单晶硅
单晶硅分类
单晶硅分类单晶硅，是单一晶体结构的硅材料，是电子和光伏行业的基础材料。
由于其独特的物理和化学性质，单晶硅在许多高科技领域都有广泛的应用。
为了更好地理解和应用单晶硅，对其进行分类是十分必要的。
以下是单晶硅的几种主要分类方式：1. 按照硅来源分类：* 天然单晶硅：从天然矿物中提取的硅，经过纯化和单晶化处理得到的。
其纯度高，但产量有限。
* 合成单晶硅：通过化学气相沉积(CVD)等方法，从硅烷、硅氧烷等气体中合成的单晶硅。
纯度较高，但工艺复杂。
2. 按照晶体结构分类：* 立方晶系单晶硅：常见的晶体结构有面心立方和体心立方。
这种结构下的单晶硅具有良好的机械和电气性能。
* 六方晶系单晶硅：如氮化硼晶体结构，这种结构下的单晶硅具有独特的物理和化学性质，常用于特殊应用。
3. 按照用途分类：* 电子级单晶硅：用于制造集成电路、晶体管等电子元器件的单晶硅，纯度要求极高。
* 光伏级单晶硅：用于太阳能电池板制造的单晶硅，要求具有较高的光电转换效率。
* 特殊用途单晶硅：如用于高温、高真空或强腐蚀环境下工作的单晶硅材料，要求具有优异的耐久性和稳定性。
4. 按照制备方法分类：* 直拉单晶硅：通过直拉法生长的单晶硅，是最常见的制备方法。
其特点是生长速度快，但纯度略低。
* 区熔单晶硅：通过区熔法生长的单晶硅，纯度较高，但生长速度较慢。
5. 按照掺杂元素分类：* 本征单晶硅：未掺杂其他元素的纯净单晶硅。
* 掺杂单晶硅：通过掺入其他元素改变其导电类型和导电率。
常见的掺杂元素有磷、硼等。
6. 按照外观形态分类：* 棒状单晶硅：常见的形态为圆柱形棒状，便于加工和运输。
* 片状单晶硅：经过切片后的单晶硅片，适用于光伏电池等领域。
* 颗粒状单晶硅：破碎后的单晶硅颗粒，主要用于填充在其他材料中。
随着科技的不断进步，单晶硅的应用领域越来越广泛，对其质量和性能的要求也越来越高。
对单晶硅进行合理的分类，有助于更好地选择和应用这一重要的材料。
同时，不断研究和开发新的单晶硅制备技术，也是推动相关产业发展的重要方向。
单晶硅标准
单晶硅标准标题：单晶硅的特点与应用领域单晶硅是一种高纯度的硅材料，具有晶格完整、热导率高、机械性能优良等特点，因此在电子、光电和太阳能等领域有着广泛的应用。
本文将介绍单晶硅的标准以及其在不同领域的应用。
正文：单晶硅是通过将高纯度硅材料进行熔炼、凝固，使其形成具有晶格完整性的晶体。
这种晶体结构的完整性使得单晶硅具有出色的电子性能和光学性能，在各种领域都有着广泛的应用。
以下是单晶硅的一些标准和应用领域。
首先，单晶硅的纯度要求非常高。
由于单晶硅在电子器件中的应用非常广泛，因此其纯度要求也非常高。
一般来说，单晶硅的杂质控制在1ppm以下。
这样的高纯度可以确保电子器件的正常工作，并且不会受到杂质的影响。
其次，单晶硅的晶格完整性是其重要的标准之一。
晶格完整性可以通过X射线衍射等方法进行检测，确保单晶硅的结构是完整的。
这对于单晶硅在光电器件中的应用至关重要，因为晶格的完整性可以保证光的传输和转换效率。
单晶硅在电子领域中有着广泛的应用。
它被用作制造半导体器件，如晶体管、集成电路等。
高纯度和晶格完整性使得单晶硅具有良好的电子性能，可以实现高效的电子传输和控制。
此外，单晶硅还可以用于制造光电子器件，如激光二极管、光纤等，其晶格完整性可以保证光的传输效率和质量。
此外，单晶硅在太阳能领域也有着重要的应用。
由于单晶硅具有高热导率和晶格完整性，可以用于制造高效的太阳能电池。
太阳能电池将太阳光转化为电能，单晶硅作为其主要材料之一，可以提供较高的转换效率和稳定性。
总之，单晶硅作为一种高纯度、晶格完整的材料，具有广泛的应用前景。
其在电子、光电和太阳能等领域的应用已经得到广泛的认可，并且通过制定相应的标准，可以确保其质量和性能的稳定性。
随着科技的不断发展，相信单晶硅的应用领域还将不断扩大。
单晶硅是什么材料
单晶硅是什么材料
单晶硅是一种非常重要的材料，它在现代科技领域有着广泛的应用。
单晶硅是一种高纯度的硅材料，它的晶体结构非常完美，没有晶界和杂质，因此具有优异的电学特性和光学特性。
单晶硅主要用于制造集成电路、太阳能电池、光电器件等，是现代电子工业和光伏产业的重要基础材料。
首先，单晶硅具有优异的电学特性。
由于单晶硅晶体结构的完美性，电子在其内部的运动非常顺畅，因此单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电子散射率。
这使得单晶硅成为制造集成电路的理想材料。
在集成电路制造过程中，通过控制单晶硅的导电性能，可以制造出各种不同的电子器件，实现电路的功能多样化和集成度的提高。
其次，单晶硅具有优异的光学特性。
单晶硅是一种半导体材料，其能带结构使得它在光学器件中有着广泛的应用。
最典型的应用就是太阳能电池。
通过在单晶硅上形成p-n结，可以将光能转化为电能，实现光电转换。
由于单晶硅的光电转换效率高、稳定性好，因此被广泛应用于太阳能电池板的制造。
此外，单晶硅还可以用于制造光电器件、激光器件等，具有广阔的光学应用前景。
总之，单晶硅是一种非常重要的材料，具有优异的电学特性和光学特性，被广泛应用于集成电路、太阳能电池、光电器件等领域。
随着科技的不断发展，单晶硅的应用领域还将不断扩大，为现代科技的发展做出更大的贡献。
单晶硅的分类及应用
单晶硅的分类及应用单晶硅是指由纯度极高的硅材料制成的半导体材料，其晶体结构具有高度的有序性和定向性。
单晶硅具有优异的电子特性，被广泛应用于半导体器件的制造以及光电子、太阳能等领域。
下面将详细介绍单晶硅的分类及应用。
一、单晶硅的分类单晶硅可以根据生长方法、晶体形态等多个方面进行分类。
目前常见的单晶硅分类方法有以下几种：1. 生长方法根据单晶硅的生长方法，可将其分为Czochralski生长单晶硅、区域熔化法单晶硅、分子束外延法单晶硅等。
- Czochralski生长单晶硅：Czochralski法是单晶硅生长中最常用的方法之一，其特点是生长快速、晶体质量高、控制性能好。
在Czochralski法中，硅料经过高温熔融，并在铜坩埚内浸入单晶硅原晶种，通过拉制和旋转单晶器，使软化硅料温度逐渐下降，从而生长出长而完整的单晶硅。
- 区域熔化法单晶硅：区域熔化法是通过在硅块中形成一个熔化区域，然后通过辐射热或者电加热等方式将熔化区域向硅块中移动，最终形成单晶硅的方法。
区域熔化法能够生长出大尺寸、高纯度的单晶硅，广泛应用于太阳能电池制造等领域。
- 分子束外延法单晶硅：分子束外延法是利用外延面偶合及分子激光捕获等技术，通过将制备的Czochralski方法生长的单晶硅切割成锗薄片，再在硅基片(晶圆)上生长单晶硅的方法。
该方法可以实现高度纯化的单晶硅材料生长，用于高性能半导体器件制造。
2. 晶体形态根据单晶硅的晶体形态，可将其分为柱型单晶硅、片型单晶硅、棒型单晶硅等。
柱型单晶硅是指直径相对较小而长度较长的单晶硅，通常应用于电子元器件制造；片型单晶硅是指表面较为平整的矩形或圆形单晶硅，多用于太阳能电池等领域；棒型单晶硅是指直径较大的单晶硅棒，通常用于高功率电子元器件的制造。
二、单晶硅的应用1. 半导体器件制造单晶硅是制造大量半导体器件的主要材料之一。
由于单晶硅具有优异的电子性能，可以精确控制导电和绝缘特性，因此广泛应用于集成电路、逻辑门、存储器、传感器等电子元器件的制造。
单晶硅 化学成分
单晶硅化学成分1.引言1.1 概述概述单晶硅是指硅材料在加热条件下通过特定的晶体生长方法制备出来的具有完整晶体结构的硅片。
它是集成电路、太阳能电池等高科技领域中所使用的重要材料之一。
单晶硅的化学成分是由纯度极高的硅原料制备而来，其主要成分为硅元素。
在制备单晶硅的过程中，所使用的硅原料通常采用高纯度的二氧化硅。
通过特定的熔融方法，将二氧化硅加热到高温，使其熔化形成硅液。
通过控制温度和冷却速度，使硅液慢慢凝固结晶，最终形成具有完整结晶结构的单晶硅。
单晶硅的化学成分非常纯净，其杂质含量非常低。
通常情况下，单晶硅中杂质含量的控制在ppm（百万分之一）的级别。
这种高纯度的化学成分是确保单晶硅在集成电路制造过程中能够提供良好电气性能的关键因素之一。
除了硅元素外，单晶硅中还可能存在少量的氧元素和其他杂质。
在制备过程中，为了稳定硅液的性质，常常会加入一定量的氧化剂，如氧化铝或过氧化氢等。
这些氧化剂可以帮助控制硅液的熔点和粘度，使其更容易形成完整的晶体结构。
总之，单晶硅是一种以高纯度的硅元素为主要成分的材料，其化学成分的纯净度对于其在集成电路制造过程中的电气性能至关重要。
通过控制制备过程中的杂质含量，可以确保单晶硅具有良好的电子特性和机械性能，从而保证其在高科技领域的应用效果。
1.2文章结构文章结构是指文章分为几个主题部分，并按照一定顺序排列的组织方式。
文章结构的设计要求合理、清晰，能够使读者能够清楚地了解文章的逻辑脉络和内容安排。
本文的文章结构如下：1. 引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的2. 正文2.1 单晶硅的化学成分2.2 第二要点3. 结论3.1 总结3.2 展望在文章结构部分，我将根据以上结构对每个部分进行简要介绍。
第一部分是引言，主要是对整篇文章的背景和目的进行简要介绍。
在概述部分，可以对单晶硅的基本概念和用途进行简要说明，提高读者的兴趣。
接着，文章结构部分是本文重点要讲的内容，对于文章结构的说明应该简洁明了。
单晶硅材料
单晶硅材料单晶硅材料是目前应用最广泛的半导体材料之一，具有优良的电学性能和热性能。
它被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
单晶硅材料是由大量的硅原子按照规律排列而成的晶体。
在制备过程中，首先需要从硅源中提取纯度很高的硅材料。
经过高温熔融和冷却结晶等步骤，高纯度的硅溶液首先被制成硅棒，然后通过拉伸和切割工艺，制成直径约为200毫米的硅片。
这些硅片经过特殊处理和抛光，制成可用于制造集成电路和太阳能电池的单晶硅片。
单晶硅材料具有多项优异的电学性能。
首先，它具有较高的电阻率，约为1到10欧姆·厘米之间，可以有效地阻止电流的流动。
其次，单晶硅材料具有优异的载流子迁移性能，可以在较低的电场强度下迁移电子和空穴，提高电子器件的速度和效率。
此外，单晶硅材料还具有良好的载流子寿命，可以保持持续的电流流动，并避免电子器件的损耗。
单晶硅材料还具有良好的热性能。
它的热传导性能非常好，可以迅速将热量传导到周围环境中，保持晶体的稳定温度。
这为集成电路和太阳能电池等高功率电子器件的正常运行提供了保障。
目前，单晶硅材料被广泛应用于集成电路领域。
集成电路是现代电子产品的核心组成部分，它能够将数百万个晶体管、电阻器和电容器等元件集成在一个芯片上，实现各种功能。
单晶硅材料作为制造集成电路的基底材料，能够提供良好的电学性能和热性能，确保电子器件的正常工作。
此外，单晶硅材料还被广泛应用于太阳能电池领域。
太阳能电池是利用光能直接转换成电能的装置，单晶硅材料作为太阳能电池的主要组件之一，能够高效地吸收和转换太阳光能。
通过多晶硅和单晶硅材料的比较，单晶硅材料的太阳能电池具有更高的转换效率和更长的使用寿命。
总之，单晶硅材料是一种具有优良电学性能和热性能的半导体材料，广泛应用于集成电路和太阳能电池等领域。
它的应用带来了现代电子产品的高速、高效和可靠性能。
单晶硅原理
单晶硅原理
单晶硅是指硅材料由一个晶体结构组成。
其制备过程包括以下步骤：首先通过高温熔化硅原料，然后将熔融的硅液缓慢冷却，使其形成一个完整的晶体。
在冷却过程中，硅原子会按照一定的排列顺序结晶，形成一个具有规则晶格的晶体结构。
由于此过程中硅液内部不存在杂质，因此形成的单晶硅纯度极高。
单晶硅具有许多优良的特性，使其成为电子行业中广泛应用的材料。
首先，单晶硅的电学性能稳定，具有优异的导电性和半导体特性，使其成为制备半导体器件的理想基底材料。
其次，单晶硅具有高硬度和抗腐蚀性能，使其在微电子加工过程中能够承受高温、高压和强酸碱等恶劣环境。
此外，由于单晶硅具有高光透过率和低光反射率，因此也被广泛应用于太阳能电池板的制造。
在制备单晶硅的过程中，需要严格控制原料的纯度和加工的工艺参数。
由于单晶硅晶体结构的完整性对其性能至关重要，因此在材料制备过程中需要避免晶体内部的缺陷、杂质和晶界等问题。
制备出的单晶硅通常具有长方体、方柱状或圆柱状的外形，可以根据具体应用需求进行切割和加工。
总之，单晶硅的制备过程包括高温熔化硅原料、缓慢冷却形成完整晶体等步骤。
其具有优异的电学性能、硬度和抗腐蚀性能，被广泛应用于电子行业和光伏产业中。
制备单晶硅需要严格控制材料纯度和工艺参数，确保晶体结构完整性。
单晶硅
单晶硅开放分类：化学名称：单晶硅中文别名：硅单晶英文名： Monocrystalline silicon分子式： Si分子量：28.086CAS号：7440-21-3硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。
直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。
硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。
硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
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（3）噪声
该项目主要噪声源为制水装置、循环水泵、
单晶炉和切片机等设备运行噪声，噪声源强在
70~75dB之间。具体噪声级见表5-2。
表5-2 主要生产设备情况
序号
设备名称
噪声级(dB)
1
制水装置
70
2
循环水泵
75
3
单晶炉
70
4
线切机
75
5
滚磨设备
75
（4）固废 该项目固废主要为酸洗过程中产生的废酸液， 制去离子水过程中产生的废活性炭、单晶炉产生 的炉渣，另外还有职工的生活垃圾和残次品。各 类固废产生量及处置情况见表5-3。
6
硅片弯曲平正 测试仪
1台
7 超声波清洗机 4台
已有项
8
目
线切机
1台
吸尘装置
1台
氩气系统
1套
柴油发电机组 1台
滚磨设备
1套
二、建设项目所在地自然环境社会环境简况
三、环境质量状况
四、评价适用标准
五、建设项目工程分析
1、生产工艺分析 单晶硅生产工艺流程及产污环节如图5-1所 示。
图5-1 单晶硅生产工艺流程及产污环节图
/
0.50t/a
/
波清 排
洗废 放 水浓
/
6~9
/
70mg/L
/
度
排 放 2500 m3/a / 量
/
0.175t/a
/
产
生ห้องสมุดไป่ตู้浓
/
度
/
/ 2000mg/L /
产
生 2500 m3/a /
/
5 t/a
/
滚磨 量
废水 排
放 浓
/
度
/
/
/
/
排
放
/
量
/
/
/
/
产
生 浓
/
7左右
/
200mg/L /
度
产
生 15000m3/a /
投资比 例
工程内容及规模：
3、建设内容
该项目总投资4520万元，利用闲置厂房，建
成年产3000万片硅单晶片生产线，项目建成投产
后，预计年销售收入达4000万元，年创利税800万
元。
4、主要原辅材料消耗
项目
表1-1 主要原辅材料及消耗情况一览表
序号 原辅材料名称 单位
用量
现有项 目
1
布料
万米
80
2
多晶硅
料多硅晶块放入单晶炉中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状晶种（称籽晶） 浸入融液中（图1）。在合适的温度下，融液中的 硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界 面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种微微 的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成 的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列 结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的 形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐 的硅单晶晶体，即硅单晶锭。当结晶加快时，晶 体直径会变粗，提高升速可以使直径变细，增加 温度能抑制结晶速度。反之，若结晶变慢，直径 变细，则通过降低拉速和降温去控制。拉晶开 始，先引出一定长度，直径为3～5mm的细颈，以 消除结晶位错，这个过程叫做引晶。然后放大单 晶体直径至工艺要求，进入等径阶段，直至大部 分硅融液都结晶成单晶锭，只剩下少量剩料，剩 料回用继续生成单晶体。
碱洗和超声清洗废水量为5m3/吨原料，这部分清 洗废水产生量为2500 m3/a，废水中污染物主要为 pH值，pH在10~12之间。
滚磨废水：根据企业所提供的资料，滚磨过 程中产生的冲洗废水中污染物主要为SS，浓度为 2000mg/L，SS产生量为5 t/a。滚磨废水产生量为 2500 m3/a，经澄清过滤后该可循环使用，不外 排。
该项目废水种类较多，主要为酸性和碱性废
水。厕所污水经化粪池处理后与其它生活污水、
碱洗、超声波清洗废水、清洗废水、反冲废水和
滚磨废水一起经污水处理装置处理达《污水综合
排放标准》（GB8978-1996）一级标准后排入园区
污水管网，最终汇入浦阳江。废水排放量为 26220m3/a，污染物排放量为COD：0.612t/a，
第二个酸洗槽： HF挥发速率为：0.82×2.5%=0.0205kg/h，全
年挥发量为123kg/a； H2NO3挥发速率为：
0.82×64%=0.5248kg/h，全年挥发量为3148.8kg/a。 该类废气主要产生于酸洗槽处，要求企业严
格控制酸洗槽槽液浓度，低于环评中给定的浓 度，并在其中添加酸雾抑制剂，以减少酸雾挥发 量。本环评要求在酸洗槽上安装集气罩，对收集 到的废气通过水喷淋装置＋碱液吸收塔处理后， 使用风量不小于2000m3/h的风机引至25m高排气筒 排放。收集效率为80%以上，吸收效率为90%以 上。则HF无组织排放量为24.6kg/a，排放速率为 0.0041kg/h，有组织排放量为9.84kg/a，排放浓度 为0.82mg/m3；硝酸雾无组织排放量为 1161.12kg/a，排放速率为0.19kg/h，有组织排放量 为464.4kg/a，排放浓度为38.7mg/m3，盐酸雾无组 织排放量为68.88kg/a，排放速率为0.011kg/h，有 组织排放量为27.55kg/a，排放浓度为2.30mg/m3达 到《大气污染物综合排放标准》（GB162971996）的排放要求。
t/a
500
3
氢氟酸 （40％）
t/a
0.09
该项目 4
盐酸 （35％）
t/a
3.32
5
硝酸 （68％）
t/a
4.62
NaOH
t/a
1.95
5、主要生产设备
主要生产设备及数量见表1-2。
表1-2 主要生产设备及数量一览表
项目 序号
设备名称 该项目
全厂
1
现有项 目
2
3
断布机 缝纫车床
电剪
5
单晶生产炉 34台
SS：1.653t/a，氨氮：0.092t/a。
（2）废气 该项目废气主要为酸洗过程中产生的酸性废 气，单晶炉中连续排出的氩气惰性气体和食堂油 烟废气。 单晶炉中连续排出的氩气惰性气体，可引至 高空排放，对周围环境影响较小。 油烟废气：该项目设有食堂，生产高峰时食 堂就餐人数可达300人，食堂按3个基准灶头配 置，提供三餐。按人均耗油量30g/d，油烟排放系 数2.84%计，则油烟产生量为76.68kg/a，根据 《饮食业油烟排放标准》（GB18483-2001）大型 规模，风量10000m3/h，烹饪时间按3h/d计，油烟 产生浓度8.52mg/m3，本环评要求安装油烟净化装 置，处理效率不低于90％，净化后的油烟经烟道 引至楼顶排放，则油烟排放量为7.67kg/a，排放浓 度为0.85mg/Nm3，满足《饮食业油烟排放标准》 （GB18486-2001）中≤2.0mg/Nm3的标准要求。 酸性废气：项目酸洗过程中，原料多晶硅将 通过两道酸洗。酸洗槽2个，规格为 2400*1000*800mm，表面积为1.92m2，第一道酸 洗工序使用7%的盐酸和54%的硝酸的混酸，第二
主要工艺说明：该项目工艺过程简单，根据原 料多晶硅的清洁程度，部分原料需经过盐酸、硝 酸混合液和硝酸、氢氟酸混合液两道清洗工序， 部分经硝酸、氢氟酸混合液一道清洗后进入碱 洗、超声波清洗后,再烘干，然后再用单晶炉对多 晶硅的晶核进行重新排列，生成单晶体，单晶体 经过锯断、滚磨、切片、清洗、检验后成为成 品。
装置处理达《污水综合排放标准》（GB8978-
1996）中的一级标准后排入园区污水管网，最终
汇入浦阳江。废水污染物的产生和排放情况见表
5-1。
表5-1 废水中污染物的产生和排放情况
种类 废水量 pH CODCr
SS
氨氮
产
生 浓
/
10~12 /
200mg/L /
度
碱产 洗、 生 2500 m3/a / 超声 量
控制直径，保证晶体等径生长是单晶制造的重 要环节。硅的熔点约为1450℃，拉晶过程始终保 持在高温负压的环境中进行。直径检测必须隔着 观察窗在拉晶炉体外部非接触式实现。拉晶过程 中，固态晶体与液态融液的交界处会形成一个明 亮的光环，亮度很高，称为光圈。它其实是固液 交界面处的弯月面对坩埚壁亮光的反射。当晶体 变粗时，光圈直径变大，反之则变小。通过对光 圈直径变化的检测，可以反映出单晶直径的变化 情况。
道酸洗工序是用2.5%的氢氟酸和64%的硝酸的混 酸，酸洗温度大致在30℃左右，酸洗过程中将产 生含有污染物HF、HCl、HNO3的酸性废气，酸 洗工序每天进行20h左右，其理论挥发量通过如 下公式计算：
Gz＝M（0.000352+0.000786V）×P×F 式中：Gz——液体的挥发量（kg/h）；
（1）单晶硅行成 多晶硅直拉生长成单晶硅生产过程如图5-2。 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝 固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果 这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶 硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则 形成多晶硅。 该项目用直拉法制造单晶体。 直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原
生活污水：该项目的废水为生活污水，该项 目劳动定员300人，由于该项目设有
食堂和宿舍，每人每天用水量按80L/(人.d) 计，则总用水量为7200m3/a，生活污水按用水量
的85%计，则生活污水排水量为6120 m3/a。要求
该项目的生活污水中的厕所废水经化粪池预处理
后和其它生活污水一起，经厂内地埋式污水处理
一、建设项目基本情况
项目名 称
建设单 位
法人代 表
通讯地 址
联系电 话
建设地 点
立项审批部 门