用flash模拟
flash模拟游戏动画教学设计
Flash 模拟游戏动画教学设计本教学设计是以制作模拟游戏“打地鼠”和制作模拟运动“撞球”Flash动画作为任务,让学生体验Flash动画制作的一般步骤,初步理解Flash动画制作中的一些基本概念,学会创建和调用图形元件,尝试制作简单的补间动画。
通过对制作过程的了解,让学生消除动画制作的神秘感,激发学生学习Flash动画制作的求知欲。
一、教学内容分析1、课程标准内容学会使用一种动画制作软件尝试制作简单的动画,了解动画生成的基本原理。
2、教材作用与地位本节是中职教材第6章动画制作中Flash部分的开端,设计为2课时,《制作简单的Flash 动画》是第2课时。
这部分内容主要是让学生体验Flash动画制作的一般步骤,初步理解Flash 动画制作中的一些基本概念,学会创建和调用图形元件。
通过对制作过程的了解,让学生消除动画制作的神秘感,激发学生学习Flash动画制作的求知欲。
在尝试制作的过程中理解基本概念,形成正确、规范的制作习惯,为后续的深层次的学习打下坚实的基础。
二、学情分析学生对Flash概念的认识是基于网络上流行广泛的各种动漫作品和Flash小游戏,因此,体验活动仅仅是欣赏和娱乐。
大多数学生没有去主动创作动画的意识,对动画的制作有神秘感和距离感,对动画制作的过程知之甚少,甚至一无所知。
通过上节课对源程序的分析学习,学生对一些基本概念比如:关键帧、图层、图形元件等已经有了一定的了解。
学生产生了很强的实践欲望,希望通过这节课亲手制作,在制作过程中加深对基本概念的理解,亲历制作的全过程。
三、教学目标1、知识与技能(1)体验Flash动画制作的一般步骤;(2)初步理解Flash动画制作中的一些基本概念;(3)学会创建和调用图形元件;(4)常用图形工具、文本工具的使用方法;(5)了解Flash动画制作的基本方法;2、过程与方法通过制作《打地鼠》简单动画,让学生了解通过导入位图制作动画的方法;通过制作《撞球》补间动画,让学生了解利用绘图工具制作图形元件,重复调用元件的方法。
利用Flash技术完成光的全反射仿真模拟实验
利用Flash技术完成光的全反射仿真模拟实验摘要教学模拟是计算机模拟在教学中的应用,它可以模拟出与真实实验环境极为相似的虚拟环境,而Flash技术已经广泛在教学模拟设计中被采用,本文主要讨论了利用Flash技术完成光的全反射仿真模拟实验的应用。
关键词全反射;Flash;模拟;代码0 引言物理学科是一门以实验为基础的学科。
通过实验可以让学生通过形象具体的实验过程使学生透彻理解并且完全掌握得出的结论。
而部分物理实验对实验设备及实验环境要求较高,所以试验效果并不能尽如人意。
随着信息技术的不断发展同时也为教育提供了丰富的资源,和革新机遇。
以多媒体计算机技术、网络技术、现代通信技术为核心的信息技术作为最先进的教学媒体与物理演示实验的整合,可以深化物理演示实验的教学,可以达到真实实验很难达到的教学效果如放大效果、时间延迟与加快、可重复性、理想化等,很好地回避了对设备和环境的要求,在教学中我们称之为教学模拟。
在物理的教学模拟中,最常见的则是模拟物理实验,利用计算机模拟真实的物理实验环境。
教学模拟可分为“物理模拟、过程模拟、情景模拟和进程模拟”[1]。
本文主要完成光的全反射实验的情景模拟。
1 利用Flash技术完成光的全反射仿真模拟实验1.1折射及全反射原理折射定律(斯涅尔定律):光入射到不同介质的界面上会发生反射和折射。
其中入射光和折射光位于同一个平面上,并且与界面法线的夹角满足如下关系:n1和n2分别是两个介质的折射率,和分别是入射光(或折射光)与界面法线的夹角,叫做入射角和折射角(如图)。
全反射:光由光密(即光在此介质中的折射率大的)介质射到光疏(即光在此介质中折射率小的)介质的界面时,全部被反射回原介质内的现象。
设定n1为光密介质折射率,此时用n表示,n2为光疏介质折射率,此时为1,也即是光疏介质为真空,得到如下关系:1.2 设计思路“情景模拟(SITUATION SIMULATION)是为了处理学生在不同情景中所作所为产生的影响”,所以特别注重真实情景的再现。
Flash-模拟试题及答案
Flash 模拟试题及答案(五)一:单选题1。
下列电子邮件链接书写形式正确的为: AA。
mailto:********************。
mailto://lakesea@5dmedia。
comC。
http;//lakesea@ D。
mailto//lakesea@5dmedia。
com2.下面关于新层的位置顺序说法正确的是:BA. 新层将被插入到当前选定层的下面B。
新层将被插入到当前选定层的上面C. 新层将被放到最上层D。
以上说法都错误3。
下面关于元件实例的叙述,错误的是:AA. 电影中的所有地方都可以使用由元件派生的实例,包括该元件本身B。
修改众多元件实例中的一个,将不会对其他的实例产生影响C。
如果用户修改元件,则所有该元件的实例都将立即更新D. 创建元件之后,用户就可以使用元件的实例4.在对有很多字符的文本进行Break Apart(分离)后:AA。
每个文本块中只包含一个字符B。
每个文本块中只包含二个字符C. 每个文本块中只包含三个字符D. 每个文本块中只包含四个字符5。
矢量图形用来描述图像的是:DA。
直线B. 曲线C。
色块D。
A和B都正确6.以下关于使用元件的优点的叙述,正确的是:DA。
使用元件可以使电影的编辑更加简单化B. 使用元件可以使发布文件的大小显著地缩减C. 使用元件可以使电影的播放速度加快D。
以上均是7。
以下关于元件的叙述,正确的是:DA。
只有图形对象或声音可以转换为元件B. 元件里面可以包含任何东西,包括它自己的实例C. 元件的实例不能再次转换成元件D。
以上均错8.以下各种元件中可以转换成为组件的是:AA. 电影剪辑元件B. 图形元件C。
按钮元件D。
字体元件9。
以下关于共享库的叙述,错误的是:DA. 共享的库资源允许用户在多个目标电影中使用源电影中的资源B。
库资源可分为两类:运行时共享和编辑时共享C. 使用共享库资源可以优化工作流程,使电影的资源管理更加有效D. 共享库的资源添加方式与普通的库是一样的10。
32位微控制器片内FLASH模拟EEPROM的优化方法
32位微控制器片内FLASH模拟EEPROM的优化方法介绍在许多嵌入式系统中,由于存储空间有限,使用片内FLASH 模拟EEPROM的需求越来越高。
尽管片内FLASH一般用于程序存储,但通过使用特定的技术和策略,可以优化其性能,实现EEPROM的模拟功能。
本文将探讨一些优化方法,以提高片内FLASH模拟EEPROM的性能和可靠性。
优化方法以下是32位微控制器片内FLASH模拟EEPROM的一些优化方法:1. 均衡使用均衡使用在设计嵌入式系统时,合理规划和平衡使用片内FLASH的空间。
避免将所有数据存储在同一个区域,而是将数据分散存储于不同的FLASH块中。
这有助于减少对特定FLASH块的擦除和写入次数,提高整体使用寿命。
2. 页面写入页面写入当需要更新EEPROM模拟数据时,使用页面写入技术。
页面写入允许仅擦除和更新需要修改的页,而不是整个FLASH块。
这样可以提高写入速度,并降低擦写操作对整个系统的影响。
3. 坏块管理坏块管理片内FLASH中存在可能变得不可用的坏块。
建议在设计中引入坏块管理机制,以跳过坏块并继续使用可用的块。
可以使用坏块检测和修复算法,例如差错校验码(ECC)和纠错码(ECC)等。
4. 数据压缩和编码数据压缩和编码为了节省片内FLASH的空间,可以使用数据压缩和编码技术。
通过选择适当的算法和技术,可以减小数据的存储空间,并提高系统的效率和性能。
5. 缓存和缓冲区缓存和缓冲区在实现片内FLASH模拟EEPROM时,考虑引入缓存和缓冲区以提高读取和写入操作的效率。
通过将数据预先加载到缓存中,可以减少对FLASH的访问次数,从而提高性能和响应速度。
结论通过使用上述优化方法,可以改善32位微控制器片内FLASH模拟EEPROM的性能和可靠性。
均衡使用、页面写入、坏块管理、数据压缩和编码以及缓存和缓冲区的使用,将有助于提高系统的效率,并减少对片内FLASH的擦写次数,延长其寿命。
在实际设计中,可以根据具体需求选择适当的优化策略,以满足系统的要求。
STM32F10x Flash 模拟 EEPROM
STM32F10x Flash 模拟EEPROMSTM32F10x芯片本身没有集成EEPROM,替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。
Flash与EEPROM的区别主要是:一、EEPROM可以按位擦写,而Flash只能按块(页)擦除;二、Flash的擦除寿命约1万次,较EEPROM低一个量级。
ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例:AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers(包括源码和文档)。
范例在保存修改的数据时,以写入新数据来替代对原数据的修改,并使用两个页面轮流写入,单页写满后进行数据迁移,再一次性擦除旧页面。
这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
不过,范例代码只能保存固定大小的数据(16bits),虽然容易改成不同的固定大小,但实际用起来还是很不方便。
我改写了一下,新的特性包括:∙支持不同大小数据(字符数组、结构体等)的混合存储;∙增加对数据的校验和(Checksum)检查。
源码在附件中。
使用方法很简单,比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体:#include "eeprom.h"#define TITLE_SIZE 80#define TITLE_KEY 1#define POINT_KEY 2typedef struct {float x;float y;float z;} Point;char title[TITLE_SIZE] ="eeprom test string.";Point point;执行必要的初始化操作后,就可以进行写入和读取:uint16_t result = 0;/* Unlock the Flash Program Erase controller */FLASH_Unlock();/* EEPROM Init */EE_Init();/* Write to EEPROM */result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));/* Read from EEPROM */result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));实现混合存储的办法是,给每个变量附加8字节的控制信息。
FLASH模拟eeprom实验笔记
STM32 FLASH模拟EEPROM实验笔记一、根据所选IC确定每页的大小ST系列芯片中,FLASH的大小大于或者等于256k,则每页大小为2k(最多2k大小);FLASH的大小于256k大小,则每页大小为1k.二、在模拟EEPROM中写数据(1)在模拟EEPROM中写数据,有以下几个参数必须具备:写入数据的虚拟地址,写入的数据,写入的数据的数量(注:写入的数据必须每次写入半字)。
(2)在写入数据之前必须判断,要求写入的数据的虚拟地址是否非法(写入的虚拟地址值小于该芯片的FLASH的起始地址或者大于该芯片的FLASH的最大地址值均是视为非法地址)。
(3)解锁FLASH》》》》写入关键字1,关键字2(注:写入关键字就是写入解锁序列,写入的顺序不能乱)。
(4)根据要求写入的数据的虚拟地址计算出实际的偏移地址(相对于FLASH的起始地址),扇区地址,在扇区中的偏移(注意:在扇区内的偏移以2个字节为基本单位),扇区剩余空间大小。
(5)判断要求写入的数据的个数是否不大于该扇区剩余空间的大小,如成立将要求写入的数据的个数赋值给表示空间大小的变量。
(6)进入循环,进行实际的写入数据操作》》》》》》读取该扇区整个扇区的数据--→检验在该扇区中从扇区内的实际偏移开始,一直到扇区剩余空间大小(此时的剩余空间大小值等于要求写入数据的数量),检验这整个区域内是否需要擦除,如果检烟道数据不等于0xFFFF,就需要擦除该扇区的整个扇区----→该扇区擦除前复制到数组中的有效的数据重新写入到该扇区----→写入要求写入的数据到要求写入的虚拟地址中--→判断是否写入结束,如果该扇区不能够则扇区一到一个扇区,写入新扇区的数据数量等于总数量减去写入到上一个扇区的数据数量。
每次写操作完都必须做如次判定,直至要求写入的数据完全写入为止。
写入结束后跳出循环。
(7)上锁FLASH。
注意:在写入和从模拟的EEPROM读出数据都必须是半字读写,所以地址必须每次加2.。
用flash模拟平抛
在action层的第三帧,在专家 模式下加入
T=T+1; move_y = (2*T-1); setProperty("ball", _x, x1+move_x); setProperty("ball", _y, y1+move_y); gotoAndPlay(2); (Property性能)
•在action层的第四帧,在 专家模式下加入:
空白关键帧(Blank Frame):
• 在一个关键帧里,什么对象也没有,这 种关键帧,我们就称其为空白关键帧。 • 提示:关键帧、过渡帧的用途还好理解, 那么空白关键帧中既然什么都没有,那 还有什么用途?呵呵,它的用途可大了, 特别是那些要进行动作(Action)调用的 场合,常常是需要空白关键帧的支持的。 • 从字面上就已经写得比较清楚了。
x1 = getProperty ( "ball", _x ); y1 = getProperty ( "ball", _y); _root.lineStyle(1, 0xFF0000, 80); _root.lineTo(x1,y1); if(y1>=350) gotoAndPlay(4);
(“1”定义了所绘制线段的宽度为1像 素;“0xFF0000”是红颜色的二进制代码;“80" 定义了线段的不透明度为的。 动画都是以关键帧为基础的。 • 插入帧主要用在关键帧之间的动画。 如原来动画只有5帧,在中间可以插入 一帧。 • 插入空白关键帧即插入一个关键帧, 画面上的内容为空。 • 清除帧是清楚帧里的内容,帧还是存 在的,而删除帧是删除这个帧,这个 帧就没了
STEP 6 加入代码
•有关材料发至邮箱 jiaoyujishu2@(密 码201010) •公共邮箱请不要删除资料
STM32使用内部FLASH模拟EEPROM
每个页面都有三种可能的状态 :
●ERASED:: 页面为空。
●RECEIVE_DATA: 该页面正在接收来自另一个完整页面的数据。
●VALID_PAGE: 页面包含有效数据,该状态不会改变,直到所有有效数据完全转移到被擦除的页面。
下图为不同页的切换状态图,
一般情况下,在使用这种方法时,用户并不预先知道更新频率的变化。
本文档中描述的软件和实现使用两个 Flash 内存页面来模拟 EEPROM
每个变量元素由一个虚拟地址和一个存储在 Flash 内存中的值定义,以供后续检索或更新(在实现的软件中,虚拟地址和数据都是 16 位长)。
当数据被修改时,与之前的虚拟地址相关联的修改后的数据被存储到一个新的 Flash 内存位置中。
数据检索返回最新 Flash 内存位置中的修改数据
下图为 EEPROM 格式结构
下面图片的例子展示了三个 EEPROM 变量(Var1,Var2 及 Var3),并附有下列虚拟地址 :Var1: 5555h, Var2: 6666h, Var3: 7777h。
stm32f302内部flash模拟eeprom_HAL库
STM32F302微控制器可以使用其内部Flash内存模拟EEPROM存储器。
这种方法的优点在于,无需使用外部存储器,同时减少了PCB布局和成本的限制。
要在STM32F302的内部Flash中模拟EEPROM,需要完成以下步骤:1.定义Flash内存的页面大小。
根据芯片的具体配置,可能需要在编译器中设定适当的页面大小。
对于STM32F302,Flash的页面大小通常为1024字节。
2.定义EEPROM的起始地址。
在STM32F302中,EEPROM的起始地址通常设定为ADDR_FLASH_PAGE_62。
这是因为Flash内存被划分为256页,每页2KB,而EEPROM通常位于第62页之后的Flash内存空间。
当使用内部Flash模拟EEPROM时,需要注意以下几点:1.使用内部Flash仿真EEPROM具有一定的风险。
在进行系统升级或编译烧写文件时,可能会覆盖Flash中的数据,导致数据丢失。
2.STM32F302的Flash内存分为三个部分:系统代码、应用程序代码和用户数据。
在仿真EEPROM时,只能使用用户数据部分,不能覆盖系统代码和应用程序代码。
源码如下由于STM32F302的内部Flash内存不具有EEPROM功能,因此需要使用HAL库来模拟EEPROM。
下面是一个使用HAL库实现STM32F302内部Flash模拟EEPROM 的示例代码:c复制代码#include"stm32f3xx_hal.h"#define EEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x08080000) // EEPROM的起始地址#define EEPROM_SIZE ((uint32_t)0x2000) // EEPROM的大小为8KBuint32_t pageError = 0; // 用于保存Flash编程时的错误代码void Flash_Unlock(void){HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁STM32的FLASH}void Flash_Lock(void){HAL_FLASH_Lock(); // 上锁STM32的FLASH}uint32_t Flash_GetStatus(void){uint32_t status;status = HAL_FLASH_GetStatus(); // 获取FLASH状态if(status & HAL_FLASH_BUSY) return1; // 忙else if(status & HAL_FLASH_ERROR_PG) return2; // 编程错误else return0; // 正常状态}uint8_t* Flash_ReadData(uint32_t address, uint32_t size){uint8_t* data = (uint8_t*)malloc(size); // 分配内存空间if(data == NULL) return NULL; // 内存分配失败,返回NULLuint32_t i;for(i=0; i<size; i+=HAL_FLASH_PAGE_SIZE){uint32_t pageAddress = address + i; // 计算页地址uint32_t pageIndex = pageAddress / HAL_FLASH_PAGE_SIZE; // 计算页号uint32_t offset = pageAddress % HAL_FLASH_PAGE_SIZE; // 计算偏移量uint32_t dataLength = HAL_FLASH_PAGE_SIZE - offset; // 每页读取的数据长度if(dataLength > size - i) dataLength = size - i; // 确保不会读取过量Flash_Unlock(); // 解锁if(HAL_FLASH_ProgramPage(pageAddress, (uint32_t*)data + i,&pageError) == HAL_ERROR) // 编程错误{free(data); // 释放内存空间Flash_Lock(); // 上锁return NULL; // 返回NULL,表示读取失败}}return data; // 返回读取的数据}。
STM32 片内FLASH模拟EEPROM的优化方法
STM32 片内FLASH模拟EEPROM的优化方法芯片:STM32F407,1M片内FLASH。
首先要知道STM32F407的FLASH的每个扇区的大小并不都一样,第0-3扇区每个扇区是16K,第4扇区是64K,后面的每个扇区是128K。
而出于某些方面的考虑,我们需要把某些数据存储到FLASH中,也就是把FLASH当作EEPROM来使用,这时就有个问题,STM32F407的FLASH在写操作之前,必须保证写入地址的数据为OXFF,否则无法写入。
如果数据为非0XFF,则需要先把该扇区擦除后才能操作。
而STM32F407的固件库只提供了四个 FLASH擦除函数:FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange);FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors(uint8_t VoltageRange);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Sectors(uint8_t VoltageRange);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank2Sectors(uint8_t VoltageRange);对于前面两个函数比较好理解,一个是用来擦除某个 Sector,一个使用来擦除全部的 sectors。
对于第三个和第四个函数,这里的话主要是针对 STM32F42X 系列和 STM32F43X 系列芯片而言的,因为它们将所有的 sectors 分为两个bank。
所以这两个函数用来擦除 2个 bank 下的sectors的。
第一个参数取值范围在固件库有相关宏定义标识符已经定义好,为FLASH_Sector_0~FLASH_Sector_11(对于我们使用的 STM32F407 最大是FLASH_Sector_11),对于这些函数的第二个参数,我们这里电源电压范围是3.3V,所以选择 VoltageRange_3 即可。
flash 仿真实验报告
flash 仿真实验报告Flash 仿真实验报告概述Flash是一种常用的动画制作和交互式媒体开发工具,通过使用Flash,可以创建各种各样的动画、游戏和应用程序。
本次实验旨在通过Flash的仿真实验,深入了解其使用方法和功能特点。
实验过程在实验开始之前,我首先熟悉了Flash的界面和基本操作。
Flash的界面简洁明了,主要由工具栏、时间轴和舞台组成。
工具栏提供了各种绘图工具和功能按钮,时间轴用于控制动画的时间和顺序,舞台是我们进行绘图和设计的主要区域。
接下来,我开始进行实际的仿真实验。
我选择了一个简单的场景,以模拟一个小球从一边滚动到另一边的过程。
首先,我在舞台上绘制了一个小球,并使用Flash提供的颜色和渐变工具对其进行了着色。
然后,我使用工具栏上的运动工具,将小球放置在起始位置。
接下来,我需要为小球添加动画效果。
我在时间轴上选择了一个适当的时间段,并在该时间段内,通过调整小球的位置,实现了小球从起始位置滚动到终点位置的效果。
同时,我还调整了时间轴上的帧率,以控制动画的速度。
为了使动画更加生动,我还添加了一些特效。
通过使用Flash提供的滤镜功能,我给小球添加了阴影效果,使其看起来更加立体。
此外,我还在舞台上添加了一些背景元素,如树木和天空,以增加场景的真实感。
在完成动画效果后,我进行了一些测试和调试。
我使用Flash提供的预览功能,查看了动画的实际效果,并对其中可能存在的问题进行了修复。
通过不断的调整和优化,最终得到了一个满意的仿真实验结果。
实验结果通过本次实验,我深入了解了Flash的使用方法和功能特点。
Flash提供了丰富的绘图工具和动画效果,可以帮助我们创建出各种各样的动画和交互式媒体。
同时,Flash还支持多种输出格式,可以将我们的作品发布到网页、移动设备等平台上。
在实验过程中,我也遇到了一些挑战和问题。
例如,动画的流畅性和细节处理需要我们不断调整和优化。
此外,Flash的学习曲线较陡,需要花费一定的时间来熟悉和掌握其各项功能。
用Flash模拟EEPROM
用Flash模拟EEPROM本程序利用S08系列单片机的片内Flash模拟EEPROM。
解决部分8位机没有EEPROM 导致在运用上的局限。
本程序提供一个初始化函数和三个功能函数。
用户必须在调用功能函数前调用调用初始化函数。
三个功能函数分别是字节写入、字节读取、EEPROM全擦除。
用户必须保证调用功能函数前有至少30Bate的栈空间。
本程序参考飞思卡尔公司提供的《在HCS08 微控制器上使用FLASH 存储器模拟EEPROM》。
并在源程序的基础上精简了部分功能,减少了RAM使用量。
并尝试使用分页机制确定EEPROM地址。
接口函数的EEPROM地址寻址由页地址和页内偏移量组成。
即把用户定义的EEPROM 分为若干个大小为256字节的页。
其地址与FLASH地址的换算关系为:FLASH真实地址=EEPROM空间起始地址+页地址×256+页内偏移地址用户在使用EEPROM是只用确定数据保存在EEPROM的相对地址即可。
接口函数原型为:EEPROM_WRITE_DA TA(数据,页地址, 页内偏移地址);Char EEPROM_READ_DA TA(页地址, 页内偏移地址);1.程序流程分析与设计。
由于S08系列单片机在Flash写入时序中不能进行任何的Flash读操作,Flash写入指令必须放到RAM中执行并关闭所有可屏蔽中断。
程序流程如图13-1-?。
字节写入/.全擦除程序流程字节读取程序流程图13-1-?2.程序源代码。
此程序在CodeWarrior 6.0继承编译环境中编译通过/*****************************************************///河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室// 文件名:flash_program.h// CPU :MC9S08A W60// 版本:v1.0// 日期:2008年8月12日// 调试环境:CodeWarrior 6.0// 作者:曾滔// 描述: 头文件,用于保存初始化EEPROM设定、用户定制参数、编译器参数等信息。
用Flash模拟物体快速运动
用Flash模拟物体快速运动这次我们要讲的是在Flash影片中如何模拟物体快速运动,首先我因该清楚物体静止与移动之间的区别,在快速移动的过程中,你并不自清物体的具体形状,因为它运动的很快,就好象快速抛出一个球,感觉象只是一团影子,因为它太快了。
先来看下面的例子:这个例子中是模拟一个金属秋体在做快速运动,在运动过程中我11' 能看到一个模糊的影子,而当速度相对比较慢的时候才能看请他的具卡状。
其中快速移动的模糊影子是在非常少的3侦里做了比较远距离的在以突出速度感,影片中播放3侦的时间是非常少的,而它运动的距离丰较远,自然就感觉速度很快了:)好了!我们开始制作,这个影片中有两个物件,一个是金属球,1] 个是模糊的影子,都是独立的Symbol。
首先运行Flash,新文件,然后建立两个Symbol Graphic,一个为影子,使用矩形工具画一长方形,乡删除边线,选择泊漆桶工具。
打开Window s菜单下的Colo r属性面板,范渐变填充的线形(Linear)模式,然后拖动一个色标至中间稍右的位置范黑色,将其Alpha数调为50%,然后将两边色标的颜色选为透明,这样Ii 模糊的感觉。
当然也不一定非要是矩形,在实际应用中也可选择椭圆争状。
影子做好了,现在来制作另一个金属球的Symbol 首先选择圆开具画一圆,删除边线,打开Color属性面版,选择渐变填充的放射(Radial)模式。
在填充金属球的时候要注意反光部位,过度,背光等吉位,在这里我们只简单介绍一下,一共4个色标,由左至右将第一个它设置为白色,移动到四分之一位置为反光部分,第二个在大约五分之三位置,灰色,第三个四分之三,黑色,最后一个白色,然后将泊漆桶拍型的右上角进行填充,这样一个金属效果的球就基本出来了,至于精组部分可以自己在琢磨琢磨!物件做好以后开始将其放入TimeLine中,先来看看这副图片:哇虫草可以看到,这个影片一共三层,其中两个层是影子,用了3祯来边移动,而中间的则为金属球运动相对较慢时的祯,使用Motion进行过居至此你对这个效果的做法己经基本掌握了,可以看出这个效果中全包含非常复杂的技法而是通过一些常用的技巧来实现。
stm32Flash模拟eeprom心得(精品)
stm32Flash模拟eeprom心得(精品)STM32F10某FLASH模拟EEPROM心得花了几天时间研究tm32用Flah模拟EEPROM的问题,终于彻底弄懂了这种机制,由于我英文很菜,所以官方文档没有仔细看,而是直接去抠官方给出的例子程序,当然这种方法比较笨,但最终效果是一样的。
下面仅将我学习过程中的一些心得体会给大家介绍一下,希望能对需要的人有所帮助,有不足之处望大家积极指正。
首先推荐大家看的文档就是ST的官方文档《AN2594.pdf》和前辈总结出的《STM32FLASH模拟EEPROM使用和优化.pdf》和已经优化过的例程代码《FW_V3.1.0优化(FLASH模拟EEPROM).rar》下面开始进入主题1.为什么要用flah模拟eeprom?在许多应用场合下需要用eeprom保存非易失性的数据,但是意法半导体为了控制成本,没有在STM32F10某系列芯片中集成EEPROM,所以我们就需要用其内部集成的FLASH通过软件模拟EEPROM来达到同样的效果。
2.tm32中的片上FLASH特点根据《STM32F10某闪存编程》中的介绍,以小容量为例(如下图),我们要使用的是32个1K字节/页的主存储空间,也就是说这段空间里除了保存用户代码的部分,其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。
tm32的FLASH分为主存储块和信息块。
主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据,信息块用于负责由tm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)并锁死,用户无法更改。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
STM32的FLASH主存储块按页组织,有的产品每页1KB,有的产品每页2KB。
页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。
从这点来看,页面有点像通用FLASH的扇区上图中FLASH一页大小为1KB。
范围为从地址0某08000000开始的32KB内。
对Flah的写入操作要“先擦除后写入”的原则;闪存的读写涉及一个概念,字(Word)32bit和半字(HalfWord)16bit,虽然STM32FLASH也是由字节组成,但STM32FLASH的编程每次都是以16bit半字为单位,且FLASH地址必须为偶数,否则会出错。
flash模拟eeprpm原理
一、flash模拟EEPRPM的概念1.1 Flash模拟EEPRPM是指利用了一种类似EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电子可擦除可编程只读存储器)的技术来模拟EEPROM的功能,实现了在Flash芯片上进行快速的数据储存和擦除操作。
1.2 相比于传统的EEPROM,Flash模拟EEPRPM具有存储密度高、擦写速度快等优点,能够更好地满足现代电子设备对存储器的高要求。
二、Flash模拟EEPRPM的原理与特点2.1 存储单元Flash模拟EEPRPM采用的存储单元一般是由晶体管与浮栅电容构成,通过在晶体管上加压实现数据的擦写操作。
2.2 数据擦写Flash模拟EEPRPM通过给存储单元加电压,改变晶体管的导通性实现数据的擦写,与EEPROM相比,擦写速度更快。
2.3 存储密度Flash模拟EEPRPM的存储密度一般较高,能够在有限的存储空间内存储更多的数据。
2.4 寿命特性由于Flash模拟EEPRPM的擦写次数及寿命有限,需要考虑在设计电子设备时进行合理的擦写次数管理,以延长其寿命。
三、Flash模拟EEPRPM的应用领域3.1 汽车电子在汽车电子系统中,Flash模拟EEPRPM被广泛应用于发动机控制单元(ECU)、变速箱控制单元(TCU)等模块中,用于存储调校参数、工作日志等数据。
3.2 智能无线终端在智能无线终端系统中,Flash模拟EEPRPM被用于存储用户数据、系统配置等信息,提供更快的存储速度和更大的存储容量。
3.3 工业自动化在工业领域,Flash模拟EEPRPM被广泛应用于PLC、工控机等设备中,用于存储程序和运行参数。
四、Flash模拟EEPRPM的未来发展趋势4.1 存储密度的提升随着半导体制造工艺的不断进步,Flash模拟EEPRPM的存储密度将会进一步提升,满足更多应用场景的需求。
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用flash模拟“平抛运动”
•本课件用flash 8.0制作。
利用平抛运动的运动规律,动态地输入不同的初速度,就可逼真地模拟出平抛运动的运动过程,并能同时描绘出平抛运动的运动轨迹,课堂效果显著。
动画的实现原理
平抛运动可分解为水平方向上的匀速直线运动和竖直方向上的自由落体运动:
根据平抛运动的规律,水平方向上比较容易处理,X轴的坐标为
X=X+△X;△X取固定值。
竖直方向上是自由落体运动,也就是初速度为零的匀加速直线运动。
物体在第1单位时间、第2单位时间、第3单位时间内……的位移之比,等于从1开始的连续奇数之比,即
s1:s2:s3…… = 1:3:5 ……,
•为此,Y轴的坐标可如下处置:
•T=T+1;
•△Y=(2T-1);
•Y=Y+△Y;
•以上语句循环执行,可保证在水平方向上为匀速直线运动,Y方向上为匀加速直线运动。
其合运动就是平抛运动。
课件主要元件
•课件主要有以下几个元件构成:1个小球,2个按钮,1个接收数据的文本框及其它的说明文字。
每个元件放在不同的层上,共有5个层,其中包括一个 action(ActionScript)层。
如图所示。
制作步骤
•STEP 1 设置场景
大小可取默认值,背景色选一较浅的颜色。
•STEP 2创建一个电影剪辑----小球
插入/新建元件/影片剪辑,用工具栏里的画圆工具创建一个立体感较强的小球,除去边框,并使小球的球心和编辑区中心重合。
回到场景,从素材库中拖出新建影片剪辑小球的实例到场景中,并为剪辑实命名为ball,如图2所示。
并把该图层命名为ball。
STEP 3创建一个文本框
•添加一个图层,并命名为text。
在该层中插入一个文本框,属性为输入文本,实例名为text,变量名为vo ,该文本框用来动态输入初速度数值。
如上图所示
STEP 4 创建2个按钮层
•添加一个图层,命名为button 1,从库存中找一按钮拖入本层。
此按钮为开始实验按钮,再加入一静态文本框,输入内容为“开始”。
•再添加一个图层,命名为button2,从库存中找一按钮拖入本层,此按钮为清屏按钮,清除小球的画出的轨迹。
再加入一静态文本框,输入内容为“清屏”。
STEP 5 创建action图层
•添加一个图层,命名为action。
•至此,所需元件已创建出来了,把每层都扩展为4帧。
(插入帧)
插入帧
•选中欲插入帧的地方,鼠标右键并在弹出菜单中选择"Insert frame"(添加影格)。
•提示:如果前面的帧有内容,那么新增的帧跟前面的帧一模一样;如果选定的帧是空白帧,那么将在和这个帧最接近的前面的有内容的帧之间插入和前面帧一样的过渡帧。
空白关键帧(Blank Frame):
•在一个关键帧里,什么对象也没有,这种关键帧,我们就称其为空白关键帧。
•提示:关键帧、过渡帧的用途还好理解,那么空白关键帧中既然什么都没有,那还有什么用途?呵呵,它的用途可大了,特别是那些要进行动作(Action)调用
的场合,常常是需要空白关键帧的支持的。
•从字面上就已经写得比较清楚了。
•插入关键帧,是为制作动画服务的。
动画都是以关键帧为基础的。
•插入帧主要用在关键帧之间的动画。
如原来动画只有5帧,在中间可以插入一帧。
•插入空白关键帧即插入一个关键帧,画面上的内容为空。
•清除帧是清楚帧里的内容,帧还是存在的,而删除帧是删除这个帧,这个帧就没了
STEP 6 加入代码
•在action层的第一帧,在专家模式下加入:
stop();
T=0;
setProperty("ball", _x, 105);
setProperty("ball", _y, 100);
_root.moveTo(105,100);
(root固定)
•在action层的第二帧,在专家模式下加入:
x1 = getProperty ( "ball", _x );
y1 = getProperty ( "ball", _y);
_root.lineStyle(1, 0xFF0000, 80);
_root.lineTo(x1,y1);
if(y1>=350) gotoAndPlay(4);
(“1”定义了所绘制线段的宽度为1 像素;“0xFF0000”是红颜色的二进制代码;“80"定义了线段的不透明度为80% )
在action层的第三帧,在专家模式下加入T=T+1;
move_y = (2*T-1);
setProperty("ball", _x, x1+move_x);
setProperty("ball", _y, y1+move_y);
gotoAndPlay(2);
(Property性能)
•在action层的第四帧,在专家模式下加入:
stop();
为“开始”按钮加入:
on (release) {
move_x =parseInt(v0);
gotoAndPlay(1);
}
•注意:不在时间轴上操作,点右键——动作脚本
•parseInt返回整形
•为“清屏”按钮加入:
on (release) {
_root.clear();
_root.moveTo(105,100);
}
•按ctrl+enter键进行测试,输入不同的“初速度”模拟数值进行实验,运动小球就描出不同的平抛曲线。
至此,设计工作已基本结束,当然还可再添加一些文字说明,加入一些背景图片,或让小球在坐标背景下运动等,对作品进一步美化使之更加完美实用。
•该课件制作思路清晰,简单易行,可操作行强,是多媒体技术在物理教学中的具体运用;是对平抛物体运动实验的有力补充,加深了学生对这一物理规律的深刻理解,提高了学生学习物理的兴趣。
•有关材料发至邮箱
jiaoyujishu12@(密码201004) •公共邮箱请不要删除资料
本周操作:平抛运动、前面所讲内容(点名、操作实践30分)
作业:一次5分(15分)
操作:一次2分(15分)
上课:缺一次扣2分(20分)
•考试50分。