超快恢复二极管 ES2M SMB(DO-214AA)系列规格书推荐

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ASEMI SS24(DO-214AC SMA)肖特基二极管规格书

ASEMI SS24(DO-214AC SMA)肖特基二极管规格书
我想用于充电器，可以吗？尺寸是多少呢？详见下解：
ASEMI品牌的SS24是2A 40V的贴片小二极管，属于肖特基封装，SMA超薄封装，小功率的，常用于家用的小功率电器，也常用于充电器，适配器
正向电流：2A
反向耐压：40V
芯片材质：GPP硅芯片
漏电流：0.5uA
操作温度：-40℃~150℃
正向电压：0.55V-0.95V
浪涌电流：30A
芯片尺寸：50mil
引线数量：2个
恢复时间：5ns
包装方式：5000/盘
这个品牌的打标采用的是镭射激光打标，不褪色，黑胶材质，外形黑体部分用环氧塑脂材料，包封稳定性好，引脚是无氧铜材质，导电性能好
常规包装是2000/盘
尺寸如下：
规格书。

超快恢复二极管 ES2K SMB(DO-214AA)系列规格书推荐

CJ
25.0
Typical thermal resistance (NOTE 3)
RθJA
Operating junction and storage temperature range TJ T, STG
20.0 -50 to +150
Note:1.Reverse recovery condition IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 3.Pulse test: Pulse width 200 sec, Duty cycle 2%
Cycles
Peak Forward Surge Current - Amperesversus Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Figure 5 New SMB Assembly
Round Lead Process
Figure 6 Reverse Recovery Time Characteristic And Test Circuit Diagram
FEATURES
CCLeoaamsdepFlMiareanette.FrSiianelis:ehMo/RordoldehersidnCgPoilnmafsoptrliimca.natti(oUNnLo) tFel1a)m("mPa"Sbuiliftfyix designates
MAX 2.95 2.25 .20 .51 1.40 2.32 5.69 4.57 3.94
NOTE
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body over passivated chip Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight :0.005 ounce, 0.138 grams

FOSAN富信电子二级管 ES2AB-ES2JB-产品规格书

安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES2A-ES2JSMB Super Fast Recovery Diode超快恢复二极管■Features 特点Fast Switching Speed 快的开关速度Super Fast Recovery time 超快恢复时间Glass passivated chip junction 玻璃钝化芯片保护结Surface Mount Device 表面贴装器件Case 封装:SMB■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES 2A ES 2B ES 2C ES 2D ES 2E ES 2G ES 2J Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 50100150200300400600V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 50100150200300400600V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570105140210280420V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 2A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 60AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 60℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES2A-ES2DES2E-ES2GES2J Unit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 11.251.68V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)100(T A =125℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 35nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J40pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES2A-ES2J ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES2A-ES2J ■Dimension外形封装尺寸。

大电流快恢复二极管

大电流快恢复二极管
大电流快恢复二极管是一种具有特殊结构和材料的二极管，它具有较大的电流承载能力和快速恢复特性。

本文将从大电流承载能力和快速恢复特性两个方面对其进行详细介绍。

一、大电流承载能力
大电流快恢复二极管的设计和制造过程中，采用了特殊的材料和结构，使其具备了较高的电流承载能力。

一方面，该二极管采用了低电阻的材料，如碳化硅（SiC）或氮化硅（GaN），这些材料具有较高的导电性能，能够承受较大的电流。

另一方面，大电流快恢复二极管在结构上进行了优化，增加了导电区域的面积和厚度，从而降低了电阻，提高了电流承载能力。

二、快速恢复特性
大电流快恢复二极管的另一个重要特点是快速恢复特性。

在工作过程中，当二极管从正向导通状态转变为反向截止状态时，需要一定的时间来恢复到正常的截止状态。

而大电流快恢复二极管通过优化结构和材料，使其具备了较短的恢复时间。

具体来说，快速恢复二极管通过减小扩散电感和电荷储存效应，加速电荷的输运和重新组合过程，从而实现快速的恢复。

这种快速恢复特性使得大电流快恢复二极管能够在高频率和高压的工作环境下，提供稳定可靠的性能。

总结起来，大电流快恢复二极管通过特殊的材料和结构设计，具备
了较大的电流承载能力和快速恢复特性。

它在高频率和高压的工作环境中具有广泛的应用前景，例如电源管理、电动车充电桩、工业电源等领域。

随着科技的不断进步，大电流快恢复二极管的性能将进一步提升，为各种电子设备的发展带来更大的推动力。

RS1M快恢复二极管

最大直流阻断电压：1000V
最大正向平均整流电流：1.0A
反向恢复时间：500ns(纳秒)
当电流=1.0A时，正向压降：1.3V
最大反ห้องสมุดไป่ตู้直流电流(TA=25℃)：0.5mA
额定直流阻断电压TA=100℃：10.0mA
操作结和存储温度范围：-50~+150℃
肖特基二极管SSL54
肖特基二极管SB1045L
rs1m属于快恢复二极管系列封装smado214ac其比较突出的特点是反向恢复时间短具体参数请看下方
RS1M快恢复二极管
RS1M二极管参数
2017年08月24日11:56
RS1M属于快恢复二极管系列，封装SMA/DO-214AC，其比较突出的特点是，反向恢复时间短，具体参数请看下方。
最大重复峰值反向电压：1000V
肖特基二极管SB540L
肖特基二极管SS34

快和超快恢复二极管型号参数

20 20 10 10 10 10 20 20 20 20 10 10 10 10 20 20 20 10 10 10 45 45 45 40 40 35
35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 30 30 30 75 75 150
30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 25 25 30 30 30 30 30 30 Max.Peak Forward Surge Current IFSM A 50 50 50 50 50 50
1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.3 1.7 2.2 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.2
超快恢复二极管
反向重最大平均正复峰值向电流电压 VRRM V IO @ TA A ℃ 最大正向峰值浪涌电流 IFSM A 正向电压降 VF @ IF V A 最大反向典型结电最大转速电流容恢复时间 TA=25℃ 封装 IR Cj Trr μ A pF ns
型号
/main.asp 1 安培（含铅整流器） SF11S 50 SF12S 100 SF13S 150 SF14S 200 SF15S 300 SF16S 400 SF17S 500 SF18S 600 SF11 SF12 SF13 SF14 SF15 SF16 SF17 SF18 50 100 150 200 300 400 500 600 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 30 30 30 30 15 15 15 15 30 30 30 30 15 15 15 15 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41

超快恢复二极管型号参数

1.7
5.0
5.0
60
50
DO-201AD
Part Number
反向重复
峰值电压
最大平均正
向电流
最大正向峰值浪涌电流
正向电压降
最大反向电流TA=25℃
典型结电容
最大转速恢复时间
Package
VRRM
IO @ TA
IFSM
VF @ IF
IR
Cj
Trr
V
A
℃
A
V
A
μA
pF
ns
6安培（含铅整流器）
SF61
600
2.0
55
50
1.7
2.0
5.0
30
50
DO-15
3安培（含铅整流器）
SF31
50
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF32
100
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF33
150
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF34
200
SOD-57
Part Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Max.AverageRectified Current
Max.PeakForward Surge Current
Forward Voltage Drop
Max. Reverse Current TA=25℃

威世 80EBU02 超快软恢复二极管说明书

1Case StylesPow IR tab80EBU02Bulletin PD-20740 rev. B 02/06t rr = 35nsI F(AV) = 80Amp V R = 200VDescription/ ApplicationsAbsolute Maximum RatingsUltrafast Soft Recovery DiodeV R Cathode to Anode Voltage200V I F(AV)Continuous Forward Current, T C = 112°C 80AI FSM Single Pulse Forward Current, T C = 25°C 800I FRM Maximum Repetitive Forward Current 160T J , T STGOperating Junction and Storage Temperatures- 55 to 175°CParametersMaxUnitsThese diodes are optimized to reduce losses and EMI/ RFI in high frequency power conditioning systems.The softness of the recovery eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are ideally suited for HF welding, power converters and other applications where switching losses are not significant portion of the total losses.Square Wave, 20kHzFeatures• Ultrafast Recovery• 175°C Operating Junction Temperature • Screw Mounting Only • Lead-Free PlatingBenefits•Reduced RFI and EMI•Higher Frequency Operation •Reduced Snubbing •Reduced Parts Count 80EBU02Bulletin PD-20740 rev. B 02/06V BR , V r Breakdown Voltage,200--V I R = 50µA Blocking Voltage V FForward Voltage-0.98 1.13V I F = 80A-0.790.92V I F = 80A, T J = 175°C I R Reverse Leakage Current --50µA V R = V R Rated--2mA T J = 150°C, V R = V R Rated C T Junction Capacitance -89-pF V R = 200VL SSeries Inductance-3.5-nHMeasured lead to lead 5mm from package bodyElectrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)ParametersMin Typ Max Units Test Conditionst rrReverse Recovery Time--35ns I F = 1.0A, di F /dt = 200A/µs, V R = 30V -32-T J = 25°C -52-T J = 125°CI RRM Peak Recovery Current - 4.4-A T J = 25°C -8.8-T J = 125°CQ rr Reverse Recovery Charge -70-nC T J = 25°C-240-T J = 125°CDynamic Recovery Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)I F = 80A V R = 160Vdi F /dt = 200A/µsParametersMin TypMaxUnitsR thJC Thermal Resistance, Junction to Case 0.70K/WR thCS Thermal Resistance, Case to Heatsink 0.2WtWeight5.02g 0.18(oz)TMounting Torque1.22.4N * m 1020lbf.inThermal - Mechanical CharacteristicsMounting Surface, Flat, Smooth and GreasedParametersMin Typ Max Units Test Conditions380EBU0280EBU02580EBU02233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7309Visit us at for sales contact information. 02/06 。

快恢复二极管 FR1G DO-214AA SMB系列规格书推荐

n Capacitance
100 60 40
20 pF
10
6 4
2 1
.1 .2 .4
TJ=25°C
1 Volts
2
4
10 20 40
Junction Capacitance - pFversus
Reverse Voltage - Volts
100 200 400
1000
Figure 1 Typical Forward Characteristics 20
10 6
4
2 Amps 1
.6 .4
25°C
.2 .1 .06 .04
.02
.01 .4
.6
.8
1.0 1.2 1.4
Volts
Instantaneous Forward Current - Amperesversus Instantaneous Forward Voltage - Volts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
2 of 3

深圳理悠科技有限公司
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES FR1A THRU FR1M
Figure 4 Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current 90

SS54肖特基势垒整流器SMB(DO-214AA)二极管规格书

0.087 (2.20) 0.071 (1.80)
0.155(3.94) 0.130(3.30)
0.180(4.57) 0.160(4.06)
0.012(0.305) 0.006(0.152)
0.096(2.44) 0.084(2.13)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight :0.003 ounce, 0.093 grams
10
100
1
0.1 0.01 0.1 1 10 100
10 0.1 1.0 10 100
REVERSE VOLTAGE,VOLTS
t,PULSE DURATION,sec.
SYMBOLS SS52 SS53
SS54 SS55
SS56
SS58 SS510 SS5150 SS5200 UNITS
VRRM VRMS VDC I(AV)
20 14 20
30 21 30
40 28 40
50 35 50
60 42 60 5.0
80 56 80
100 70 100
150 105 150
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at TL(see fig.1) Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 5.0A Maximum DC reverse current TA=25 C at rated DC blocking voltage TA=100 C Typical junction capacitance (NOTE 1) Typical thermal resistance (NOTE 2) Operating junction temperature range Storage temperature range

快恢复二极管

快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管（SRD快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。

超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。

它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

1．性能特点（1）反向恢复时间反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。

它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

反向恢复电流的波形如图1所示。

I F为正向电流，I RM为最大反向恢复电流。

I rr为反向恢复电流，通常规定I rr=0.1I RM。

当t≤t0时，正向电流I=I F。

当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。

然后整流器件上流过反向电流I R，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。

此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。

从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

（2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。

由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t rr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其t rr可低至几十纳秒。

mos 快恢复二极管 -回复

mos 快恢复二极管-回复“快恢复二极管（MOFSET）”是一种常见的功率电子器件，被广泛应用于电力变换、逆变器和开关电源等领域。

本文将逐步介绍快恢复二极管的原理、特性以及应用，并讨论其与传统二极管的不同之处。

第一部分：快恢复二极管的原理与特性快恢复二极管作为一种特殊的二极管，其主要特点是具有较短的恢复时间。

在正向导通状态下，当PN结被反向偏置时，会产生一个很大的耗尽区电容。

当电流方向发生变化时，该耗尽区电荷需要被迅速清除，以便实现尽可能快的恢复。

与传统二极管相比，快恢复二极管的结构和材料有所改变。

首先，在晶体生长阶段，采用优质的硅材料和优化的晶体结构，以提供更好的导电性能。

其次，在器件设计上，通过增加PN结面积、优化草图和减小耗尽区电容等方法，降低了恢复时间、提高了切换速度。

最后，在封装上，采用了一些散热材料和结构，以确保器件的稳定性和可靠性。

快恢复二极管的主要特性包括恢复时间、正向电压降和额定反向电压等。

恢复时间是指在由导通状态到截止状态的过程中，消除耗尽区电荷所需的时间。

快恢复二极管的恢复时间一般在几十纳秒至几百纳秒之间，比传统二极管快很多。

正向电压降是指在正向导通状态下，从阳极到阴极之间的电压降。

通常快恢复二极管的正向电压降要比传统二极管低一些。

额定反向电压是指在反向偏置时，能够承受的最大电压。

快恢复二极管的额定反向电压通常在几百伏至几千伏之间。

第二部分：快恢复二极管的应用快恢复二极管由于其短恢复时间和低正向电压降等特性，在各种功率电子应用中得到了广泛应用。

1. 电力变换器：快恢复二极管常用于电力变换器中的反馈回路中，用于提供快速和稳定的导通和截止时间。

这有助于提高系统的效率和响应速度。

2. 逆变器：逆变器是将直流电转换为交流电的电子设备。

在逆变器中，快恢复二极管通常用于交流输出端的整流电路中，以提供高效率和稳定的电源输出。

3. 开关电源：开关电源是一种能够转换电源输入电压的电源装置。

在开关电源中，快恢复二极管通常用于整流电路和输出电路中，以提供快速开关和截止的特性，从而实现电源的高效率和高稳定性。

通用二极管S2B DO-214AC SMA系列规格书推荐

0.060(1.52) 0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.208(5.28) 0.188(4.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. Part Number Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at TL=110 C Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 2.0A Maximum DC reverse current TA=25 C at rated DC blocking voltage TA=100 C Typical junction capacitance (NOTE 1) Typical thermal resistance (NOTE 2) Operating junction and storage temperature range