多晶硅的淀积方法
多晶硅的原理和应用
多晶硅的原理和应用1. 多晶硅的概述多晶硅（Polycrystalline Silicon）是一种具有多个晶体结构的硅材料，通常由多个小晶体组成。
它在半导体工业中有着广泛的应用，并且是太阳能电池的主要材料之一。
2. 多晶硅的制备方法多晶硅的制备方法主要有以下几种： - 气相法：通过将高纯度硅源气体在高温下进行热解，生成多晶硅。
- 溶液法：将硅源与溶剂混合，在适当的条件下控制温度和浓度，形成多晶硅。
- 化学气相沉积法（CVD法）：在合适的反应器中，通过气相反应在基片上沉积多晶硅。
- 转盘工艺：将硅源液滴滴在旋转的基片上，形成多晶硅的薄膜。
3. 多晶硅的特性多晶硅具有以下一些特性：- 晶体结构不规则：由于多晶硅由多个小晶体组成，其晶体结构不规则，导致一些物理性质的差异。
- 导电性能良好：多晶硅具有较高的导电性能，是半导体材料中常用的材料之一。
- 光吸收性能强：多晶硅对光的吸收率较高，使其在太阳能电池领域有着重要的应用。
- 热导性能较好：多晶硅具有较好的热导性能，可用于制造散热器件等。
4. 多晶硅的应用领域多晶硅在各个领域都有着广泛的应用，主要包括以下几个方面：4.1 太阳能电池多晶硅是太阳能电池的主要材料之一，由于其光吸收性能强，可以将光转化为电能。
在太阳能电池中，多晶硅通常被用作基础材料，通过光的照射，产生光生电效应，将光能转化为电能。
4.2 半导体行业多晶硅在半导体行业中有着广泛的应用。
它可以用作制造晶体管、光电器件、传感器等器件的基础材料。
多晶硅具有良好的导电性能和热导性能，可以有效地传导电流和热量。
4.3 光学材料多晶硅在光学材料中也有一定的应用。
由于其对光的吸收性能强，在一些光学器件中可以作为光吸收层使用。
此外，多晶硅还可以通过控制晶体结构来调节其光学性能，满足不同光学应用的需求。
4.4 散热器件由于多晶硅具有良好的热导性能，可以有效地传导热量，因此在散热器件中有着一定的应用。
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺多晶硅是一种高纯度的硅材料，广泛应用于电子、光电和太阳能等领域。
多晶硅的制备工艺主要包括净化硅材料、化学气相沉积和熔融法等。
本文将从多晶硅生产的三个关键步骤入手，详细介绍多晶硅的生产工艺。
一、净化硅材料多晶硅的生产基础是高纯度硅材料，一般采用电石法或硅锭法生产。
在电石法中，石油焦、白炭黑等原料经高温炉处理生成硅单质，再通过进一步的加热处理和气相冷却得到高纯度的硅粉末。
硅锭法是利用单晶硅作为原料，通过高温熔化并在特殊条件下生长出大型晶体锭。
这两种方法都需要对产生的硅材料进行净化处理，以获得较高的纯度。
在净化过程中，首先需要通过化学方法除去硅杂质，例如氧化物、碳和氮等。
一般采用氢氧化钠或氢氧化铝作为碱性还原剂，使硅材料与还原剂反应生成挥发性化合物的气体，通过气体与净化剂的反应使杂质得到去除。
其次，通过热处理和气相冷却等方法去除非金属杂质，例如碳、氧、氮、铁、铝等。
最后，通过电石法或硅锭法制备出较高纯度的硅粉或硅锭，成为制备多晶硅的基础原料。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是多晶硅生产的主要方法之一。
其基本原理是利用硅化合物热分解生成硅单质并在沉积基底上生长晶体。
一般采用氯硅烷、氯化硅、三氯硅烷等硅化合物作为原料气体，通过加热至高温（1000-1400℃）使硅化合物分解，生成氯离子和硅单质原子。
硅单质原子进一步在沉积基底上生长成为多晶硅晶体。
在化学气相沉积法中，氯化氢和二氧化硅等气体通入反应器内，使反应器内维持一定的反应压力（约5-10kPa），并保证反应器内气氛处于还原条件下。
在材料沉积过程中，需要控制反应器的温度、反应气压和气体流量等参数，以使沉积层的粗细、取向和晶界质量达到理想状态。
三、熔融法熔融法是多晶硅生产的另一种常用方法。
其主要流程是将高纯度硅材料加热至熔化状态，然后在特定条件下进行成型和冷却。
其中的关键步骤包括炼铝电池法、湖式法和化学熔融法等。
炼铝电池法是将硅粉末加入熔融的铝中，在高温高压下反应生成硅铝合金，然后通过冷却、破碎等过程，得到晶粒尺寸较小的多晶硅。
多晶硅工艺生产技术概述
多晶硅工艺生产技术概述多晶硅（Polycrystalline silicon，简称Poly-Si）是一种用于太阳能电池、集成电路等领域的重要材料，其制备工艺主要包括气相沉积法和自然气化法两种。
以下是对多晶硅工艺生产技术的概述。
气相沉积法是多晶硅的主要制备方法之一、该方法通过将硅源气体（通常是三氯化硅或硅氢化合物）与载气（通常是氢气）在高温下反应，使得硅在基片上沉积并形成多晶硅薄膜。
具体工艺流程如下：1.基片准备：选用高纯度的硅片作为基片，将其表面进行清洗和处理，以确保多晶硅的质量和纯度。
2.基片预处理：将基片放置在预处理炉中，进行预热处理，以去除背面的化学草胎和金属杂质。
3.多晶硅沉积：将预处理后的基片放置在反应炉中，与硅源气体和载气进行反应。
在高温下，硅源气体分解生成硅原子，然后在基片上沉积形成多晶硅薄膜。
同时，通过控制反应温度、气体流量和压力等参数，可以控制多晶硅薄膜的形貌和性质。
4.多晶硅退火：对沉积的多晶硅薄膜进行退火处理，以去除内部应力和晶界缺陷，提高材料的结晶度和电子迁移率。
5.薄膜处理：对退火后的多晶硅薄膜进行磨削和抛光处理，使其达到所需的厚度和光洁度。
通过气相沉积法制备的多晶硅具有较高的纯度和电子迁移率，适用于制备高性能的太阳能电池、集成电路等器件。
另一种多晶硅的制备方法是自然气化法。
该方法利用金属硅与氢气在高温下反应生成氯化硅和硅，然后经过凝结和化学纯化等步骤得到多晶硅。
具体工艺流程如下：1.原料处理：将金属硅进行粉碎和清洗处理，以去除杂质和氧化物。
2.反应：将处理后的金属硅与氢气在高温下反应，生成氯化硅和硅。
3.凝结：通过控制反应温度和压力，使得氯化硅在凝固器中凝结成固体。
4.纯化：对凝结的氯化硅进行化学方法或物理方法的纯化，去除杂质和杂质。
5.氯化还原：将纯化后的氯化硅与金属硅在高温下反应，还原生成多晶硅。
6.处理：对得到的多晶硅进行处理，以去除残留的气体和杂质。
通过自然气化法制备的多晶硅在纯度和性能上可以达到较高水平，适用于大规模工业生产，并且具有较低的成本。
CVD技术
CVD技术化学气相淀积(chemicalvapordeposition)是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程cvd技术特点：它具有沉积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖率好、适用范围广、设备简单等一系列优点cvd方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的sio2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等常见的CVD技术包括：(1)常压化学气相淀积（apcvd）；(2)低压化w气相淀积（lpcvd）；(3)等离子增强化w气相淀积（pecvd）常见的CVD薄膜包括二氧化硅（通常直接称为氧化层）、氮化硅、多晶硅难熔金属及其硅化物常压化学汽相淀积(npcvd)(normalpressurecvd)大气压化学气相沉积（APCVD/npcvd）是一种在大气压下进行化学气相沉积的方法，是化学气相沉积的最初方法。
该工艺所需系统简单，反应速度快，沉积速率可达1000a/min以上，特别适用于介质沉积，但缺点是均匀性差。
因此，APCVD通常用于厚介质沉积。
npcvd为最简单的cvd法，使用于各种领域中。
其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。
其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。
当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。
而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。
为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。
低压化学气相沉积（LPCVD）随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，出现了低压化学气相淀积(lpcvd)。
低压化学气相淀积是指系统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。
多晶硅生产工艺和反应原理
多晶硅生产工艺和反应原理1. 引言多晶硅是一种非常重要的半导体材料，广泛应用于电子行业。
本文将介绍多晶硅的生产工艺和反应原理，以帮助读者更好地了解多晶硅的制备过程和原理。
2. 多晶硅生产工艺多晶硅的生产主要通过以下几个步骤完成：2.1 原料准备多晶硅的主要原料是二氧化硅（SiO2），通常以石英砂作为原料。
石英砂首先经过粉碎和洗涤处理，以去除杂质，并获得高纯度的二氧化硅粉末。
2.2 氯化在氯化步骤中，通过将二氧化硅与氯化碳（CCl4）等氯化剂反应，生成气态的四氯化硅（SiCl4）。
SiO2 + 2CCl4 -> SiCl4 + 2COCl22.3 沉积在沉积步骤中，将产生的气态四氯化硅通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法，将其沉积在多晶硅种子（通常为硅棒）上，使其逐渐生长。
2.4 晶体生长在晶体生长步骤中，通过控制温度和压力等条件，使沉积在多晶硅种子上的多晶硅晶体逐渐生长。
在此过程中，多晶硅晶体的结构逐渐完善，并获得所需的形状和尺寸。
2.5 切割和清洗在多晶硅生产的最后阶段，通过机械切割或化学腐蚀等方法将生长得到的多晶硅晶体切割成所需的尺寸和形状。
随后，通过酸洗和高温处理等步骤对多晶硅晶体进行清洗，以去除表面的污染物。
3. 多晶硅生产的反应原理多晶硅的生产过程中涉及到的主要反应是氯化反应和晶体生长反应。
3.1 氯化反应氯化反应是多晶硅生产过程的关键步骤之一。
在氯化反应中，通过将二氧化硅与氯化碳等氯化剂反应，生成气态的四氯化硅。
该反应可用以下化学方程式表示：SiO2 + 2CCl4 -> SiCl4 + 2COCl2氯化反应是一个剧烈的放热反应，同时也是一个可逆反应。
反应中需要控制温度和反应速度，以避免过热和副反应的发生。
3.2 晶体生长反应晶体生长反应是多晶硅生产过程的另一个关键步骤。
在晶体生长反应中，通过将气态的四氯化硅沉积在多晶硅种子上，从而实现多晶硅晶体的生长。
多晶硅生产工艺和反应原理讲解
多晶硅生产工艺和反应原理讲解引言多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和光纤等领域。
本文将介绍多晶硅的生产工艺和反应原理。
多晶硅生产工艺多晶硅的生产主要分为三个步骤：原料制备、硅棒生长和切割加工。
1. 原料制备多晶硅的原料主要是硅石和木炭。
硅石是一种含有大量二氧化硅的矿石，木炭则是一种含有高纯度碳的炭素材料。
首先，将硅石粉碎成细粉，并经过砂浆研磨得到均匀的硅石粉末。
然后，将硅石粉末与木炭混合，并加入一定比例的助剂，如食盐和气相稳定剂。
最后，将混合物放入熔炉中进行高温煅烧，使其发生化学反应，生成多晶硅的初级产物。
2. 硅棒生长硅棒生长是将原料中的多晶硅转化为单晶硅的过程。
主要有两种方法：单辊法和气相沉积法。
在单辊法中，将原料加热至高温，然后通过传导、对流和辐射等方式进行能量传递，使原料逐渐熔化。
在熔融状态下，通过辊子的旋转和拉伸，将熔融的硅悬挂在空中，逐渐形成硅棒。
气相沉积法是将原料转化为气态硅化物，再通过化学反应沉积在硅棒上。
首先，通过加热原料将其转化为气态，然后将气态硅化物送入沉积室中，在高温和高压条件下，硅化物与硅棒表面发生反应，并沉积在硅棒上形成单晶硅。
3. 切割加工生长好的单晶硅棒需要进行切割加工，以得到多个硅片。
切割通常使用钻石刀破坏硅棒的晶格结构，形成切口，然后通过应力作用使其断裂。
多晶硅生产反应原理多晶硅的生产过程中涉及到了多种反应。
主要有以下几个反应原理：1. 硅石煅烧反应硅石煅烧反应是原料制备中的关键步骤之一。
在高温下，硅石和木炭发生化学反应，生成初级产物。
反应方程式如下所示：SiO2 + 2C → Si + 2CO2. 硅棒生长反应硅棒生长过程中涉及到了两种主要反应：熔融和沉积。
在单辊法中，熔融过程通过能量传递使原料逐渐熔化，生成熔融的硅。
该过程主要包括传导、对流和辐射等方式的能量传递。
在气相沉积法中，硅化物与硅棒表面发生化学反应，并沉积在硅棒上形成单晶硅。
多晶硅制备工艺和掺杂研究
多晶硅制备工艺和掺杂研究多晶硅是一种非常重要的材料，被广泛应用于半导体加工、太阳能电池等领域。
在实际应用中，要想获得高品质的多晶硅，制备工艺和掺杂研究是非常关键的。
一、多晶硅制备工艺多晶硅的主要制备工艺包括气相沉积法、真空热分解法和气氛下热分解法等，下面将分别介绍这几种方法的特点和优缺点。
1.气相沉积法气相沉积法是多晶硅制备的一种主要方法，其流程主要包括两步：先制备气相硅源，在高温下将硅源沉积到衬底上。
气相硅源主要包括硅氢化物、叔丁基硅烷和硅醚等，其中硅氢化物是最常用的气相硅源。
气相沉积法的优点是可以制备大面积、均匀、厚度可控的多晶硅薄膜，同时硅源的纯度高、化学稳定性好、反应速度快。
缺点是设备复杂、成本高，同时沉积的多晶硅中会存在一定的杂质。
2.真空热分解法真空热分解法是指在真空条件下将硅源加热到高温，使其分解成多晶硅。
这种方法的优点是反应时不需要其他气体参与，制备的多晶硅中杂质含量低，但是对真空条件和热力学条件的要求非常高，成本也较高。
3.气氛下热分解法气氛下热分解法是指在特定气氛中将硅源加热到高温，使其分解成多晶硅。
这种方法的优点是设备简单、成本低，同时制备出的多晶硅中杂质含量也较低。
但是在反应过程中需要严格控制气氛的组成和温度。
二、多晶硅掺杂方案在工业应用中，多晶硅的电性能是非常关键的，其中掺杂成分的选择和控制是非常重要的一环。
多晶硅通常通过掺入杂质元素来改变其电性能，主要有两种掺杂方式：P型掺杂和N型掺杂。
1.P型掺杂P型多晶硅中掺入三价元素，如硼、铝等，使得掺杂区域内形成空穴，并且空穴浓度高于电子浓度。
这种掺杂方式适用于多晶硅太阳能电池和场效应晶体管等领域。
2.N型掺杂N型多晶硅中掺入五价元素，如磷、氮等，使得掺杂区域内形成电子，并且电子浓度高于空穴浓度。
这种掺杂方式适用于多晶硅太阳能电池和交错排列的二极管等领域。
除了单一的P型和N型掺杂以外，还可以采用双掺杂等方式来进一步改善多晶硅的电性能。
多晶硅的沉积方法
多晶硅的沉积方法说实话多晶硅的沉积方法这事，我一开始也是瞎摸索。
我就知道多晶硅这玩意儿在半导体和光伏领域那可都是相当重要的东西，就一门心思想搞清楚它的沉积方法。
我试过化学气相沉积法，这方法就像是搭积木一样。
你得把反应气体送进去，这些反应气体就像是一个个小零件。
我一开始老是搞不对反应气体的比例，就像做饭时盐和糖的比例放错了一样。
有时候硅源气体少了，沉积出来的多晶硅就跟发育不良似的不完全。
经过好多次尝试，我才慢慢摸准了大致的比例范围。
但这方法还挺复杂的，因为反应温度、压力这些条件也得控制好。
就拿反应温度来说，温度低了，反应就慢吞吞的，像个没睡醒的懒虫，沉积速度特别慢；温度高了呢，又容易出现一些乱七八糟的副反应，出来的多晶硅质量就不咋地了。
我还尝试过物理气相沉积。
这好比是抛球游戏，把硅原子像抛球一样“抛”到基底上沉积。
我试过用蒸发的方式来产生硅原子源，结果发现这个过程中很容易混入其他杂质原子，就好像玩耍时突然混进来一些调皮捣蛋的孩子，把原本的秩序都打乱了。
后来我改进了设备，尽量减少周围环境中的杂质来源。
还有一种方法我最近才开始研究，就是液相外延沉积法。
这个可以想象成在水里溶解了一些含硅的物质，然后让多晶硅在特定的衬底上慢慢生长。
不过我在这个方法上还不是很确定，因为我才刚刚开始尝试，目前遇到的问题就是很难精确控制沉积的均匀性。
在尝试这么多沉积方法的时候，我总结了一些小经验。
不管用哪种方法，前期对设备的清洁一定要到位，不然杂质就会像入侵的小怪兽一样影响多晶硅的质量。
还有测试一定要频繁，就像医生给病人频繁检查一样，这样才能尽早发现问题并调整。
总之，多晶硅的沉积方法需要耐心不断地去试验和优化。
我到现在也不敢说自己完全掌握了，还在不断探索的道路上。
有时候突然就有个新想法，就赶紧去试，这一路虽然有很多失败，但也慢慢积累了些门道。
化学气相沉积法制备多晶硅的工艺流程
化学气相沉积法制备多晶硅的工艺流程
化学气相沉积（CVD）法制备多晶硅的工艺流程如下：
1. 准备衬底：选择适合的衬底材料，如硅片、玻璃等，进行清洗和处理，以提高硅层的结晶质量。
2. 预处理：将衬底放入预处理室中，在高温下进行退火和预处理，以提高衬底表面的平整度和结晶性能。
3. 腔室抽空：将预处理后的衬底放入CVD反应腔室中，将腔室抽空到一定真空度，排除氧气和杂质。
4. 硅源气体供应：向腔室中通入硅源气体，通常使用硅烷（SiH4）或三甲基硅烷（Si(CH3)3H）等作为硅源。
5. 产氢气供应：为了稀释硅源气体，向腔室中通入氢气作为稀释气体。
6. 温度控制：控制腔室内的温度，控制在适宜的温度范围内，通常为600-900摄氏度。
7. 反应进行：在适宜的温度下，硅源气体与稀释气体发生化学反应，生成硅的碳化物或为气体态的硅化物。
8. 沉积：碳化物或硅化物会沉积在衬底表面，逐渐生成多晶硅层。
9. 成膜时间控制：根据所需的硅层厚度，控制反应时间。
10. 冷却：结束反应后，将衬底冷却到室温，使硅层固化。
11. 取出硅片：将多晶硅沉积层的衬底取出，后续可以进行进一步的处理和加工。
以上就是常用的化学气相沉积法制备多晶硅的工艺流程。
需要注意的是，具体的工艺参数和条件可能会根据具体实验需求和设备的不同而有所差异。
多晶硅的淀积方法
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基本原理
多晶硅薄膜的淀积，通常主要采用 LPCVD 工艺，在 580℃~650℃下热分解硅 烷实现的。大多数多晶硅淀积是在低压、 热壁式反应室中完成的。在淀积的过程中， 硅烷首先被吸附在衬底的表面上，并按下 面反应顺序完成淀积： SiH4(吸附) = SiH2(吸附)+H2(气体) SiH2(吸附) = Si(固)+H2(气体)
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(4) LPCVD 方法采用直立背靠背密装片的方法 , 有极高的装片密度 , 一次可装几十片 , 多者上百片 , 适 宜大量生产 ,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子 需平放在石墨加热体上 , 一次只放几片 , 均匀性差 , 效 率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大, 常压CVD方法就更不能适应要求了。
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低压化学气相淀积
LPCVD方法较常压CVD方法有许多优点: (1) 采用LPCVD方法生长的膜均匀性好,结构致密, 晶粒细; (2) 因为在低压下生长 ,CVD 生长的膜较常压 CVD 方法生长的膜含氧量低,无氧化夹层; (3) LPCVD方法除反应气体外,不需任何携带气体; 且使用扩散炉 , 设备简单 , 操作安全方便。而常压CVD 需要大量的携带气体 , 气体经过提纯才能使用 ; 且使用 高频炉加热,既麻烦又不安全;
低压化学气相淀积多晶硅
多晶硅薄膜电学性质
多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很 不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多 晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108 Ω·cm。 引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的 差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存 在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶 粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构 复杂，原子呈无序排列，其厚度通常为 几个原子层。
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当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的 热分解，中间产物是SiH2和H2。随后分解形 成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下： SiH4(吸附) = Si(固)+H2(气体)
通孔 填充 多晶硅 方法
通孔填充多晶硅方法
通孔填充多晶硅的方法主要有以下几种：
1. 热CVD法：通过在高温条件下将稀释的硅气体（如二甲基硅烷或氢化硅）引入通孔中，使其在表面沉积成多晶硅。
该方法可以在较短的时间内填充较大直径的通孔，但需要高温和高气压的工艺条件。
2. APCVD法：即低压化学气相沉积法，通过控制气相中硅源的浓度，在较低的气压和温度下使硅沉积在通孔中。
由于较低的沉积温度，可以减小对器件的热应力和损伤。
3. 电化学填充法：通过在通孔中施加电场，在电解质溶液中将硅离子还原成硅沉积在通孔中。
该方法具有较低的工艺温度和低成本，但可能存在电化学反应过程中形成不均匀沉积或气泡等问题。
4. 真空沉积法：通过在真空环境下利用物理气相沉积的方法，将多晶硅材料沉积在通孔中。
该方法对工艺条件要求较高，但可以实现较好的填充性能和均匀性。
以上方法根据不同的工艺要求和材料特性可以选择其中之一或多种方法进行通孔填充多晶硅。
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(4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法, 有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适 宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子 需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效 率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大, 常压CVD方法就更不能适应要求了。
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基本原理
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Байду номын сангаас压化学气相淀积
LPCVD方法较常压CVD方法有许多优点: (1) 采用LPCVD方法生长的膜均匀性好,结构致密, 晶粒细; (2) 因为在低压下生长,CVD生长的膜较常压CVD 方法生长的膜含氧量低,无氧化夹层; (3) LPCVD方法除反应气体外,不需任何携带气体; 且使用扩散炉,设备简单,操作安全方便。而常压CVD 需要大量的携带气体,气体经过提纯才能使用;且使用 高频炉加热,既麻烦又不安全;
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当硅烷被吸附之后， 当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的 热分解，中间产物是SiH2和H2。随后分解形 热分解，中间产物是 成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下： 成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下： SiH4(吸附 = Si(固)+H2(气体 吸附) 固 气体) 吸附 气体
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谢谢
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低压化学气相淀积多晶硅
多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很 不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多 晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108 ·cm。 引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的 差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存 在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶 粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构 复杂，原子呈无序排列，其厚度通常为 几个原子层。