《模拟电子技术(童诗白)》课件

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最新模拟电子技术基础课件(第三版)童诗白华成英(第三章)课件ppt

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2.如何将多个单级放大电路连接成多级放大电路? 各种连接方式有和特点?
3.直接耦合放大电路的特殊问题是什么?如何解决?

4.差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别?

为什么它能抑制零点漂移?


5.直接耦合放大电路输出级的特点是什么?如何根据

要求组成多级放大电路?

改进电路—(c2) 可降低第二级的 集电极电位,又不损 失放大倍数。但稳压 管噪声较大。
差模信号作用下的等效电路
Rb1
+ i B1
i 1 B1
+
R L
2
u Id
i
-
B2
u Od
R L 2-
动态参数
u u u
A=
0
o1
o2
d u
u u
id
i1
i2
2u o1
(R c
//
1 2
R) L
2u
R r
i1
b
be
Rid=2(Rb +rbe;)
Rb2
i 2 B2
图3.3.5差分放大电路加差模信号(b)
电路以两只管子集电极电位 差为输出,可克服温度漂移。
差分放大电路也称为 差动放大电路
动画avi\6-2.avi
差分放大电路的改进图
典型差分放大电路
Rb1
Rb2
Rb1
Rb2
+
uI1
-
Re
-+
-
uI2 uI1
uI2
+-
Re
+
VBB -VEE
图 3.3.2差分放大电路的组成(d)

模电课件模拟电子技术基础第四童诗白华成英ppt

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集成运算放大器的分析和设计
• 分析 • 输入电阻和输出电阻的分析,以及频率特性的分析。 • 线性范围和非线性失真的分析。 • 直流和交流性能的分析。 • 设计 • 选择合适的晶体管和电阻器。 • 设计合适的偏置电路和反馈电路。 • 进行频率补偿和稳定性分析。
集成运算放大器的应用
作为通用放大器使用,用于各种不同的信号放大场合 。
THANK YOU.
反馈的极性
正反馈用“+”表示,负反馈用“-”表示 。
正反馈
使放大器的净输入信号增加。
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大倍数的稳定性
展宽频带
由于环境温度的变化,晶体管的放大倍数会 发生变化,加入负反馈后,可以减小这种变 化。
由于负反馈的作用,使得放大器的上限频率 有所降低,下限频率有所升高,这样频带就 展宽了。
减小非线性失真
负反馈对噪声的抑制作 用
当输入信号为正弦波时,晶体管的输出信号 由于管子的非线性而产生失真,加入负反馈 后,可以使这种失真减小。
在放大器中,噪声是不可避免的,负反馈可 以抑制噪声。
正反馈和自激振荡
自激振荡
在正反馈的作用下,放大器会自己产生信号而输出音调不变的音调。
消除自激振荡的方法
在放大器中引入负反馈来破坏自激振荡的条件。
直流电源及其应用
直流电源
01
它通常由交流电源经整流、滤波和稳压等环 节转换而来。
03
直流电源广泛应用于各种电子设备和系统中 ,如计算机、手机和电动车等。
05
02
直流电源是一种能够提供稳定直流电压的电 子器件。
04
直流电源电压, 保证其正常工作和延长使用寿命。
电子技术的起源与发展

模拟电子技术-童诗白版

模拟电子技术-童诗白版

详细描述
电感的基本单位是亨利(H),由导线绕成线圈或空心线圈制成。电感在电路中的作用是储存磁场能量, 实现电流的延迟和过滤,从而控制交流信号的相位和频率。电感在滤波、振荡、调谐等电路中广泛应用。
二极管
总结词
二极管是电子电路中常用的半导体器件,具有单向导电性。
详细描述
二极管是由一个PN结半导体材料制成的器件,具有正向导通、反向截止的特性。二极管在电路中主要用于整流、 检波、开关等作用,能够实现电流的单向流动控制。不同类型的二极管还有稳压、光电等特殊功能。
模拟电子技术-童诗白版
• 绪论 • 电子器件基础 • 放大电路 • 集成运算放大器 • 反馈放大电路 • 振荡电路与调制解调电路
01
绪论
模拟电子技术的定义与重要性
模拟电子技术是研究模拟电路及其应用的科学技术,它通过 处理连续变化的电压或电流信号来模拟现实世界中的各种物 理量,如声音、温度、压力等。
调制解调电路的应用
调制解调电路在通信、广播、电视等领域有着广泛的 应用。例如,在无线电广播中,音频信号通过调制解 调电路调制到高频载波上,然后通过天线发射出去, 听众可以使用收音机接收并解调出音频信号。在电视 广播中,视频和音频信号也是通过调制解调电路调制 到高频载波上,然后传输到各个电视接收终端,观众 可以使用电视机接收并解调出视频和音频信号。
用于电压、电流、电阻 等的测量,实现模拟量
的测量和转换。
05
反馈放大电路
反馈放大电路的基本概念
反馈放大电路
通过引入反馈网络,将输 出信号的一部分或全部反 馈到输入端,从而改变放 大电路的性能。
反馈的作用
改善放大电路的性能,如 提高稳定性、减小失真、 扩展带宽等。
反馈的分类

童诗白模拟电路课件

童诗白模拟电路课件
忽略基极电流,可得
+VCC
R IREF
2IB
IC1
T1
IB1 +
UBE1
R1
IC2
IB2 U+BE2 T2 R2
IC2
R1 R2
IC1
R1 R2
IREF
图 4.2.2
比例电流源
两个三极管的集电极电流之比近似与发射极电阻的
阻值成反比,故称为比例电流源。 精品
三、微电流源
在镜像电流源的基础上 接入电阻 Re。
T2
uI2 R
+VC
C
流 源 I 决 定 ; 输 出 电 流 uI
io = ic4 ic2 = 2ic4
R
I
利用镜像电流源 可以使单
VEE
端输出差分放大电路的差
模放大倍数提高到接近双
图4.2.11 有源负载差分放大电路
端输出的情况。
精品
4.3 集成运放电路简介
典型的集成运放 双极型集成运放 F007 CMOS 集成运放 C14573
其中T10与T11为纵向NPN管; T12与T13是横向PNP管, 它们的β为5,b-e间电压值约为0.7V,试求各管的
电电流。
解 I VVU U CC CC BE 12 BE 11
REF
R
5
≈0.73mA
I U ln R
I
R
TI
C10 4
C10
IC10≈28uA
I I I
2 C13 C12 R
≈0.52mA
当β较大时 IC=IREF 由于各管的β, UBE相同,
R IREF
IC T
IE
Re
VCC

模电童诗白课件ppt

模电童诗白课件ppt

模拟信号处理技术
总结词:关键技术
详细描述:童诗白教授将模拟信号处理技术视为模拟电路设计的关键技术之一,他详细介绍了各种模拟信号处理方法,如滤 波、放大、转换等,这些技术对于实现模拟电路的高效、精准运行至关重要。同时,他还特别强调了信号完整性和噪声抑制 等问题,为模拟信号处理技术的发展提供了新的思路和方法。
定义与分类
模拟电子技术定义
模拟电子技术是研究半导体器件的性能和电路系统的工作原 理的一门学科。它通过使用半导体材料和器件来实现电路的 功能,并广泛应用于通信、医疗、工业、消费电子等领域。
模拟电子技术分类
根据电路功能的不同,模拟电子技术可分为线性电路和开关 电路两大类。线性电路主要研究放大器、滤波器等线性器件 的性能和设计方法,而开关电路主要研究开关电源、数字电 路等非线性器件的性能和设计方法。
晶体管时代
20世纪50年代,晶体管被发明并逐渐取代了电子 管。晶体管的体积更小、寿命更长、功耗更低, 使得电子设备变得更加小型化和高效化。
现代电子技术
随着半导体技术的不断发展,现代电子技术已经 广泛应用于各个领域,如通信、医疗、工业、消 费电子等。现代电子技术已经成为支撑社会经济 发展的重要支柱之一。
他拥有多项发明专利和实用新型专利,为技术创新和知识产权保护做出了贡献。
他的学术论文和专利成果多次被国内外同行引用和借鉴,扩大了中国科研的影响力 。
学术动,包括国际会议、研讨会和
讲座等。
他与国内外多所知名高校、研究 机构和企业建立了合作关系,共
同开展科研项目和技术攻关。
灾害救援
在自然灾害发生时,童诗 白积极参与灾害救援工作 ,为受灾地区提供物资和 资金支持。
慈善义卖
童诗白曾参与多次慈善义 卖活动,为慈善机构筹集 资金,帮助弱势群体。

《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

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V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1:试求输出电压uo。
-12V
解:两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 -5V
D2 0V
D2导通,D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2:试画出电压uo的波形。
EGO:热力学零度时破坏共价键所需的能量,又称 禁带宽度 (Si:1.21eV,Ge:0.785eV);
T=300K时,本征半导体中载流子的浓度比较低, 导电能力差。Si:1.43×1010cm-3 Ge:2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质,可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力,可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge,它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时,稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路:
D1
u
符号:
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
(1)稳压值UZ;
(2)稳定电流IZ(IZmin):电流小于此值时稳压效

模拟电子技术-童诗白版

模拟电子技术-童诗白版

杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如 磷、锑、砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
2021/3/27
CHENLI
13
莆田学院三电教研室--模拟电路多媒体课件
3.什么是N型半导体?什么是P型半导体? 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象?

4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么

具有单向性?在PN结中另反向电压时真的没有电流吗?
版 童 诗 白
5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的?为什么它 们都可以用于放大?
体不导电,如同绝缘体。 图 1.1.1
2021/3/27
CHENLI
+4
+4
本征半导体结构示意图
9
莆田学院三电教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
三、本征半导体中的两种载流子
若 T ,将有少数价
T
电子克服共价键的束缚成
为自由电子,在原来的共 +4
+4
价 键 中 留 下 一 个 空 位 ——
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。
2021/3/27
CHENLI
15
莆田学院三电教研室--模拟电路多媒体课件

模拟电子技术 华成英 童诗白4集成运算放大电路PPT课件

模拟电子技术  华成英 童诗白4集成运算放大电路PPT课件

uo
u+-u-
UOPPuoma xVCC
例:若UOPP=12V,Ao=106, -UOPP
运放 则|ui|<12V时,
线性放大区
处于线性区。
Ao越大,运放的线性范围越小,必须在输出与输入之
间加负反馈才能使其扩大输入信号的线性范围。
理想运放在线性区的两个重要特点:
虚短路
Ao
uoAo(uu) u u
镜象电流源
其中:基准电流 I R 是稳定的,故输出电流 I C 2 也是稳定的。
写在最后
经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量 Study Constantly, And You Will Know Everything. The More
You Know, The More Powerful You Will Be
四、输出电阻ro
ro =几-几十。
五、最大共模输入电压UIcmax 六、最大差模输入电压UIdmax 七、-3dB带宽fH
运放是直流放大器, 也可放大低频信号,不 适用于高频信号。
还有其他一些反映运放对成性、零漂等的参数。 不再一一介绍。
关于集成运放的应用在后面章节介绍。其中运放 都是作为理想运放来处理。
第四章
集成运算放大电路
4.1 集成运放的内部结构及特点
集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导
体基片上。
集成电路的优点:
工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、 功耗小。
集成电路的分类:
模拟集成电路、数字集成电路; 小、中、大、超大规模集成电路;
集成电路内部结构的特点:
1. 电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏差方 向一致,温度均一性好。

模电第六章(童诗白)讲解的ppt

模电第六章(童诗白)讲解的ppt

& Xd
& Xf
& A & F
& Uo
电流反馈
电压反馈
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5
• 对输出端的影响:串联反馈在输入级与反馈网络的连接 对输出端的影响: 处断开;并联反馈使输入端对地短路。 处断开;并联反馈使输入端对地短路。
+ +
& Ud
+ & U -
& A
f
& Xo
& Ii
& Id
& If
& Xo
解:据图示瞬时极性: 据图示瞬时极性:
& & & Ib = (Ii − I f ) ↓
所以,为并联负反馈。 所以,为并联负反馈。 & 短路, 若将 U 0 短路,同时将输 入信号接地, 入信号接地 , 使输入量对 反馈网络的影响, 反馈网络的影响,则:
C1 Rs + us –
I& f
& Ic2
I&i I&b
6.1 反馈的基本概念及判断方法 6.2 负反馈放大电路的四种基本组态 6.3 负反馈放大电路的计算 6.4 深度负反馈放大电路放大倍数 的分析 6.5 负反馈对放大电路性能的影响 6.6 负反馈放大电路的稳定性 6.7* 放大电路中其它形式的负反 馈 本章小结 内容简介
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内容简介
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4
2. 基本放大电路的计算
(1) 开环时反馈网络的负载效应
• 对输入端的影响:电流反馈使输出电流所在回路开路; 对输入端的影响:电流反馈使输出电流所在回路开路; 电压反馈使输出端短路。 电压反馈使输出端短路。

模电课件第六章(模拟电子技术基础第四版童诗白华成英)

模电课件第六章(模拟电子技术基础第四版童诗白华成英)
X
o
X id

X
f o
X id X
AF
反馈深度
1 AF

称为反馈深度

(1 ) 若 1 A F 1,则 A F A ,

相当于引入负反馈。
( 2 ) 若 1 A F 1,则 A F A ,

相当于引入正反馈。
正反馈和负反馈的判断
在放大电路的输入端,假设一个输入信号对地的极性, 用“+”、“-”表示。按信号传输方向依次判断相关点的瞬
瞬 时 极 性 法
时极性,直至判断出反馈信号的瞬时极性。如果反馈信号 的瞬时极性使净输入减小,则为负反馈;反之为正反馈。
反馈信号和输入信号加于输入回路一点时,瞬时极性 相同的为正反馈,瞬时极性相反的是负反馈。 反馈信号和输入信号加于输入回路两点时,瞬时极 性相同的为负反馈,瞬时极性相反的是正反馈。 对三极管来说这两点是基极和发射极,对运算放大器 来说是同相输入端和反相 输入端。
反馈框图:
实际被放大信号
开环
输出 闭环
叠加
输入
±
反馈 信号
放大器 反馈网络 正反馈 负反馈
取+ 取-
加强输入信号 削弱输入信号
用于振荡器 用于放大器
负反馈的作用:稳定静态工作点;稳定放大倍数;提 高输入电阻;降低输出电阻;扩展通频带。
例:
RB1 C1 + ui – RC1 C2
+EC RB21 RC2
C3
+
ud uf
RE1
T1
T2
uo
RB22
RE2
CE –
Rf
RE1 Rf 、RE1组成反馈 F 网络,反馈系数: Uo RE1 R f Uf

《模拟电子技术(童诗白)》课件

《模拟电子技术(童诗白)》课件
T=300K时,本征半导体中载流子的浓度比较低, 导电能力差。Si:1.4《3模×拟电1子0技1术0c(童m诗白-3)》 Ge:2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质,可使半导体导电性能大大增强。按
掺入杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体。
1、N型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素。
动态平衡:在一定温度下,本征激发产生的“电
子空穴对”,与复合的“电子空穴对”数目相等,达
到动态平衡。在一定温度下,载流子的浓度一定。
《模拟电子技术(童诗白)》
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本征半导体载流子浓度为:
n i p i K 1 T 3 /2 e E G O /(2 k T ) 其中ni和 :pi分别是自由电 的子 浓和 度 cm 空 3( )穴
+4
+4 +4
3、本征半导体中的两种载流子
载流子:能够自由移动的带电粒子。
载流子
自由电子 空穴
《模拟电子技术(童诗白)》
4、本征半导体中载流子的浓度
+4
+4
+4
本征激发:半导体在受热
或光照下产生“电子空穴对”
+4
+4
+4

现象称为本征激发。
+4
+4 +4
复合:自由电子填补空穴,使两者消失的现象称
为复合。
《模拟电子技术(童诗白)》
晶体结构是指晶体的周期
§1.1 半导体基础知识
性结构。即晶体以其内部 原子、离子、分子在空间
一、本征半导体
作三维周期性的规则排列 为其最基本的结构特征

童诗白模电第一章课件

童诗白模电第一章课件

硅原子
多余电子
磷原子
电子空穴对
自由电子
N型半导体
++ + +
++ + +
++ ++
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
第八页,共86页。
施主离子
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
空穴 硼原子
电子空穴对
空穴
P型半导体 - - -- - - --
- - --
多数载流子—— 空穴
第三十八页,共86页。
1.3 半导体三极管
半导体三极管,也叫晶体三极管。由于工 作时,多数载流子和少数载流子都参与运行, 因 此 , 还 被 称 为 双 极 型 晶 体 管 ( Bipolar
Junction Transistor,简称BJT)。 BJT是由两个PN结组成的。
第三十九页,共86页。
EB
对于PNP型三极管应满足:
UEB > 0
UCB < 0 即 VC < VB < VE
输入 公 输出 回路 共 回路

第四十四页,共86页。
共发射极接法原理图
三极管在工作时要 加上适当的直流偏置 电压。
若在放大工作状态: 发射结正偏:
由VBB保证 UBE>0 正偏
集电结反偏: 由VCC、 VBB保证
i
I
0
u
u
u
i IS (e UT 1)
u Ri
第三十二页,共86页。
二极管的模型
二极管的V—A特性
i
0
u
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(2)PN结上加反向电压 P区
空间电 荷区
N区
①外电场与内电场 方向一致,空间电荷区 变宽,内电场增强;
---- ---- ----
++++ ++++ ++++
②扩散运动减弱, 漂移运动增强,平衡被 打破,漂移运动大于扩
内电场 外电场
散运动;
IS
③漂移运动是少子的运动,少子浓度小,形成反向电 流很小,PN结处于截止状态。
发光二极管符号
2、光电二极管(自学)
用万用表判断二级管正负极:
用万用表 R*100 或 R*1K 档,任意测量二极管的两根引 线,如果量出的电阻只有几百欧姆(正向电阻),则黑表 笔(即万用表内电池正极)所接引线为正极,红表笔(即 万用表内电源负极)所接引线为负极。
§1.3 晶体三极管
学习目标: 1.了解三极管的基本结构,熟悉其放大原理; 2.掌握三极管电流分配关系,熟悉其输入、输出特性。
§1.2 半导体二极管
(b)面接触型
面接触型二极管的结构如图(b)
铝合金小球 阳极引线
所示。由于这种二极管的PN结面积 N型硅 大,可承受较大的电流,但极间电
PN结 金锑合金
容也大。这类器件适用于整流,而
底座
不宜用于高频电路中。如2CP1为面
接触型硅二极管,最大整流电流为
阴极引线
400mA,最高工作频率只有3kHz。
2、微变等效电路
i
在Q点附近加上一个微小变
化的量,则可用Q点为切点的直
I D iD Q 线近似微小变化时的曲线。
u
uD U D
rd
uD iD
(动态电阻)
uD
1 iD diD d[IS (eUT 1)]
rd uD duD
duD
IS
uD
eUT
ID
UT
UT
rd
UT ID
D
ui
+ ui
-
+-+ uD R uR
称之为反向击穿。
齐纳击穿: 较高反向电压在PN结空间电荷区形成一个强 电场,直接破坏共价键形成“电子空穴对”, 使得电流急剧增大;
雪崩击穿: 电子及空穴与晶体原子发生碰撞,使共价键 中电子激发形成自由电子空穴对。
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5、PN结的电容效应
5、PN结的电容效应
§1.2 半导体二极管
4、本征半导体中载流子的浓度
+4
+4
+4
本征激发:半导体在受热
或光照下产生“电子空穴对”
+4
+4
+4

现象称为本征激发。
+4
+4 +4
复合:自由电子填补空穴,使两者消失的现象称 为复合。
动态平衡:在一定温度下,本征激发产生的“电 子空穴对”,与复合的“电子空穴对”数目相等,达 到动态平衡。在一定温度下,载流子的浓度一定。
掺入杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体。
1、N型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素。
自由电子
硅原子
多余电子
+4
+4 +4
自由电子
N型半导体 ++ + +
+4
+5 +4
++ + +
+4
+4 +4
++ ++
磷原子
多数载流子---自由电子
电子空穴对 施主离子
少数载流子--空穴
章目录 上一页 下一页
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
3. 当温度升高时,少子的数量 c (a. 减少、b. 不变、c. 增多)。
4. 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流 主要是 b ,N 型半导体中的电流主要是 a 。
(a. 电子电流、b.空穴电流)
三、PN结 1、PN结的形成
①外电场将载流
----
++++
子推入空间电荷区,
----
++++
抵消一部分空间电荷, - - - - + + + +
使空间电荷区变窄, 削弱内电场;
内电场
②扩散运动增强,
外电场
漂移运动减弱,平衡被 打破,扩散运动大于漂 I
移运动;
③在电源的作用下,扩散ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ动不断进行,形成正向电
流,PN结处于导通状态。
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(3)PN结单向导电性
PN结加正向电压,结电阻很小,正向电流较大,处 于导通状态; PN结加反向电压,结电阻很大,反向电 流很小,处于截止状态;
3、PN结的电流方程
qu
i IS (e kT 1)
其中:IS:反向饱和电流; q:电子电量; k:玻耳兹曼常数;T:热力学温度.
电流过大,结温太高而烧坏二极管。
2、最高反向工作电压UR
二极管工作时,允许外加的最大反向电压。超过
此值,二极管可能击穿。U R
3、反向电流 IR
1 2 U(BR)
二极管未击穿时的反向电流。 IR 越小,二极管的
单向导电性越好。
4、最高工作频率 fM 二极管工作的上限频率。
四、二极管的等效电路
二极管伏安特性具有非线性,分析电路时,常用线 性元件所构成的电路等效代替。
第一章 常用半导体器件
§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型晶体管 §1.4 场效应管
§1.1 半导体基础知识
学习目标: 1.熟悉P型、N型半导体的基本结构及特性 ; 2.掌握PN结的单向导电性 。
学习重点: 1. P型、N型半导体的形成和电结构特点; 2. PN结的正向和反向导电特性 。
- 流,从而保证稳压管正常工作。
UR UI UZ
IL
UZ RL
保证稳压管有稳
压效果必须:
IR
UR R
UI
UZ R
IZ IR IZ
I Z min I Z I Z max
六、其它类型二极管
1、发光二极管 ⑴具有单向导电性;加正向电压时导通就发光。 导通时电压比普通二极管大。电流越大,发光 越强。注意不要超过极限参数。 ⑵发光的颜色取决于所用材料。
R
ui
+
D
+
4V UREF
t
ui -
UREF
uo
0
-
-4V
uo
解:(1)ui>UREF时,
UREF
t
uo U REF
(2)ui<UREF时,
uo ui
五、稳压二极管
1、伏安特性
反向特性:
i
当I <IZmin 时,没有稳压效果;
当I > IZmin时,电压变化量很小,
UZ
电压基本稳定只要电流不超过
1、折线等效电路

u
i

(1)理想二极管模型:正向导通压降为 零,反向截止电流为零。
i

u
i
u
Uon
Uon

(2)正向导通压降为常数(硅管 0.7V;锗管 0.2V),
反向截止电流为零;
两种等效电路:
UD
+-
(1) V
U

D
,I
V R
V
(2)I V Uon
R


R UR

(Si : Uon 0.7V , Ge : Uon 0.2V )
元素。
si
GGee
硅原子
锗原子
+44
硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。
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2、本征半导体的晶体结构
共价键
+4
+4
+4
(1)共价键:相邻两个原
束缚 子共用一对最外层电子(价
+4 +4 +4 电子 电子)的组合称为共价键。
自由
+4
+4
+4
电子 (2)束缚电子:共价键中的 空穴 价电子受共价键的束缚。
令:UT
kT q
(常温下,UT 26mV )
u
则: i IS (eUT 1)
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u
4、PN结的伏安特性 (1)正向特性
i IS (eUT 1)
u
i
(2)当反u向>特>U性T 时, i ISeUT
a、当 u UT时,i IS
U(BR)
b、当反向电压超过一定数值
O
u U(BR)后,反向电流急剧增加,
( b) 面接触型
(c) 平面型
阳极引线 二氧化硅保护层
平面型二极 管是集成电 路中常见的 一种形式。
N型硅 阴极引线
P 型硅
阳极 D 阴极 ( d) 符号
(c ) 平面型
二极管的符号
二、伏安特性 二极管是非线性元件
80C
i
反向饱和电流 锗
20C 1、正向导通
开启电压:Uon
击穿电压UBR
硅:0.5 V 锗: 0.1 V
阳极引线
阴极引线
( a) 点接触型 外壳
点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和 一块半导体(如锗)的表面接触,然后在正方向通过很大的瞬 时电流,使触丝和半导体牢固地熔接在一起,三价金属与锗结 合构成PN结,并做出相应的电极引线,外加管壳密封而成。
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