硅片清洗工艺的详细分析
硅材料加工中的硅片清洗技术教程
硅材料加工中的硅片清洗技术教程硅片清洗是硅材料加工过程中的重要环节之一，它直接影响到硅片的质量和性能。
在硅材料的加工过程中，硅片表面会附着各种有害物质，包括灰尘、油污、光刻胶等。
若不进行适当的清洗处理，这些污染物会严重影响硅片的电性能、光学性能以及其他性能指标。
因此，掌握合适的硅片清洗技术，并运用正确的方法清洗硅片，对于确保硅材料加工的质量和稳定性至关重要。
本文将向读者介绍一些常见的硅片清洗技术，并提供一些实用的清洗步骤和注意事项，以供参考。
常见的硅片清洗技术1. 碱性清洗技术碱性清洗技术是目前应用最广泛的硅片清洗技术之一。
其原理是利用碱性溶液的腐蚀性，将硅片表面的污染物溶解掉。
碱性清洗液一般选用氢氧化钠(NaOH)、氢氧化铵(NH4OH)等碱性溶液。
清洗时，将硅片浸泡在碱性溶液中，通过机械搅拌或超声波震荡等方法加速清洗过程。
碱性清洗技术适用于去除硅片表面的有机物、无机污染物以及光刻胶等。
2. 酸性清洗技术酸性清洗技术主要用于去除硅片表面的金属杂质和氧化物等。
常用的酸性溶液有氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)等。
与碱性清洗不同，酸性清洗在清洗过程中要注意反应速度和清洗时间，以免对硅片造成深度腐蚀或毁坏。
3. 气体清洗技术气体清洗技术是一种对硅片进行无接触清洗的方法。
常用的气体包括氮气(N2)、氦气(He)和氩气(Ar)等。
气体清洗方法有两种：气体溶剂用于直接除去硅片表面的污染物，而气体辅助溶剂则通过溶剂蒸发、溅射等方式清洗硅片。
该技术的优点是避免了接触清洗可能带来的机械损伤，并且能够清洗到微米级别的细小尘埃。
实用清洗步骤和注意事项1. 预处理在进行硅片清洗之前，必须进行预处理步骤来减少不必要的腐蚀和污染。
首先，将硅片浸泡在纯水中去除尘埃和颗粒物，并通过超声波清洗去除表面吸附的杂质。
其次，使用有机溶剂去除表面的油污，如酒精、丙酮等。
最后，使用纯水进行冲洗，确保硅片表面干净。
2. 碱性清洗将经过预处理步骤的硅片浸泡在碱性清洗液中，进行机械搅拌或超声波震荡，清洗5-10分钟。
清洗硅片流程
清洗硅片流程
清洗硅片是半导体制造中非常重要的一个步骤，主要用于去除硅片表
面的杂质和污染物，保证硅片的表面洁净度达到要求。
下面我将详细介绍
清洗硅片的流程。
首先，在开始清洗硅片之前，需要准备好一些必要的实验设备和材料，例如离子交换水、去离子水、溶液盛器、超声波清洗器、干燥箱等。
清洗硅片的流程主要包括以下几个步骤：
1.去除有机污染物：将硅片浸泡在有机溶剂，如醇类、醚类溶剂中，
通过超声波清洗去除硅片表面的有机污染物。
2.酸洗：将硅片放入酸性溶液中，一般常用的有盐酸、氢氟酸、硝酸等，通过酸洗去除硅片表面的无机杂质和金属离子。
此步骤可以分为冷酸
洗和热酸洗两个过程，冷酸洗温度一般为20-25℃，热酸洗温度可达60-70℃。
3.碱洗：将硅片放入碱性溶液中，常用的有氨水、氢氧化钠等碱性溶液，通过碱洗去除硅片表面的残余酸性和有机物质。
4.水洗：将硅片放入离子交换水中，通过超声波清洗去除硅片表面残
留的酸、碱等溶液。
5.去离子水清洗：将硅片放入去离子水中，通过超声波清洗去除离子
杂质和微量污染物。
6.高纯化学品清洗：将硅片放入高纯的有机溶剂和酸性溶液中，通过
超声波清洗去除硅片表面的微量杂质。
7.烘干：将洗净的硅片放入干燥箱中，通过加热将硅片表面的水分蒸发掉。
以上是清洗硅片的主要流程，每个步骤的细节和参数可以根据具体的要求进行调整。
需要注意的是，在整个清洗过程中，要保持操作环境的洁净度，避免再次污染硅片。
清洗硅片是半导体制造过程中非常关键的一环，只有通过精细而规范的清洗流程，才能得到表面洁净度达到要求的硅片，从而保证半导体产品的质量。
简述硅片生产过程中三种典型的清洗工艺流程
简述硅片生产过程中三种典型的清洗工艺流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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硅片清洗工艺原理及现状
硅片清洗工艺原理及现状硅片清洗工艺是半导体工业中非常重要的一项工艺，它主要用于去除硅片表面的杂质和污染物，保证硅片表面的纯净度和光洁度，从而提高半导体器件的制造质量和性能。
本文将从硅片清洗工艺的原理和现状两个方面进行探讨。
一、硅片清洗工艺的原理硅片清洗工艺的原理可以分为物理清洗和化学清洗两个方面。
物理清洗主要是通过机械力和流体力的作用，去除硅片表面的颗粒、尘埃等杂质。
常见的物理清洗方法有超声波清洗、喷洗清洗和旋转清洗等。
其中，超声波清洗是一种利用超声波的高能量和高频率振动来产生液体中的微小气泡，从而形成强大的冲击力和剥离力，将硅片表面的污染物剥离下来的方法。
喷洗清洗则是通过高速喷射的液体流动来冲击和清洗硅片表面的污染物。
旋转清洗则是将硅片浸泡在清洗液中，通过旋转硅片来增加清洗液与硅片表面的接触面积，从而加强清洗效果。
化学清洗主要是利用化学反应来去除硅片表面的有机和无机污染物。
常见的化学清洗方法有酸洗、碱洗和氧化洗等。
酸洗是通过将硅片浸泡在酸性溶液中，利用酸对污染物进行化学反应，从而去除硅片表面的有机和无机污染物。
碱洗则是利用碱性溶液对硅片表面的污染物进行中和和溶解，从而实现清洗的目的。
氧化洗则是将硅片置于氧化剂溶液中，利用氧化剂对硅片表面的污染物进行氧化和溶解。
二、硅片清洗工艺的现状硅片清洗工艺已经非常成熟，并且在半导体工业中得到广泛应用。
随着半导体器件的不断发展和制造工艺的不断进步，硅片清洗工艺也在不断改进和创新。
在物理清洗方面，超声波清洗是目前最常用的物理清洗方法之一。
它具有清洗效果好、能耗低的优点，可以在不损伤硅片表面的情况下去除硅片表面的污染物。
此外，喷洗清洗和旋转清洗也得到了广泛的应用。
在化学清洗方面，酸洗和碱洗仍然是主要的化学清洗方法。
但是，由于酸洗和碱洗会产生大量的废液和废气，对环境造成污染，因此研究人员正在寻找更环保的清洗方法。
例如，一些研究者正在开发利用超临界流体进行清洗的方法，超临界流体具有较高的溶解能力和较低的粘度，可以更彻底地去除硅片表面的污染物，并且不会对环境造成污染。
硅片清洗技术
硅片清洗
1.N2喷时使液体通过很小的喷口，使其形成很细的雾状，至硅片表面达到更好的清洗目的。
2.刷洗器主要用于硅片抛光后的清洗，可有效地去除硅片正反两面1μm以及更大的颗粒。
主要配置包括专用刷洗器、优化的化学清洗液及超纯水或者IPA。
在水动力条件下，颗粒被旋转的海绵状刷子赶出。
3.化学清洗
①溶解反应；②剥离去除
如：RCA清洗法
a、APM（SC-1）氨和双氧水→去除有机物与细颗粒；
b、HPM（SC-2）盐酸和双氧水→去除金属污染；
c、SPM 硫酸和双氧水→去除有机物、光刻胶
d、DHF 稀氢氟酸→去除薄氧化层
e、BHF 氢氟酸缓冲溶液→去除自然氧化膜
4.存在问题：①加热引起化学溶液蒸发使得溶液浓度发生变化；②对环境造成污染，成本高
5.将晶圆一片一片进行处理的工艺设备，是未来的一种趋势（随着晶圆直径的增大，无法确保晶圆表面清洗的均匀性）
6.对硅片进行干燥
硅表面存在悬空键（即硅共价键的未配对电子），硅表面是疏水性（即排斥水）。
当硅表面形成热氧化膜或自然氧化膜时，硅片会变得具有亲水性（即容易被水弄湿）。
注：水渍多发生在疏水性表面/有图形的地方/在甩干的时候/到干燥完毕时所需时间过长。
7.IPA(异丙醇）
8.马兰戈尼干燥（慢提拉）、罗塔戈尼干燥（旋转+N2）
9.污染物根据其发生情况分为四类：颗粒物、有机物、金属污染物和氧化物。
硅片清洗技术详解
硅片清洗主要内容讲解1、清洗的基本概念和目的。
硅片加工的目的是为器件生产制作一个清洁完美符合要求的使用表面，所谓清洗，就是清洗硅片的表面，去除附着在硅片上的污染物。
2、硅片清洗室的管理与维护；（1）人员流动的管理和清洁室的作业人数。
（2）清洗室内物品器具的管理。
（3）清洗室内其它影响清洗质量因素的管理维护。
如；空气过滤系统、防静电处理、温度与湿度系统等！3、硅片表面沾污的类型；（！）有机杂质沾污；如；胶黏剂、石蜡、油脂等。
（2）颗粒类型杂质沾污；一般来自加工中磨料和环境中的尘粒。
（3）金属杂质沾污；由生产加工的设备引起的金属杂质沾污。
4、硅片清洗处理方法分类；硅片清洗处理方法分为湿法清洗和干法清洗两大类。
而湿法清洗又分为化学清洗和物理清洗两种方法。
化学清洗——利用各种化学试剂对各种杂质的腐蚀、溶解、氧化及络合等作用去除硅片表面的沾污。
物理清洗——硅片的物理清洗法主要指的是利用超声波和兆声波清洗方法。
5、化学清洗的各种试剂的性质应用和分级；（1）有机溶剂清洗；有机溶剂能去除硅片表面的有机杂质沾污。
主要溶液有；甲苯、丙酮、乙醇等。
根据其性质须在使用甲苯、丙酮后在使用乙醇进行处理，最后在用水冲洗。
（2）无机酸及氧化还原清洗；无机酸试剂主要为；盐酸（HCI）、硝酸（HNO3）、硫酸（H2SO4）、氢氟酸（HF）以及过氧化氢（H2O2）—双氧水。
其中过氧化氢主要用于氧化还原清洗。
其它试剂按其本省性质进行应用清洗。
硅片金属清洗主要是利用了它们的强酸性、强腐蚀性、强氧化性的特性从而达到去除表面金属沾污的目的。
（3）化学清洗的分级主要分为优级纯、分析纯和化学纯三个级别。
视清洗的种类和场合进行合理选择。
通常硅片切割片和研磨片的清洗可以使用分析纯试剂，抛光片须用优级纯试剂。
具体试剂分类有国家规定标准。
6、超声波清洗原理、结构和应用要素；原理—提供高频率的震荡波在溶剂中产生气泡和空化效应，利用液体中气泡破裂所产生的冲击来波达到清洗目地。
硅片的RCA清洗工艺
硅片的RCA清洗工艺
硅片的RCA清洗工艺是一种常用的表面清洗方法，用于去除硅片表面的有机和无机杂质，以保证硅片的纯净度和表面质量。
下面是硅片的RCA清洗工艺的详细步骤：
1. 准备工作：清洗室要保持干净，并确保所有使用的设备和容器都是清洁的。
准备好所需的化学试剂，包括去离子水、浓硝酸（HNO3）、浓氢氟酸（HF）和去离子水。
2. 第一次清洗（SC1）：将硅片放入清洗容器中，并加入去离子水，使其完全浸没。
将容器放入超声波清洗器中，超声波清洗时间一般为5-10分钟。
然后将容器取出，将硅片转移到新的容器中，并加入浓硝酸（HNO3）和去离子水的混合液体。
浸泡时间一般为10-15分钟。
清洗结束后，用去离子水冲洗硅片，确保将所有化学物质冲洗干净。
3. 第二次清洗（SC2）：将硅片转移到新的容器中，并加入浓氢氟酸（HF）和去离子水的混合液体。
浸泡时间一般为10-15分钟。
清洗结束后，用去离子水冲洗硅片，确保将所有化学物质冲洗干净。
4. 最后清洗：将硅片放入去离子水中，进行最后的冲洗，以确保将所有残留的化学物质彻底去除。
可以使用超声波清洗器来帮助清洗。
5. 干燥处理：将清洗后的硅片放入干燥器中，进行干燥处理。
确保硅片完全干燥，以避免水分残留。
需要注意的是，在进行硅片的RCA清洗工艺时，要注意安全操作，避免接触到化学试剂，以免对身体造成伤害。
同时，清洗过程中要保持环境的洁净，避免灰尘和其他杂质污染硅片表面。
清洗硅片流程
清洗硅片流程以清洗硅片流程为标题，我们将详细介绍硅片清洗的步骤和方法。
硅片清洗是半导体制造过程中非常关键的一环，因为只有确保硅片表面的干净和纯净，才能保证器件的性能和质量。
下面将详细介绍硅片清洗的步骤和方法。
一、去除有机污染物1. 酸洗：将硅片浸泡在稀酸溶液中，如氢氟酸、硝酸等，以去除有机污染物。
酸洗可以将有机物氧化并去除，但需要注意控制酸浓度和浸泡时间，以免对硅片造成损害。
2. 碱洗：将硅片浸泡在强碱溶液中，如氢氧化钠溶液，以去除酸洗过程中残留的酸性物质和有机污染物。
碱洗还可以去除硅片表面的金属离子和杂质，提高硅片的纯净度。
二、去除无机污染物1. 酸洗：将硅片浸泡在浓酸溶液中，如氢氟酸、硝酸等，以去除无机污染物。
酸洗可以将金属离子和无机杂质溶解掉，并去除硅片表面的氧化物层，使硅片表面更加纯净。
2. 碱洗：将硅片浸泡在强碱溶液中，如氢氧化钠溶液，以去除酸洗过程中残留的酸性物质和无机污染物。
碱洗还可以去除硅片表面的金属离子和杂质，提高硅片的纯净度。
三、超纯水清洗1. 浸泡：将硅片浸泡在超纯水中，可以去除酸洗和碱洗过程中的残留物和离子。
超纯水要经过多级过滤和去离子处理，确保其纯净度达到要求。
2. 喷淋：使用超纯水进行喷淋，可以有效清洗硅片表面的微小颗粒和污染物。
喷淋时要注意水流的速度和角度，以避免对硅片表面造成损伤。
四、干燥1. 自然干燥：将硅片放置在洁净的环境中，通过自然蒸发的方式使其干燥。
这种方法适用于对时间要求不严格的情况。
2. 热干燥：将硅片放入烘箱或使用氮气吹干，以加快干燥速度。
热干燥可以去除硅片表面的水分，避免水分残留导致的氧化和污染。
五、质量检查在清洗完成后，需要对硅片进行质量检查，以确保清洗效果符合要求。
常用的质量检查方法包括显微镜观察、表面轮廓仪测量等。
六、封装保护清洗完成后的硅片需要进行封装保护，以防止再次受到污染和损伤。
常用的封装方法包括真空封装、氮气封装等。
以上就是硅片清洗的流程和方法介绍。
第五章硅片加工--硅片清洗
浓硫酸的安全使用：较强的吸水性，放热性。 不可：将水倒入浓硫酸。 正确：浓硫酸缓缓倒入水中，并不断搅拌。
(4) HF酸——危险
用途：强腐蚀性，主要用来腐蚀SiO2，而不腐 蚀Si
SiO2+4HF=SiF4+2H2O
SiF4+2HF=H2[SiF6] 使用：表面存在SiO2将其腐蚀完，即结束，
3）金属杂质
这是一种最重要的污染物。比如Cu、Fe、Al、 Mn等原子或者离子。
危害：导致硅表面电阻率降低，并且随温度 不稳定，器件易被击穿。
分为两类：
1）物理吸附在硅表面，一般较大金属颗粒。
2）化学吸附，形成金属硅化物，即成化学键。
清洗方法：依靠化学清洗，腐蚀表层的硅， 附带将其清除，或者依靠形成络合物而去除。
2）1961年到1971年，研究清楚了污染的形成 机理和清洗的原理。而且Kern发明了RCA清 洗方法，主要由SC-1和SC-2两种清洗液。这 是硅片清洗技术发展的重要里程碑。
3）1972年到1989年，全世界广泛研究RCA清 洗的原理，并对其进行不断改进。
4）1989年至今，广泛研究RCA清洗机理与动 力学过程，并在此基础上，发展新型清洗方 法。
这些清洗，一般称为：切割片清洗，研磨 片清洗，抛光片清洗，其中抛光片清洗对 洁净度要求最高。
扫描电镜（SEM）测量的材料表面图像
2）材料表面的特点
表面的特点：
最表层存在悬挂键，即不饱和键。 表面粗糙不平整。 微观表面积可能很大，而不同于宏观的表面。 存在较强局域电场。
表面的这些特点决定，表面易吸附杂质颗粒， 而被沾污。
(2)浓硝酸——HNO3 特点：强氧化性。 用途：溶解金属颗粒。
Cu+4HNO3(浓)=Cu(NO3)2+2NO2↑+2H2O 3Cu+8HNO3(稀)=3Cu(NO3)2+2NO↑+4H2O 4Mg+10HNO3(稀)=4Mg(NO3)2+NH4NO3↑+
硅片清洗工艺的详细分析
太阳能硅片的清洗工艺1.药槽清洗液最正确配比确定由以上尝试数据阐发, 在清洗剂浓度较低时,不克不及达到良好的清洗效果, 切割过程中吸附到Si片外表的砂浆等沾污依然逗留在 S i 片外表。
提高清洗剂用量, 砂浆残留的片数减少, 但是持续加大清洗剂用量, 又会造成新的污染, 即清洗剂残留，和砂浆残留一样, 会影响 Si 片的质量。
因此选择此中效果最好的配比为2.0L。
2．药槽清洗温度确实定药槽清洗温度设置与外表活性剂的性质密切相关，这是因为在低温时非离子外表活性剂与水完全混溶, 亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能量低, 随着温度升高分子热运动加剧氢键被破坏, 导致非离子外表活性剂在水中的溶解度下降, 当温度升高而且达到必然值时, 非离子外表活性剂从水溶液中析出变混浊, 此时的温度即为浊点，温度对非离子外表活性剂的去污能力的影响是明显的, 研究说明当温度接近于浊点时, 清洗效果最好。
通过尝试得出40-55℃均可, 但45℃为最正确。
3.碱性清洗液与Si的反响选择出产线持续进行清洗一个药槽,从新配清洗液开始每隔1 min测其 pH 值, 所得数据如图。
配置好筹办清洗用的碱性清洗液pH值在 1 2~mm 摆布的气泡, 认为是Si和清洗液中大量存在的-OH 发生如下反响:Si+4OH-→(SiO4)4+2H2-0.3,但是继续测量, pH值将保持在必然程度11. 5-1 2 摆布不再继续下降,这是因为上步反响生成的 (SiO4)4是不不变的, 它在水溶液中继续和水发生如下反响(SiO4)4+ 4H20→Si(OH)4 + 4OH-在式(1)中消耗的OH-得到补充,在反响达到平衡后, OH-底子保持不变,如此清洗液的pH值可以保持在必然范围而不持续下降, 能够获得不变的清洗效果.4.外表沾污的来源Si 片内部的原子摆列整齐有序,每个 Si原子的4个价电子与周围原子的价电子结合构成共价键布局。
但是颠末切割工序后, Si 片外表垂直切片标的目的的共价键遭到破坏而成为悬空键，这种不饱和键处于不不变状态, 具有可以俘获电子或其他原子的能力, 以减低外表能, 达到不变状态。
硅清洗总结
硅清洗总结简介硅清洗是一种常见的工艺，用于去除硅表面的杂质和污染物，以确保硅片的质量和性能。
本文将总结常见的硅清洗方法和步骤，并提供一些建议和注意事项。
硅清洗方法酸洗酸洗是最常见的硅清洗方法之一。
常用的酸洗溶液包括浓硝酸、浓盐酸和稀盐酸等。
酸洗可以去除硅表面的氧化物、金属杂质和有机污染物。
酸洗的步骤如下：1. 准备酸洗溶液：根据需要选择合适的酸洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入酸洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的酸洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在酸洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
碱洗碱洗是另一种常见的硅清洗方法。
常用的碱洗溶液包括氢氧化钠和氢氧化铵等。
碱洗可以去除硅表面的氧化物和有机污染物。
碱洗的步骤如下： 1. 准备碱洗溶液：根据需要选择合适的碱洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入碱洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的碱洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在碱洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
超声波清洗超声波清洗是一种常用的硅清洗方法，通过超声波震荡来去除硅片表面的杂质。
超声波清洗的步骤如下： 1. 准备清洗液：选择合适的清洗液，如去离子水或特定的清洗溶液。
2. 将硅片浸入清洗液中。
3. 打开超声波清洗仪，根据需要设置清洗时间和功率。
4. 硅片在超声波的作用下，会发生微小震动，从而去除硅片表面的污染物。
5. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的清洗液。
6. 可选的步骤：可以在超声波清洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
注意事项•在进行硅清洗之前，确保使用干净的操作环境和工作台，并佩戴适当的防护设备。
•根据硅片的要求和清洗步骤的需要，选择合适的清洗方法和清洗液。
硅片清洗工艺
硅片清洗工艺硅片表面的沾污主要有三类：1、有机杂质沾污2、金属离子沾污通过吸附在硅片表面氧化层上或利用金属离子与硅片表面之间的电荷交换（犹如“电镀”）而直接键合在硅表面上3、颗粒主要来自硅片加工制程及化学品。
硅片的加工过程中有很多硅片清洗步骤，其中最为关键的是在抛光制程后的硅片清洗过程，因为这直接决定了硅片表面的最终洁净度。
硅拋光片的最终清洗一般采用多槽浸泡式化学清洗方式，即RCA清洗。
SC-1溶液（1号液）主要用于去除颗粒和有机物沾污，也能去除部分金属杂质。
其原理是：硅片表面被H2 02氧化而产生氧化膜，同时氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后又被氧化，如此反复进行。
附着在硅片表面的颗粒也随着氧化膜不断地被腐蚀而脱离，从硅片表面进人清洗溶液。
有机物类的沾污在H2 02的强氧化作用及NH4 0H的溶解作用下，转化为水溶性化合物进入清洗溶液，经去离子水冲洗后得以去除。
SC-1溶液的强氧化性能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Fe、Ca、Mg等使其成为高价金属离子，高价金属离子再与碱进一步作用而转变为可溶性络合物，经去离子水冲洗后得以去除。
在清洗过程中，结合使用超声波（去除粒径不小于0.4微米的颗粒）或兆声波（去除粒径不大于0.2微米的颗粒）可获得更好的去除颗粒效果。
SC-2溶液（2号液）是H2 02和HCI的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，可去除碱金属离子，Cu及Au等残留金属，Al( OH)3、Fe(oH)3、Mg (OH)2及Zn (OH)2等氢氧化物的金属离子。
经过SC-2溶液清洗后的硅片表面的Si原子大多数是以Si-o键终结，从而在硅片表面形成了自然氧化层。
硅片表面也因此呈现为亲水性，早期硅片脫水和干燥多采用离心甩干技术。
近年来，在异丙醇(IPA)脱水和干燥技术的基础上，开发出多种利用马兰戈尼效应的脱水和干燥技术，现已广泛用于大直径硅片的最终清洗中。
为了确保硅片表面质量，防止再次沾污，便于保管和运输，需要对清洗好的硅片进行包装。
硅片清洗原理与方法介绍
硅片清洗原理与方法介绍1引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。
2硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。
由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3．1湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。
化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。
3．1．1常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
CL2+UV（〈400nm〉表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液3．1．2溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。
它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。
选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。
如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。
半导体硅片的化学清洗技术
半导体硅片的化学清洗技术一. 硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。
B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。
C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。
b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。
硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述方法进行清洗去除沾污。
a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。
c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。
⑵美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。
⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）。
⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。
⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。
⑹以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。
SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。
关于单晶硅片的清洗检验工艺分析与研究
关于单晶硅片的清洗检验工艺分析与研究1. 引言1.1 研究背景单晶硅片是制造半导体器件的重要材料，其表面的纯净度对器件性能有着重要影响。
随着半导体工艺的不断发展，对单晶硅片的清洗和检验工艺要求也越来越高。
在半导体制造过程中，单晶硅片经常需要进行多次清洗，以去除表面的杂质、氧化物和有机物等，以确保器件的性能和稳定性。
而清洗工艺的不合理或不完善往往会导致硅片表面的污染或损伤，影响器件的质量和性能。
另外，单晶硅片的检验也是制造过程中不可或缺的环节。
通过检验工艺可以对硅片的质量和性能进行全面的评估，及时发现并处理可能存在的问题，确保器件的稳定性和可靠性。
因此，针对单晶硅片的清洗和检验工艺进行深入的研究和分析，对提高器件的质量、降低生产成本具有重要意义。
本文将针对单晶硅片的清洗检验工艺展开研究，探讨清洗工艺的影响因素、检验工艺的优化方案，并通过实验结果分析，最终总结清洗检验工艺的优化策略，展望未来的研究方向。
1.2 研究目的单晶硅片作为半导体材料在电子行业中有着重要的应用，其表面的清洗和检验工艺对最终产品的质量有着至关重要的影响。
本研究旨在对单晶硅片的清洗和检验工艺进行深入分析和研究，探讨影响工艺效果的因素，并提出优化方案，以提高单晶硅片的质量和生产效率。
具体来说，本研究的目的包括：1. 分析单晶硅片清洗工艺的各个环节，找出可能存在的问题和改进空间，提高清洗效果和工艺稳定性；2. 对单晶硅片的检验工艺进行探究，寻找最适合的检验方法和参数，确保产品的质量和可靠性；3. 分析影响清洗工艺和检验工艺的因素，为工艺优化和改进提供理论依据；4. 提出清洗检验工艺的实验方案，验证优化方案的有效性和可行性；5. 通过本研究，总结清洗检验工艺的经验教训和规律，为今后类似研究提供参考和借鉴。
通过以上研究目的的实现，将能够为单晶硅片的生产制造提供技术支持和指导，提高产品质量和竞争力。
1.3 研究意义单晶硅片作为半导体材料，在现代电子产业中具有广泛的应用。
硅片脏污清洗分析报告1
硅片脏污清洗分析报告一、硅片表面污染硅片表面的最外层即为吸附层，是氧化层与环境气氛的界面，吸附一些污染杂质，这些沾污可以分为分子、离子、原子、或者分为有机杂质、金属和粒子，如下图1所示。
图1 硅片表面污染示意图二、清洗工艺程序吸附在硅片表面上的杂质可分为原子型、离子型和分子型。
1、分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清楚这类杂质粒子比较容易。
它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点，对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。
因此在对硅片进行化学清洗时，首先应该把它们清楚干净。
2、离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。
在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，在化学清洗时，先清除掉离子型吸附杂质，然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。
清洗硅片的一般工艺程序为：去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗，清洗时清洗剂配合超声波清洗。
三、硅片清洗剂清洗原理图2 清洗剂清洗硅片表面脏污示意图硅片清洗剂大多数呈碱性液体，主要成分是苛性碱、磷酸盐、硅酸盐、碳酸盐、螯合剂和表面活性剂。
1、苛性碱具有强碱性，中和硅片表面的酸性沾污，强碱的皂化作用可以将油脂分解成可溶的物质随清洗液冲走。
2、磷酸盐和硅酸盐具有一定的清洁效果。
3、碳酸盐呈弱碱性，PH值在9-9.5，起到缓冲作用，使清洗液的PH值保持在一定的范围内。
4、螯合剂与溶液中的金属离子结合，并且减少溶液中的金属离子吸附到硅片表面。
5、表面活性剂现在主要是非离子型表面活性剂，吸附各种粒子、有机分子，并且在硅片表面形成一层吸附膜，阻止粒子和有机分子沾粘到硅片表面，另一方面可渗入到粒子和油污粘附的界面上，把粒子和油污从界面分离随清洗液带走，起到清洗作用。
五、粉尘脏污清洗出现粉尘脏污，所谓的“粉尘”到底是什么物质，目前并没有分析出结果。
个人认为“粉尘”有可能是两种，需要专业人员及专业仪器进行分析，利用原子吸收光谱与扫描电镜进行分析，可寻找合适机构进行检测。
1、“粉尘”为硅粉：“粉尘”为硅粉，是因为硅片表面有损伤，在硅片与硅片摩擦的过程中，产生的硅粉，在清洗过程中硅粉是无法存在的，在加热并且有氢氧化钠的情况下，硅粉是会与氢氧化钠反应的。
硅片清洗工艺
硅片清洗工艺嘿，朋友们！今天咱就来聊聊硅片清洗工艺这档子事儿。
你说这硅片清洗就好比给硅片洗个舒服的澡。
咱平时洗澡得洗得干干净净的吧，硅片也一样啊！要是没洗干净，那后面的工序可就容易出岔子喽。
想象一下，硅片上要是有那些脏东西、杂质啥的，就像咱身上沾了泥巴还不洗掉，那得多别扭呀！所以清洗这一步可太重要啦。
清洗硅片有好多方法呢。
就好像咱洗衣服有手洗、机洗一样。
有的方法可能比较温柔，轻轻地就把脏东西带走了；有的呢，可能就稍微厉害点，但也是为了把那些顽固的杂质给弄掉呀。
比如说有一种常见的清洗方法，就像是给硅片做了个全方位的 SPA 一样。
先把它泡在一种特殊的溶液里，让那些脏东西慢慢松动，然后再用一些工具轻轻地擦拭，就把脏东西都弄下来啦。
这过程可得仔细着点，别太用力把硅片给弄伤了呀！还有啊，清洗的环境也很重要呢。
就跟咱洗澡得在干净的浴室里一样，硅片清洗也得在一个合适的地方。
要是周围乱七八糟的，灰尘到处飞，那不是刚洗完又弄脏啦？而且呀，这清洗的人也得有经验、有技术。
你想啊，要是个马大哈，能把硅片洗好吗？肯定不行呀！得像个细心的理发师一样，小心翼翼地对待硅片。
在清洗的过程中，还得时刻注意硅片的状态。
万一有个啥不对劲，得赶紧调整方法呀。
这就好比咱走路，要是发现前面有个坑，不得赶紧绕过去或者小心跨过去嘛。
咱再想想，要是硅片清洗没做好，后面做出的产品质量能好吗？那肯定不行呀！所以说，这看似简单的硅片清洗工艺，可真是不能小瞧了它。
总的来说，硅片清洗工艺就是要细心、耐心、用心。
要把每一片硅片都当成宝贝一样对待，让它们干干净净地进入下一个环节。
只有这样，才能做出高质量的产品呀！咱可不能在这关键的一步上掉链子，大家说是不是呀！。
链式硅片清洗的工艺流程
链式硅片清洗的工艺流程链式硅片清洗的工艺流程通常包括以下步骤：预洗、主洗、去离子水冲洗、干燥等。
第一步是预洗。
预洗的主要目的是去除硅片表面的大颗粒杂质和有机污染物。
预洗通常使用碱性清洗剂进行，常见的清洗剂有氨水、硝酸、磷酸等。
首先，将硅片放入预洗设备中，设备中的清洗液与硅片表面接触，清洗液破坏有机污染物的化学键，使其脱落。
随后，进行力学清洗，通过刷洗或气泡冲击等方式，进一步清洗硅片表面。
预洗时间通常为几分钟到半个小时不等。
第二步是主洗。
主洗的主要目的是去除预洗过程中残留的有机污染物和颗粒杂质，并恢复硅片表面的电性能。
主洗通常使用强酸和强碱进行，常见的清洗剂有盐酸、硝酸、氢氧化钠等。
首先，将硅片放入主洗设备中，设备中的清洗液进一步去除有机污染物和颗粒杂质。
清洗液与硅片表面发生化学反应，将其溶解或转化为可溶性物质。
主洗时间通常为几分钟到十几分钟不等。
第三步是去离子水冲洗。
去离子水冲洗的主要目的是去除主洗过程中残留的酸碱及其他离子污染物。
通常使用去离子水设备进行冲洗。
去离子水具有极高的纯净度，其中的离子浓度非常低。
硅片放入去离子水设备中，通过大量的去离子水冲洗硅片表面，去除残留的污染物。
去离子水冲洗时间通常为几分钟到半小时不等。
最后一步是干燥。
将冲洗过的硅片放入干燥设备中，通常使用热风或氮气进行烘干。
热风能够快速将硅片表面的水分蒸发掉，氮气则能够避免硅片表面的氧化。
干燥时间通常为几分钟到半个小时不等。
以上就是链式硅片清洗的工艺流程。
清洗过程中需要注意的是，选择适当的清洗剂和清洗时间，确保清洗效果和硅片的安全性。
此外，清洗设备和工艺也需要进行定期的维护和校准，以确保清洗的稳定性和一致性。
清洗后的硅片可以进一步用于半导体制造等领域。
硅片rca工艺
硅片rca工艺简介硅片rca工艺是一种常用的硅片清洗工艺，该工艺可用于去除硅片表面的杂质，提高硅片的纯度和质量，为后续工艺步骤提供良好的基础。
本文将详细介绍硅片rca 工艺的原理、步骤和注意事项。
原理硅片rca工艺主要依靠化学反应来清洗硅片表面的杂质。
常用的rca溶液组分包括HCl、H2O2和H2O，等；HCl可去除硅片表面的有机和无机杂质，H2O2可去除氧化物，H2O可用于稀释溶液和冲洗。
步骤硅片rca工艺通常包括以下步骤：1. 有机去除将硅片放入含有HCl和H2O2的混合溶液中，通常浓度比例为3:1。
将溶液加热至约70℃，并保持一段时间，使其与硅片表面的有机杂质发生化学反应。
有机去除步骤可以去除油脂、有机杂质和有机残留物。
有序列表1.准备HCl和H2O2混合溶液；2.将硅片放入溶液中；3.加热溶液至约70℃，维持一段时间。
2. 氧化物去除将硅片从有机去除溶液中取出，并置于新的含有HCl和H2O2的溶液中，该溶液的浓度比例为1:1。
同样将溶液加热至约70℃，维持一段时间，以去除硅片表面的氧化物杂质。
3. 油脂清洗将硅片取出并放入去离子水中进行冲洗，去除硅片表面的溶液残留物。
冲洗时间应足够长，以确保全部去除溶液。
4. 高纯水清洗将硅片放入含有H2O的容器中，充分浸泡硅片，并使用超声波或搅拌器等设备加速清洗。
注意事项1.操作过程中应佩戴防护手套和眼镜，确保安全；2.溶液的浓度和温度要掌握好，避免对硅片造成不可逆的损伤；3.清洗前要确保硅片表面无残留物，否则会影响清洗效果；4.清洗完毕后，及时将废液处理，避免对环境造成污染。
结论硅片rca工艺是一种常用的硅片清洗工艺，通过化学反应去除硅片表面的杂质。
正确使用硅片rca工艺可以提高硅片的纯度和质量，为后续工艺步骤提供良好的基础。
在操作过程中，应注意安全和溶液的控制，以确保清洗效果和硅片的完整性。
太阳能硅片清洗技术与工艺
太阳能硅片清洗技术与工艺RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。
RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。
用SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。
因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。
用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。
由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。
在NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。
在室温下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。
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太阳能硅片的清洗工艺
1.药槽清洗液最佳配比确定
由以上实验数据分析,在清洗剂浓度较低时,不能达到良好的清洗效果切割过程中吸附到Si 片表面的砂浆等沾污依然停留在Si 片表面。
提高清洗剂用量,砂浆残留的片数减少,但是持续加大清洗剂用量,又会造成新的污染,即清洗剂残留，和砂浆残留一样,会影响Si 片的质量。
因此选择其中效果最好的配比为 2.0L 。
2．药槽清洗温度的确定药槽清洗温度设置与表面活性剂的性质密切相关，这是因为在低温时非离子表面活性剂与水完全混溶,亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能量低,随着温度升高分子热运动加剧氢键被破坏,导致非离子表面活性剂在水中的溶解度下降,当温度升高并且达到一定值时,非离子表面活性剂从水溶液中析出变混浊,此时的温度即为浊点，温度对非离子表面活性剂的去污能力的影响是明显的,研究表明当温度接近于浊点时清洗效果最好。
通过实验得出40-55 C均可，但45 C为最佳。
3.碱性清洗液与Si 的反应选择生产线连续进行清洗一个药槽,从新
配清洗液开始每隔1min 测
其pH值,所得数据如图
//min
图I反应过程中碱性晴洗磯pH变化曲线
配置好准备清洗用的碱性清洗液pH值在12〜13,碱性很强,Si片浸人清洗液后，表面会产生大量直径在0.5mm左右的气泡，认为是Si和清洗液中大量存在的-OH发生如下反应：
Si+4OH - —(SiO4)4+2H 2
反应持续进行，过程测量药槽中清洗液pH值,相比开始降低0.1-0.3, 但是继续测量,pH值将保持在一定水平11.5-12左右不再继续下降，这是因为上步反应生成的(SiO4)4是不稳定的，它在水溶液中继续和水发生如下反应
(SiO4)4+4H 2O—Si(OH)4+4OH -
在式(1)中消耗的OH-得到补充，在反应达到平衡后，OH-基本保持不变, 如此清洗液的pH值可以保持在一定范围而不持续下降，能够获得稳定的清洗效果.
4.表面沾污的来源
Si片内部的原子排列整齐有序，每个Si原子的4个价电子与周围原子的价电子结合构成共价键结构。
但是经过切割工序后,Si 片表面垂直切片方向的共价键遭到破坏而成为悬空键，这种不饱和键处于不稳定状态,具有可以俘获电子或其他原子的能力,以减低表面能,达到稳定状态。
当周围环境中的原子或分子趋近晶片表面时,受到表面原
子的吸引力,容易被拉到表面,在Si 晶片表面富集,形成吸附,从而造成污染。
理想表面实际是不存在的,实际的Si 片表面一般包括三个薄层: 加工应变层、氧化层和吸附层,在这三层下面才是真正意义上的晶体Si。
对于太阳能用Si片来说，加工应变层是指在线切工艺时所产生的应变区,氧化层指新切出的表面与大气接触造成的氧化薄膜,厚度在几纳米到几十纳米之间,和留置在空气中的时间有关,这也是切割后的Si 片如果不能马上进入下一工序,要尽快浸泡到纯水中的原因。
Si 片表
面的最外层即为吸附层,是氧化层与环境气氛的界面,吸附一些污染杂质。
这些沾污可以分为分子、离子、原子或者分为有机杂质、金属和粒子。
如图所示
粗糙部分
有机杂质 被吸附分子 1」
硅片
图2 Si 片表面污染示意图
Fig-2 Contamination on Si wafrr surface
5•碱性清洗的机理
碱性清洗液的主要成分是苛性碱、磷酸盐、硅酸盐、碳酸盐、鳌合剂 和表面活性剂，苛性碱具有强碱性，能够中和Si 片表面的酸性沾污物, 另外强碱的皂化作用可以将油脂分解成可溶的物质随清洗液冲走。
磷 酸盐和硅酸盐都能提供一定的清洁效果。
碳酸盐具有弱碱性，pH 值在 9-9.5,碳酸盐的主要作用是作为缓冲剂，使清洗液的pH 值保持在一定 范围内。
鳌合剂一方面通过化学反应减少溶液中的自由金属离子
，另
一方面通过竞争吸附提前吸附在 Si 片表面从而减少金属在Si 片表面 的附着。
碱性清洗液的清洗效果与pH 值也有着密切关系，随着清洗液 的重复使用,pH 必然下降，但是碳酸盐的缓冲作用使这一过程的速度 明显降低，另外-OH 与Si 的两步反应使得溶液中-OH 浓度在反应达到 平衡后基本保持不变，延长了清洗液的使用时间，生产中药槽的更换频 次一般控制在每洗2000-4000片换一次清洗液。
药槽中添加的表面 活性剂的分子是由亲水基团和亲油基团构成的 ，即可溶解在极性溶液
离子 頌粒 原子
中,又可以溶解在非极性溶液中。
表面活性剂的性质主要由亲水基团决定,一类是溶解于水后能解离的离子型表面活性剂,另一类是在水中
不能解离的非离子型表面活性剂。
在半导体清洗中为避免离子沾污通常使用非离子型表面活性剂。
在切片过程中,切屑、油污、金属原子等易粘附在Si 片表面,清洗液中的表面活性剂一方面能吸附各种粒子、有机分子,并在Si 表面形成一层吸附膜,阻止粒子和有机分子污粘附在Si 表面上,另一方面可渗入到粒子和油污粘附的界面上,把粒子和油污从界面分离随清洗液带走,起到清洗作用使Si 片表面洁净。
一般来说在碱性清洗液中加人表面活性剂主要有以下 2 个作用：1）降低表面张力表面活性剂在溶液中的排列情况与浓度有关,只有当浓度达一定值时, 才能在溶液表面聚集足够的数量形成单分子膜,从而降低表面张力,增强清洗液的润湿和渗透作用。
2）提高超声效率其机理是借助于表面活性剂的润湿、渗透、乳化、增溶、分散等作用, 使沾污在Si 片表面的附着力削弱,再施以加热、超声波等物理方法, 使沾污脱离Si 片表面,而进人清洗液中被乳化、分散开。
在清洗液中超声清洗Si 片表面其原理可用“空化”现象来解释:超声波振动在液体中传播的音波压强达到一个大气压时,其功率密度为
O.35W/cm, 这时超声波的音波压强峰值就可达到真空或负压,但实际
上无负压存在，因此在液体中产生一个很大的压力，将液体分子拉裂成空洞一空化核。
此空洞非常接近真空，它在超声波压强反向达到最大时破裂，由于破裂而产生的强烈冲击将Si片表面的污物撞击下来，而这种由无数细小的空化气泡破裂而产生的冲击波现象称为“空化”现象。
在超声清洗中，表面活性剂也发挥着重要作用，通过表面活性剂的乳化、分散作用，可以显著削弱沾污对Si片表面的吸附，从而获得好的清洗效果。
检验方法：1 ）游离碱性
用移液管将10毫升槽液移入椎形瓶中，加入3~4酚醛指示剂，然后用0.1N的盐酸滴定，颜色由红色至无色即为终点，此时所消耗的0.1N的盐酸毫升数即为槽液的游离碱度
游离碱度一般是指体系中游离（即独立完整以碱的状态或结构存在）的碱的含量，一般情况下：
1, 是先做衍生，就是使其与一定的化合物反应，然后通过检测不反应的化合物进行计算•
2, 检测总碱度，然后进行折算•
酸碱滴定，一般是根据化合物的结构以及性质，先全部做成碱，滴定计算总碱量，0.1N盐酸的配置取分析纯浓盐酸9ml加入到990ml的水中混均即可。
然后衍生，再滴定，然后相减就得到游离碱的含量了•
0.1N盐酸的配置取分析纯浓盐酸9ml加入到990ml的水中混均即可。
JH-15型硅片清洗剂
1. 前言
我司针对硅片材质的特殊性，在强酸强碱里易产生过腐蚀，借鉴国内外先进技术配方，采用弱碱及助剂经科学复配而成，为进口清洗剂的替代型产品。
2. 主要特点
2.1本剂主要由A、B两部分组成，其中A为碱性组分，B为中性组分。
2.2本剂主要由弱碱和低泡表面活性剂组成。
2.3可常温或加温使用本剂、效果好。
2.4低泡产品，可在喷淋线上使用。
3. 适用范围
适用于硅片的浸渍、喷淋清洗处理。
4. 技术指标
5.配制和调整
5.1配制工作液时，按每吨加JH-15A型80~100kg , JH-15B型清洗剂
40~50kg，搅拌均匀。
6.2工作液使用一段时间后，其清洗功
能会下降，应及时添加，每吨工作液提高游离碱度一个点，需添加JH-15A约3
公斤、B1.5公斤(A : B=2 : 1)。
游离碱度高出控制范围，表面反应速度会加快，工作一段时间后，即可恢复正常。
5.3当溶液中油污、杂质过多时，溶液的清洗效果会下降，应考虑更换工作液。
6.注意事项
6.1清洗后的工件在转入下道工序前，应充分水洗。
6.2工作使用时，应每当6小时检测一次，并及时添加本剂，以保证工作液的效果。
6.3该液呈弱碱性，操作员应减少跟皮肤接触。