模拟电子练习题
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ )2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术练习题(专升本)
《模拟电子技术》练习题一、填空题1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。
2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。
（a ）（b ）图1-13．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。
4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。
5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。
6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。
7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。
8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。
9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。
10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运I O放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。
图1-3二、单项选择题（每小题3分，共15分）1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。
A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通D ．D 1和D 2均截止2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子试题
《模拟电子》第一章半导体器件基础本章练习题或思考题1．如图1.1所示电路，判定电路中硅二极管的工作状态，并计算U AB的值。
设VD正向导通压降为0.7V。
图1.1 图1.22．如图1.2稳压管稳压电路，若限流电阻R=1.6KΩ，U Z=12V，I Zmax=18mA。
通过稳压管的电流I Z等于多少？限流电阻的值是否合适？3．如图1.3所示，二极管构成的各电路，设二极管的正向导通压降为0.7V。
（1）判定各电路中二极管的工作状态；（2）试求各电路的输出电压U o。
图1.34．如图1.4所示，当输入电压为u i=5sinωt V时，试对应输入电压u i画出输出电压u o的波形。
设二极管的正向导通压降为0.7V。
图1.45．如何用万用表确定一个二极管的极性和好坏？6．稳压二极管稳压电路如图1.5所示，已知稳压管的稳定电压为U Z=8V，正向导通压降为0.7V，当输入电压为u i=15sinωt V时，试对应输入电压u i画出输出电压u o的波形。
图1.57．若测得放大状态中的三极管I B=0.025mA，取β=50。
试计算I C和I E的值。
8．两个双极型三极管：A管的β＝200，I CEO=200μA；B管的β＝50，I CEO=50μA，其它参数相同，应选用哪一个？9．一个工作在放大状态中的三极管，已经测得其三个引出端的电位分别为①3.5V、②6.6V和③2.8V。
试问此三极管为什么类型？三个引出端分别对应管子的什么电极？10．测得电路中三极管的各电极电位如图1.6所示，试判定各个三极管是工作在截止、放大还是饱和状态？-5.3V 2.4V图1.6第二章 基本放大电路和多级放大电路本章练习题或思考题1．三极管在放大电路中的三种连接方式是什么？2．①如果一个放大电路的电压放大倍数为100倍，用分贝作单位其电压增益为多少分贝？②若一个放大电路的电压增益为60分贝（dB ），此放大电路的电压放大倍数有多少？3．如图2.1共射放大电路，输出电压出现的是什么失真？如何调整偏置电阻Rb 的值 可减小此失真？+6V+u 0-+ui -RbR C图2.1 图2.24．如图2.2所示电路，已知U CC =10V ，R b =320K Ω，β=80，R c =R L =2K Ω，试估算Q 点的值，计算放大电路的电压放大倍数A u 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。
A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（C）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。
A、1 B、2 C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（A）、（B）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1试题一答案二、选择题1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B《模拟电子技术》模拟试题五一、选择题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联B电压并联C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
电子技术及实训模拟练习题+参考答案
电子技术及实训模拟练习题+参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、为调整放大器的静止工作点，使之上移，应该使RB电阻值(____)。
A、减小；B、增大；C、不变；D、不确定正确答案：A2、二极管的正向电阻越小，反向电阻越大说明其质量越(____)。
A、一般B、无法确定；C、好；D、差；正确答案：C3、杂质半导体的少数载流子随温度升高其数量(____)。
A、无法确定B、不变；C、增大；D、减小；正确答案：C4、由漂移形成的电流是反向电流，其大小决定于（），A、温度；B、浓度；C、电场；D、频率正确答案：A5、温度对三极管参数有很大的影响，温度上升，则(____)。
A、放大倍数β下降；B、不影响放大倍数；C、不能确定D、放大倍数β增大；正确答案：D6、射极输出器的主要作用是进行(____)。
A、电压、电流同时放大B、电流放大；C、阻抗变换；D、电压放大；正确答案：C7、工作在放大区的某三极管，基极电流从40微安减小到20微安时，集电极电流从2毫安变为1毫安，其电流放大系数β约为(____)。
A、50；B、10；C、100；D、25正确答案：A8、将整流电容滤波电路的滤波电容值减小，输出电压平均值(____)。
A、增大；B、减小；C、无法确定D、不变；正确答案：B9、当温度降低时，放大电路的静态工作点随之(____)。
A、不变B、降低；C、升高；D、无法确定；正确答案：B10、三极管可看成下列哪种电源：(____)。
A、受电流控制的电流源；B、受电压控制的电压源；C、受电压控制的电流源D、受电流控制的电压源；正确答案：A11、共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。
A、相位差90度；B、不能确定C、同相位；D、相位差180度；正确答案：D12、PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。
用试验法测得三极管1端对地－6.2V，2端对地电玉为—6V, 3端对地电压为－9V，则发射极(____)。
模拟电子技术习题集
第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A. ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图T1.4所示电路xxUO1和UO2各为多少伏。
图T1.4解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5解图T1.5解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点xx曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。
模拟电子技术练习题(专科)
模拟电子技术练习题1、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻。
A. 正确B. 错误正确：【A】2、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路，全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。
A. 正确B. 错误正确：【A】3、为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。
A. 正确B. 错误正确：【A】4、对于增强型MOS管，当栅源电压等于零时，无导电沟道存在。
A. 正确B. 错误正确：【A】5、某放大电路中的NPN型硅三极管，测得3个管脚a、b、c的电压为Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc=-3.9V, 其集电极管脚是a。
A. 正确B. 错误正确：【A】6、有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器。
A. 正确B. 错误正确：【A】7、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带。
A. 正确B. 错误正确：【A】8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的交流成分，同时，尽量保留其中的直流成分。
A. 正确B. 错误正确：【A】9、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大。
A. 正确B. 错误正确：【A】10、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）A. 正确B. 错误正确：【B】11、当晶体管工作于饱和状态时，其发射结反偏，集电结反偏。
（）A. 正确B. 错误正确：【B】12、三端集成稳压器7812输出电压+12V。
A. 正确B. 错误正确：【A】13、在阻容耦合多级放大电路中，影响高频信号放大的是结电容。
A. 正确B. 错误正确：【A】14、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
A. 正确B. 错误正确：【A】15、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
（）A. 正确B. 错误正确：【A】16、在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联 B电压并联 C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
模拟电子技术试题及答案
练习一一、填空（16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ .2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____,但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了—-负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空（24分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，—9。
3 V，则这只三极管是（ )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为（ ).A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的（）。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV.B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中，Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( ）.A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为（ ).A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
模拟电子技术例题习题
模拟电子技术B 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝ 6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流 IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象? 为什么？
例题习题
（1）当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则 IR=(15-6)V/1K =9mA IDZ=-3mA<IZmin，所以稳压管未击穿。故 当UI＝35V时，若UO＝UZ＝6V，则 RL 500 UIO U I =29mA 15V 5V R=(35-6)V/1K R RL 1000 500 IDZ=17mA， IZMAX>IDZ>IZMIN，所以UO＝UZ＝6V （2）当UI＝35V时，若空载，则有 IDZ= IR=(35-6)V/1K =29mA，IDZ>IZMAX 稳压管将因功耗过大而损坏。
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模拟电子技术B
例题习题
1.8 现测得放大电路中这两只 管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流， 标出其实际方向，并在圆圈中 画出管子，且分别求它们的电 流放大系数β。 【解】 （a） I C 1mA 100 I B 10 A （b）
IC 5mA 50 I B 100 A
I BQ
VBB U BEQ Rb
3V 0.7V 460 A 5 K
ICQ=βIBQ=50460μA=23mA。
uo=VCC-ICQRC<UBE
所以T处于饱和状态
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模拟电子技术B
例题习题
第2章 基本放大电路
1. 静态工作点 (Quiescent Point) 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
模拟电子技术习题(2020年7月整理).pdf
模拟电子技术练习题一、单选题(每题1分)1. 基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是____A______电路。
A.共发射极B.共集电极C. 共基极D. 不能确定2. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（D ）。
A．不变B．提高一倍C．提高两倍D．减小为原来的一半3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益??C．提高差模增益D．提高共模抑制比4. 选用差分放大电路的主要原因是（A ）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真5. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（D）。
A．可以用作偏置电路B．可以用作有源负载C．交流电阻很大D．直流电阻很大6. 放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D.输出电阻小7. 深度电流串联负反馈放大器相当于一个（D）。
A. 压控电压源B. 压控电流源C. 流控电压源D. 流控电流源8. 负反馈放大电路中，反馈信号（A）。
A. 仅取自输出信号B. 取自输入信号或输出信号C. 仅取自输入信号D. 取自输入信号和输出信号9. 引入（C）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压B. 电流C. 负D. 正10. 构成反馈通路的元器件（A）。
A. 只能是电阻元件B. 只能是三极管、集成运放等有源器件C. 只能是无源器件D. 可以是无源器件，也可以是有源器件二、判断题(每题1分)1. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（）2. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。
（）3. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。
（）4. 单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。
模拟电子技术习题集
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果—-对应列出的表格称为真值表。
（√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小.（√)5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器.(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器.(×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平,故输出为高电平。
(√）9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的. (√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器.（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
(√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×)18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D ）。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的.A:存储电路B：门电路C:逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B ）。
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选择题1．半导体中得空穴就是(B）:A.半导体晶格中得缺陷B电子脱离共价键后留下得空位Ｃ带正电得离子2.工作在放大状态得晶体管，流过集电结得主要就是（B）Ａ扩散电流B漂移电流3。
下列元、器件中有源器件就是（C):A电阻器B电容器C晶体管4。
多级放大电路与单管放大电路相比，频带（B)A变宽B变窄Ｃ差不多5.差动输入信号与两个输入信号得（A)有关。
Ａ差B与C比值D平均值6．输出级得互补电路常用得接法就是(Ｂ):Ａ共射或共源B共集或共漏C 共基或共栅７．具有下列情况得就一定就是反馈放大电路（B)：Ａ输出与输入之间有信号通路B电路中存在反向传输得信号通路C除放大电路以外还有信号通路８．为了抑制漂移,集成运放得输入级一般就是差动放大电路,因此对于由双极型三极管构成输入级得集成运放，两个输入端得外接电阻应（B)A较大Ｂ对称C较小9.在输入电压从足够低逐渐上升到足够高与从足够高下降到足够低两种不同变化过程中,（B）得输出电压随uI变化得曲线就是不同得。
A简单电压比较器B滞回比较器Ｃ窗口比较器10.滤波可利用（C）实现Ａ。
二极管B变频电路Ｃ低通滤波电路D高通滤波电路11.本征半导体温度升高后（Ｃ)A自由电子数目增多，空穴数目基本不变Ｂ空穴数目增多，自由电子数目基本不变Ｃ自由电子与空穴数目都增多，且增量相同D自由电子与空穴数目不变12。
二极管得正向电阻（B），反向电阻（A)A大B小13.NPN型与PNP型晶体管得区别就是(Ｃ）A由两种不同材料硅与锗制成得Ｂ渗入得杂质元素不同ＣＰ区与Ｎ区得位置不同14.某个处于放大状态得电路，当输入为10mV时,输出电压为7V;输入电压为1５mV时，输出电压为６、５V .它得电压放大倍数为（C)A70０B100 C-１0０１5．放大电路与单管放大电路相比,高频时附加相移（A）A变大B变小C基本不变16。
差模放大倍数Ａd就是（Ｂ)之比,共模放大倍数Ａc就是(Ｃ）比。
A输出得变化量与输入变化量B输出差模量与输入差模量C输出共模量与输入共模量D输出直流量与输入直流量17.复合管组成得电路可以(Ｂ）：Ａ展宽频带Ｂ提高电流放大系数C减小温漂18。
所谓开环就是指具有以下主要特点得电路（B):A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载１9.当集成运放处于(A）状态时,可运用（D）与（Ｅ）概念。
A．线性放大B开环C深负反馈D虚短E虚断20．功率放大电路得输出功率大就是由于(C）：A电压放大倍数大或电流放大倍数大B输出电压高且输出电流大Ｃ输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大２1、N型半导体就是纯净半导体加入以下(C)物质后形成得半导体：A电子B硼元素（三价)C锑元素（五价）22．二极管得伏安特性时Ｉ=(Ｃ)A ＫU2B KU３/2 ＣK(EU/ＵT-１）2３.当温度升高时，晶体管得β（A),反向电流（A），UBE（B）A变大B变小C基本不变24．两个AU=100得放大电路Ⅰ与Ⅱ分别对同一个具有内阻得电压信号进行放大时得到U01＝4、8５V，U02=4、９5Ｖ.由此可知放大电路Ⅱ比较好,因为它得（B）。
(设所接负载电阻相同)Ａ放大倍数大B输入电阻大C输出电阻小25。
直接耦合放大电路能放大（C）,阻容耦合电路能放大(B)A直流信号B交流信号C交直流信号26.电路得Ad越大表示(B）,Ac越大表示（A)。
A温漂越大B有用信号得放大倍数越大Ｃ仰制温漂能力越强27．为了提高ri,减小温漂，通用型集成运放得输入级大多采用（C）电路。
A共射或共源Ｂ共集或共漏C差动放大28。
所谓闭环就是指(B):A考虑信号源内阻B有反馈通路C接入电源D接入负载29。
（B）就是（A)得特殊情况Ａ虚短B虚地C虚断３0.功率放大电路与电压放大电路或电流放大电路得主要区别就是（A）:A功放电路得输出功率比较大，而电压或电流放大电路得输出功率一般比较小B功放电路得效率比较高，而电压或电流放大电路得效率很低C功放电路得输出电压幅值比电压放大电路得大31Ｎ型半导体中多数载流子就是（Ｂ），P型半导体中多数载流子就是(A)Ａ空穴B自由电子3２．二极管电压从0、65V增大10％，流过得电流增大（Ｂ）A 10％Ｂ大于１0％Ｃ小于１0％33.场效应管G－S之间得电阻比晶体管ｂ－e间电阻（A)A大B小Ｃ差不多34。
电路得静态就是指(Ｃ）:A。
输入交流信号幅值不变时得电路状态B输入交流信号频率不变时得电路状态Ｃ无信号输入时得电路状态3５.阻容耦合电路与直接耦合电路得多级放大电路之间得最主要不同点就是（A）：A所放大得信号不同B交流通路不同Ｃ直流通路不同３6。
共模仰制比KCＭR就是（C）之比A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放３７。
为了减小ｒo,通用型集成运放输出级大多采用（Ｃ）电路。
A共集或共漏B差动放大C互补或准互补跟随38.若接入反馈后与未接入反馈时相比有以下情况者为负反馈，反之为正反馈（BD)：A净输入量增大B 净输入量减小C输出量变大Ｄ输出量变小39．电压比较器与放大电路、运算电路得主要区别就是：电压比较器电路中得集成运放工作在(C）或（D),因此它得输出只有(A)与（B)两个稳定状态40.所谓电路得最大不失真输出功率就是指输入正弦波信号幅值足够大,使输出信号基本不失真且幅值最大时（C）：A晶体管上得到最大功率B电源提供得最大功率C负载上获得得最大交流功率4１、Ｎ型半导体(C），P型半导体（C）A带正电B带负电C呈中性4２．当温度升高后,二极管得正向电压(Ｂ）,反向电流(A)Ａ增大B减小C基本不变４３。
场效应管就是通过(Ｂ)改变漏极电流得.A栅极电流Ｂ栅源电压C漏源电压4４。
分析放大电路时常常采用交直流分开分析得方法.这就是因为(C）：A晶体管就是非线性器件B电路中存在电容C在一定条件下电路可视为线性电路，因此可用叠加定理45.因为阻容耦合电路各级静态工作点相互独立,所以这类电路(A）A温漂小B能放大直流信号C放大倍数稳定46。
长尾式差放电路中，Ｒe越大则（D)A Aｄ越大ＢAd越小CＡc越大D Ac越小4７。
集成运放内部就是由直接耦合方式得多级放大电路组成得,作为放大器应用，它就是(Ｃ) Ａ能放大直流信号，不能放大交流信号Ｂ能放大交流信号，不能放大直流信号C既能放大交流信号，也能放大直流信号4８。
直流负反馈就是指（B）:Ａ只存在于直接耦合电路，而阻容耦合电路中不存在得反馈B直流通路中得负反馈C只在放大直流信号时才有得反馈49．无论就是用集成运放还就是集成电压比较器构成得电压比较器电路,其输出电压与两个输入端得电位关系相同，即只要反相输入端得电位高于同相输入端得电位，则输出为（B）电平。
相反,若同相输入端电位高于反相输入端电位，则输出为（A）电平。
A高B低50．所谓效率就是指（Ｃ）：A输出功率与输入功率之比B输出功率与晶体管上消耗得功率之比C最大输出功率与电源提供得功率之比二.填空题1．双极型三极管从结构上瞧可以分成（ＮＰN）与(PＮＰ)两种类型,它们工作时有(电子）与(空穴）两种载流子参与导电。
2.甲类放大电路就是指放大管得导通角等于(2π).3．电流源电路作为偏置电路得作用就是(提供稳定偏置电流），作为有源负载电路得作用就是(提高开环电压增益）。
4。
流过（反相)求与电路反馈电阻得电流等于各输入电流得代数与。
5.放大器有两种不同性质得失真，分别就是(线性)失真与(非线性）失真。
6。
在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降得主要原因就是（耦合电容及射极旁路电容)得影响；使高频区电压增益下降得主要原因就是(结电容）得影响。
7。
（空穴)得出现就是半导体区别于导体得一个重要特点.8. 若想得到最大输出功率，BJT得参数条件:通过BＪT得最大集电极电流为(VＣC/RＬ），所选BJT得ICＭ一般不宜低于此值.9. 常用得稳定工作点得电路有射极偏置电路等,它就是利用(反馈原理)来实现得。
1０、（电流源）电路常用作放大电路得有源负载与决定放大电路各级Q点得偏置电路。
11、场效应管从结构上瞧可分成（结型）与（绝缘栅型）两大类型，它们得导电过程仅仅取决于（多数)载流子得流动.12、乙类放大电路就是指放大管得导通角等于(π)。
１3、带Re电阻得长尾型差动放大电路,对于(零点漂移）与(共模信号）都有很强抑制能力。
14、（同相)比例运算电路得特例就是电压跟随器，它具有Ri大与RO很小得特点，常用作缓冲器.１5、三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为:VA＝—5V、VB＝—８Ｖ、VC=—5.2V，则三极管对应得电极就是:A为（e）极、B为（c）极，C为(ｂ）极.晶体管属（PNP）型三极管。
16、在双端输入、单端输出得差动放大电路中,发射极公共电阻Re对（差模）信号得放大无影响,对(共模)信号得放大具有很强得抑制作用.1７、空间电荷区有时又称为(耗尽层)。
18、（零点漂移）就就是当放大电路得输入端短路时，输出端还有缓慢变化得电压产生，即输出电压偏离原来得起始点而上下漂动.19、(频率响应）与（带宽）就是放大电路得重要指标之一.2０、（互补对称电压跟随）电路常用作集成电路运算放大器得输出级。
2１、场效应管属于（电压)控制型器件,而晶体三极管则认为就是（电流）控制型器件。
２2、在甲乙类放大电路中，放大管得导通角为(π＜θ＜2π。
23、所谓零点漂移就是(就就是当放大电路得输入端短路时，输出端还有缓慢变化得电压产生）.24、工作在电压比较器中得运放与工作在运算电路中得运放得主要区别，前者通常工作在(开环）状态或（正反馈)状态，因此，它得输出一般只有高电平与低电平两个稳定状态。
25、在差动放大电路中，若VS1=—8ｍV,VS２＝１0mV,则输入差模电压vｓd=（—１8)mV，共模输入电压vｓc=（1）mV。
２6、共模抑制比KＣMR为（AＶd与AＶc）之比,KＣMR越大,表明电路对（共模信号)得抑制能力越强。
27、PN结得基本特性—（单向导电性)只有在外加电压时才显示出来。
２８、集成运放两个输入端之间得电压通常接近于零，即vI=vN—vP≈0，若把它理想化,则有vI=0，故称为（虚短）。
29、FET就是电压控制电流器件,只依靠一种载流子导电,因而属于（单极性）器件。
负反馈可以（提高增益稳定性）、（减小非线性失真）、（抑制噪声)、（扩展频带）与控制（输入电阻）与(输出电阻）。
30、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于（正向）偏置，集电结处于(反向）偏置。
３1、乙类推挽功率放大电路得(较高）较高，在理想情况下其值可达(78、５％）。
３2、差动放大电路有(４）种输入-输出连接方式,其差模电压增益与(输出)方式有关，与(输入）方式无关。