正源凯信单晶硅参数
n型580wp双面双玻单晶硅组件相关技术要求
一、背景介绍随着全球对清洁能源的需求不断增加，太阳能光伏发电技术受到了广泛关注。
而n型580wp双面双玻单晶硅组件作为太阳能光伏发电领域中的一种先进的技术产品，其相关技术要求备受关注。
本文将围绕n型580wp双面双玻单晶硅组件的相关技术要求展开讨论。
二、技术要求1. 单晶硅材料选择：对于n型580wp双面双玻单晶硅组件而言，选择高品质的单晶硅材料至关重要。
单晶硅材料的质量直接影响到组件的发电效率和使用寿命，因此需要选用具有高纯度和良好结晶性能的单晶硅材料。
2. 硅片加工工艺：在制造n型580wp双面双玻单晶硅组件过程中，硅片的加工工艺也是至关重要的。
其中包括硅片的切割、清洗、扩散、沉积膜、光刻、腐蚀、离子注入、金属化等步骤。
合理优化硅片加工工艺，可以提高硅片的转换效率和光电性能。
3. 双面太阳能电池片隔离：n型580wp双面双玻单晶硅组件是双面太阳能电池片的组合，因此需要对双面太阳能电池片进行有效的隔离。
这就要求制造工艺中，轻量、高强度、耐腐蚀的材料用于太阳能电池片隔离层的制备，以确保双面电池片的稳定性和安全性。
4. 双玻封装工艺：n型580wp双面双玻单晶硅组件采用双玻封装工艺，因此对于双玻封装工艺的要求也是非常严格的。
厚度均匀、透光性好、保温隔热、抗风压、抗压弯疲劳等性能是双玻封装材料必须具备的特性，以确保组件在各种环境条件下都能保持稳定的发电性能。
5. 组件性能测试标准：对于n型580wp双面双玻单晶硅组件产品，其性能测试标准也是至关重要的。
需要严格制定各项性能测试指标和标准，包括转换效率、温度系数、光电性能、耐腐蚀性能、承载力等各项指标，以确保生产的每一只组件都符合标准要求。
三、技术应用前景n型580wp双面双玻单晶硅组件作为太阳能光伏发电领域中的一项先进技术，具有高转换效率、强耐候性、长使用寿命等优点。
其双面发光设计也能有效提高电能利用率，适用于各种地形和环境条件，具有广阔的应用前景。
300mm硅单晶及抛光片标准
4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 5.0 5.2 5.3 5.5
结构特性 位错蚀坑密度 滑移 系属结构 孪晶 漩涡 浅蚀坑 氧化层错（OISF） 氧化物沉淀 硅片制备特性 晶片ID标志 正表面薄膜 洁净区 非本征吸除 背封 见注2 无 无 无 无 见注1 无 无 无 不规定 不规定 不规定 不规定
6.0 6.1 6.2 6.3 6.6 6.7 6.8 6.9 6.11 6.12 6.14 7.0 7.1
机械特性 直径 主基准位置 主基准尺寸 边缘轮廓 厚度 厚度变化（TTV） 晶片表面取向 翘曲度 峰——谷差 平整度／局部 正表面化学特性 表面金属沾污 钠/铝/铬/铁/镍/铜/锌/钙 ≤5×1010／cm2 300±0.2mm 见SEMI M1 见SEMI M1 见SEMI M1 775±25μm 10μm max 1-0-0±1° 50μm max 用户规定 见注3
表1 尺寸和公差要求
特 直 性 径 尺 寸 300.00 725 1.00 90 100 10 ≥0.80 公差 ±0.20 ±20 ＋0.25, －0.00 ＋5，－1 单位A mm μm mm ° μm μm
厚 度，中 心 点 切 口 （见图7） 深 角 翘 曲 度 最 大 值B 总厚度变化（GBIR）C 最大值 背面光泽度D 抛光的边缘轮廓表面加 工度E 边缘轮廓 座标:（见图4） 表3 Cy Cx 度
300mm硅单晶及抛光片标准
有研半导体材料股份有限公司 孙燕
一、300 mm硅单晶及抛光片现状
300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。 因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。 随着300mm硅单晶及抛光片的诞生，我们也面临一个制定 相应的国家标准的问题。
太阳能级硅片要求
二极管级3寸单晶片技术参数二极管级4寸单晶片技术参数1. 外形尺寸1.1 硅片直径 :76.2 土 0.4mm1.2 弯曲度: ≤0.035mm1.3 总厚度变化:≤0.03 mm1.4 垂直度：片内矩形对角线相等，公差土0.5mm2. 技术参数2.1 导电参数 :N 型2.2 电阻率 :5-6OΩ .cm或按客户要求加工2.3 少子寿命 : ≥100 μ s2.4 氧含量: <1.0 ×1018atoms/cm32.5 碳含量: <5.0 × 1016atoms/cm32.6 晶向 : 〈111〉± 1.502.7 位错密度: ≤3000个 /cm32.8 厚度:280-305μm 1. 外形尺寸1.1 硅片直径: 100±0.5mm1.2 总厚度变化(TTV): 0.005μm1.3 弯曲度: ≤0.030mm2.技术参数2.1 电阻率: 5-60Ω.cm或按客户要求加工2.2 导电类型: N型2.3 少子寿命: ≥100μs2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3 2.5 碳含量: <5×1016atoms/ cm3 2.6 晶向: (111)±1.5°太阳能电池用6寸单晶片技术参数太阳能电池用8寸单晶片技术参数1. 外形尺寸1. 1 硅片直径: 150±0.4mm1. 2 硅片宽度: 125±0.4mm1. 3 硅片厚度: 200/190±20μm1. 4 总厚度变化(TTV): 0.03mm1. 5 垂直度: 片内矩形对角线相等,公差±0.5mm1. 6 弯曲度: ≤0.035mm2. 技术参数2.1 电阻率: 0.5-3Ω.cm2.2 导电类型: P型2.3 少子寿命: ≥10μs2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm32.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm32.6 晶向: (100)±2.0°2.7 位错密度:≤ 1×103个/cm3 1. 外形尺寸1. 1 硅片直径: 195/200/205±2.0 mm1. 2 硅片宽度: 156±0.4mm1. 3 硅片厚度: 200/190±10μm 1. 4 总厚度变化(TTV): ≤40μm 1. 5 垂直度: 90°±3°1. 6 弯曲度: ≤0.035mm2. 技术参数2.1 电阻率: 0.5-3/3-6Ω.cm 2.2 导电类型: P型2.3 少子寿命: ≥10μs2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3 2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3 2.6 晶向: (100)±2°2.7 位错密度: ≤1×103个/cm3125 多晶硅片导电类型P尺寸125X125mm±0.5mm150X150mm±0.5mm156X156mm±0.5mm210X210mm±0.5mm电阻 0.5-3.0Ω.cm少子寿命≥2μs氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3厚度200μm±20、220μm±20、240μm±20TTV ≤30μm弯曲度≤30μm锯痕≤10μm156 多晶硅片导电类型P尺寸125X125mm±0.5mm150X150mm±0.5mm156X156mm±0.5mm210X210mm±0.5mm电阻 0.5-3.0Ω.cm少子寿命≥2μs氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3厚度200μm±20、220μm±20、240μm±20TTV ≤30μm弯曲度≤30μm锯痕≤10μm125 单晶硅片少子寿命≥10μs弯曲度≤35μm电阻 1.0-3.0Ω.cm，3.0-6.0Ω.cm氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3尺寸125X125mm±0.5mm156X156mm±0.5mm厚度170μm、200μm、220μm、240μm（±20）TTV ≤20μm垂直度变化90°±0.2°晶向<100>156 单晶硅片少子寿命≥10μs弯曲度≤35μm电阻 1.0-3.0Ω.cm，3.0-6.0Ω.cm氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3尺寸125X125mm±0.5mm156X156mm±0.5mm厚度170μm、200μm、220μm、240μm（±20）TTV ≤20μm垂直度变化90°±0.2°晶向<100>。
单晶硅技术参数
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度（T） 200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
180Wp-190Wp单晶硅组件参数
Allowable Hail Load（冰雹压力测试）
steel ball fall down from1mheight
Weight per piece (kg)（每块太阳能板的重量）
15
Junction Box Type（连接盒类型）
GY-BOX-5C( TUV )
5.23 5.13 5.42
Number of cells (Pcs)（电池数量）
72
Size of module (mm)（太阳能板的尺寸）
1580*808*40mm( 125x125mmcell)
品牌）
CEEG
960
Temperature coefficients of Isc (%)（短路电流的温度系数）
ZHEJIANG SUN VALLEY ENERGY APPLICATION TECHNOLOGY CO., LTD
浙江太陽谷能源應用科技有限公司
TEM NO货号
YFST180 YFST185 YFST190
MONO or POLY（单晶或者多晶）
Mono Mono Mono
Maximum power (Wp)（最大功率）
Aluminum
Standard Test Conditions（标准测试条件）
AM1.5 100mW/cm225’C
Warranty（产品质量保证）
2 years product warranty and 25years 80% of power
FF (%)（填充因子）
76%
Packing（包装）
2PCS/CTN ,532PCS//40 FCL
Unit Price（单位价格）
单晶硅光伏板单位面积发电参数
单晶硅光伏板单位面积发电参数1.引言1.1 概述在光伏发电领域中，单晶硅光伏板是最常见和广泛应用的一种光伏组件。
单晶硅光伏板由高纯度的单晶硅材料制成，具有较高的转换效率和优良的电性能，因此备受青睐。
单位面积发电参数是评估光伏板性能的重要指标之一。
它包括光伏板的功率密度、效率、填充因子等参数。
功率密度指单位面积内光伏板所能发出的最大功率，是衡量光伏板电能输出能力的关键指标。
转换效率则是指光伏板将光能转化为电能的比例，高效率的光伏板可以更有效地利用太阳能资源。
填充因子则表示光伏板的电性能稳定性和性能损失程度，填充因子越高，说明光伏板的电能损失越少。
单晶硅光伏板的单位面积发电参数在光伏行业中具有非常重要的地位。
随着科技的发展和工艺的改进，单晶硅光伏板的功率密度和转换效率不断提升。
高效的单晶硅光伏板凭借其卓越的性能，并且具有可靠性高、寿命长等优点，被广泛应用于各种规模的太阳能发电系统。
本文的主要目的是对单晶硅光伏板的单位面积发电参数进行详细的介绍和分析，以期为读者提供对单晶硅光伏板的了解，并能更好地评估和选择适合自己需求的光伏组件。
在正文部分，将会详细介绍单晶硅光伏板的制造工艺、性能参数及其对单位面积发电参数的影响因素等内容。
通过深入研究和了解单晶硅光伏板的单位面积发电参数，能够为推动太阳能发电行业的发展提供有力的支持。
未来，单晶硅光伏板的制造工艺将会不断改进，单位面积发电参数也将不断提升。
随着光伏技术的进一步发展，单晶硅光伏板有望成为未来太阳能发电领域的主导技术，为人类提供更可持续、清洁的能源解决方案。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以包括以下几点：本文主要讨论的是单晶硅光伏板的单位面积发电参数。
通过研究单晶硅光伏板的发电效率、功率密度等参数，可以评估其在实际应用中的性能和发电潜力。
首先，我们将介绍单晶硅光伏板的基本原理和结构。
单晶硅光伏板是一种常见的太阳能发电设备，它通过将太阳能转化为电能来实现能源的利用。
scs18a材料标准
scs18a材料标准
SCS18A材料标准是一个涉及到半导体行业的重要标准。
SCS18A是日本工业标准（JIS）中的一个编号，用于表示一种半导体材料。
该材料标准主要涉及到半导体材料的化学成分和物理性能等方面的要求。
具体来说，SCS18A材料标准规定了半导体材料的化学成分、晶体结构、电学性能等方面的要求。
其中，化学成分是该材料标准的核心内容之一，规定了不同元素在半导体材料中的含量范围。
此外，SCS18A还规定了半导体材料的晶体结构和电学性能等方面的要求，以确保其具有良好的半导体性能和稳定性。
需要注意的是，SCS18A材料标准并不是唯一的半导体材料标准，只是其中之一。
此外，不同国家和地区的半导体材料标准也可能存在差异。
因此，在实际应用中，需要根据具体情况选择适合的半导体材料标准。
180Wp-190Wp单晶硅组件参数
Short circuit current (A)（短路电流）
5.23 5.13 5.42
Number of cells (Pcs)（电池数量）
72
Size of module (mm)（太阳能板的尺寸）
1580*808*40mm( 125x125mmcell)
Brand Name of Solar Cells（电池的品牌）
2 years product warranty and 25years 80% of power
FF (%)（填充因子）
76%
Packing（包装）
2PCS/CTN ,532PCS//40 FCL
Unit Price（单位价格）
FOB china port
＞15.8%
Output tolerance (%)（输出功率公差）
+/-5%
Frame (Material, Corners, etc.)（边框材料）
Aluminum
Standard Test Conditions（标准测试条件）
AM1.5 100mW/cm225’C
Warranty（产品质量保证）
Tolerance Wattage (e.g. +/-3%)（功率的公差）
+/5%
Surface Maximum Load Capacity（太阳能板表面可以承受的最大压力）
60m/s(200kg/sq.m)
Allowable Hail Load（冰雹压力测试）
steel ball fall down from1mheight
-（0.5+/-0.05）%/℃
Temperature coefficients of Im (%)（最大电流的Βιβλιοθήκη 度系数）+0.1/℃
单晶硅基本知识1
硅的基本知识
1 硅的物理化学性质
硅，元素符号为Si，原子数为14，相对原子质量为28.09，有无定形和晶体两种同素异形体，主要以化合物（二氧化硅和硅酸盐）的形式存在，硅约占地壳总重量的27.72%，其丰度仅次于氧。
硅的固态密度为2.33克/立方厘米，液态硅的密度为2.54克/立方厘米。
熔点为1416±4℃，沸点为2355℃。
拉制单晶硅时，是在高温状态下，易发生如下反应：
Si+C→SiC Si+SiO2→SiO↑Si+O2→SiO2
另外硅还能与钙、镁、铁、铜、铂、铋等化合，生成金属化合物，对单晶硅的质量有很大的影响。
2 单晶硅的晶向
单晶硅有N型/P型之分。
N型的掺杂剂为磷，P型掺杂剂为硼。
分别有〈100〉晶体上有四条晶线，〈110〉晶体上有两条晶线，〈111〉有三条或六条对称分布的棱线。
化学成分硅是元素半导体。
电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。
拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。
重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。
硅中碳含量较高，低于1ppm 者可认为是低碳单晶。
碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。
硅中氧含量甚高。
氧的存在有益也有害。
直拉硅单晶
氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
单晶硅太阳能电池板详细参数
单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板100W 尺寸：963x805x35MM 净重：11KGS 工作电压：33.5V 工作电流：2.99A 开路电压：41.5V 短路电流：3.57A 蓄电池：24v 二、产品特点：采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215 和电气保护II 级标准。
太阳能电池转换效率高。
而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。
太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。
阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。
太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。
采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。
太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC 国际标准。
太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA 材料以及TPT 复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。
直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS 塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。
工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20 年以上，衰减小于20%。
三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99. 99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2 个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
硅光电池参数
硅光电池参数
硅光电池的参数主要包括开路电压（Voc）、短路电流（Isc）、暗电流（Id）、反向
阻抗（rζ）和峰值波长（λo）等。
1. 开路电压（Voc）：在一定光照下，硅光电池输出端开路时，所产生的光电子电压。
2. 短路电流（Isc）：在一定光照下，硅光电池所接负载电阻为零时，流过硅光电池的电流。
3. 暗电流（Id）：在无光照的条件下，在硅光电池两端施加反向电压时所产生的电流。
4. 反向阻抗（rζ）：在无光照的条件下，在硅光电池两端施加反向电压时所呈现的阻抗。
5. 峰值波长（λo）：响应光谱中吸收最大处的波长。
这些参数对评估硅光电池的性能至关重要，同时也用于硅光电池的设计和优化。
硅抛光片的几何参数及一些参数定义
硅抛光片的几何参数及一些参数定义集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有一系列参数来表示和限制。
主要包括：硅片的直径或边长，硅片的厚度、平整度、翘曲度及晶向的测定，下面分别一一讨论。
1.硅片的直径（边长），硅片的厚度是硅片的重要参数。
如果硅片的直径（边长）太大，基于硅片的脆性，要求厚度增厚，这样就浪费昂贵的硅材料，而且平整度难于保证，对后续加工及电池的稳定性影响较大，再说单晶硅的硅锭直径也很难产生很大；直径或边长太小，厚度减小，用材少，平整度相对较好，电池的稳定性较好，但是硅片的后续加工会增加电极等方面的成本。
一般情况下，太阳能电池的硅片是根据硅锭的大小设置直径或边长的大小，一般的圆形单晶、多晶硅硅片的直径为（76.2mm）或（101.6mm），而单晶正方形硅片的边长为100mm、125mm、150mm；多晶正方形硅片的边长为100mm、150mm、210mm。
2.硅片的平整度是硅片的最重要参数，它直接影响到可以达到的特征线宽和器件的成品率。
对于太阳能硅片则影响转换效率和寿命，不同级别集成电路的制造需要不同的平整度参数，平整度目前分为直接投影和间接投影，直接投影的系统需要考虑的是整个硅片的平整度，而分步进行投影的系统需要考虑的是投影区域的局部的平整度。
太阳能硅片要求较低，硅片的平整度一般用TIR和FPD这两个参数来表示。
（1）TIR(TotalIndicationReading)表示法对于在真空吸盘上的硅片的上表面，最常用的参数是用TIR来表示。
如图一所示，假定一个通过对于硅片的上表面进行最小二次方拟合得到的参考平面，TIR定义则为相对于这一参考平面的最大正偏差与最大负偏差之和。
TIR=a+b图一、TIR 和FPD 的定义图二、BOW 的定义（2）FPD(Focal Plane Deviation)表示法如果选择的参考面与掩膜的焦平面一致，FPD 定义则是相对于该参考面的正或负的最大偏差中数值较大的一个，如图一所示。
便携式EL检测仪单晶硅光伏组件参数表
135
140
±5
±5
27.20
27.20
5.00
5.15
32.60
32.60
5.40
5.55
143 ±5 27.20 5.25 32.60 5.65
电池片转换效率 ηc（%）* 最大系统电压（V） 工作温度（℃）
16.5
17.0
17.5
1000
-40—85
18.0
最大功率温度系数 Tk(Pm) 开路电压温度系数 Tk(Voc) 短路电流温度系数 Tk(Isc)
便携式 EL 检测仪单晶硅光伏组件参数表
产品名称 型号
最大输出功率 Pm（Wp）*
功率误差（%）
最佳工作电压 Vmp（V）*
最佳工作电流 Imp（A）*
开路电压 Uoc（V）*
电气 参数
短路电流 Isc（A）*
电池片转换效率 ηc（%）*
最大系统电压（V） 工作温度（℃）
最大功率温度系数 Tk(Pm)
+0.5EVA +0.35TPT
4mm2/900mm 1198mm*553mm*35mm
8.5kg 2.4KN/m2
外形 尺寸
产品寿命
出厂后 20 年内输出功率不低于稳定功率的 80%
“*”标准测试条件下的测试值（电池温度 25℃±2℃，辐照度：1000W/m2，标准太阳光谱辐 照度分布符合 GB/T 6495.3 规定）。
机械 参数
断层结构（mm）
电缆线规格 产品尺寸 产品重量 可抗风压
17.90
17.90
18.00
5.03
5.30
5.50
21.60
21.60
21.70