《模拟电子技术》试题(1)
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
电子技术题库(1)全解
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共集电极）、（共基极）放大电路。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于一），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。
2、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。
在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的位权不同。
模拟电子技术试卷1
模拟电路试卷一一、单选题(每题1.5分)1. 分析下图7107所示交流通路，设其直流通路合理，则所述正确的是（）A．不能产生正弦波B．构成电感三点式振荡电路C．构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成串联型晶体振荡电路D．构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成并联型晶体振荡电路2. 理想集成运放具有以下特点：（）。
A. 开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞B. 开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0C. 开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞D. 开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=03. 关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（）。
4. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（）。
A．可以用作偏置电路 B．可以用作有源负载C．交流电阻很大 D．直流电阻很大5. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴6. 功率放大电路的效率是指（）A．不失真输出功率与输入功率之比 B．不失真输出功率与电源供给功率之比C．不失真输出功率与管耗功率之比 D．管耗功率与电源供给功率之比7. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
A. 输入电阻增大B. 输出量增大C. 净输入量增大D. 净输入量减小8. 一过零比较器的输入信号接在反相端，另一过零比较器的输入信号接在同相端，则二者的（A．传输特性相同B．传输特性不同，但门限电压相同C．传输特性和门限电压都不同D．传输特性和门限电压都相同9. 要求输入电阻大，输出电压稳定，应选用（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联 10. 图示3401电路（）A．等效为PNP管 B．等效为NPN管１）C．为复合管，其等效类型不能确定 D．三极管连接错误，不能构成复合管11. 在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一。
（共60题,共150分）1. 理想的功率放大电路应工作于( ）状态. （2分)A。
甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D。
丙类互补★检查答案标准答案：C2。
NPN共射电路的Q点设置在接近于( ）处将产生顶部失真。
（2分)A.截止区B。
饱和区C.击穿区D。
放大区★检查答案标准答案：A3。
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是( )接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D。
共栅极★检查答案标准答案:B4. 当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是（)。
（2分）A.低通B。
高通C。
带通D。
带阻★检查答案标准答案:C5。
为了提高电压放大倍数，希望放大电路的( )大一些。
(2分)A.输入电流B。
输出电流C.输入电阻D。
输出电阻★检查答案标准答案：D6。
当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将（)漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将（）. (2分）A.大于变宽B.大于变窄C。
小于变宽D。
等于不变★检查答案标准答案：C7。
差动放大电路的特点是抑制（）信号,放大（)信号. （2分）A。
共模共模B.共模差模C。
差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8。
共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位（）。
(2分）A。
相差0B。
相差45C。
相差90D。
相差180★检查答案标准答案：A9. 直流电源滤波的主要目的是：（）。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C。
将正弦波变成方波D。
将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10. 电路如图所示。
若V1管正负极接反了,则输出（)。
（2分）A。
只有半周波形B。
全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D。
无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11。
双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
大工23春《模拟电子技术》在线作业1-[学习资料答案]
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大工23春《模拟电子技术》在线作业1-00001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
<A>项.NPN型锗管<B>项.PNP型锗管<C>项.PNP型硅管<D>项.NPN型硅管<正确答案>:B2.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
<A>项.处于饱和状态<B>项.处于放大状态<C>项.处于截止状态<D>项.已损坏<正确答案>:B3.温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
<A>项.增大<B>项.减小<C>项.不变<D>项.不确定<正确答案>:B4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
<A>项.基区很薄且掺杂浓度很低<B>项.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度<C>项.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度<D>项.集电区面积大于发射区面积<正确答案>:C5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
<A>项.同相<B>项.反相<C>项.相差90°<D>项.不确定<正确答案>:A6.三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。
<A>项.10<B>项.30<C>项.100<D>项.1000<正确答案>:D。
模拟电子技术基础期末试题
单项选择题1、半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时，其内电场被（）A、削弱B、增强C、不变D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。
A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素5、 PN结V—I特性的表达示为（）A、)1(/-=TDVvSDeIiB、DvSDeIi)1(-=C、1/-=TDVvSDeIiD、TDVvDei/=6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）A、 10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ8、三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是（）A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（）A、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（）A、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当V CE=6V，其电流放大系数β为（）A 、β=100B 、β=50C 、β=150D 、β=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（ ）A 、PNP 型锗三极管B 、NPN 型锗三极管C 、PNP 型硅三极管D 、NPN 型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多，则其（ ）A 、放大倍数越大，而通频带越窄B 、放大倍数越大，而通频带越宽C 、放大倍数越小，而通频带越宽D 、放大倍数越小，而通频带越窄 17、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（ ） A 、独立信号源短路，负载开路 B 、独立信号源短路，负载短路 C 、独立信号源开路，负载开路 D 、独立信号源开路，负载短路 19、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（ ）决定A 、管子类型B 、g mC 、偏置电路D 、V GS 20、场效应管的工作原理是（ ）A 、输入电流控制输出电流B 、输入电流控制输出电压C 、输入电压控制输出电压D 、输入电压控制输出电流 21、场效应管属于（ ）A 、单极性电压控制型器件B 、双极性电压控制型器件C 、单极性电流控制型器件D 、双极性电压控制型器件 22、如图3所示电路为（ ）图2 图1A 、甲类OCL 功率放大电路B 、乙类OCL 功率放大电路C 、甲乙类OCL 功率放大电路D 、甲乙类OTL 功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ） A 、不用输出变压器 B 、不用输出端大电容 C 、效率高 D 、无交越失真 24、与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ） A 、不用输出变压器 B 、不用输出端大电容 C 、效率高 D 、无交越失真 25、在甲乙类功放中，一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压CEV 与电路中所加电源CC V 关系表示正确的是（ ） A 、CC CEV V = B 、CC CE V V 21= C 、CC CE V V 2= D 、以上都不正确26、通用型集成运放适用于放大( )A 、高频信号B 、低频信号C 、任何频率信号D 、中频信号 27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ ） A 、反相输入端为虚地 B 、输入电阻大 C 、电流并联负反馈 D 、电压串联负反馈 28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ ）A 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 29、共模抑制比K CMR 越大，表明电路（ ） A 、放大倍数越稳定 B 、交流放大倍数越大 C 、抑制温漂能力越强 D 、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ） A 、增加一倍 B 、为双端输入时的一半 C 、不变 D 、不确定 31、电流源的特点是直流等效电阻( )A 、大B 、小C 、恒定D 、不定32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ） A 、1＋AF 倍 B 、1/(1＋AF)倍 C 、1/F 倍 D 、1/AF 倍图333、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ ） A 、电压串联负反馈 B 、电压并联负反馈 C 、电流串联负反馈 D 、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ ） A 、电流串联负反馈 B 、电流并联负反馈 C 、电压串联负反馈 D 、电压并联负反馈 35、如图4为两级电路，接入R F 后引入了级间（ ）A 、电流并联负反馈B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈36、某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（ ）A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈 38、某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（ ）A 、低通滤波器B 、高通滤波器C 、带通滤波器D 、带阻滤波器 39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（ ）才能满足起振条件A 、为1/3时B 、为3时C 、＞3D 、＞1/3 40、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为（ ）A 、LCf 10=B 、LCf 10=C 、LCf π210=D 、LCf π210=41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（ ）A 、2n π，n 为整数B 、(2n+1)π，n 为整数C 、n π/2，n 为整数D 、不确定 42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（ ） A 、RCf 621π=B 、RCf π21=图4 图4C 、RCf π21=D 、RCf π41=43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102=V ，则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ）A 、210V B 、220V C 、20V D 、2V44、图5为单相桥式整流滤波电路，u i 为正弦电压，其有效值为U i =20V ，f=50Hz 。
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。
A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（C）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。
A、1 B、2 C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（A）、（B）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1试题一答案二、选择题1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B《模拟电子技术》模拟试题五一、选择题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
模拟电子技术试题1答案及评分标准
模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、判断题(每题1分，共10分)1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
（对）2.三极管共集电极电路的发射极电阻R e可以稳定静态工作点。
（对）3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（对）4.差分放大电路采用双端输出时，在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。
（对）5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(错 )6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。
（错）7.共集电极电路的输入阻抗高，输出阻抗低，电压放大倍数大。
（错）8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
（错）9.互补输出级应采用共集或共漏接法。
( 对)10.乙类功率放大电路的效率最高，理论上可达78.5％，但存在交越失真。
（对）二、填空题（每空1分，共28分）1.当 PN 结正向偏置时，扩散电流大于_漂移电流，耗尽层变窄。
当 PN 结反向偏置时，扩散电流_小于_漂移电流。
（填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄）2.三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时，工作在放大区。
3.当温度升高时，晶体三极管的U BE将_减小，I CEO增大，β_ 增大。
(增大或减小)4.场效应管是通过改变电压来改变电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。
5.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是克服零点漂移。
6.在差分放大电路中，两输入端获得的一对大小相等，极性相反的信号称差模信号；而大小相等，极性相同的信号称为共模信号。
7.已知某深度负反馈电路开环增益A Ud=100，反馈系数F=0.1，则闭环增益A Uf＝9.09 。
8.正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成，而且缺一不可。
9.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是：振幅条件和相位条件。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(一)
大学《模拟电子技术》复习题及答案一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术试题(一)---答案
模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。
（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。
（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。
（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。
（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。
（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。
（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
《模拟电子技术》练习题
《模拟电子技术》练习题一一、选择题1、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率2、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=13、如果希望提高某放大器的输入电阻和增强其带负载能力，则应当选用( )。
A 电流并联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D电压串联负反馈4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率5、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负6、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联7、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号8、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C( )u B( )u E。
A >B <C =D ≤9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。
A 大B 小C 相等10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。
A 击穿电压B 死区C 饱和11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )。
A增大 B减小 C不变 D无法判定12、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
A放大状态 B 截止状态 C饱和状态 D 不能确定。
13、晶体三极管是( )控制型器件。
A 电流控制电流源B电流控制电压源C电压控制电流源D电压控制电压源14、晶体二极管用于放大时，使其发射结、集电结处于( )。
A 发射结正偏、集电结正偏B发射结正偏、集电结反偏C 发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏15、要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( )负反馈放大电路。
A．电流并联 B电压并联 C电流串联 D电压串联16、空穴为少子的半导体称为( )。
模拟电子电路技术试题及答案
模拟电子技术》模拟试题1一、填空题（每空1 分，共32 分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P 型半导体。
2、PN 结的P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=（）所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic 也（）。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（信号。
11、OCL 电路是（）电源互补功放，OTL 是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。
共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2 分，共34 分）1、三端集成稳压器CXX7805 的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。
A （E、C、B） B（C 、B 、E） C（B、C、E）D（PNP）E（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C 交越D 频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo 高B Po 大C 效率高D Ri 大E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为 ，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
⒉图5-2中的集成均为理想运放，各电路均满足深负反馈条件，试判断它们的反馈组态和极性，并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示，设 、 的特性完全对称， 为正弦波，
， 。试回答：⑴静态时，电容 两端电压就是多少？调整哪
个电阻能满足这一要求？⑵动态时，输出电路 出现交越失真，应调整哪个电阻？
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、（12分）
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；
（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？
（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？
（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？
③(a) ，说明电容开路，无滤波作用。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
_模拟电子技术期考考试试题1
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（10分，每空1分）1.因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
2.PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
3.增强型MOS 管采用自给偏压时，漏极电流i D 必为零。
4.只有电路既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用。
5.阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
6.只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
7.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
8.复合管的类型取决于第一个管子的类型。
9.在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下。
桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的2倍。
10. 整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。
二、选择正确答案填入空内。
（20分，每空2分） 1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，该管的β为( )。
A. 60 B. 61 C. 100 D. 50 2.射极输出器的特点是( )。
A.u A ＜l ，输入电阻小，输出电阻大B.u A ＞1，输入电阻大，输出电阻小C.u A ＜1且u A ≈ l ，输入电阻大，输出电阻小D.uA ＞l ，输入电阻小，输出电阻大 3.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是( )。
A.（B 、C 、E ）B.（C 、B 、E ）C.（E 、C 、B ）4. NPN 型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率5. 一个带宽为0.1H Z ~10MH Z 的宽频带多级放大电路，应采用( )耦合方式。
A.直接 B.阻容 C.变压器6. 集成运算放大器输入级选用差动放大电路的原因是( )。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数D.提高放大倍数7. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻R E ，单端输出电路的( )。
《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
（）3、PN结具有单向导电特性。
（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。
（每题10分，共20分）R(a )(b )图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。
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《模拟电子技术与应用》试题(1)
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为f L和f H时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ =____、静态时的电源功耗P DC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管
B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管
D．N沟道耗尽型MOS管
3．在图示2差分放大电路中，若u I = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大
5．在图示电路中,R i为其输入电阻，R S为常数，为使下限频率f L降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri
C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri
6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为
( )。
A．1500 B．80 C．50 D．30
7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路
C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路
8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器
三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、r be1，V2的 b2、r be2，电容C1、C2、C E在交流通路中可视为短路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；
2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；
3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(12分)
四、图示运算放大电路中，已知u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求u O = ？(10分)
五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)
六、分析图示两个电路的级间反馈。
回答：(12分)
1．它们是正反馈还是负反馈？
2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？
3．它们属于何种组态？
4．各自的电压放大倍数大约是多少？
七、电路如图所示。
试回答：
1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？
2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)
八、电路如图所示，已知稳压管D Z的稳压值U Z = 6 V，I Zmin = 5 mA，I Zmax = 40 mA，变压器
二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240 W，电容C = 200 μF。
求：(8分)
1．整流滤波后的直流电压U I(AV)约为多少伏？
2．当电网电压在±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？
《模拟电子技术与应用》试题 (1)答案一、填空(16分)
1．单向导电性。
2．正向、反向；正向、正向。
3．0.707、3dB、±45°。
4．交流串联负反馈、交流电压负反馈。
5．0、0、78.5%、交越。
6．电压串联负反馈，放大。
二、(24分)
1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A
三、(12分)
1．V1组成共射放大电路，V2组成共集电极放大电路；
2．图略；
3．
四、(10分)
五、(8分)
电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz
六、(12分)
图(a)：负反馈，交、直流反馈兼有，电压并联组态，
；
图(b)：负反馈，交、直流反馈兼有，电压串联组态，。
七、(10分)
1．满足相位平衡条件；
2．电容三点式正弦波振荡电路；
3．
八、(8分)
1．U I(AV) " 24 V。
2．
故求得100 W ￡ RL ￡ 133 W 。