模拟电子练习题

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模拟电子习题集

一。选择题

1．半导体中得空穴就是(B）:

A.半导体晶格中得缺陷B电子脱离共价键后留下得空位Ｃ带正电得离子

2.工作在放大状态得晶体管，流过集电结得主要就是（B）

Ａ扩散电流B漂移电流

3。下列元、器件中有源器件就是（C):

A电阻器B电容器C晶体管

4。多级放大电路与单管放大电路相比，频带（B)

A变宽B变窄Ｃ差不多

5.差动输入信号与两个输入信号得（A)有关。

Ａ差B与C比值D平均值

6．输出级得互补电路常用得接法就是(Ｂ):

Ａ共射或共源B共集或共漏C 共基或共栅

７．具有下列情况得就一定就是反馈放大电路（B)：

Ａ输出与输入之间有信号通路B电路中存在反向传输得信号通路C除放大电路以外还有信号通路

８．为了抑制漂移,集成运放得输入级一般就是差动放大电路,因此对于由双极型三极管构成输入级得集成运放，两个输入端得外接电阻应（B)

A较大Ｂ对称C较小

9.在输入电压从足够低逐渐上升到足够高与从足够高下降到足够低两种不同变化过程中,

（B）得输出电压随uI变化得曲线就是不同得。

A简单电压比较器B滞回比较器Ｃ窗口比较器

10.滤波可利用（C）实现

Ａ。二极管B变频电路Ｃ低通滤波电路D高通滤波电路

11.本征半导体温度升高后（Ｃ)

A自由电子数目增多，空穴数目基本不变Ｂ空穴数目增多，自由电子数目基本不变Ｃ自由电子与空穴数目都增多，且增量相同D自由电子与空穴数目不变

12。二极管得正向电阻（B），反向电阻（A)

A大B小

13.NPN型与PNP型晶体管得区别就是(Ｃ）

A由两种不同材料硅与锗制成得Ｂ渗入得杂质元素不同ＣＰ区与Ｎ区得位置不同

14.某个处于放大状态得电路，当输入为10mV时,输出电压为7V;输入电压为1５mV时，输出电压为６、５V .它得电压放大倍数为（C)

A70０B100 C-１0０

１5．放大电路与单管放大电路相比,高频时附加相移（A）

A变大B变小C基本不变

16。差模放大倍数Ａd就是（Ｂ)之比,共模放大倍数Ａc就是(Ｃ）比。

A输出得变化量与输入变化量B输出差模量与输入差模量C输出共模量与输入共模量D输出直流量与输入直流量

17.复合管组成得电路可以(Ｂ）：

Ａ展宽频带Ｂ提高电流放大系数C减小温漂

18。所谓开环就是指具有以下主要特点得电路（B):

A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载

１9.当集成运放处于(A）状态时,可运用（D）与（Ｅ）概念。

A．线性放大B开环C深负反馈D虚短E虚断

20．功率放大电路得输出功率大就是由于(C）：

A电压放大倍数大或电流放大倍数大B输出电压高且输出电流大Ｃ输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大

２1、N型半导体就是纯净半导体加入以下(C)物质后形成得半导体：

A电子B硼元素（三价)C锑元素（五价）

22．二极管得伏安特性时Ｉ=(Ｃ)

A ＫU2

B KU３/2 ＣK(EU/ＵT-１）

2３.当温度升高时，晶体管得β（A),反向电流（A），UBE（B）

A变大B变小C基本不变

24．两个AU=100得放大电路Ⅰ与Ⅱ分别对同一个具有内阻得电压信号进行放大时得到U01＝4、8５V，U02=4、９5Ｖ.由此可知放大电路Ⅱ比较好,因为它得（B）。(设所接负载电阻相同)

Ａ放大倍数大B输入电阻大C输出电阻小

25。直接耦合放大电路能放大（C）,阻容耦合电路能放大(B)

A直流信号B交流信号C交直流信号

26.电路得Ad越大表示(B）,Ac越大表示（A)。

A温漂越大B有用信号得放大倍数越大Ｃ仰制温漂能力越强

27．为了提高ri,减小温漂，通用型集成运放得输入级大多采用（C）电路。

A共射或共源Ｂ共集或共漏C差动放大

28。所谓闭环就是指(B):

A考虑信号源内阻B有反馈通路C接入电源D接入负载

29。（B）就是（A)得特殊情况

Ａ虚短B虚地C虚断

３0.功率放大电路与电压放大电路或电流放大电路得主要区别就是（A）:

A功放电路得输出功率比较大，而电压或电流放大电路得输出功率一般比较小B功放电路得效率比较高，而电压或电流放大电路得效率很低C功放电路得输出电压幅值比电压放大电路得大

31Ｎ型半导体中多数载流子就是（Ｂ），P型半导体中多数载流子就是(A)

Ａ空穴B自由电子

3２．二极管电压从0、65V增大10％，流过得电流增大（Ｂ）

A 10％Ｂ大于１0％Ｃ小于１0％

33.场效应管G－S之间得电阻比晶体管ｂ－e间电阻（A)

A大B小Ｃ差不多

34。电路得静态就是指(Ｃ）:

A。输入交流信号幅值不变时得电路状态B输入交流信号频率不变时得电路状态Ｃ无信号输入时得电路状态

3５.阻容耦合电路与直接耦合电路得多级放大电路之间得最主要不同点就是（A）：A所放大得信号不同B交流通路不同Ｃ直流通路不同

３6。共模仰制比KCＭR就是（C）之比

A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放

３７。为了减小ｒo,通用型集成运放输出级大多采用（Ｃ）电路。

A共集或共漏B差动放大C互补或准互补跟随

38.若接入反馈后与未接入反馈时相比有以下情况者为负反馈，反之为正反馈（BD)：A净输入量增大B 净输入量减小C输出量变大Ｄ输出量变小

39．电压比较器与放大电路、运算电路得主要区别就是：电压比较器电路中得集成运放工作在

(C）或（D),因此它得输出只有(A)与（B)两个稳定状态

40.所谓电路得最大不失真输出功率就是指输入正弦波信号幅值足够大,使输出信号基本不失真且幅值最大时（C）：

A晶体管上得到最大功率B电源提供得最大功率C负载上获得得最大交流功率

4１、Ｎ型半导体(C），P型半导体（C）

A带正电B带负电C呈中性

4２．当温度升高后,二极管得正向电压(Ｂ）,反向电流(A)

Ａ增大B减小C基本不变

４３。场效应管就是通过(Ｂ)改变漏极电流得.

A栅极电流Ｂ栅源电压C漏源电压

4４。分析放大电路时常常采用交直流分开分析得方法.这就是因为(C）：

A晶体管就是非线性器件B电路中存在电容C在一定条件下电路可视为线性电路，因此可用叠加定理