UCLINUX平台下的FLASH存储技术

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uclinux下Nand+Flash的JFFS2文件系统的移植

uclinux下Nand+Flash的JFFS2文件系统的移植

uclinux下Nand Flash的JFFS2文件系统的移植uclinux下Nand Flash的JFFS2文件系统的移植(写在前面)现在(2005-12-5),linux对mtd设备支持的好得多,远没有我当时(大概2.5年前吧)做得那么复杂了,这里仍然要发原文,是因为想给初学者提供一个参考思路,介绍一下我对linux的学习了解的整个过程,希望对大家有借鉴意义。

但是,建议还是使用最新的mtd补丁,新版本的mtd包括了对2k page 的nand flash的支持,要使用大于128MB的Nand flash,就用这个吧。

文件系统方面,建议在Nor flash上,使用jffs2(jffs3也有,但是,我没用过,没有发言权)。

在Nand flash上强烈建议使用yaffs,这比jffs2快很多,而且支持direct模式,在其他系统,比如:uCOS-II、winCE等都可以使用。

我已经做到了在uCOS-II下和Linux下通过yaffs文件系统实现共享。

但是,要想使用2k page的nand flash,只有使用yaffs2了。

现在,yaffs2开源的代码有点问题,不能直接和mtd设备配合使用,稍作修改可以实现,有兴趣,我可以专门再写一片yaffs2的移植心得。

uclinux下Nand Flash的JFFS2文件系统的移植(1)继续上一篇《uClinux下移植Ne2000兼容的网卡驱动程序》中介绍的平台和操作系统,开始写JFF2的感想。

虽然JFFS2的移植弄出来有一段时间了,但是,前一段时间忙着期末考试,无心写心得。

昨天总算考完了,我就继续罗嗦那段时期的经历吧,希望把我遇到的问题和解决的方法和大家共享。

错误之处也请不吝指出。

我使用的uClinux的硬件平台还是44B0那个板子具体的情况参见《uClinux下移植Ne2000兼容的网卡驱动程序》中的介绍。

Flash我用的是三星公司的K9F2808——16MByte的Nand Flash。

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储器,被广泛用于各种电子设备中,如计算机、手机、相机等。

它具有高速读写、低功耗、体积小等优点,成为现代电子产品中不可或缺的重要组成部分。

本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。

Flash存储芯片采用了一种称为浮栅电容的结构来存储数据。

每个存储单元都由一个浮栅电容和一个控制晶体管组成。

晶体管用于控制电流的流动,而浮栅电容则用于存储电荷,以表示数据的状态。

在Flash存储芯片中,数据的存储是通过改变浮栅电容中的电荷量来实现的。

每个存储单元的浮栅电容中的电荷量决定了该单元的状态,通常分为两种状态:擦除状态和编程状态。

擦除状态表示该单元的电荷量较低,编程状态表示该单元的电荷量较高。

当需要写入数据时,首先需要将存储单元擦除为擦除状态。

擦除操作会将浮栅电容中的电荷量清零,使得该单元可以接收新的数据。

擦除操作通常是以块为单位进行的,即一次擦除会影响到多个存储单元。

接下来,需要将要写入的数据编程到指定的存储单元中。

编程操作会通过施加高电压将电荷注入到浮栅电容中,改变其电荷量。

编程操作通常是以页为单位进行的,一页包含多个存储单元。

在读取数据时,Flash存储芯片通过测量存储单元中的电荷量来判断其状态。

如果电荷量较高,则表示该单元处于编程状态,反之则表示处于擦除状态。

读取操作是非破坏性的,即不会改变存储单元中的电荷量。

需要注意的是,Flash存储芯片的存储单元具有有限的擦除次数。

每次擦除操作都会使得存储单元的寿命减少,当达到一定擦除次数后,存储单元将不再可靠。

因此,Flash存储芯片通常会采用一种称为wear leveling的技术来平均分布擦除操作,以延长整个芯片的寿命。

此外,Flash存储芯片还采用了一种称为错误校验码(ECC)的技术来提高数据的可靠性。

ECC可以检测和纠正存储单元中可能出现的错误,确保数据的正确性。

总结起来,Flash存储芯片通过改变浮栅电容中的电荷量来存储数据。

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理引言:Flash存储芯片是一种非易失性存储器,广泛应用于各种电子设备中,如手机、平板电脑、相机等。

本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理,包括其结构、存储方式、读写操作等。

一、结构:Flash存储芯片由一系列的存储单元组成,每个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。

存储单元通常是由晶体管和浮动栅极组成。

晶体管用于控制数据的读写操作,而浮动栅极则用于存储数据。

二、存储方式:Flash存储芯片采用了一种称为“浮动栅极”的存储方式。

浮动栅极是一种介于控制栅极和通道之间的结构,它可以存储电荷,用于表示存储单元的状态。

当电荷存储在浮动栅极中时,表示存储单元的状态为“1”,而当没有电荷存储在浮动栅极中时,表示存储单元的状态为“0”。

三、读取操作:在读取数据时,Flash存储芯片通过控制栅极和源极之间的电流来判断存储单元的状态。

当存储单元的状态为“1”时,电流会通过存储单元,而当存储单元的状态为“0”时,电流不会通过存储单元。

通过检测电流的有无,可以确定存储单元的状态。

四、写入操作:在写入数据时,Flash存储芯片需要将电荷存储到浮动栅极中。

为了实现写入操作,首先需要将存储单元的控制栅极施加一个较高的电压,以便形成一个电子隧道,使电荷能够穿过隧道进入浮动栅极。

然后,通过施加适当的电压,将电荷注入到浮动栅极中,从而改变存储单元的状态。

五、擦除操作:与写入操作相反,擦除操作是将存储单元的状态从“1”改变为“0”。

擦除操作是通过施加一个较高的电压到浮动栅极上,以便将存储单元中的电荷清除掉。

擦除操作是一种相对较慢的过程,通常需要较长的时间来完成。

六、寿命和耐用性:Flash存储芯片的寿命和耐用性是一个重要的考虑因素。

由于擦写操作会导致浮动栅极的损耗,因此Flash存储芯片的寿命是有限的。

为了延长寿命,Flash存储芯片通常会使用一种称为“均衡算法”的技术,以确保所有存储单元都能够均匀地进行擦写操作。

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储器,广泛应用于各种电子设备中,如手机、相机、固态硬盘等。

它具有高速读写、低功耗、体积小等优点,因此备受青睐。

本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。

一、闪存基本结构Flash存储芯片由多个存储单元组成,每一个存储单元称为一个存储单元或者一个位。

每一个存储单元可以存储一个或者多个比特的数据。

Flash存储芯片通常采用NAND或者NOR结构。

1. NAND结构NAND结构的Flash存储芯片是最常见的类型。

它由一系列的存储单元组成,每一个存储单元由一个浮栅电容和一个选择晶体管组成。

数据存储在浮栅电容中,通过控制晶体管的通断状态来读取和写入数据。

2. NOR结构NOR结构的Flash存储芯片相对较少见。

它由一系列的存储单元组成,每一个存储单元由一个浮栅电容和一个选择晶体管组成。

与NAND结构不同的是,NOR结构的存储单元可以直接访问,因此读取速度较快,但写入速度较慢。

二、Flash存储原理Flash存储芯片的工作原理可以分为读取和写入两个过程。

1. 读取过程在读取数据时,Flash存储芯片通过控制电压来判断存储单元中是否存储了电荷。

具体步骤如下:(1)将所需读取的存储单元的地址发送给Flash存储芯片;(2)Flash存储芯片将该存储单元的数据读取到内部缓存中;(3)将内部缓存中的数据传输给外部设备。

2. 写入过程在写入数据时,Flash存储芯片通过改变存储单元的电荷状态来实现数据的存储。

具体步骤如下:(1)将所需写入的存储单元的地址发送给Flash存储芯片;(2)将待写入的数据发送给Flash存储芯片;(3)Flash存储芯片将待写入的数据存储到相应的存储单元中。

三、Flash存储特点Flash存储芯片具有以下特点:1. 非易失性Flash存储芯片是一种非易失性存储器,即使在断电的情况下,存储的数据也不会丢失。

这使得Flash存储芯片非常适合于需要长期保存数据的应用场景。

Linux环境下flash文件系统JFFS2移植指南

Linux环境下flash文件系统JFFS2移植指南

Linux环境下flash文件系统JFFS2移植指南Linux环境下flash文件系统JFFS2移植指南目录1 文件系统 (3)2 Flash存储器 (3)3 Flash文件系统 (4)3.1 flash文件系统基本结构 (4)3.2 日志文件系统 (4)3.3 MTD驱动程序 (5)3.4 JFFS2文件系统 (5)4 JFFS2移植 (5)4.1 MTD配置 (5)4.2 FLASH分区 (7)4.3 jffs2镜像制作 (8)4.4 jffs2镜像烧写 (9)4.4.1 烧录方法1 (9)4.4.2 烧录方法2 (9)4.5 使用jffs2作为根文件系统rootfs (9)1 文件系统文件系统是一个操作系统中最重要的部分之一,它为操作系统提供了一种结构化存储和管理数据的方式。

文件系统的主要功能是对数据的物理存储进行管理,并向用户提供对数据的访问接口。

用户程序建立在文件系统上,通过文件系统访问数据,而不需要直接对物理存储设备进行操作。

最初的操作系统一般都只支持单一的一种文件系统,并且文件系统和操作系统内核紧密关联在一起,而Linux操作系统的文件系统结构是树状的,在根目录“/’下有许多子目录,每个目录都可以采用各自不同的文件系统类型。

Linux中的文件不仅指的是普通的文件和目录,而且将设备也当作一种特殊的文件,因此,每种不同的设备,从逻辑上都可以看成是一种不同的文件系统。

在Linux操作系统中,为了支持多种不同的文件系统,采用了虚拟文件系统(VFS,Visual Filesystem Switch)技术,虚拟文件系统是对多种实际文件系统的共有功能的抽象,它屏蔽了各种不同文件系统在实现细节上的差异,为用户程序提供了统一的、抽象的、标准的接口对文件系统进行访问,如open(),read(),write()等。

这样,用户程序就不需要关心所操作的具体文件是属于哪种文件系统,以及这种文件系统是如何设计与实现的,对所有文件的访问方式都是完全相同的。

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种常见的非易失性存储器,广泛应用于各种电子设备中,如手机、平板电脑、相机等。

它的工作原理是通过电子的擦除和写入来实现数据的存储和读取。

下面将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。

1. 基本结构Flash存储芯片由许多存储单元组成,每个存储单元可以存储一个或多个位的数据。

每个存储单元由一个浮栅晶体管和一个选择晶体管组成。

浮栅晶体管用于存储数据,选择晶体管用于选择要读取或写入的存储单元。

2. 擦除操作Flash存储芯片中的存储单元是通过擦除操作来清除数据的。

擦除操作是将存储单元中的电荷量恢复到初始状态,以便写入新的数据。

擦除操作是一种相对较慢的过程,通常需要几毫秒或更长的时间。

擦除操作是通过向存储单元的浮栅晶体管中施加高电压来实现的。

高电压会引起浮栅晶体管中的电子穿隧效应,将存储单元中的电荷量清除掉。

擦除操作是以块为单位进行的,通常一个块包含多个存储单元。

3. 写入操作写入操作是将数据存储到Flash存储芯片中的存储单元中。

写入操作是通过改变存储单元中的电荷量来实现的。

写入操作相对于擦除操作来说速度更快。

写入操作是通过向存储单元的浮栅晶体管中施加适当的电压来实现的。

电压的大小决定了存储单元中的电荷量,从而决定了存储的数据。

写入操作是以页为单位进行的,通常一页包含多个存储单元。

4. 读取操作读取操作是从Flash存储芯片中的存储单元中读取数据。

读取操作是通过测量存储单元中的电荷量来实现的。

读取操作速度相对较快。

读取操作是通过选择晶体管来选择要读取的存储单元,然后测量浮栅晶体管中的电荷量来判断存储的数据。

读取操作是以页为单位进行的,通常一页包含多个存储单元。

5. 特点和优势Flash存储芯片具有以下特点和优势:- 非易失性:Flash存储芯片的数据是在断电情况下仍然可以保持的,不需要外部电源维持数据的存储。

- 高密度:Flash存储芯片可以存储大量的数据,具有较高的存储密度。

uClinux平台下的Flash存储技术.

uClinux平台下的Flash存储技术.

uClinux平台下的Flash存储技术2008-01-20摘要:较为详细地介绍嵌入式操作系统uClinux平台下的Flash存储技术,并给出基于三星S3C4510系统下Dlash存储器具体设计实例。

关键词:Flash存储技术 uClinux平台 S3C45101 Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。

下面对二者作较为详细的比较。

1.1 性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。

任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作十分简单;而NOR则要求在进行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为0。

擦除NOR 器件时是以64~128KB的块进行的',执行一个写入/擦除操作的时间为1~5s;擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时,块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。

统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

因此,当选择存储解决时,设计师必须权衡以下的各项因素。

*NOR的读取速度比NAND稍快一些。

*NAND的写入速度比NOR快很多。

*NAND的擦除速度远比NOR快。

*大多数写入操作需要先进行擦除操作。

*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

1.2 接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。

8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND的读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。

很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。

1.3 容量和成本NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。

由于生产过程更为简单,NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理

Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储设备,被广泛应用于各种数字设备中,如手机、相机、固态硬盘等。

它具有高速读写、低功耗、抗震抗摔等优点,成为了存储领域的重要组成部分。

本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理。

1. 存储单元Flash存储芯片的基本单元是存储单元,也称为存储单元或存储单元。

每个存储单元可以存储一个或多个二进制位的数据。

常见的存储单元有SLC(Single-Level Cell)和MLC(Multi-Level Cell)两种类型。

SLC存储单元每个单元只能存储一个二进制位的数据,而MLC存储单元则可以存储多个二进制位的数据,这使得MLC存储单元的存储密度更高,但其读写速度和寿命相对较低。

2. 位线和字线Flash存储芯片中的存储单元通过位线和字线进行读写操作。

位线是连接存储单元的线路,用于传输数据。

字线是用于选择存储单元的线路。

通过控制位线和字线的电压,可以实现对存储单元的读取和写入操作。

3. 读取操作在读取数据时,首先需要选择要读取的存储单元,这通过控制字线来实现。

当选择了存储单元后,通过控制位线的电压,将存储单元中的数据读取到位线上。

读取的数据经过放大和解码处理后,传递给外部设备。

4. 写入操作在写入数据时,首先需要选择要写入的存储单元,这通过控制字线来实现。

当选择了存储单元后,通过控制位线的电压,将要写入的数据写入到存储单元中。

写入操作是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。

对于SLC存储单元,只需要改变一个二进制位的电荷状态即可;而对于MLC存储单元,需要改变多个二进制位的电荷状态。

5. 擦除操作Flash存储芯片的存储单元是有限的,当需要将存储单元中的数据清除时,就需要进行擦除操作。

擦除操作是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。

对于SLC存储单元,只需要将电荷状态改变为初始状态即可;而对于MLC存储单元,需要将多个二进制位的电荷状态都改变为初始状态。

uClinux下Nor Flash的JFFS2文件系统构建

uClinux下Nor Flash的JFFS2文件系统构建

uClinux下Nor Flash的JFFS2文件系统构建目前的系统多用法FLASH作为主存,因此,如何有效管理FLASH上的数据十分重要文章以SST39VF160芯片为例,研究了在Nor Flash上建立的JFFS2文件系统的普通步骤,从而为FLASH上的数据管理提供了抱负的挑选方式嵌入式系统正随着Internet的进展而在各个领域得到广泛的应用,作为嵌入式应用的核心,嵌入式以其自由软件特性正日益被人们看好Linux具有内核小效率高源代码开放等优点,还内涵了完整的TCP/IP 网络协议,因此十分适于嵌入式系统的应用而作为特地运行于没有MMU的微处理器的嵌入式操作系统,uClinux更是得到广泛应用当前的嵌入式系统开发,需要便利灵便的用法Flash NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术 Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底转变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面 NOR 的特点是芯片内执行XIP eXe-cute In Place ,这样应用程序可以挺直在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中 NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,因此在嵌入式系统得到广泛的应用1 JFFS2文件系统简介uClinux通常默认ROMFS作为根文件系统,它相对于普通的EXT2文件系统具有节省空间的优点但是ROMFS是一种只读的文件系统,不支持动态擦写保存虽然对于需要动态保存的数据可以采纳虚拟ram盘的办法来保存,但当系统掉电后,ram盘的内容将所有走失,而不能永远保存,因此需要实现一个可读写的文件系统 JFFS2文件系统便是一个很好的挑选JFFS文件系统是瑞典Axis通信公司开发的一种基于Flash的日志文件系统,它在设计时充分考虑了Flash的读写特性和用电池供电的嵌入式系统的特点,在这类系统中必须确保在读取文件时,假如系统骤然掉电,其文件的牢靠性不受到影响对Red Hat的David Woodhouse举第1页共7页。

uClinux下NAND FLASH的JFFS2文件系统的构建

uClinux下NAND FLASH的JFFS2文件系统的构建

uClinux下NAND FLASH的JFFS2文件系统的构建当前的嵌入式系统开发,需要方便灵活的使用Flash。

Nor和Nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Nor更适合用于存放少量的代码,而Nand则是高数据存储密度的理想解决方案。

2 JFFS2文件系统简介JFFS2的底层驱动主要完成文件系统对Flash芯片的访问控制,如读、写、擦除操作。

在Linux中这部分功能是通过调用MTD驱动实现的。

相对于常规块设备驱动程序,使用MTD驱动程序的主要优点在于MTD驱动程序是专门为基于闪存的设备所设计的,所以它们通常有更好的支持、更好的管理和更好的基于扇区的擦除和读写操作的接口3 Nand Flash及其与ARM CPU的硬件连接本文采用的Nand Flash是三星公司的K9F2808芯片。

它的存储空间以页为单位,一页是由512字节的数据和16字节的备用空间组成,其中备用空间可用来存春ECC纠错码、坏块信息和文件系统相关的数据。

我们只考虑数据空间即可,因此我们认为每页大小为512字节,32页组成一个块,故块的大小为16K。

4 JFFS2底层MTD驱动编写在Linux-2.4.x/drivers/mtd/nand/目录下加入44b0x.c文件,该文件是基于同一目录下其他文件(如spia.c)修改的。

主要修改如下3处:1) #define MYARM_IO_BASE 0x01d20000#define MYARM_FIO_BASE 0x2000000#define MYARM_PEDR 0x0014#define MYARM_PEDDR 0x00102) 定义Nand Flash设备的分区(根据用户需要来确定分区的大小和分区的数量)。

#ifdef CONFIG_MTD_PARTITIONSconst static struct mtd_partition partition_info[]={{ name: "NAND flash partition 1(6MB)",offset: 2*1024*1024,size: 6*1024*1024 },{ name: "NAND flash partition 2(6MB)",offset: 8*1024*1024,size: 6*1024*1024 } };#define NUM_PARTITIONS 2#endif3)定义与特定硬件相关的控制线操作函数void arm_hwcontrol(int cmd){switch(cmd){case NAND_CTL_SETCLE: (*(volatile unsigned *) (arm_io_base + arm_pedr)) |= 0x04; break;case NAND_CTL_CLRCLE: (*(volatile unsigned *) (arm_io_base + arm_pedr)) &= ~0x04; break;case NAND_CTL_SETALE: (*(volatile unsigned *) (arm_io_base + arm_pedr)) |= 0x08; break;case NAND_CTL_CLRALE: (*(volatile unsigned *) (arm_io_base + arm_pedr)) &= ~0x08; break;case NAND_CTL_SETNCE: (*(volatile unsigned *)(arm_io_base + arm_pedr)) &= ~0x02; break;case NAND_CTL_CLRNCE: (*(volatile unsigned *) (arm_io_base + arm_pedr)) |= 0x02; break;}}5 JFFS2文件系统的移植5.1修改MAKEFILE文件obj-$(CONFIG_MTD_NAND_MYARM) += 44b0x.o这样在运行对内核的Make时,就会编译44b0x.c文件了。

基于嵌入式Linux的Flash存储系统的研究和实现

基于嵌入式Linux的Flash存储系统的研究和实现
证。
关键字: F h L u, D 8 p s Ui r 数 理、 件系 l . x M , l. C e 据管 文 统 s a i n I 0 u n o、 5
东南大学硕士学位论文
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flash闪存原理

flash闪存原理

flash闪存原理小伙伴!今天咱们来唠唠Flash闪存这个超酷的东西的原理,可有意思啦。

你知道吗,Flash闪存就像是一个超级迷你的小仓库,专门用来存放数据。

它的世界是微观的,小到我们肉眼根本看不到里面到底发生了啥。

那这个小仓库是怎么工作的呢?在Flash闪存里啊,有好多好多的小单元,就像一个个小房间一样。

这些小房间有两种状态,就像开关的开和关,或者说像灯的亮和灭。

这两种状态就可以用来表示数据啦,比如说一种状态表示0,另一种状态表示1。

是不是很神奇?这就像是用一种超级简单的密码来记录信息呢。

那这些小房间是怎么从一种状态变成另一种状态的呢?这就涉及到一些电子魔法啦。

想象一下,有一些小小的电子精灵在这些小房间里跑来跑去。

当我们要写入数据的时候,就像给这些电子精灵下命令,让它们按照我们想要的方式来改变小房间的状态。

这个过程有点像指挥一群小蚂蚁干活,不过这些小蚂蚁可是超级小的电子哦。

而且啊,Flash闪存还有个很贴心的设计呢。

它不会轻易地忘记自己存储的数据。

就像一个记忆力超好的小助手。

不过呢,它也不是永远不会忘的。

随着时间的推移或者经过很多次的写入和擦除操作,这些小房间可能会变得有点迷糊,就像人老了记性会变差一样。

但是呢,现在的技术已经很厉害啦,能够让Flash闪存保持很长时间的数据记忆。

再说说它的擦除操作吧。

擦除就像是把小房间重新整理一遍,让它们回到初始的状态,这样就可以重新写入新的数据啦。

这个过程就像是把小仓库里的东西都清空,然后再重新摆放新的东西一样。

不过呢,擦除可不是一件随随便便就能做的事情,它需要一定的能量和时间。

你可能会想,这么小的东西,怎么能存那么多数据呢?这就靠它的数量优势啦。

就像一群小蚂蚁虽然单个很小,但是聚在一起就能完成很大的工程一样。

Flash闪存里有海量的这些小单元,它们组合在一起就能存储大量的0和1,也就是我们各种各样的文件,像照片、音乐、文档啥的。

而且Flash闪存的速度也很值得夸一夸呢。

flash储存技术

flash储存技术
管理Flash存储器的方式
通过Flash转换层提供设备访问接口 设计并实现专用的Flash文件系统
二者的体系结构对比
1. Flash转换层位于通用文件系统和Flash存储器之间,为文件系统 提供块设备接口,减少了开发和测试新软件的代价。 2.专用Flash 文件系统是指专门为Flash 存储系统设计、实现的文 件系统,它直接管理Flash 存储器。相对于前者,它能够充分利用文 件系统层次的信息对Flash 存储器进行存储管理,能提供更多高性 能、可靠性以及降低能耗的机会。
4 Flash存储关键技术 存储关键技术
4.5 基于Flash的索引数据结构
索引数据结构提供对大量数据的检索、插入和删除等操作,被广泛 应用于数据库管理系统和文件系统中。其中B树和B+树是最重要的 索引数据结构之一。 4.5.1 基于Flash转换层的实现
Wu等人提出在文件系统和Flash转换层之间增加一层软件BFTL。 Nath等人在BFTL的基础上把B+树的结点分为两种模式:磁盘结点模式和 日志结点模式
4 Flash存储关键技术 存储关键技术
4.1 地址映射
地址映射机制建立逻辑地址和Flash存储器的物理地址之间的映射 关系。 4.1.1 基于页的地址映射
在基于页的地址映射机制中,地址映射表以页为粒度,包含的表项数与 Flash存储器的页数相同。但由于所需的RAM空间较大,因此提出了另一种 新机制。
4 Flash存储关键技术 存储关键技术
4.5.1 基于Flash转换层的实现
• 漫游树:在基于Flash的文件系统中,由于采取异地更新的机制,对叶子结 点的更新被存储到新的位置,引起对父亲结点中物理指针值的更新,导致 从叶子到根节点路径上所有结点的更新。 JFFS3通过使用在RAM中维护的日志树来合并多次结点更新,减少写操作 。但在断电情况下启动时间较长,于是Kang等人提出一种针对NAND Flash的有序索引结构u树,从而解决了“漫游树”的问题。

Flash存储管理技术实用讲解

Flash存储管理技术实用讲解

随着嵌入式系统的迅速发展和广泛应用,大量需要一种能多次编程,容量大,读写、擦除快捷、方便、简单,外围器件少,价格低廉的非易挥发存储器件。

闪存Flash存储介质就是在这种背景需求下应运而生的。

它是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后仍可保留内部信息,及在线擦写等功能特点,是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。

因为它的读写速度比EEPROM更快,在相同容量的情况下成本更低,因此闪存Flash将是嵌入式系统中的一个重要组成单元。

然而,由于Flash存储管理技术读写存储的编程特点,有必要对其进行存储过程管理,以使整个系统性能得以改善。

1 Flash存储管理技术的存储编程特点Flash写:由1变为0,变为0后,不能通过写再变为1。

Flash擦除:由0变为1,不能只某位单元进行擦除。

Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。

块擦除是把某一擦除块的内容都变为1,芯片擦除是把整个Flash的内容都变1。

通常一个Flash存储器芯片,分为若干个擦除block,在进行Flash存储时,以擦除block为单位。

当在一个block中进行存储时,一旦对某一block中的某一位写0,再要改变成1,则必须先对整个block进行擦除,然后才能修改。

通常,对于容量小的block操作过程是:先把整个block读到RAM中,在RAM中修改其内容,再擦除整个block,最后写入修改后的内容。

显然,这样频繁复杂的读-擦除-写操作,对于Flash的使用寿命以及系统性能是很不好的,而且系统也常常没有这么大的RAM空间资源。

一种基于虚拟扇区的管理技术可以有效地控制Flash存储管理技术的擦写次数,提高Flash的使用寿命,从而提高系统性能。

Flash存贮器与EEPROM根本不同的特征就是EEPROM可以按字节进行数据的改写,而Flash只能先擦除一个区间,然后改写其内容。

一般情况下,这个擦除区间叫做扇区(Sector),但是有些公司在文档中引入了页面(Page)的概念,所以本综述中采用了一个中文文献中很少采用的术语:最小擦除区间。

Linux中的FLASH知识

Linux中的FLASH知识

Linux中的FLASH知识一、Linux中Flash硬件知识1.Flash用途和分类:在嵌入式系统开发设计中,存储模块是不可缺少的重要部分,而Flash是目前市场上主要的非易失闪存技术,他主要分为:Nor Flash 和Nand Flash两种。

那么他们有什么区别呢?简单的讲:Nor Flash 容量小,价格高,写速度慢但随机读速度快,所以较适合存储少量的程序代码,比如u-boot启动代码;而Nand Flash则容量大,价格低,写速度快但读速度慢,所以他相当于PC上的硬盘用于存储大量的数据。

Nor Flash与Nand Flash更详细区别如下表:2.Flash在硬件设计中的应用:以Mini2440开发板为例:该开发板上带有一块2M的Nor Flash 和一块64M的Nand Flash。

下面先看看他们是怎样被应用于嵌入式Linux的。

Nor Flash和Nand Flash电路原理图分别如下:(由mini2440提供)从原理图上可以看到,Nor Flash内部提供的是有类似于DRam 之类的地址总线,可以直接与CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对Nor Flash进行访问;而Nand Flash没有这类的总线,其内部只提供IO接口,因此只能通过IO接口发送命令和地址,对Nand Flash 内部数据进行访问。

这可以说是二者最大的区别了,也说明了二者读写速度不同的所在。

因此,各有各的优点,Nor Flash访问快,Nand Flash简化了电路。

注意:电路原理图中字母上面有一横杠的表示该引脚是低电平有效,没有的是默认的高电平。

二、Linux中Flash软件知识1.Linux MTD子系统:在Linux系统中,提供了MTD(内存技术设备)子系统来建立Flash 针对Linux的统一、抽象的接口。

MTD子系统将上层文件系统与底层Flash硬件进行了隔离,使Flash驱动开发者无需再关心Flash作为字符设备或者块设备与Linux内核的接口。

uClinux平台下的Flash存储技术

uClinux平台下的Flash存储技术

uClinux平台下的Flash存储技术
冯欣;秦娟英
【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》
【年(卷),期】2004(000)002
【摘要】较为详细地介绍嵌入式操作系统uClinux平台下的Flash存储技术,并给出基于三星S3C4510系统下Flash存储器的具体设计实例.
【总页数】3页(P36-38)
【作者】冯欣;秦娟英
【作者单位】武汉理工大学;武汉理工大学
【正文语种】中文
【中图分类】TP3
【相关文献】
1.uClinux下Nor Flash的JFFS2文件系统构建 [J], 贾东耀
2.基于Flash存储介质的遥测系统高速存储技术研究 [J], 孙琦;苗岩松
3.云平台下的NoSQL分布式大数据存储技术与应用 [J], 吴燕波;薛琴;向大为;麦永浩
4.基于NAND FLASH阵列的存储技术研究 [J], 王杰
5.基于FPGA和FLASH的多路数据存储技术 [J], 吴嘉伟; 魏志强; 张会新
因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

需要了解Linux flash文件系统

需要了解Linux flash文件系统

需要了解Linux flash文件系统您之前可能听说过Journaling Flash File System(JFFS)和Yet Another Flash File System(YAFFS),但是您知道使用底层flash 设备的文件系统意味着什么吗?本文将向您介绍Linux® 的flash 文件系统,并探索它们如何通过平均读写(wear leveling)处理底层的可消耗设备(flash 部件),并鉴别各种不同的flash 文件系统以及它们的基本设计。

固态驱动器当前非常流行,但是嵌入式系统很久以前就开始使用固态驱动器进行存储。

您可以看到flash 系统被用于个人数字助理(PDA)、手机、MP3 播放器、数码相机、USB flash 驱动(UFD),甚至笔记本电脑。

很多情况下,商业设备的文件系统可以进行定制并且是专有的,但是它们会遇到以下挑战。

基于Flash 的文件系统形式多种多样。

本文将探讨几种只读文件系统,并回顾目前可用的各种读/写文件系统及其工作原理。

但是,让我们先看看flash 设备及其所面对的挑战。

Flash 内存技术Flash 内存(可以通过几种不同的技术实现)是一种非挥发性内存,这意味着断开电源之后其内容仍然保持下来。

两种最常见的flash 设备类型为:NOR 和NAND。

基于NOR 的flash 技术比较早,它支持较高的读性能,但以降低容量为代价。

NAND flash 提供更大容量的同时实现快速的写擦性能。

NAND 还需要更复杂的输入/输出(I/O)接口。

Flash 部件通常分为多个分区,允许同时进行多个操作(擦除某个分区的同时读取另一个分区)。

分区再划分为块(通常大小为64KB 或128KB)。

使用分区的固件可以进一步对块进行独特的分段—例如,一个块中有512 字节的分段,但不包括元数据。

Flash 设备有一个常见的限制,即与其他存储设备(如RAM 磁盘)相比,它需要进行设备管理。

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uClinux平台下的Flash存储技术摘要:较为详细地介绍嵌入式操作系统uClinux平台下的Flash存储技术,并给出基于三星S3C4510系统下Dlash存储器具体设计实例。

关键词:Flash存储技术 uClinux平台 S3C45101 Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。

下面对二者作较为详细的比较。

1.1 性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。

任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。

NAND 器件执行擦除操作十分简单;而NOR则要求在进行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为0。

擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为1~5s;擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时,块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。

统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

因此,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

*NOR的读取速度比NAND稍快一些。

*NAND 的写入速度比NOR快很多。

*NAND的擦除速度远比NOR快。

*大多数写入操作需要先进行擦除操作。

*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

1.2 接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。

8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND的读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。

很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。

1.3 容量和成本NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。

由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

NOR Flash占据了大部分容量为1~16MB的内存市场,而NAND Flash只是用在8~128MB的产品当中。

1.4 可靠性和耐用性采用Flash介质时,一个需要重点考虑的问题是可靠性。

对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。

可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

(1)寿命(耐用性)[!--empirenews.page--]在NAND闪存中,每个块的最大擦写次数是100万次,而NOR的擦写次数是10万次。

NAND存储器除了具有10:1的块擦除周期优势外,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8位,每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。

(2)位交换所有Flash器件都受位交换现象的困扰。

在某些情况下(很少见,NAND 发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障就可能导致系统停机。

如果只是报告有问题,多读几次就可能解决。

位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND 闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

(3)坏块处理NAND器件中的不坏块是随机分布的。

以前做过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。

在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理。

将导致高故障率。

1.5 易用性可以非常直接地使用基于NOR的闪存,像其它存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O 接口,NAND要复杂得多。

各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其它操作。

向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

1.6 软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持。

在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是闪存技术驱动程序(MTD)。

NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时,所需要的MTD要相对少一些。

许多厂商都提供用于NOR器件的更高级的软件,其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Sotrware System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿零点和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

目前,NOR Flash的容量从几KB~64MB不等,NAND Flash存储芯片的容量从8MB~128MB,而DiskonChip可以达到1024MB。

2 系统设计Flash在每MB的存储开销上较RAM要昂贵,但对于uClinux系统来说,选择Flash 作为存储器具有一定的优势。

UClinux系统在上电后,需要运行的程序代码和数据都可以存储在Flash中,甚至放在CPU起始地址中的uClinux启动内核都可以写入Flash中。

从一定意义上讲,嵌入式系统只用Flash就可以完成所需的存储功能。

[!--empirenews.page--]Flash存储器的分区较硬盘的分区更为简单,分区后的Flash使用起来更加方便。

典型的Flash分区如下。

SEGMENT PURPOSE0 Bootloader1 factory configuration2┆ kernelX┆ root filesystemY分区0放置Bootloader,分区1放置factory configuration,分区2到分区X放置系统内核,分区X到分区Y放置根文件系统。

Flash的分区可以根据需要划分,uClinux中支持Flash存储器的块设备驱动负责定义上述的分区。

和PC机下的Linux不同,Flash的分区把系统内核文件和根文件系统单独划分到两个分区中,而PC机的硬盘是把内核文件和根文件系统放在一个分区内。

PC机下Linux的Bootloader是LILO或GRUB。

它们在系统启动时能智能地在分区中找到内核文件块,并把它加载到RAM中运行。

对于Flash而言,把内核的镜像文件写进一个单独的分区对嵌入式系统有两大优点:①系统可以直接在Flash上运行;②LILO或GRUB更易找到内核代码并加载,甚至可以不用LILO或GRUB引导而直接运行。

内核文件和根文件系统在Flash中的放置,可以根据系统设计需要适当选择。

3 引导程序选择系统启动之前的引导过程是CPU初始化的过程。

包括ARM和X86在内的许多CPU是从固定地址单元开始运行引导程序(Bootloader)的。

其它的部分CPU是从某个地址单元读入引导程序的入口地址,然后再运行引导程序,譬如M68K 和Coldfire系列。

所以这些都影响到Flash中系统启动代码的存放地址。

系统首先要考虑的是在什么地址存放Bootloader,或者说系统从哪个地址单元[1][2]下一页开始加载运行系统内核代码。

CPU启动后直接运行系统内核是可以实现的。

对于uClinux来说,启动代码必须包括芯片的初始化和RAM的初始化等硬件配置;同时加载内核的代码段到RAM中,并清除初始化的数据段内容。

尽管这些实现起来很直观,但是要具体把启动代码存放在Flash中正确的地址偏移单元内,使CPU一启动便能执行就比较困难了。

不过,现在技术比较先进的CPU都将默认的偏移地址设置为0,或者在偏移地址为0的附近存放起始地址。

Bootloader是一段单独的代码,用以负责基本硬件的初始化过程,并且加载和运行uClinux 的内核代码。

作为系统启动工具,Bootloader经过配置可以加载Flash中的多个内核,甚至可以通过串口和网口来加载内核和系统的镜像到RAM中运行。

Bootloader同时也提供对内核镜像文件的多级别保护,这一点对于以Flash作为存储设备的系统来说非常重要。

譬如,当系统进行内核升级和重要数据备份时,系统突然掉电,正如PC机进行BIOS刷写过程中的旧电一样,都是灾难性的。

但是利用Bootloader就可以实现保护性的恢复。

[!--empirenews.page--]目前运行在uClinux上的免费Bootloader有COLILO、MRB、PPCBOOT 和DBUG。

也有为特殊需求设计的SNAPGEAR和ARCTURUS NETWORKS。

4 uClinux的块驱动器对于嵌入式系统的块设备,可选择存储文件系统的块驱动器(Block Driver)主要有三种选择。

①Blkmem driver。

Blkmem driver仍是uClinux上使用最普通的Flash驱动器。

它是为uClinux 而设计的,但是它的结构相对比较简单,并且仅支持NOR Flash的操作,需要在RAM中建立根文件系统。

同时它也很难配置,需要代码修改表来建立Flash分区。

尽管如此,它还是提供了最基本的分区擦/写操作。

②MTD driver。

MTD driver是Linux下标准的Flash驱动器。

它支持大多数Flash存储设备,兼有功能强大的分区定义和映像工具。

借用交叉存取技术(interleaving),MTD driver甚至可支持同一系统中不同类型的Flash,Linux内核中关于MTD driver配置有较为详细的选择项。

③RAM disk driver。

在无盘启动的标准Linux中,用得最多的就是RAM disk driver;但它不支持底层的Flash存储器,仅对根文件系统的建立有意义,即根文件系统压缩以后存放在Flash的什么地方。

通过上面的比较可以看到,MTDdriver提供对Flash最有力的支持同,同时它也支持在Flash上直接运行文件系统,譬如JFFS 和JFFS2,而B1kmem driver则不支持。

5 根文件系统uClinux中的文件系统可以有多种选择。

通常情况下,ROMfs是使用最多的文件系统,它是一种简单、紧凑和只读的文件系统。

ROMfs顺序存储文件数据,并可以在uClinux支持的存储设备上直接运行文件系统,这样可以在系统运行时节省许多RAM空间。

Cramfs是针对Linux内核2.4之后的版本所设计的一种新型文件系统,也是压缩和只读格式的。

它主要的优点是将文件数据以压缩形式存储,在需要运行的时候进行解压缩。

由于它存储的文件形式是压缩的格式,所以文件系统不能直接在Flash上运行。

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