品。
那么，在新核心与新技术的支持下，第十代酷睿桌面的实际表现究竟如何呢？我们本次拿到了两款样品，分别是代表旗舰级性能的酷睿i9-10900K和代表中端产品的酷睿i5-10600K （图1）。
从外形上看，两款产品的封装方式、尺寸等都和第九代酷睿处理器非常相似，而底部的LGA1200接口区域（图2）则与第九代酷睿处理器的LGA1151接口（图3）在细节上有明显的不同，例如两侧的长方形空白区、分为两部分的底部元件等，很容易分辨。
首批为第十代酷睿桌面版处理器准备的平台是Z490主板，在测试时我们选择了技嘉Z490 AORUS Master主板（图4）。
这是一款配置较高，但同时又追求性价比的产品。
其正反两面几乎全部被散热片覆盖，金属防护装甲也从PCIe插槽、内存插槽扩展到了主板供电接口，进一步提升了牢固度。
此外它还拥有三个高速M.2固态硬盘接口、双BIOS、高速无线/有线网络、高端音频电路、板载DeBug灯和电源开关等配置。
测试平台的其他配置还包括双通道32GB金士顿HyperX DDR4 3200内存（实际设置为处理器的默认标准内存频率）、希捷酷玩520 1TB固态硬盘，为了充分发挥新一代酷睿处理器的强大性能，我们还采用了技嘉AORUS GeForceRTX 2080 Ti 11G旗舰级显卡（图5）。
测试使用64位Windows 10 1909版操作系统，安装最新版驱动程序。
考虑到实际应用方向和对处理器的能力需求有较大的差别，我们采用不同的测试方法，分别进行了处理器性能和游戏性能的测试。
什么是半导体工艺制程,16nm、10nm都代表了什么
什么是半导体工艺制程，16nm、10nm都代表了什么
随着智能手机的发展，半导体工艺也急速提升，从28nm、16nm、10nm到7nm 这些半导体代工厂们每天争相发布最新的工艺制程，让很多吃瓜群众一脸懵逼不知道有啥用。
半导体行业离我们似乎很遥远，FinFET是什么东西，EUV又是什么新技术，每次看到这种相关的新闻都让我们如同云里雾里，不知所谓。
其实它离我们很近，无论是FinFET还是EUV都是为了完善制程工艺所做的努力。
而一款处理器的性能表现、散热效率、功耗等等都和制程息息相关。
今天，我们来聊聊手机处理器的这些事。
●16nm、10nm，这些数字到底是啥?
说起这个话题，我们要先搞清楚什么是制程。
那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。
其实这些数值所代表的都是一个东西，那就是处理器的蚀刻尺寸，简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。
手机处理器不同于一般的电脑处理器，一部手机中能够给它留下的尺寸是相当有限的。
蚀刻尺寸越小，相同大小的处理器中拥有的计算单元也就越多，性能也就越强。
这也是为何厂商会频繁强调处理器制程的原因。
同时，因为随着频率的提升，处理器所产生的热量也随之提高，而更先进的蚀刻技术另一个重要优点就是可以减小晶体管间电阻，让CPU所需的电压降低，从而使驱动它们所需要的功率也大幅度减小。
所以每一代的新产品不仅是性能大幅度提高，同时还有功耗和发热量的降低。
综合以上，可以发现处理器的制程对于手机十分重要，更高的性能带来更流畅的游戏体验，而一个保持正常温度的机身更是能保证大家拥有一个良好的使用体验。
一次制程的升级，带来了散热效果与计算性能的双重提升。
亚10_nm工艺节点的晶体管器件结构gaa_解释说明以及概述
亚10 nm工艺节点的晶体管器件结构gaa 解释说明以及概述1. 引言：1.1 概述:亚10 nm工艺节点的晶体管器件结构GAA是当前半导体行业中的研究热点之一。
随着集成电路技术的不断发展和市场需求的增长，小型化、高性能和低功耗已成为下一代芯片设计的主要目标。
GAA结构作为一种新型晶体管器件结构，在实现这些目标方面具有巨大潜力。
本文将深入探讨亚10 nm工艺节点中GAA晶体管器件结构的原理、制备方法与流程，并详细分析关键要素的设计与优化。
同时，我们也会对亚10 nm工艺节点GAA技术的进展和挑战进行论述，并提出解决方案和未来发展方向。
1.2 文章结构:本文按以下方式组织并呈现对亚10 nm工艺节点GAA晶体管器件结构的分析和探讨：第二部分将介绍亚10 nm工艺节点以及GAA（Gate-All-Around）结构。
我们将对亚10 nm工艺节点进行概述，并详细介绍GAA结构的特点与应用前景。
第三部分将重点阐述GAA晶体管器件结构的工作原理，并介绍其制备方法与流程。
同时，我们还将深入探讨GAA结构中关键要素的设计与优化。
第四部分将分析亚10 nm工艺节点GAA技术的现状、趋势及面临的挑战和难题。
我们将进一步探讨解决方案，并展望未来发展方向。
最后，第五部分将对本文进行总结，强调亚10 nm工艺节点GAA的重要性和优势。
我们还会展望并分析GAA技术的发展前景，并以简洁明了的结束语结束全文。
1.3 目的:本文旨在全面解释和概述亚10 nm工艺节点下晶体管器件结构GAA。
通过对相关理论、制备方法和优化策略等方面的详细阐述，读者能够全面了解并掌握该领域的最新研究成果和应用前景。
同时，本文也将对出现的问题和挑战进行探讨与解决方案提供参考。
这篇文章为学者、研究人员和工程师们提供了一个充分了解亚10 nm工艺节点GAA晶体管器件结构相关知识的平台，并为他们在芯片设计领域取得更好成果提供了重要参考。
2. 亚10nm工艺节点的晶体管器件结构gaa2.1 亚10nm工艺节点介绍亚10纳米（nm）工艺节点代表着半导体行业在微缩技术领域取得的重要突破。
英特尔第五代cpu什么时候上市
英特尔第五代cpu什么时候上市中央处理器(CentralProcessingUnit)的缩写,即CPU,CPU是电脑中的核心配件,只有火柴盒那么大,几十张纸那么厚,但它却是一台计算机的运算核心和控制核心。
下面是店铺带来的关于英特尔第五代cpu什么时候上市的内容，欢迎阅读!英特尔第五代cpu什么时候上市?在2015年6月2日已经发布，第五代酷睿处理器目前官方公布的型号有 5 个，其中 3 个是 Core i5、2 个是 Core i7：均采用四核心设计;TDP 热设计功耗全都是 65W，并且都集成了英特尔最新的图形处理元 Iris Pro 6200;Core i7 支持 Hyper-Threading 超线程技术。
这 5 个型号处理器只有 2 个独立销售，分别为 Core i5-5675C 和Core i7-5775C，兼容 LGA 1150 插槽，已解锁支持超频。
另外3 个型号全都是 BGA 封装，这意味着这 3 款处理器只会出现在 PC 制造商的成品电脑上。
英特尔2015年1月6日宣布了第五代酷睿移动处理器系列，其中，15W和28W系列产品将在年内上市，提供高效节能和更好的性能。
新的第五代酷睿移动处理器采用14nm工艺，晶体管数量高达19亿个。
1、第五代酷睿移动处理器系列采用Broadwell架构的产品，为笔记本电脑带来更好的性能和更长的电池寿命。
它们的核心面积减小37%，晶体管数量多出35%。
新的第五代酷睿移动处理器采用14nm 工艺，晶体管数量高达19亿个。
和Haswell产品相比，视频转换时速度最多快50%，3D图形性能最高提升22%。
采用第五代处理器轻薄本产品的续航将可以突破10-12个小时甚至更长。
2、此次酷睿系列搭载的显卡将支持4K视频的硬件解码。
使得播放4K视频时的CPU占有率由原来的40%-90%大幅降低为4%-10%。
此外，WiDi无线显示也将在这一代产品中支持无线传输4K视频。
Z515中文资料(Intel)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
UNLESS O THERW ISE AGREED IN W RITING BY INTEL, THE INTEL PRO DUCTS ARE NO T DESIGNED NO R INTENDED FO R ANY APPLICATIO N IN W HICH THE FAILURE O F THE INTEL PRO DUCT CO ULD CREATE A SITUATIO N W HERE PERSO NAL INJURY O R DEATH MAY O CCUR.
Contact your local Intel sales office or your distributor to obtain the latest specifications and before placing your product order. Copie s of docum ents which have an orde r num be r and are re fere nce d in this docum ent, or othe r Inte l lite rature , m ay be obtaine d
英特尔将发布新款双核Atom处理器
浪潮雅．‘ 出国丙首歌百芏谩讦天型傲务器…’
近 日 ，浪 潮 正 式 推 出 了 国 内 第 一 款 自 主 设 计 的 大 型 服 务 器— — 天梭 Ｔ８ ０ Ｓ ５ ，标 志 着 我 国已经 具备 自行设 计 、研制 和 生 产大 型服 务器 系统 的能 力 ，并 实现 了与 国际 先进水 平 的 同步 。大 型服 务器 是云 计算 的核 心硬 件设 备 ，该 产品 的成功 自主开发 为 我
２ ４小 时不 问断 运行 需 求 。
自己 的 搜 索 等 互 联 网功 能 植 入 手 机 当 中 。而 近 日 ，包 括 三 星 、 主 大 型 服 务器 的 问世 ，是 国 家 以企 业 为创 新 主 体 策 略 的重 要 成 转 摩 托罗 拉 等 全球 手 机 巨头 纷 纷 通 过与 中国 的 知名 Ｓ Ｓ网站— — 果 。 在 产 业 实 现 “ 方 式 、 调 结 构 ” 的 重 大 战 略 目标 过 程 中 ， Ｎ 人人 网联 姻而 “ 圈地 ”互联 网。 必 须 要 进 一 步增 强 自主 创 新 能 力、 依 靠 科技 进 步 ，推动 经 济 结 微软 公 司昨 日表示 ，Ｋｎ手 机 下个 月将 通 过 Ｖ ｒｏ ｉ ｅ ｉ ｎ无 线在 构 调整 ，保 持经 济 持续 、快 速 、健 康发 展 。 ｚ
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10nm制程技术稳定 Intel新处理器顺利推出
稍早宣布更新的15寸MacBook Pro with Retina Display，确定仍维持使用Intel Haswell平台Intel Haswell平台的第四代Core i7系列处理器，显示Intel确定选择在Computex 2015期间正式解禁高效能表现的Broadwell平台H系列处理器，以及两款高阶桌机版处理器。
另外就先前消息显示，Intel预期在今年下半年于美国IDF 2015期间揭晓采用14nm制程技术生产的Skylake平台处理器，分别将推出S系列、Y系列、U系列，以及H系列规格，藉此让新款处理器能在2015年年底至2016年间陆续布署。
至于先前预告以10nm制程技术生产的Cannonlake平台系列处理器，也将因为Intel制程技术精进而顺利在2016年第三季内推出。
从稍早宣布更新的15寸MacBook Pro with Retina Display维持使用Intel Haswell 平台Core i7系列处理器，显示Intel仍选择在Computex 2015期间正式解禁锁定高效能表现的Broadwell平台H系列处理器，同时预期也将更新两款高阶桌机版处理器产品。
而在即将于下半年在美国举办的IDF 2015期间，Intel预计将更新14nm制程技术生产的Skylake平台处理器，并且将一口气推出锁定低功耗表现的S系列桌机版处理器、瞄准最低电压设计的Y系列、低功耗设计的U系列，以及整合高效能显示功能的H系列行动版处理器规格，预期将藉此让Skylake平台处理器能更快进入消费市场，但预期多数应用新款处理器的市售产品将会在CES 2016期间大量展示。
至于在Skylake平台之后所接续的Cannonlake平台系列，则将因为Intel 10nm制程技术趋于稳定，因此预期将可顺利在2016年第三季内推出，而相关应用市售产品则同样预期在2017年年初陆续进入市场。