单晶硅
单晶硅分类
单晶硅分类单晶硅，是单一晶体结构的硅材料，是电子和光伏行业的基础材料。
由于其独特的物理和化学性质，单晶硅在许多高科技领域都有广泛的应用。
为了更好地理解和应用单晶硅，对其进行分类是十分必要的。
以下是单晶硅的几种主要分类方式：1. 按照硅来源分类：* 天然单晶硅：从天然矿物中提取的硅，经过纯化和单晶化处理得到的。
其纯度高，但产量有限。
* 合成单晶硅：通过化学气相沉积(CVD)等方法，从硅烷、硅氧烷等气体中合成的单晶硅。
纯度较高，但工艺复杂。
2. 按照晶体结构分类：* 立方晶系单晶硅：常见的晶体结构有面心立方和体心立方。
这种结构下的单晶硅具有良好的机械和电气性能。
* 六方晶系单晶硅：如氮化硼晶体结构，这种结构下的单晶硅具有独特的物理和化学性质，常用于特殊应用。
3. 按照用途分类：* 电子级单晶硅：用于制造集成电路、晶体管等电子元器件的单晶硅，纯度要求极高。
* 光伏级单晶硅：用于太阳能电池板制造的单晶硅，要求具有较高的光电转换效率。
* 特殊用途单晶硅：如用于高温、高真空或强腐蚀环境下工作的单晶硅材料，要求具有优异的耐久性和稳定性。
4. 按照制备方法分类：* 直拉单晶硅：通过直拉法生长的单晶硅，是最常见的制备方法。
其特点是生长速度快，但纯度略低。
* 区熔单晶硅：通过区熔法生长的单晶硅，纯度较高，但生长速度较慢。
5. 按照掺杂元素分类：* 本征单晶硅：未掺杂其他元素的纯净单晶硅。
* 掺杂单晶硅：通过掺入其他元素改变其导电类型和导电率。
常见的掺杂元素有磷、硼等。
6. 按照外观形态分类：* 棒状单晶硅：常见的形态为圆柱形棒状，便于加工和运输。
* 片状单晶硅：经过切片后的单晶硅片，适用于光伏电池等领域。
* 颗粒状单晶硅：破碎后的单晶硅颗粒，主要用于填充在其他材料中。
随着科技的不断进步，单晶硅的应用领域越来越广泛，对其质量和性能的要求也越来越高。
对单晶硅进行合理的分类，有助于更好地选择和应用这一重要的材料。
同时，不断研究和开发新的单晶硅制备技术，也是推动相关产业发展的重要方向。
单晶硅标准
单晶硅标准标题：单晶硅的特点与应用领域单晶硅是一种高纯度的硅材料，具有晶格完整、热导率高、机械性能优良等特点，因此在电子、光电和太阳能等领域有着广泛的应用。
本文将介绍单晶硅的标准以及其在不同领域的应用。
正文：单晶硅是通过将高纯度硅材料进行熔炼、凝固，使其形成具有晶格完整性的晶体。
这种晶体结构的完整性使得单晶硅具有出色的电子性能和光学性能，在各种领域都有着广泛的应用。
以下是单晶硅的一些标准和应用领域。
首先，单晶硅的纯度要求非常高。
由于单晶硅在电子器件中的应用非常广泛，因此其纯度要求也非常高。
一般来说，单晶硅的杂质控制在1ppm以下。
这样的高纯度可以确保电子器件的正常工作，并且不会受到杂质的影响。
其次，单晶硅的晶格完整性是其重要的标准之一。
晶格完整性可以通过X射线衍射等方法进行检测，确保单晶硅的结构是完整的。
这对于单晶硅在光电器件中的应用至关重要，因为晶格的完整性可以保证光的传输和转换效率。
单晶硅在电子领域中有着广泛的应用。
它被用作制造半导体器件，如晶体管、集成电路等。
高纯度和晶格完整性使得单晶硅具有良好的电子性能，可以实现高效的电子传输和控制。
此外，单晶硅还可以用于制造光电子器件，如激光二极管、光纤等，其晶格完整性可以保证光的传输效率和质量。
此外，单晶硅在太阳能领域也有着重要的应用。
由于单晶硅具有高热导率和晶格完整性，可以用于制造高效的太阳能电池。
太阳能电池将太阳光转化为电能，单晶硅作为其主要材料之一，可以提供较高的转换效率和稳定性。
总之，单晶硅作为一种高纯度、晶格完整的材料，具有广泛的应用前景。
其在电子、光电和太阳能等领域的应用已经得到广泛的认可，并且通过制定相应的标准，可以确保其质量和性能的稳定性。
随着科技的不断发展，相信单晶硅的应用领域还将不断扩大。
单晶硅是什么材料
单晶硅是什么材料
单晶硅是一种非常重要的材料，它在现代科技领域有着广泛的应用。
单晶硅是一种高纯度的硅材料，它的晶体结构非常完美，没有晶界和杂质，因此具有优异的电学特性和光学特性。
单晶硅主要用于制造集成电路、太阳能电池、光电器件等，是现代电子工业和光伏产业的重要基础材料。
首先，单晶硅具有优异的电学特性。
由于单晶硅晶体结构的完美性，电子在其内部的运动非常顺畅，因此单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电子散射率。
这使得单晶硅成为制造集成电路的理想材料。
在集成电路制造过程中，通过控制单晶硅的导电性能，可以制造出各种不同的电子器件，实现电路的功能多样化和集成度的提高。
其次，单晶硅具有优异的光学特性。
单晶硅是一种半导体材料，其能带结构使得它在光学器件中有着广泛的应用。
最典型的应用就是太阳能电池。
通过在单晶硅上形成p-n结，可以将光能转化为电能，实现光电转换。
由于单晶硅的光电转换效率高、稳定性好，因此被广泛应用于太阳能电池板的制造。
此外，单晶硅还可以用于制造光电器件、激光器件等，具有广阔的光学应用前景。
总之，单晶硅是一种非常重要的材料，具有优异的电学特性和光学特性，被广泛应用于集成电路、太阳能电池、光电器件等领域。
随着科技的不断发展，单晶硅的应用领域还将不断扩大，为现代科技的发展做出更大的贡献。
单晶硅的分类及应用
单晶硅的分类及应用单晶硅是指由纯度极高的硅材料制成的半导体材料，其晶体结构具有高度的有序性和定向性。
单晶硅具有优异的电子特性，被广泛应用于半导体器件的制造以及光电子、太阳能等领域。
下面将详细介绍单晶硅的分类及应用。
一、单晶硅的分类单晶硅可以根据生长方法、晶体形态等多个方面进行分类。
目前常见的单晶硅分类方法有以下几种：1. 生长方法根据单晶硅的生长方法，可将其分为Czochralski生长单晶硅、区域熔化法单晶硅、分子束外延法单晶硅等。
- Czochralski生长单晶硅：Czochralski法是单晶硅生长中最常用的方法之一，其特点是生长快速、晶体质量高、控制性能好。
在Czochralski法中，硅料经过高温熔融，并在铜坩埚内浸入单晶硅原晶种，通过拉制和旋转单晶器，使软化硅料温度逐渐下降，从而生长出长而完整的单晶硅。
- 区域熔化法单晶硅：区域熔化法是通过在硅块中形成一个熔化区域，然后通过辐射热或者电加热等方式将熔化区域向硅块中移动，最终形成单晶硅的方法。
区域熔化法能够生长出大尺寸、高纯度的单晶硅，广泛应用于太阳能电池制造等领域。
- 分子束外延法单晶硅：分子束外延法是利用外延面偶合及分子激光捕获等技术，通过将制备的Czochralski方法生长的单晶硅切割成锗薄片，再在硅基片(晶圆)上生长单晶硅的方法。
该方法可以实现高度纯化的单晶硅材料生长，用于高性能半导体器件制造。
2. 晶体形态根据单晶硅的晶体形态，可将其分为柱型单晶硅、片型单晶硅、棒型单晶硅等。
柱型单晶硅是指直径相对较小而长度较长的单晶硅，通常应用于电子元器件制造；片型单晶硅是指表面较为平整的矩形或圆形单晶硅，多用于太阳能电池等领域；棒型单晶硅是指直径较大的单晶硅棒，通常用于高功率电子元器件的制造。
二、单晶硅的应用1. 半导体器件制造单晶硅是制造大量半导体器件的主要材料之一。
由于单晶硅具有优异的电子性能，可以精确控制导电和绝缘特性，因此广泛应用于集成电路、逻辑门、存储器、传感器等电子元器件的制造。
单晶硅 化学成分
单晶硅化学成分1.引言1.1 概述概述单晶硅是指硅材料在加热条件下通过特定的晶体生长方法制备出来的具有完整晶体结构的硅片。
它是集成电路、太阳能电池等高科技领域中所使用的重要材料之一。
单晶硅的化学成分是由纯度极高的硅原料制备而来，其主要成分为硅元素。
在制备单晶硅的过程中，所使用的硅原料通常采用高纯度的二氧化硅。
通过特定的熔融方法，将二氧化硅加热到高温，使其熔化形成硅液。
通过控制温度和冷却速度，使硅液慢慢凝固结晶，最终形成具有完整结晶结构的单晶硅。
单晶硅的化学成分非常纯净，其杂质含量非常低。
通常情况下，单晶硅中杂质含量的控制在ppm（百万分之一）的级别。
这种高纯度的化学成分是确保单晶硅在集成电路制造过程中能够提供良好电气性能的关键因素之一。
除了硅元素外，单晶硅中还可能存在少量的氧元素和其他杂质。
在制备过程中，为了稳定硅液的性质，常常会加入一定量的氧化剂，如氧化铝或过氧化氢等。
这些氧化剂可以帮助控制硅液的熔点和粘度，使其更容易形成完整的晶体结构。
总之，单晶硅是一种以高纯度的硅元素为主要成分的材料，其化学成分的纯净度对于其在集成电路制造过程中的电气性能至关重要。
通过控制制备过程中的杂质含量，可以确保单晶硅具有良好的电子特性和机械性能，从而保证其在高科技领域的应用效果。
1.2文章结构文章结构是指文章分为几个主题部分，并按照一定顺序排列的组织方式。
文章结构的设计要求合理、清晰，能够使读者能够清楚地了解文章的逻辑脉络和内容安排。
本文的文章结构如下：1. 引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的2. 正文2.1 单晶硅的化学成分2.2 第二要点3. 结论3.1 总结3.2 展望在文章结构部分，我将根据以上结构对每个部分进行简要介绍。
第一部分是引言，主要是对整篇文章的背景和目的进行简要介绍。
在概述部分，可以对单晶硅的基本概念和用途进行简要说明，提高读者的兴趣。
接着，文章结构部分是本文重点要讲的内容，对于文章结构的说明应该简洁明了。
单晶硅材料
单晶硅材料单晶硅材料是目前应用最广泛的半导体材料之一，具有优良的电学性能和热性能。
它被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
单晶硅材料是由大量的硅原子按照规律排列而成的晶体。
在制备过程中，首先需要从硅源中提取纯度很高的硅材料。
经过高温熔融和冷却结晶等步骤，高纯度的硅溶液首先被制成硅棒，然后通过拉伸和切割工艺，制成直径约为200毫米的硅片。
这些硅片经过特殊处理和抛光，制成可用于制造集成电路和太阳能电池的单晶硅片。
单晶硅材料具有多项优异的电学性能。
首先，它具有较高的电阻率，约为1到10欧姆·厘米之间，可以有效地阻止电流的流动。
其次，单晶硅材料具有优异的载流子迁移性能，可以在较低的电场强度下迁移电子和空穴，提高电子器件的速度和效率。
此外，单晶硅材料还具有良好的载流子寿命，可以保持持续的电流流动，并避免电子器件的损耗。
单晶硅材料还具有良好的热性能。
它的热传导性能非常好，可以迅速将热量传导到周围环境中，保持晶体的稳定温度。
这为集成电路和太阳能电池等高功率电子器件的正常运行提供了保障。
目前，单晶硅材料被广泛应用于集成电路领域。
集成电路是现代电子产品的核心组成部分，它能够将数百万个晶体管、电阻器和电容器等元件集成在一个芯片上，实现各种功能。
单晶硅材料作为制造集成电路的基底材料，能够提供良好的电学性能和热性能，确保电子器件的正常工作。
此外，单晶硅材料还被广泛应用于太阳能电池领域。
太阳能电池是利用光能直接转换成电能的装置，单晶硅材料作为太阳能电池的主要组件之一，能够高效地吸收和转换太阳光能。
通过多晶硅和单晶硅材料的比较，单晶硅材料的太阳能电池具有更高的转换效率和更长的使用寿命。
总之，单晶硅材料是一种具有优良电学性能和热性能的半导体材料，广泛应用于集成电路和太阳能电池等领域。
它的应用带来了现代电子产品的高速、高效和可靠性能。
单晶硅原理
单晶硅原理
单晶硅是指硅材料由一个晶体结构组成。
其制备过程包括以下步骤：首先通过高温熔化硅原料，然后将熔融的硅液缓慢冷却，使其形成一个完整的晶体。
在冷却过程中，硅原子会按照一定的排列顺序结晶，形成一个具有规则晶格的晶体结构。
由于此过程中硅液内部不存在杂质，因此形成的单晶硅纯度极高。
单晶硅具有许多优良的特性，使其成为电子行业中广泛应用的材料。
首先，单晶硅的电学性能稳定，具有优异的导电性和半导体特性，使其成为制备半导体器件的理想基底材料。
其次，单晶硅具有高硬度和抗腐蚀性能，使其在微电子加工过程中能够承受高温、高压和强酸碱等恶劣环境。
此外，由于单晶硅具有高光透过率和低光反射率，因此也被广泛应用于太阳能电池板的制造。
在制备单晶硅的过程中，需要严格控制原料的纯度和加工的工艺参数。
由于单晶硅晶体结构的完整性对其性能至关重要，因此在材料制备过程中需要避免晶体内部的缺陷、杂质和晶界等问题。
制备出的单晶硅通常具有长方体、方柱状或圆柱状的外形，可以根据具体应用需求进行切割和加工。
总之，单晶硅的制备过程包括高温熔化硅原料、缓慢冷却形成完整晶体等步骤。
其具有优异的电学性能、硬度和抗腐蚀性能，被广泛应用于电子行业和光伏产业中。
制备单晶硅需要严格控制材料纯度和工艺参数，确保晶体结构完整性。
单晶硅
单晶硅开放分类：化学名称：单晶硅中文别名：硅单晶英文名： Monocrystalline silicon分子式： Si分子量：28.086CAS号：7440-21-3硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。
直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。
硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。
硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
单晶硅
硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞
• 在立方单元8个顶点 上各有一个原子；
• 6个面的面心处各有1 个原子；
• 立方单元中心到顶 角引8条对角线，其 中不相连的4条对角 线的中点各有1个原 子。
11
硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞
晶胞的边长就是晶格常数α α=5.4305Å
原子密度： 8/a3=5*1022 （atoms/cm 3 ） 最小间距为√3a/4 空间利用率=硅原子的体积/每个原子在晶体中所占
一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓 度，这一平衡浓度就称为该杂质B在晶体 A中的固溶度。
38
固溶体
固溶体主要可分为两类： 替位式固溶体和间隙式固溶体。
■ Si中ⅢA、VA族杂质形成替位式有限固溶体。
替位式固溶体溶剂和溶质应满足必要条件：
原子半径相差小于15％，称“有利几何因素” r：Si 1.17, B 0.89, P 1.10 Å；
有效态密度（cm-3） 导带Nc 价带Nv
Si 14 28.9 5.00×1022
金刚石
5.43 2.33 11.7 30 1417 10-7（1050℃） 0.70 1.50 0.90 2.5×10-6
2.8×1019 1.0×1019
Ge 32 72.6 4.42×1022
金刚石
5.66 5.32 16.3
种排列方式，是将球对准 第一层的 2，4，6 位，不 同于 AB 两层的位置，这 是 C 层。
12
6
3
54
12
6
3
54
12
6
3
54
19
面心立方晶格
在[111]晶向是立方密积， (111)面是密排面
20
单晶硅
3.放肩生长：长完细颈之后，须降低温 度与拉速，使得晶体的直径渐渐 增大所需的大小； 4.等径生长：长完细颈和肩部之后，借 着拉速与温度的不断调整，可使 晶棒直径维持在正负2mm之间， 这段直径固定的分布即称为等径 部分。单晶硅取自于等径部分； 5. 尾部生长：在长完等径部分之后，如 果立刻将晶棒与液面分开，那么 热应力将使得晶棒出现错位与滑 移线。于是为了避免此问题的发 生，必须将晶棒的直径慢慢缩小， 直到成一尖点而与液面分开。
单晶硅的现状及发展
国内单晶生产现状和发展：
30000 25000 20000 15000 10000 5000 0 53 1082 2007 厂家 80 7500 1903 2008 设备 产能 13321
28000
4000 200 2009
面临的主要挑战
检测
材料 标准 技术
缺乏对原料和硅 片标准
单 晶 棒
单晶硅生产工艺
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从 熔体中生长出棒状单晶硅。
3 加工工艺 加料
熔化
缩颈生长
敏肩生长
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
等径生长
尾部生长
1.加料：将多晶硅原料及杂质石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。 杂质种类有硼、磷、锑、砷； 2.熔化：加完多晶硅原料于石英坩锅内后，长晶必须关闭并抽成真空后充入高 纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔 化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化； 3.缩颈生长：当硅熔体的温度稳定后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与 硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生错位，这些错位必须利用缩颈 生长使之消失。缩颈生长是籽晶快速向上提升，是长出的籽晶的直径缩 小到一定大小（4~6mm）由于错位与生长轴成一个交角，只要缩颈够长， 错位便能长出晶体表面，产生零错位的晶体；
单晶硅
四、单晶硅和计算机芯片
计算机芯片的制造
芯片是在超净化的工厂内，使用由具有专门技术的计算机控制的机器 制造的。在制造过程中需要用高倍显微镜对芯片进行观察。 制造芯片时，将元件和电路连线置于硅片的表面和内部，形成9-10 个 不同的层次[8]。
图16 计算机芯片制作流程
五、参考文献
[1]余思明，《半导体硅材料学》，中南工业大学出版社，1992-5 [2]韩红玉、董申、赵奕等，应用AFM研究单晶硅、锗的超精密车削表面微观形貌， 哈尔滨工业大学精密工程研究所,150001 [3]周永溶，《半导体材料》，北京理工大学出版社，1992-6 [4] Helen Davis, Michael Walton，《芯片的奥秘》，科学普及出版社，1992-5 [5]干福熹，《信息材料》，天津大学出版社，2000-12 [6] R.G. 希伯德，《晶体管手册》，科学出版社，1991-12 [7]关旭东，《硅集成电路工艺基础》，北京大学出版社，2003-10 [8]汪庆宝，宿昌厚，《超大规模集成电路设计——从电路到芯片》，电子工业出版社， 1996-9
图3 硅结构的最小单元示意
图4 硅的单位晶胞
一、单晶硅简介
Si 原子之间的相互结合力是共价键类型的，每 个原子可以提供四个未配对电子和四个sp3杂化轨 道形成四个共价键，根据量子力学理论，这四个 等性杂化轨道的角度分布最大值分别指向正四面 体顶点，因此这种共价键具有严格的方向性，这 就使单晶硅具有晶体各向异性的特点。 解理现象是单晶硅一个重要特性。解理现象是 晶体特有的，所谓解理是指晶体受到定向的机械 力作用时，可以沿平行于某个平面平整地劈开。
图11 伏特的约瑟夫逊结芯片阵
图12 约瑟夫逊结结构及其电流电压关系
四、单晶硅和计算机芯片
单晶硅-培训课件
2 晶片清洗
探索晶片清洗的方法，以去除表面的 杂质和污染物。
3 晶片抛光
介绍晶片抛光的技术，使晶片表面变得平整、光滑和反射性良好。
掺杂
1 掺杂简介
了解掺杂的概念，将杂质 引入单晶硅中以改变其电 学性能。
2 掺杂类型
探索不同类型的掺杂剂， 如n型和p型掺杂剂，用于 制造半导体器件。
3 掺杂过程
介绍掺杂的过程，包括扩 散和离子注入等掺杂技术。
介绍Czochralski法，一种常用的单晶硅生长方法，控制晶体的温度和提拉速度。
3
浮区法
探讨浮区法，一种高纯度单晶硅生长方法，通过移动熔体中的熔区来形成单晶。
4
Bridgman-Stockbarger法
了解Bridgman-Stockbarger法，一种用于制备大尺寸单晶硅的方法，通过慢慢降低熔体温度 进行生长。
晶体缺陷
晶体缺陷类型
详细介绍晶体中常见的缺陷类型，包括点缺陷、 线缺陷和平面缺陷。
点缺陷
探索晶体中的点缺陷，如空位、插入物和替位、螺线和位错。
平面缺陷
研究晶体中的平面缺陷，如层错和孪晶。
晶片制备
1 晶片切割
了解晶片切割的过程，将单晶硅材料 切割成特定尺寸的薄片。
单晶硅-培训课件
单晶硅简介
单晶硅是指结晶状态下的硅材料，具有优异的物理和化学特性，广泛应用于半导体行业和其他领域。了解单晶 硅的定义、特性和应用。
单晶硅的生长
1
晶体生长方法
探索单晶硅的多种生长方法，包括Czochralski法、浮区法和Bridgman-Stockbarger法。
2
Czochralski法
微加工
1 微加工简介
了解微加工的概念，包括微影技术、蚀刻技 术和沉积技术等。
单晶硅晶格
单晶硅晶格
单晶硅是一种高纯度的硅材料，其晶体结构具有非常有序的排列方式。
它是由硅原子组成的晶体，每个硅原子都与周围的四个硅原子形成共价键，形成了一个类似于钻石结构的晶格。
单晶硅的晶格结构属于面心立方（FCC）晶系，也被称为钻石型晶体结构。
在晶格中，硅原子按照一定的规律排列，形成了一个连续的晶体结构。
单晶硅的晶格可以用三维笛卡尔坐标系来描述。
每个硅原子位于坐标点上，而硅原子之间的连接线则代表共价键。
晶格的基本单元是一个正方形平面，在这个平面上，硅原子沿着两个方向重复排列。
每个硅原子周围都有四个相邻的硅原子，这是因为硅原子具有四个价电子，能够与其他硅原子形成稳定的共价键。
通过这种方式，晶格中的硅原子形成了一个高度有序的网络结构。
单晶硅的晶格结构对于半导体产业非常重要。
它具有良好的电子传导性能和热导性能，使其成为制造半导体器件的理想材料。
此外，由于单晶硅晶格的高度有序性，它还具有优异的机械性能和光学性能，在太阳能电池等领域也得到广泛应用。
总而言之，单晶硅晶格是由硅原子组成的面心立方结构，具有高度有序的排列方式。
它在半导体和太阳能电池等领域发挥着重要作用。
1。
单晶硅和多晶硅的制备方法
单晶硅和多晶硅的制备方法单晶硅和多晶硅是制备半导体材料中常用的两种形式。
本文将分别介绍单晶硅和多晶硅的制备方法。
一、单晶硅的制备方法单晶硅是指硅材料中晶体结构完全一致的晶格。
单晶硅的制备方法主要包括Czochralski法和浮区法。
1. Czochralski法（CZ法）Czochralski法是单晶硅制备中最常用的方法之一。
其基本步骤如下：（1）准备单晶硅种子：将高纯度硅材料熔化，然后用特殊方式拉制成细长的单晶硅棒，作为种子晶体。
（2）准备熔融硅熔液：将高纯度硅材料加入石英坩埚中，加热至高温使其熔化。
（3）拉晶：将单晶硅种子缓缓浸入熔融硅熔液中并旋转，使其逐渐生长成大尺寸的单晶硅棒。
（4）降温：控制冷却速度，使单晶硅棒逐渐冷却并形成完整的单晶结构。
2. 浮区法（FZ法）浮区法也是一种制备单晶硅的方法，其基本步骤如下：（1）准备硅棒：将高纯度硅材料熔化，然后将其注入特殊形状的石英坩埚中，形成硅棒。
（2）形成浮区：在石英坩埚中施加电磁感应加热，使硅棒的一部分熔化，然后控制温度和电磁场的变化，使熔化硅在硅棒上形成浮区。
（3）拉晶：通过控制石英坩埚的运动，逐渐拉长浮区，使其逐渐变窄，最终形成单晶硅棒。
（4）切割和清洗：将形成的单晶硅棒切割成晶圆，并进行清洗和表面处理，以便后续的半导体工艺加工。
二、多晶硅的制备方法多晶硅是指硅材料中晶体结构不完全一致，由多个晶粒组成的材料。
多晶硅的制备方法主要包括气相沉积法和溶液法。
1. 气相沉积法（CVD法）气相沉积法是制备多晶硅的常用方法之一。
其基本步骤如下：（1）准备反应物气体：将硅源气体、载气体和掺杂气体按照一定比例混合。
（2）反应室反应：将混合气体引入反应室中，在一定的温度和压力下，反应气体在衬底表面沉积形成多晶硅薄膜。
（3）后处理：对沉积得到的多晶硅薄膜进行退火、清洗等后处理步骤，以提高薄膜的质量和电学性能。
2. 溶液法（溶胶-凝胶法）溶液法是另一种制备多晶硅的方法，其基本步骤如下：（1）溶胶制备：将硅源、溶剂和催化剂混合，形成均匀的溶胶。
单晶硅和多晶硅的原子结构
单晶硅和多晶硅的原子结构单晶硅和多晶硅是两种常见的硅材料，它们在晶体结构上有着明显的区别。
本文将分别介绍单晶硅和多晶硅的原子结构，并对其特点进行比较。
一、单晶硅的原子结构单晶硅是一种具有高度有序的晶体结构的硅材料。
它主要由硅原子组成，每个硅原子都与其周围的四个硅原子形成共价键。
这种共价键的形成使得硅原子在晶体中排列成紧密有序的三维结构。
具体来说，单晶硅的晶体结构属于钻石型晶体结构，也称为面心立方晶体结构。
在这种结构中，每个硅原子都与其周围的四个硅原子共享电子，形成了一个稳定的晶体结构。
这种结构的特点是硅原子排列紧密，没有缺陷，晶格有序。
二、多晶硅的原子结构多晶硅是由许多小晶体组成的材料，其晶体结构相对于单晶硅来说是有缺陷的。
这是因为多晶硅的晶体生长过程中受到了外界因素的影响，导致晶体结构的不完整。
多晶硅的晶体结构可以看作是由许多单晶硅晶粒组成的。
每个晶粒的晶体结构类似于单晶硅，但它们之间存在着晶界，即晶粒之间的边界。
晶界是由原子排列的不连续性引起的，这导致了多晶硅的晶体结构不如单晶硅那样完美有序。
三、单晶硅和多晶硅的比较单晶硅和多晶硅在晶体结构上的主要区别在于晶体的有序程度。
单晶硅具有高度有序的晶体结构，晶格完整，没有晶界和缺陷，具有较高的纯度。
而多晶硅由于晶体生长过程中的不完整性，晶格有缺陷，晶界存在，纯度较低。
由于单晶硅的晶体结构更加有序，因此在应用中表现出许多优异的性能。
例如，单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电阻率，使其成为半导体材料的首选。
而多晶硅的性能相对较差，但由于其制备成本较低，仍然广泛应用于光伏电池等领域。
总结起来，单晶硅和多晶硅在原子结构上存在着明显的差异。
单晶硅具有高度有序的晶体结构，而多晶硅由于晶体生长过程中的不完整性而存在晶界和缺陷。
这两种材料在应用中具有不同的特点和优势，需要根据具体的需求选择合适的材料。
单晶硅技术说明书
单晶硅技术说明书一、简介单晶硅啊，那可是个了不起的东西。
它就像是半导体材料里的“明星”，在现代科技的舞台上大放异彩。
咱先简单说说啥是单晶硅，它就是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。
从外观上看，它晶莹剔透的，就像纯净的冰块一样，但它的价值可比冰块高太多啦。
这单晶硅可是现代电子工业不可或缺的基础材料，用“中流砥柱”来形容它在这个领域的地位，一点都不为过。
1.1 原料来源制造单晶硅的原料主要就是硅石，这硅石在大自然里还是比较常见的。
就像咱们平时看到的石头一样，到处都有它的踪迹，但是要把它变成能制造单晶硅的高纯硅原料，那可就得费一番功夫了。
首先得把硅石通过一系列的化学反应，比如和碳反应，把它变成粗硅，这个过程就像是把一个粗糙的石头打磨成一个有点模样的小物件。
然后再经过提纯等一系列复杂的工序，才能得到制造单晶硅的高纯硅原料，这过程就像沙里淘金一样，得层层筛选，精益求精。
1.2 生产环境要求单晶硅的生产对环境要求那是相当的“苛刻”。
就像娇贵的花朵需要精心呵护一样，它需要非常洁净的环境。
生产车间里必须得一尘不染，哪怕一点点灰尘或者杂质混进去，都可能让单晶硅的品质大打折扣。
这就要求我们要有高标准的空气净化系统，像守护宝贝一样守护着生产环境。
而且温度和湿度也得控制得恰到好处，就像厨师做菜掌握火候一样，不能有丝毫偏差。
二、生产工艺2.1 直拉法直拉法是生产单晶硅的一种常用方法。
这就好比是从一锅粥里把精华捞出来一样。
把高纯硅原料放在坩埚里加热熔化，然后用一个籽晶慢慢地从熔体里往上拉，硅原子就会在籽晶上按照一定的规则排列，慢慢地就长成了单晶硅棒。
这个过程得小心翼翼的，操作人员得像对待刚出生的婴儿一样，精确地控制拉晶的速度、温度等参数，稍有不慎就可能前功尽弃。
2.2 区熔法区熔法也是很重要的一种方法。
这个方法就有点像接力赛一样。
通过局部加热硅棒，让硅在熔区里重新结晶，这样逐步移动熔区，就能得到高质量的单晶硅。
单晶硅和晶圆的关系
单晶硅和晶圆的关系单晶硅和晶圆是半导体产业中密切相关的两个概念。
在深入了解它们之间的关系之前，我们先来了解一下它们各自的定义和特点。
单晶硅：单晶硅是一种具有高度有序结构的半导体材料，它的每个晶粒内部原子排列规律相同，呈现出单晶状态。
单晶硅具有优良的半导体性能，较高的电子迁移速度和较低的杂质扩散速度，使其在制造高性能集成电路方面具有优越性。
晶圆：晶圆是半导体制造中用于生产芯片的基础材料。
它通常是由单晶硅或其他半导体材料制成，呈圆片状。
晶圆在半导体工艺中起到承载和传输信号的作用，是集成电路（IC）制造的核心组成部分。
单晶硅与晶圆的关系：1.原料来源：晶圆是由单晶硅经过一系列加工制成的。
首先，将多晶硅熔化后倒入籽晶中，通过缓慢冷却使其结晶成长，形成单晶硅棒。
然后，将单晶硅棒切割成薄片，经过抛光处理，制成晶圆。
2.半导体工艺：晶圆在半导体制造过程中，需要经过多次光刻、刻蚀、离子注入等工艺步骤。
这些步骤都是在晶圆表面进行的，以确保集成电路的微观结构符合设计要求。
而这些工艺过程依赖于单晶硅的有序结构和优良性能。
3.性能影响：单晶硅的性能直接关系到晶圆的品质。
单晶硅的晶体取向、杂质含量、厚度均匀性等因素都会对晶圆的导电性能、热稳定性、机械强度等性能产生影响。
因此，对单晶硅的生长过程和加工工艺有很高的要求。
4.应用领域：单晶硅和晶圆广泛应用于电子、通信、计算机、汽车等各类领域。
随着科技的不断发展，对集成电路性能的要求越来越高，对单晶硅和晶圆的品质也提出了更高的要求。
总之，单晶硅和晶圆之间的关系密切且复杂。
单晶硅作为晶圆的原料，其性能直接影响到晶圆的品质。
而晶圆在半导体制造中的重要地位，使其成为现代电子信息产业的基础。
在今后的发展中，随着科技的不断进步，对单晶硅和晶圆的研究和应用将更加深入。
单晶硅 温度
单晶硅温度
（原创版）
目录
1.单晶硅的概念及特点
2.温度的概念及与单晶硅的关系
3.单晶硅在不同温度下的性质与应用
正文
1.单晶硅的概念及特点
单晶硅，又称为单晶硅晶片，是一种由单个硅原子通过共价键连接而成的晶体。
它具有规则的晶格结构和完善的点阵对称性，因此具有很高的力学强度、热稳定性和电学性能。
单晶硅广泛应用于半导体、光电子和微电子领域。
2.温度的概念及与单晶硅的关系
温度是描述物体冷暖程度的物理量，是物体内部分子热运动的程度。
在物理学中，温度对单晶硅的性质和应用具有重要影响。
温度的变化可以改变单晶硅的晶格结构、电阻率、光电性能等，从而影响其在不同领域的应用。
3.单晶硅在不同温度下的性质与应用
（1）常温下：在常温下，单晶硅的晶格结构稳定，具有较高的力学强度和电学性能。
在半导体产业中，单晶硅晶片被广泛应用于制造集成电路、太阳能电池等。
（2）高温下：在高温条件下，单晶硅的晶格结构会发生改变，从而影响其性能。
在高温应用领域，单晶硅可以作为耐热材料，如制造高温传感器、太阳能热发电系统等。
（3）低温下：在低温条件下，单晶硅的电阻率会降低，光电性能也
会发生变化。
在低温应用领域，单晶硅可以作为超导材料，用于制造超导磁体、超导电缆等。
综上所述，单晶硅在不同温度下具有不同的性质和应用。
单晶硅和多晶硅的用途
单晶硅和多晶硅的用途单晶硅和多晶硅是两种常见的硅材料，它们在不同的领域都有广泛的应用。
本文将分别介绍单晶硅和多晶硅的特点及用途。
一、单晶硅单晶硅是指由纯度极高的硅材料制成的单晶体。
它的晶体结构非常完整，没有晶界和杂质。
因此，单晶硅具有一系列优异的物理和化学性质。
1. 特点（1）纯度高：单晶硅的纯度可以达到99.9999999%以上，是目前最纯净的材料之一。
（2）稳定性好：单晶硅的晶体结构非常完整，没有晶界和杂质，因此具有极高的稳定性。
（3）导电性好：单晶硅是一种半导体材料，具有良好的导电性能。
（4）机械性能优异：单晶硅的强度和硬度非常高，可以承受高温、高压等极端环境。
2. 应用（1）太阳能电池：单晶硅是太阳能电池的主要材料之一，可以将太阳能转化为电能。
（2）集成电路：单晶硅是集成电路的主要材料之一，可以制成各种电子元器件。
（3）半导体器件：单晶硅可以制成各种半导体器件，如二极管、晶体管等。
（4）光学器件：单晶硅可以制成各种光学器件，如光纤、激光器等。
二、多晶硅多晶硅是指由多个晶粒组成的硅材料。
它的晶体结构不完整，存在晶界和杂质。
因此，多晶硅的物理和化学性质不如单晶硅优异，但它具有更低的制造成本和更高的生产效率。
1. 特点（1）制造成本低：多晶硅的制造成本较低，因为它可以通过铸造、熔融等方法制成。
（2）生产效率高：多晶硅的生产效率比单晶硅高，因为它可以大规模生产。
（3）导电性能较差：多晶硅的导电性能不如单晶硅好，但仍然可以用于制作各种电子元器件。
（4）机械强度较低：多晶硅的机械强度不如单晶硅，但仍然可以承受一定的机械应力。
2. 应用（1）太阳能电池：多晶硅是太阳能电池的另一种主要材料，可以将太阳能转化为电能。
（2）半导体器件：多晶硅可以制成各种半导体器件，如二极管、晶体管等。
（3）太阳能光伏组件：多晶硅可以制成太阳能光伏组件，用于太阳能发电。
（4）电子元器件：多晶硅可以制成各种电子元器件，如电容器、电阻器等。
单晶硅光学材料
单晶硅光学材料引言单晶硅是一种重要的光学材料，具有广泛的应用领域。
本文将介绍单晶硅的特性、制备方法以及其在光学领域的应用。
一、单晶硅的特性1. 光学透明性：单晶硅具有较高的光学透明性，能够在可见光和红外光范围内传播光线，并具有较低的吸收和散射特性。
2. 折射率高：单晶硅的折射率较高，使其成为制备高折射率光学元件的理想材料。
3. 热稳定性：单晶硅具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持其光学性能不变。
4. 机械强度高：单晶硅具有较高的机械强度，能够承受较大的力和压力。
二、单晶硅的制备方法1. Czochralski法：Czochralski法是一种常用的单晶硅制备方法。
该方法通过将硅原料加热至熔化状态，然后将单晶硅种子悬浮在熔融硅液中，缓慢提拉出单晶硅棒，最终得到单晶硅材料。
2. 化学气相沉积法：化学气相沉积法是一种将气态硅化合物在高温下分解并沉积在衬底上形成单晶硅的方法。
该方法可以制备出大面积、高质量的单晶硅薄膜。
3. 溶液法：溶液法是一种将硅源物质溶解在溶剂中，然后通过适当的方法使其结晶得到单晶硅的方法。
该方法相对简单且成本较低，适用于制备小尺寸的单晶硅材料。
三、单晶硅在光学领域的应用1. 光学透镜：由于单晶硅具有优异的光学性能，因此常用于制备光学透镜。
单晶硅透镜具有较高的折射率和较低的散射，可用于光学成像、激光聚焦等领域。
2. 光纤通信：单晶硅材料是光纤通信中的重要组成部分。
通过控制单晶硅光纤的折射率和传播损耗，可以实现高速、高带宽的光通信传输。
3. 光电子器件：单晶硅材料常用于制备光电子器件，如光电二极管、光电晶体管等。
单晶硅的高折射率和优异的电特性使其在光电子器件中具有重要的应用潜力。
4. 激光器：单晶硅材料可以作为激光器的基底材料。
通过在单晶硅上掺杂其他元素，可以实现激光器的工作，广泛应用于医疗、材料加工等领域。
结论单晶硅是一种重要的光学材料，具有光学透明性、高折射率、热稳定性和机械强度高等特性。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
（3）噪声
该项目主要噪声源为制水装置、循环水泵、
单晶炉和切片机等设备运行噪声，噪声源强在
70~75dB之间。具体噪声级见表5-2。
表5-2 主要生产设备情况
序号
设备名称
噪声级(dB)
1
制水装置
70
2
循环水泵
75
3
单晶炉
70
4
线切机
75
5
滚磨设备
75
（4）固废 该项目固废主要为酸洗过程中产生的废酸液， 制去离子水过程中产生的废活性炭、单晶炉产生 的炉渣，另外还有职工的生活垃圾和残次品。各 类固废产生量及处置情况见表5-3。
6
硅片弯曲平正 测试仪
1台
7 超声波清洗机 4台
已有项
8
目
线切机
1台
吸尘装置
1台
氩气系统
1套
柴油发电机组 1台
滚磨设备
1套
二、建设项目所在地自然环境社会环境简况
三、环境质量状况
四、评价适用标准
五、建设项目工程分析
1、生产工艺分析 单晶硅生产工艺流程及产污环节如图5-1所 示。
图5-1 单晶硅生产工艺流程及产污环节图
/
0.50t/a
/
波清 排
洗废 放 水浓
/
6~9
/
70mg/L
/
度
排 放 2500 m3/a / 量
/
0.175t/a
/
产
生ห้องสมุดไป่ตู้浓
/
度
/
/ 2000mg/L /
产
生 2500 m3/a /
/
5 t/a
/
滚磨 量
废水 排
放 浓
/
度
/
/
/
/
排
放
/
量
/
/
/
/
产
生 浓
/
7左右
/
200mg/L /
度
产
生 15000m3/a /
投资比 例
工程内容及规模：
3、建设内容
该项目总投资4520万元，利用闲置厂房，建
成年产3000万片硅单晶片生产线，项目建成投产
后，预计年销售收入达4000万元，年创利税800万
元。
4、主要原辅材料消耗
项目
表1-1 主要原辅材料及消耗情况一览表
序号 原辅材料名称 单位
用量
现有项 目
1
布料
万米
80
2
多晶硅
料多硅晶块放入单晶炉中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状晶种（称籽晶） 浸入融液中（图1）。在合适的温度下，融液中的 硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界 面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种微微 的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成 的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列 结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的 形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐 的硅单晶晶体，即硅单晶锭。当结晶加快时，晶 体直径会变粗，提高升速可以使直径变细，增加 温度能抑制结晶速度。反之，若结晶变慢，直径 变细，则通过降低拉速和降温去控制。拉晶开 始，先引出一定长度，直径为3～5mm的细颈，以 消除结晶位错，这个过程叫做引晶。然后放大单 晶体直径至工艺要求，进入等径阶段，直至大部 分硅融液都结晶成单晶锭，只剩下少量剩料，剩 料回用继续生成单晶体。
碱洗和超声清洗废水量为5m3/吨原料，这部分清 洗废水产生量为2500 m3/a，废水中污染物主要为 pH值，pH在10~12之间。
滚磨废水：根据企业所提供的资料，滚磨过 程中产生的冲洗废水中污染物主要为SS，浓度为 2000mg/L，SS产生量为5 t/a。滚磨废水产生量为 2500 m3/a，经澄清过滤后该可循环使用，不外 排。
该项目废水种类较多，主要为酸性和碱性废
水。厕所污水经化粪池处理后与其它生活污水、
碱洗、超声波清洗废水、清洗废水、反冲废水和
滚磨废水一起经污水处理装置处理达《污水综合
排放标准》（GB8978-1996）一级标准后排入园区
污水管网，最终汇入浦阳江。废水排放量为 26220m3/a，污染物排放量为COD：0.612t/a，
第二个酸洗槽： HF挥发速率为：0.82×2.5%=0.0205kg/h，全
年挥发量为123kg/a； H2NO3挥发速率为：
0.82×64%=0.5248kg/h，全年挥发量为3148.8kg/a。 该类废气主要产生于酸洗槽处，要求企业严
格控制酸洗槽槽液浓度，低于环评中给定的浓 度，并在其中添加酸雾抑制剂，以减少酸雾挥发 量。本环评要求在酸洗槽上安装集气罩，对收集 到的废气通过水喷淋装置＋碱液吸收塔处理后， 使用风量不小于2000m3/h的风机引至25m高排气筒 排放。收集效率为80%以上，吸收效率为90%以 上。则HF无组织排放量为24.6kg/a，排放速率为 0.0041kg/h，有组织排放量为9.84kg/a，排放浓度 为0.82mg/m3；硝酸雾无组织排放量为 1161.12kg/a，排放速率为0.19kg/h，有组织排放量 为464.4kg/a，排放浓度为38.7mg/m3，盐酸雾无组 织排放量为68.88kg/a，排放速率为0.011kg/h，有 组织排放量为27.55kg/a，排放浓度为2.30mg/m3达 到《大气污染物综合排放标准》（GB162971996）的排放要求。
t/a
500
3
氢氟酸 （40％）
t/a
0.09
该项目 4
盐酸 （35％）
t/a
3.32
5
硝酸 （68％）
t/a
4.62
NaOH
t/a
1.95
5、主要生产设备
主要生产设备及数量见表1-2。
表1-2 主要生产设备及数量一览表
项目 序号
设备名称 该项目
全厂
1
现有项 目
2
3
断布机 缝纫车床
电剪
5
单晶生产炉 34台
SS：1.653t/a，氨氮：0.092t/a。
（2）废气 该项目废气主要为酸洗过程中产生的酸性废 气，单晶炉中连续排出的氩气惰性气体和食堂油 烟废气。 单晶炉中连续排出的氩气惰性气体，可引至 高空排放，对周围环境影响较小。 油烟废气：该项目设有食堂，生产高峰时食 堂就餐人数可达300人，食堂按3个基准灶头配 置，提供三餐。按人均耗油量30g/d，油烟排放系 数2.84%计，则油烟产生量为76.68kg/a，根据 《饮食业油烟排放标准》（GB18483-2001）大型 规模，风量10000m3/h，烹饪时间按3h/d计，油烟 产生浓度8.52mg/m3，本环评要求安装油烟净化装 置，处理效率不低于90％，净化后的油烟经烟道 引至楼顶排放，则油烟排放量为7.67kg/a，排放浓 度为0.85mg/Nm3，满足《饮食业油烟排放标准》 （GB18486-2001）中≤2.0mg/Nm3的标准要求。 酸性废气：项目酸洗过程中，原料多晶硅将 通过两道酸洗。酸洗槽2个，规格为 2400*1000*800mm，表面积为1.92m2，第一道酸 洗工序使用7%的盐酸和54%的硝酸的混酸，第二
主要工艺说明：该项目工艺过程简单，根据原 料多晶硅的清洁程度，部分原料需经过盐酸、硝 酸混合液和硝酸、氢氟酸混合液两道清洗工序， 部分经硝酸、氢氟酸混合液一道清洗后进入碱 洗、超声波清洗后,再烘干，然后再用单晶炉对多 晶硅的晶核进行重新排列，生成单晶体，单晶体 经过锯断、滚磨、切片、清洗、检验后成为成 品。
装置处理达《污水综合排放标准》（GB8978-
1996）中的一级标准后排入园区污水管网，最终
汇入浦阳江。废水污染物的产生和排放情况见表
5-1。
表5-1 废水中污染物的产生和排放情况
种类 废水量 pH CODCr
SS
氨氮
产
生 浓
/
10~12 /
200mg/L /
度
碱产 洗、 生 2500 m3/a / 超声 量
控制直径，保证晶体等径生长是单晶制造的重 要环节。硅的熔点约为1450℃，拉晶过程始终保 持在高温负压的环境中进行。直径检测必须隔着 观察窗在拉晶炉体外部非接触式实现。拉晶过程 中，固态晶体与液态融液的交界处会形成一个明 亮的光环，亮度很高，称为光圈。它其实是固液 交界面处的弯月面对坩埚壁亮光的反射。当晶体 变粗时，光圈直径变大，反之则变小。通过对光 圈直径变化的检测，可以反映出单晶直径的变化 情况。
道酸洗工序是用2.5%的氢氟酸和64%的硝酸的混 酸，酸洗温度大致在30℃左右，酸洗过程中将产 生含有污染物HF、HCl、HNO3的酸性废气，酸 洗工序每天进行20h左右，其理论挥发量通过如 下公式计算：
Gz＝M（0.000352+0.000786V）×P×F 式中：Gz——液体的挥发量（kg/h）；
（1）单晶硅行成 多晶硅直拉生长成单晶硅生产过程如图5-2。 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝 固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果 这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶 硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则 形成多晶硅。 该项目用直拉法制造单晶体。 直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原
生活污水：该项目的废水为生活污水，该项 目劳动定员300人，由于该项目设有
食堂和宿舍，每人每天用水量按80L/(人.d) 计，则总用水量为7200m3/a，生活污水按用水量
的85%计，则生活污水排水量为6120 m3/a。要求
该项目的生活污水中的厕所废水经化粪池预处理
后和其它生活污水一起，经厂内地埋式污水处理
一、建设项目基本情况
项目名 称
建设单 位
法人代 表
通讯地 址
联系电 话
建设地 点
立项审批部 门