模拟电子技术基础王远第三版第2章习题答案
北理工-模拟电子技术基础第三版王远-第二章习题解答
1.13M
2.求Au和Aus.
•
•
U i I B rbe
•
Uo
RC R L RC RL
•
IC
RC R L RC RL
•
IB
•
RCRL
Au
Uo
•
Ui
rbb '
RC RL
1 26
0 .5
112
•
Aus
Uo
•
83
Us
3.求Ri和Ro.
•
R i U I•ii R R BB rbrebe2.7kR oR C16k
Ri rbe//R11.3k Ro RC//R27.3k
2-25:如图,已知电路中晶体管的β=100,rbe=2.7kΩ 静态时,UBEQ=0.7V,ICQ=1mA,UCEQ=4V各电容足 够大,基极对地电压UBQ≈5UBEQ , I1≈10IBQ。
Au
(RC // RL) rbe (1 )RE
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE]
(UOM)M= ICQRL’= 5.2V 在 UCEQ-UCES=9V和 ICQRL’=5.2V中取小的一个。
2-14:放大电路如图,已知晶体管的β=50, rbb’=100Ω,Rs=1kΩ。
1.要使ICQ=0.5mA,求 RB=? 解:分析静态工作点
I BQ
I CQ
10A
RB
VCC U BEQ I BQ
大区,发射结正偏、集电结反偏。 (2)输入信号能加到基极,输出信号能够取得
出来。
a) 由图可知为PNP型则需
UeUbUc
电路中b、c两极电压为 正值,e极接地,不满足发 射结正偏、集电结反偏条 件。
模拟电子技术基础第三版课后答案免费
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章 基本放大电路题解
第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
()解:(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解:(a)不能。
因为输入信号被V B B短路。
(b)可能。
(c)不能。
因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。
因为输入信号被C2短路。
(f)不能。
因为输出信号被V C C短路,恒为零。
(g)可能。
(h)不合理。
因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中, 已知V C C =12V ,晶体管的β=100,'b R =100k Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当iU =0V 时,测得U B E Q =0.7V ,若要基极电流I B Q =20μA , 则'b R 和R W 之和R b= ≈ k Ω;而若测得U C E Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。
(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'o U =0.6V , 则电压放大倍数uA = ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U = = V 。
大学_《模拟电子技术基础》第三版(王远张玉平著)课后答案下载
《模拟电子技术基础》第三版(王远张玉平著)课后答案下载《模拟电子技术基础》第三版图书内容第1章半导体基础及二极管应用电路1、1半导体基础知识1、1、1本征半导体1、1、2杂质半导体1、1、3漂移电流与扩散电流1、2PN结1、2、1PN结的形成及特点1、2、2PN结的单向导电特性1、3晶体二极管及其应用1、3、1晶体二极管的伏安特性1、3、2二极管的直流电阻和交流电阻1、3、3二极管模型1、3、4二极管应用电路举例1、3、5稳压管及其应用1、3、6PN结电容效应及应用1、3、7__特殊二极管__小结思考题与习题1第2章晶体三极管基础2、1双极型晶体三极管2、1、1BJT的工作原理2、1、2BJT的静态特性曲线2、1、3BJT主要参数2、1、4BJT小信号模型2、2结型场效应管2、2、1JFET的结构和工作原理 2、2、2JFET的特性曲线及参数 2、2、3JFET的小信号模型2、3金属-氧化物-半导体场效应管2、3、1N沟道增强型MOSFET工作原理2、3、2N沟道耗尽型MOSFET工作原理2、3、3MOSFET小信号模型2、3、4场效应晶体管与双极型晶体管的比较__小结思考题与习题2第3章晶体管放大电路基础3、1放大电路的基本组成和工作原理3、1、1基本放大器及其模型3、1、2放大电路的组成及其直流、交流通路3、1、3放大电路的图解法3、2三类基本组态放大电路的交流特性分析3、2、1共射和共源放大电路3、2、2共集和共漏放大电路3、2、3共基和共栅放大电路3、2、4三类基本组态放大电路的比较3、3多级放大电路3、3、1多级放大器耦合方式3、3、2多级放大器性能指标的计算3、3、3组合放大器__小结思考题与习题3第4章模拟集成基本单元电路4、1半导体集成电路概述4、2恒流源和稳定偏置电路4、2、1BIT参数的温度特性4、2、2BJT恒流源4、2、3MOS恒流源4、3带恒流源负载的放大电路4、3、1BJT有源负载放大电路4、3、2MOS有源负载放大电路4、4差动放大器4、4、1差放的偏置、输入和输出信号及连接方式4、4、2差动放大器的大信号差模传输特性4、4、3差动放大器的微变等效分析4、4、4有源负载差动放大器4、4、5MOS差动放大电路4、5功率输出级电路4、5、1功率放大器的特点、指标和分类4、5、2互补推挽乙类功率放大器4、5、3其他乙类推挽功率放大器4、5、4MOS输出级电路4、5、5达林顿组态4、6BiCMOS电路__小结思考题与习题4《模拟电子技术基础》第三版本书目录本书为“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。
如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。
u A ,↓。
u A ↓。
u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,基本不变u Ai U +--oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解:①直流负载线方程为:()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻。
《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的根本概念和根本定律1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
此题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P 1=-U 1×3= -〔-5〕×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ; P 3=U 3×〔-1〕=-3×〔-1〕=3W ; P 4=-U 4×〔-4〕=-〔-3〕×〔-4〕=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中,)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。
解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==-()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中,I=2A ,求U ab 和P ab 。
解:U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V , 电流I 与U ab 为关联参考方向,因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中, I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,+U 4-题1.1图ba题1.3图+u L-1/题1.2图题1.4图U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
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1.13M
2.求Au和Aus.
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RC R L RC RL
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RC R L RC RL
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Aus
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3.求Ri和Ro.
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Ri U I•ii R R BB rbrebe2.7kRoRC16k
直流通路 a)
交流通路
直流通路 b)
交流通路
2-10:共射基本放大电路中,已知晶体管的 β=50,Vcc=12V。
1 、 当 R C 2 .4 K , R B3 0 0 k 时 , 确 定 静 态 工 作 点 IB Q , IC Q , U C E Q 。
解:将输入短路、电容器视为开路
I BQ ICQ ,U BEQ 0.7V
I BQ
VCC
U BEQ RB
37 A
ICQ I BQ 1.88mA
U CEQ VCC ICQ RC 7.488V
2.若要求 UCEQ6V、 ICQ2mA,求RB和RC。
U CEQ 6V 、 I CQ 2 mA
RC
V CC
U CEQ I CQ
3k
I BQ
I CQ
北理工-模拟电子技术基础 第三版王远-第二章习题答
案
2-4:在放大电路中测得晶体管各电极对地的 直流电压如下所列,确定它们各为哪个电极, 晶体管是NPN型还是PNP型?
晶体管工作在放大区时发射结正偏、集 电结反偏。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。
(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
(×)(3)线性电路一定是模拟电路。
(√)(4)模拟电路一定是线性电路。
(×)(5)放大器一定是线性电路。
(√)(6)线性电路一定是放大器。
(×)(7)放大器是有源的线性网络。
(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。
(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。
(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。
(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。
(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。
(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。
(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。
(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。
(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。
(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。
(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。
(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。
3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.2 2.84.5 3.5D m GS i g mSu ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。
如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R bR e i U +o U R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ,↓。
u A ↓。
u A ④增大β,则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础第三版课后答案王远
模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一:模电资料】术基础是高等院校电气、信息类(包括原自动化、电气类、电子类)专业知识平台重要核心课程,是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容,工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础;其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础;其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论,基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上,重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法,使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础 analog electronics二、学时与学分本课程学时: 60学时(课内) 本课程学分: 3.5学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数 18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数 8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二:模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系(院)课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论+实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009年 12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称:模拟电子技术课时:72适用专业:应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术 1.课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程,是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程,是十分强调应用实践的工程性质的课程,对人才培养有着至关重要的作用。
模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc
模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一:模电资料】术基础是高等院校电气、信息类(包括原自动化、电气类、电子类)专业知识平台重要核心课程,是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容,工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础;其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础;其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
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培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时:60 学时(课内) 本课程学分: 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。
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六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二:模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系(院)课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论+实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称:模拟电子技术课时:72适用专业:应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1.课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程,是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程,是十分强调应用实践的工程性质的课程,对人才培养有着至关重要的作用。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。
如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3(b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V,R b=530kΩ,R L=5MΩ,试:①估算静态工作点;值;R bC1R+习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
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b)
b极对地电位为0,无基极偏置电流。应该将 b极经一电阻接VCC。
C)
b极直接与VCC相连,电压超过C极电压,集电 结不能反偏。(Dz:且输入被短路)应该将b 极经一电阻接VCC。或采用分压偏置式。
d)
无基极偏置电流。 应将RB跨接到b极和VCC之间。
e)
三极管三极电位可 以满足c>b>e, 工作在 放大区,故电路可以 正常放大
1、当R 2.4K ,R 300k 时,确定静态工作点 C B I ,I ,U 。 BQ CQ CEQ
解:将输入短路、电容器视为开路
I BQ I CQ ,U BEQ 0.7V
I BQ VCC U BEQ RB 37A
I CQ I BQ 1.88m A U CEQ VCC I CQ RC 7.488 V
f)
三极管三极电位可 以满足c>b>e, 工作在 放大区,故电路可以正 常放大。VD为保护二 极管。
g)
输出直接与地短接,无法将信号取出。 应该在C极和VCC之间接一个电阻。
h)
交流通路中,直接将输入信号短路,无法 加在输入端。应该将CB电容开路。
2-8 画出各放大电路的直流通路及交流通路,图 中所有电容对交流均可视为短路。
用到的表达式:
( RC // RL ) Au rbe (1 ) RE Ri RB1 // RB 2 //[rbe (1 ) RE ] Ro RC
解:当RE=0时,分析静态工作点:
RB 2 VCC UB 2.12V RB1 RB 2 U B 0.7V IE 1.42mA RE RE1 1.42 IB 0.014mA 100 U CEQ VCC I C RC I E ( RE RE1 ) 18 1.42 8.2 1.42 1 5V IE
I EQ I CQ U CEQ
1 VCC I EQ RE 7.7V
I EQ 2.1mA
2.
26m V rbe rbb ' (1 ) 1.35k I CQ
' (1 ) RL Au 0.987 ' ' U i I b rbe I e RL rbe (1 ) RL
U BQ U BEQ
VCC (U BQ U BEQ ) U CEQ I CQ
I1 10 I BQ 0.1mA 且I BQ 非常小 VCC Rb1 Rb 2 120k I1 Rb1 35k , Rb 2 85k
2.求电压增益Au,Ri和Ro
RC I c
RC RL Uo RC RL Au 112 26 U i rbb ' 1 0.5
Aus
Uo
83
Us
3.求Ri和Ro.Leabharlann Ri Ui
Ii
RB rbe 2.7k RB rbe
Ro RC 16k
2-17:放大电路如图,已知晶体管的β=60, rbb’=100Ω,分别求当RE=0及RE=200Ω时,放大电 路的Au、Ri和Ro。并分析RE对电路性能的影响。
画直流通路要点: 将放大电路中的电容视为开路,电感线圈 视为短路。交流信号源短路,但应保留内阻。 画交流通路要点: 电路中容量较大的隔直电容视为短接。内 阻小的直流电源可以看作对地短路。
直流通路
a)
交流通路
直流通路 b)
交流通路
2-10:共射基本放大电路中,已知晶体管的 β=50,Vcc=12V。
图解法的适用范围适用于分析输入信号幅值 比较大而工作频率f 不太高时的情况。 实际应用中,多用于分析Q点位置、最大不失 真输出电压和波形失真.
I BQ
VCC U BE VCC 50 A RB RB
U CEQ VCC I CQ RC 和纵轴的交点为(0, 5mA) 1 1 斜率 - ,所以I CQ 2.6mA U CEQ 10V RC 4
Ii Ro RC 8.2k
当RE=200Ω时,分析静态工作点:
RB 2 VCC UB 2.12V RB1 RB 2 U B 0.7V IE 1.18mA RE RE1
动态时:
rbe rbb ' (1 ) 26mV 2.33k
(1 )( RE // RL ) 用到的表达式: Au rbe (1 )( RE // RL ) Ri RB //[rbe (1 )( RE // RL )] rbe RB // RS Ro RE // 1
解:静态工作点
U BQ RB 2 VCC 5V RB1 RB 2 U BQ 0.7V RE 2.15mA
动态时:
rbe rbb ' (1 ) 26mV 1.95k
' RL RL // RC 3.53k ' RL Au 180 U i rbe (1 ) RE
IE
Uo
Ri
Ui
RB1 // RB 2 // rbe 1.76k
Uo
' I e RL
' Ri RB1 // RB 2 //[rbe (1 ) RL ] 21.8k
rbe RS // RB1 // RB 2 Ro RE // 23 1
2-24:如图,已知电路中晶体管的β=50, rbb’=300Ω,静态时,UCEQ=4V,UBEQ=0.7V,各 电容足够大,对交流信号视为短路。试: 1.设R1=R2,估算R1、R2值.
Aus
Uo
Us
Ri Au 83 Ri Rs
3.求Ri和Ro
Ri rbe // R1 1.3k Ro RC // R2 7.3k
2-25:如图,已知电路中晶体管的β=100,rbe=2.7kΩ 静态时,UBEQ=0.7V,ICQ=1mA,UCEQ=4V各电容足 够大,基极对地电压UBQ≈5UBEQ , I1≈10IBQ。
Q
2.分别求出负载电阻RL=∞和RL=4kΩ时,最大不 失真输出电压的幅度(Uom)M。设UCES=1V。 解: RL ,交、直流负载线重合,如红线。
Q
(UOM)M=UCEQ-UCES =10V-1V=9V 在VCC-UCEQ=10V和 UCEQ-UCES=9V中取小 的一个。
UCES
=9V
模拟电子技术基础
第二章 双极型晶体三极管和基本放大电路 习题解答
2-4:在放大电路中测得晶体管各电极对地的 直流电压如下所列,确定它们各为哪个电极, 晶体管是NPN型还是PNP型?
晶体管工作在放大区时发射结正偏、集 电结反偏。 NPN PNP
U c Ub U e
U e Ub Uc
0.3V 0.7V
2-7 根据放大电路的组成原则判断电路能否正 常放大?如果不能,指出其中的错误,并加 以改正。
放大电路的组成原则: (1)要有合适的静态工作点,晶体管工作在放 大区,发射结正偏、集电结反偏。 (2)输入信号能加到基极,输出信号能够取得 出来。
a) 由图可知为PNP型则需
U e Ub Uc 电路中b、c两极电压为 正值,e极接地,不满足发 射结正偏、集电结反偏条 件。 应该把VCC接负电压。
' RL RL // RC 3.53k ' RL Au 15.7 U i rbe (1 ) RE
IE
Uo
Ri
Ui
RB1 // RB 2 //(rbe (1 ) RE ) 6.3k
Ii Ro RC 8.2k
锗管 硅管
U BE
A管:U x 12V , U y 11.7V , U z 6V 根据x,y差值为0.3判断出z为c极,又由 c极电压最小,判断出管子为PNP型,则e 极电压比b极要高,故x为e极,y为b极。 B管 U 5.2V , U 1V , U 5.5V x y z 根据x,z差值为0.3判断出y为c极,又由 c极电压最高,判断出管子为NPN型,则b 极电压比e极要高,故x为b极,z为e极。
2-14:放大电路如图,已知晶体管的β=50, rbb’=100Ω,Rs=1kΩ。 1.要使ICQ=0.5mA,求 RB=? 解:分析静态工作点
I BQ RB I CQ
10A 1.13M
VCC U BEQ I BQ
2.求Au和Aus.
U i I B rbe
RC RL RC RL Uo IC IB RC RL RC RL
当RE=0时,
Au 180 Ri 1.76k Ro 8.2k
当RE=200Ω时,
Au 15.7 Ri 6.3k Ro 8.2k
综上所述,当引入电阻RE时,会使得电路的|Au| 下降,输入电阻Ri上升。
2-19:射极输出器电路如图,已知晶体管的β=100, rbb’=100Ω,RS=1kΩ。试: 1.估算电路静态工作点的ICQ和UCEQ 2.计算放大电路的Au、Ri和Ro
2.若要求U CEQ 6V、 I CQ 2m A,求 RB 和RC。
U CEQ 6V、 I CQ 2m A RC I BQ VCC U CEQ I CQ 40A 3k
I CQ
RB 282.5k
2-12:放大电路及晶体管的特性曲线如图,用 图解法分析。 1.确定放大电路静态工作点的ICQ和UCEQ。