中职电子技术基础练习题(第一二章)
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
《电子技术基础》试卷1--电子信息类
学校： 专业： 班级： 学号： 姓名： ………………………密…………封…………线…………内…………不…………要…………答…………题………………………2012级中职电子信息类专业学业水平测试练习卷（一）电子技术基础 试卷（满分100分，考试时间100分钟）一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分。
将唯一正确选项的序号填入下列答题栏）1．数字式万用表量程开关转至标有二极管符号的位置，进行二极管的测量，当显示电压值为0.7V 时，可知其半导体材料及二极管的极性分别为A. 硅材料，红表笔接正极B. 硅材料，黑表笔接正极C. 锗材料，红表笔接正极D. 锗材料，黑表笔接正极2．用指针式万用表检测题2图所示三极管，红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接2、3脚时，指针偏转角均较大。
这说明三极管A ．为PNP 型，且1脚为基极B ．为PNP 型，且2脚为基极C ．为NPN 型，且1脚为基极D ．为NPN 型，且2脚为基极3u i+-o题2图 题4图3．以下关于放大器性能指标的叙述中，正确的是A ．输入电阻越小，对信号源的影响就越小B ．输出电阻越小，带负载能力就越弱C ．通频带越宽，选频能力就越强D ．电压放大倍数小于1时，为电压衰减器 4．功放电路如题4图所示，下列关于该电路的各种叙述中，错误的是 A ．为乙类功放电路 B ．最高效率为78.5% C ．为OTL 功放电路 D ．为OCL 电路5．电路如题5图所示，电容C 2的作用为A ．实现选频B ．实现振荡C ．实现耦合D ．滤除高频噪声–O题5图6．如题6图所示电路中，可能产生自激振荡的电路为（A）CC（B）R R C ECC（C）CC（D ）L题6图7．某组合逻辑电路的输出F 与输入A 、B 的波形如题7图所示，则该电路的逻辑功能为 A ．与非 B ．或非C ．异或D ．与A B F题7图 题9图8．若译码驱动器输出为低电平，则LED 显示器应选用A ．共阳极显示器B ．共阴极显示器C ．共阴极或共阳极显示器D ．以上都不是 9．题9所示的电路中，电路实现的功能相当于A ．RS 触发器B ．D 触发器C ．T 触发器D ．T’触发器10．欲将某时钟频率为32MHz 的CP 变为16MHz 的CP ，所需二进制计数器的个数至少为A. 16个B. 8个C. 2个D. 1个二、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分。
电子技术基础试题库(1~6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。
答：导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性，特性和特性。
答：热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。
答：单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答：0.7V、0.3V。
（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
答：最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。
答：小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。
答：电、光、光、电。
7、三极管有三个电极，即极、极和极。
答：集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答：NPN、PNP。
（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。
答：电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。
答：0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。
答：I C=βI B。
（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答：增加、小。
12、三极管的极限参数分别是，，和。
答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答：放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。
答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答：使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
电子技术基础试题
电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。
单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）N２、二极管是线性元件。
（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。
（）N４、二极管具有单向导电性。
（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。
（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。
《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案
《电子技术基础》（中职电工类第五版）全章节习题集+参考答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。
3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。
4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。
5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。
7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。
10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。
11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。
12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。
14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。
15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。
16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。
17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。
18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。
19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。
20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。
22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。
23.将交流电变换成直流的过程叫整流。
24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
《电子技术基础》练习册
第一章整流滤波电路一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、利用二极管的，可将交流电变成。
4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。
14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、常用的整流电路有和。
16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。
A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
电子技术基础l练习习题答案 (1)教学文案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. T U U I e SC. )1e (S －T U U ID. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈，反向饱和电流I S≈，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
中职电子基础试题及答案
中职电子基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电子电路中，二极管的主要作用是：A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 振荡答案：B2. 在数字电路中，逻辑与门的输出为高电平的条件是：A. 所有输入端均为高电平B. 至少有一个输入端为高电平C. 所有输入端均为低电平D. 至少有一个输入端为低电平答案：A3. 晶体三极管的放大作用是基于：A. 欧姆定律B. 基尔霍夫定律C. 光电效应D. 量子隧道效应答案：B4. 以下哪种元件不是构成RC振荡器的元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D5. 在电子电路中，稳压二极管的主要功能是：A. 整流B. 稳压C. 放大D. 开关答案：B6. 集成电路的英文缩写是：A. ICB. PCBC. LEDD. LCD答案：A7. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 锯齿波答案：D8. 电子电路中的反馈可以分为：A. 正反馈和负反馈B. 直流反馈和交流反馈C. 电压反馈和电流反馈D. 串联反馈和并联反馈答案：A9. 电子电路中的滤波器，其主要作用是：A. 放大信号B. 整流信号C. 滤除噪声D. 产生振荡答案：C10. 电子电路中的振荡器，其主要作用是：A. 放大信号B. 整流信号C. 产生周期性信号D. 滤除噪声答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些元件可以用于构成振荡器？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：ABC2. 在数字电路中，以下哪些门电路可以实现逻辑与功能？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A3. 晶体三极管的三个主要极是：A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 栅极答案：ABC4. 以下哪些元件可以用于构成滤波器？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：ABC5. 以下哪些因素会影响电子电路的稳定性？A. 温度B. 电源电压C. 元件老化D. 信号干扰答案：ABCD三、判断题（每题2分，共10分）1. 晶体三极管的放大倍数与工作温度无关。
电子技术基础习题答案解析
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
中职电子技术基础考试
一．填空（每空2分，共30分）1.产生和处理数字信号的电路称为（）。
2.自然界中的物质，按导电能力的不同，可以分为（），（）和（）。
3.当给二极管两极加反向电压时，若反向电压不断增大，当大到一定数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为（）。
4.三极管各电极上的电流分配为（）。
5.三极管的三种基本连接方式为（），（）和（）。
6.在三极管的输出特性曲线中，当V CE大于1V左右以后，无论V CE 怎样变化，I C几乎不变，这说明三极管具有（）特性。
7.某PNP三极管，已知其V C为-8V，V B为-3.3V，V E为-3V，则此三极管处于（）状态，为（）三极管。
8.在单相半波整流电路中，当二极管截止时，负载承受的反向峰值电压为变压器二次侧电压的（）倍。
9.一个放大器的（）的设置是否合适，是放大器能否正常工作的主要条件。
10.判断电路反馈是正反馈还是负反馈，可用（）。
二.选择（每题2分，共30分）1.放大器引入负反馈后，其放大倍数（）A变大B变小C不变D不定2.射极输出器的电压放大倍数近似为（）A 0B 2C 1D 43.放大器的输出电阻越大，表示带负载能力越（）A强B弱 C 无影响D不清楚4.对电压放大器的基本要求为：放大倍数尽可能（），失真要（）A大，小B小，小C小，大D大，大5.射极输出器的输入电阻和输出电阻的关系为（）A输入电阻大，输出电阻大B输入电阻大，输出电阻小C输入电阻小，输出电阻大D输入电阻大，输出电阻小6.放大器无信号输入时称放大器的（）A静态B动态C工作点D稳态7.饱和失真和截止失真统称为（）A线性失真B非线性失真C畸变失真D有源失真8.电容滤波是将电容器（）在负载两端。
A串联B并联C串接D不定9.将光信号变为电信号的半导体器件称为（）A光电二极管B稳压二极管C三极管D功率管10.电容滤波是利用了电容器的（）效应。
A充放电B隔直流C通交流D储能11.不可控整流电路由（）组成。
A二极管B稳压管C晶闸管D光电管12.锗管的死区电压为（）A 0.3VB 0.2VC 0.5VD 0.7V13.半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为（）A电流控制型器件B电压控制型器件C串联控制型器件D并联控制型器件14.下列能自动稳定工作点的电路为（）A分压式偏置电路B基本放大电路C震荡电路D滤波电路15.当放大器的温度升高时，（）将增大。
中职人教版电子技术基础与技能辅导与练习参考答案
电子技术基础与技能辅导与练习参考答案第一章晶体二极管及其基本应用一、课堂练习题（一）填空题1. 半导体2. 热敏特性、光敏特性、掺杂特性3. 热敏、光敏、掺杂4. 不含杂质的纯净P N PN5. PN6. 单向导电性正极负极截止7. 硅锗硅锗8. 正向反向9. 截止导通电流10. 整流整流电路11. 二极管正向偏置时两端电压与流过电流二极管反向偏置时两端电压与流过电流长时间最大正向最高反向峰值电压12. 非线性13. 半波整流全波整流桥式整流14.U2U2/R L 15. 0.9U20.9U2/R L 16. 滤波17. 充、放电缩短18. 限流电阻19. 1A 20. 略21. AC50V DC50V A B（二）单项选择CADBB DBBBA ADBDA BBD（三）判断题√××××√×√××√×√√√（四）作图题1. 2.3. 4.（五）简答题1.见教材。
2.见教材。
3.见教材。
4.负载RL1和RL2两端是直流电压，RL1两端为上‘+’下‘-’；RL2两端为上‘-’下‘+’。
当变压器输出为正半周时，VD1导通，VD2截止，负载RL1中有至而下的电流流过，负载RL2中没有电流。
当变压器输出为负半周时，VD2导通，VD1截止，负载RL2中有至而下的电流流过，负载RL1中没有电流。
这个电路实际上是两个半波整流组合在一起，可以输出对称的正负双电源。
5.见教材。
6.这个现象是正常的，因为二极管是非线性元件，它的阻值会随着两端电压和流过电流的不同而不同，而指针式万用表电阻档的各个档位的输出电压和电流均不相同（Ｒ×1档的电流最大），所以指针式万用表测二极管，各个档位测试出二极管的阻值不相同。
而普通电阻是线性元件，其阻值不会受两端电压和流过电流的影响，所以各个档位测出电阻的值是一样的。
（六）计算题1.V Uo2.16= 二极管V U RM 5.25≥ mA I F 81≥2.提示：首先判断稳压二极管能否反向击穿，方法是与本书例题1中判断二极管是否导通的方法一样；其次若稳压二极管能反向击穿，就要判断稳压二极管能否正常工作，就要考虑在电路中的实际功耗会不会大于稳压二极管的额定功耗。
电子技术基础l练习习题答案 (1)
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
最新中职电子技术基础试题(一)(加工制造类)机械制造与控制)
电子技术基础（46）选择题（将正确答案的字母填入括号内）1.PN结在外加正向电压作用下，内电场（ B ）。
A．增强 B. 削弱 C. 不变 D. 为零2.PN结在外加正向电压作用下，扩散电流（ C ）漂移电流。
A．等于 B. 约等于 C. 大于 D. 小于3.P型半导体中，空穴是（A B）。
A．多数载流子 B. 带正电 C. 带负电 D. 少数载流子4.P型半导体中，自由电子是（ C D ）。
A．多数载流子 B. 带正电 C. 带负电 D. 少数载流子5.N型半导体中，自由电子是（A C）。
A．多数载流子 B. 带正电 C. 带负电 D. 少数载流子6.N型半导体中，空穴是（B D）。
A．多数载流子 B. 带正电 C. 带负电 D. 少数载流子7.将二极管加适当的正向电压，则空间电荷区将（ B ）。
A．变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 不定8.一个半波整流电路的变压器副边电压为10V，负载电阻为250Ω，流过二极管的平均电流为（ D ）。
A．90 mA B. 180 mA C. 9 mA D. 18 mA9.桥式整流电路的变压器副边电压为20V，每个整流二极管所承受的最大反向电压为（ B ）。
A. 20 VB. 28.28 VC. 40 VD. 56.56 V10.在图1.12所示电路中，u i＝l0sinωt V，若稳压管D z1和D z2的稳定电压U＝5 V，正向压降U D≈0，则可知u 0的幅值Uom＝（ D ）。
A．20 V B. 10 V C. -10 V D. ±10 V11.测量桥式整流电路的输出直流电压为9 V，此时发现有一只二极管已经断开，其变压器副边电压为（ A ）。
A. 20 VB. 10 VC. -10 VD. ±10 V12.在图（ A ）所示电路中，u i＝12 V，设U D＝0.6 V，输出电压u 0的幅值为（ A ）。
A．11.4 B. 0 C. 12 D. 0.6。
中职电子技术基础考试试题(1)
第 1 页 共 2 页《电子技术基础》试题时间：90分钟一、填空题（1*35=35）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 、 、 和 三类。
2、PN 结正偏时，P 区接电源的 极，N 区接电源的 极。
3、二极管的主要特征是 ，硅二极管的死区电压为 ，锗二极管的死区电压为 。
6、晶体三极管有两个PN 结，即 结和 结；有三个电极，即 、 和 。
7、晶体三极管的输出特性可以分为三个区域，即 、 、和 。
8、放大电路按三极管连接方式可分为 、 、和 。
9、放大器中晶体三极管静态工作点是指 、 和 。
10、画放大电路的直流通路时，把 看成开路；画放大电路的交流通路时，把 和 看成短路。
11、多级放大电路常用的级间耦合方式有 、 、和 。
12、通常采用 法判别正反馈还是负反馈。
13、射极输出器也叫 ，是 负反馈放大器；它的电压放大倍数 ，输出电压与输入电压相位 。
14、要使电路产生稳定的振荡，必须满足 和 两个条件。
二、判断题。
（2*5=10）1、（ ）PN 结正向偏置时导通，反向偏置时截止。
2、（ ）晶体二极管是线性元件。
3、（ ）负反馈提高了放大器放大倍数的稳定性。
4、（ ）直接耦合放大器级数越多，零漂越小。
5、（ ）理想集成运放的同相输入端和反相输入端之间不存在“虚短”、“虚断”现象。
三、选择题。
（ 3*10=30 ）1、如果晶体二极管的正反向电阻都很大，则晶体二极管（ ）。
A 、正常B 、已被击穿C 、内部断路2、当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（ ）。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态3、NPN 型晶体三极管中，管子各极电位是U B =4、7V ， U C =4、3V ，U E =4V ，则该晶体三极管的工作状态是（ ）。
班级 姓名 学号A、截止状态B、饱和状态C、放大状态4、三极管放大作用的实质是（）。
A、三极管可以把小电流放大成大电流。
B、三极管可以把小电流放大成大电压。
中等职业技术学校：电子技术基础试题库1.
中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题1一、选择(本大题共13小题，总计34分) 1.(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大 ，反向电阻小 (c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大 2.(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”， 断开为“0”， 电灯亮为“1”， 电灯暗为“0”， 则该电路为 ( )。
(a)“ 与” 门 (b)“ 或” 门 (c) “ 非” 门A3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 (b) RF1和RF2引入的均为负反馈 (c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈-∞＋R R4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在 （ ）。
(a) O 点 (b) A 点 (c) B 点 (d) C 点U omfm5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（ ）。
(a)f L C C C C o ≈+121212π()(b) f L C CC C o ≈+121212π()(c) f L C C C C o ≈+11212()+U CC6、(本小题2分)整流电路如图所示， 直流电压表V （内阻设为无穷大） 的读数均为90 V ，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（ ）。
～～D ()a ()b 7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大， 则正向转折电压 （ ）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大 (c) 保持不变 8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~25.5V 的模拟电压。
中职电子技术基础课后习题答案
第一章半导体器件的基本知识1-1什么是PN结？PN结有什么特性？答：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密的结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
PN结具有单项导电性，PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止。
1-2为什么说二极管是一种非线性器件？什么是二极管的伏安特性？他的伏安特性曲线是如何绘制的？答：二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者的关系称为二极管的伏安特性。
用于描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。
从二极管的特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。
1电路：电源、开关、滑动变阻器、电流表、二极管、保护电阻串联连接，二极管上并联电压表。
2，建立坐标系：横轴为电压，纵轴为电流。
3，打开开关接通电路，调节滑动变阻器，对电压及对应的电流的变化作详细记录。
4，根据记录的数据，在坐标系中画出相应的点，把这些点连成线就是二极管的伏安特性曲线(如下图所示）。
1-3 为什么二极管可以当做一个开关来使用？答：由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧;在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10兆欧以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。
利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。
1-4 选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：最大整流电流I F：二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。
使用二极管时，应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值（它是二极管的极限参数），否则可能损坏二极管。
最高反向工作电压V RM：二极管正常使用时所允许加的最高反向电压。
使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。
1-5 分析图1-5图所示电路，各二极管是导通还是截止？试求出AO两点间的电压（设二极管正向电阻为0,；反向电阻为∞，即二极管为理想二极管）。
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电子技术基础练习题
一、填空题：(每空1分，共5分)
1.P型半导体的多数载流子是。
2.硅管导通电压是。
3.单相桥式整流电路接电容滤波后负载输出电压Vo= V
2
4.在下图所示电路中，已知晶体管的β＝80，r be＝1kΩ，u i＝20mV；静态时U BEQ
＝0.7V，U CEQ＝4V，I BQ＝20μA，则电压放大倍数等于。
5.射随器的电压放大倍数为。
二、选择题：（每小题1分，共5分）
1.某只硅稳压管的稳定电压Uz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）
和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）
A +5v和-5v
B -5v和+4v
C +4v和-0.7v
D +0.7v和-4v
2.万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。
A、已经击穿；
B、完好状态；
C、内部老化不通；
D、无法判断
3.若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）
A、发射结正偏、集电结正偏；
B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏；
D、发射结反偏、集电结正偏。
4.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。
A、输出电压约为2U
B、变为半波直流
C、整流管将因电流过大而烧坏
o
D、输出电压等于零
5.测得某放大电路中晶体管的三个管脚1，2，3 的电位分别为2V，6V 和2.7V，
则该晶体管为（）。
A、NPN 型硅管
B、NPN 型锗管
C、 PNP 型硅管
D、 PNP 型锗管。