IDT公司跨越低功耗PCIe Gen3缓冲器300万颗出货量里程碑
IDT迈向视讯先锋的蜕变之路
IDT迈向视讯先锋的蜕变之路主要(知名)产品:DisplayPort,PCIe,HQ V,频率产品,sRIO为基础的交换芯片,PC audio codec全系列解决方案2010年主力市场:PC笔电周边,网通及手机,TV(CE)受访人:吴进德职称:亚太区总裁年度重大新闻?IDT于2009年6月取得Leadis Technology电容式触控产品感应技术,补强IDT既有的音频、视讯、频率,以及powersmart技术,并为广大的多媒体应用,提供高度整合的处理、接口和连接解决方案。
?IDT于2009年6月完成收购Tundra Semiconductor,强化了IDT采用PCI Express,Rapid IO andVME互连标准的序列交换器和网桥,并成为Serial RapidIO(S-RIO)交换器的领导厂商自荐最佳产品或重大产品新闻品名产品特色1、HQV-VidaHQV Vida处理器便能让低质量的串流视讯清晰化,甚至媲美高分辨率的观影质量。
即便信号端没有提供高质量的信号,透过此项技术就能够达到美化处理,提供更高质量的画质。
HQV能补足信号的不足,将噪声、锯齿状、水波纹都处理的更美、更饱和,所以我们将其定位为信号处理器(VideoProcesser)。
简单来说,HQV就像动态的PhotoShop一样,每一秒都在进行影像的修补与优化。
2View Xpand利用现有的DisplayPort 1.1a架构,实现了在DisplayPort 1.2才会出现的原生多重屏幕支持。
用户只要将DisplayPort缆线接上装置,在不需额外电源和驱动程序的情况下,就可以非常轻易的就可以拥有多重屏幕显示。
比传统增加显示适配器的方式,更省钱也更省电。
3PureTouch整合了IDT独有的PowerSmart技术,并将产品重心放在按钮和圆形滚轴等类型的输入接口,提供整合且具备高度弹性的LED驱动器,在不需要藉助系统主机的控制下实现近乎立即的视觉回馈,并免除了电流控制电阻,节省电路板空间和物料成本。
IDT推出针对固态硬盘的低功耗高精度温度传感器
世代 的 B D( i l M S D O , 极 一互补 C Bp a C O — M S 双 or
金 属 氧 化 半 导 体 一双 重 扩 散 金 属 氧 化 半 导 体 ) 技
术, 提供移动产品更高效能的电源管理芯片。
此项 B D技 术 能够有 效 整合 先 进逻 辑 、模 拟 、 C 高 电压 以及 场 效 型 晶体 管 , Da g公 司将 应 用 此 而 io l
先进 设计 平 台 、 L kr 制版 图系统 、 ae 定 制 布 ae 定 Lkr
车组合仪表盘和信息娱乐系统 、工业和医疗图形显
示 以及家 用 网关 和 机顶盒 。 S as n串行 闪存 芯 片具 有 领 先 的读 写 性 能 、 pni o 汽 车应用 级 的高质 量 以及 温度 特性 , 支持 更 高密度 , 并有 闪存 文件 系统 软 件 和长 期 产 品支 持 与 之配 套 ,
子 工 程设 计 发 展联 合 会 (E E 为 B级 别 温度 传 J D C) 感 器 在 一0 至 + 2 ℃ 范 围 内 设 立 的 J4 . 4℃ 15 C 24规
巾 国 集 成 电 路
C hi na nt I egr e d C icui at r t
业 界 要 闻
范 。 创 新 的 模 数 转 换 器 可 实 现 高 达 1 位 2 ( . 2  ̄ 的可 编程 分 辨率 , 00 5C) 6 且做 到无论 分 辨 率大 小 , 小于 10纳秒 的业界 领 先 的转 换 时间 , 而在 都 0 从 整个 温 度范 围 内大 幅提 升热 控 制 回路 的总体 精 度 。
平台与模拟原型 ( nl ro p g 工具 。第三代 Aag ot i ) o P ty n
华裔黄仁勋:引领AI_大爆炸——AI_芯片“霸主”英伟达背后的故事
世界一流WORLD CLASS今年一季报显示,英伟达(NVIDIA)市值已突破万亿美元,超越了特斯拉。
凭借在GPU芯片领域不断地奔跑,奔跑,再奔跑,黄仁勋带领英伟达稳稳地坐上了与苹果、微软、谷歌和亚马逊并列的“科技五巨头”宝座。
80国企管理2023.11当前,对于ChatGPT、元宇宙、区块链等这些人工智能火爆热词,相信很多人或多或少都会有所了解。
但是你是否知道,这一切都离不开一个重要的基础硬件——GPU芯片。
可以说GPU芯片不仅是推动AI时代不断前行的内燃机,也是众多企业想要开启AI转型的一把金钥匙。
因此,在人工智能迅猛发展的当下,GPU芯片掀起了一轮又一轮抢购热潮。
今年第二季度,英伟达(NVIDIA)的净利润便达到了61.9亿美元,同比增长843%。
更可怕的是,从GPU芯片供不应求的市场现状来看,英伟达的业绩很大程度上是因为“只能卖这么多”,而不是“卖出去了这么多”。
这让人不禁疑惑,能够量产GPU芯片的不止英伟达一家,而为什么偏偏是它成为当今AI芯片领域无法撼动的霸主?押注AI,华裔老板赌对了现在,我们能看到的是英伟达在人工智能领域赚得盆满钵满,而看不到的是早在十几年前,它就已窥见GPU芯片在AI领域的巨大潜力并秘密着手布局。
在当时的芯片行业,英特尔和ATI两大显卡巨头所推行的CPU芯片是计算机领域不可替代的主流,而GPU仅在相对小众的游戏行业使用。
相比CPU的巨大应用市场,GPU 对于显卡巨头来说不过是蝇头小利。
而正是这样一个别人看不上的领域,英伟达创始人黄仁勋却早已发现潜藏在下面的绿洲,并悄悄地打起了主意。
1999年,英伟达推出了首款GPU——GeForce256显卡,旨在为全球游戏玩家打造最好的3D图形芯片。
在初涉GPU领域后,黄仁勋发现除了游戏,GPU也可以用来帮助科学家进行庞大复杂的计算。
“也许计算世界不久后将出现新的算力——GPU将会代替CPU”,在隐隐察觉到这个趋势后,黄仁勋于2002年秘密启动了一个叫做CUDA的项目。
IDT :改革带来成功
IDT :改革带来成功现在的IDT 公司与我两年前刚加入时完全不同。
IDT 要发展必须要变革,我们也已经这么做了。
我们向一个新的IDT 的变革已基本完成。
现在的IDT 公司是一家兼具模拟和数字专长的公司。
我们开发出的半导体解决方案可实现处理器、存储器等数字系统之间的连接,以及它们与物理世界的连接。
这需要模拟和数字技术的结合。
只专注模拟或数字两者中的其中之一会令公司只能抓住部分机会。
通过联合数字和模拟技术,IDT 推出系统创新解决方案,可优化客户的整体应用并丰富终端用户体验。
成功保持在计时、串行交换和存储接口方面市场第一的地位IDT 是硅计时、串行交换和存储接口解决方案市场第一的供应商。
这些器件可同步、连接并控制电子系统间芯片的数据流。
这使得IDT 成为针对通信、计算和消费终端市场领先设备制造商的重要策略供应商之一。
我们极力巩固和拓展在这些核心产品领域的技术和市场领导地位。
我们受过精心培训、专注的销售团队能动用所有资源服务现有客户、赢得新机会,并确保走在竞争对手前面。
一定要赢的理念将使IDT 持续保持在通信、计算和消费市场等关键客户领域、创新的混合信号解决方案首选供应商的地位。
独特的方法:模拟+ 数字+ 系统专长+定制在现有市场中,我们通过在客户应用中扩展IDT 混合信号产品来实现业务增长。
凭借IDT 一直具有的强大的数字技术优势,我们增加了高性能的模拟和系统专长。
我们还充分运用IDT 的快速定制模式,将在计时领域的领导地位扩展到其他产品领域。
这有利于IDT 公司通过开发系统优化解决方案为客户应用增加更多的价值,同时将整体的性能最大化,并最高程度控制物料成本并加快产品上市。
IDT推出全新预处理交换芯片,增强下一代无线基础设施效能
I 推出全新预处理交换芯片, D T 增强下一代无线基础设施效能
I TE h n e fce c fW i ls fa t u t r s y N w r - r c s igS t h D n a c s f in yo r e s n r s r c u e e P e P o e sn wi Ei e I b c
从而 有助干处理 器集 中干其他计算密 供软件、维护 、 培训 , 使其更好地 使用 方 案 的 首 集 的功能 ,以满足下一 代无线基础设 标准化器件。 施的设计要求 。 批产品 , 它
随着无线基础设施 向更高性能的 有 助 于 为
I DT公司产品市场 经理 BlB ae 3 及 以 上 系 统 的发 展 ,应 用 设计 师正 用 户 提 供 D i en G l T公 司产 品市场经理 先生介绍说:“ 目前无线基础设施设计 面临 着 1益复杂的运算和逐 步增 加的 可 升级 、 3 灵
BlB ae 生 介 绍 说 ,1 i en 先 l DT公 司
境实现通信最优化。
预处理交换芯片 ( P )的任务和运算 PS
I T预 处理 交 换 芯 片 ( P )提 供 的移动, D PS 并可观察系统的性能 。 了评 除
在推出预 处理交换芯片 ( P )时 ,更 了一个优势的解决方案, PS 将传统数据处 估板和相关硬件外 ,D I T还提供强大的 多考虑了要不断提高D P S 集群性能 , 理执行与交换结构集成在一起 , 目 通过提 软件工具 , 可为设计师提供实现广泛 的
分布能 力。 无论如何 , 成本与设计的复 同的标准及不同的协议 。 与此 同时 , 灵
数量并降低收 费标准。 ”
他补充说 ,为降低产品开 发成 本 杂性导致的上 市时 间延迟通常与使 用 活性 也非常重要 。要实现 灵活性就要 并加 快上市速度 ,基站供应商越来越 F G P A或 ASC有关。而且,在 F GA I P 考虑到整个交换 器件的结构 ,这样 的
IDT推出低功耗LVDS时钟扇出缓冲器,节省功耗高达60%
使 其 成 为复 杂 、低噪 声 、 高速 时钟 设 计应 用 的理 想选择 ,应 用于无 线和 有线 通信 、 先进 计算 和 网络 。 I DT 8 P 3 4 S 系列 包括 涵 盖 2到 1 2路 差 分输 出的器件 ,拥 有低 至 3 9飞秒 的低 附加 KMS相位 噪声 ,并 支持 高达 1 . 2 GHz的频 率 。这一缓 冲 器 与标 准的 L VDS器件 完全 兼容 ,易 于用最 小的板 面积进行 配置 。新的 扇 出缓 冲器 系列 丰富
对应 的 a c t i o n ,如 下 :
维护过程 中,都需要进行严格 的检测,以保证购书系统 的服
务 质量 。随 着 网 上 书城 系统 技 术 的 日趋 成 熟 、网上 购 书 的 优 势 日趋 明显 ,会 有更 多 的人 参 与 到 网上 购 书 的浪 潮 中来 ,人
类最终将迎接电子商务时代 的来临。
利水 电出版 社 , 2 0 0 6 .
【 5 】张 海 , 藩著 . 软件 工 程导论 【 M 】 . 4版 . 北京 : 清华 大 学 出算法与应用 口 彻 . 北京 : 北京大学出版社 2 o o 6 .
1 D T 推 出低 功 耗 L V DS 时钟 扇 出缓 冲 器 ,节 省 功 耗 高 达 6 0 %
拥有 模拟 和数 字 领域 的优 势技 术 、提供 领 先 的混合 信号 半 导体 解决 方案 的供 应 商 I DT 。 公司 ( I n t e g r a t e d De v i c e
T e c h n o l o g y ,I n c . ; NAS DAQ: I DTI )宣 布 ,推 出 一 个 1 . 8 V L VDS 时 钟 扇 出缓 冲 器 系 列 , 可 提 供 相 当 于 3 . 3 V 器 件
2024年内存接口芯片市场规模分析
2024年内存接口芯片市场规模分析简介内存接口芯片是一种用于连接处理器和内存的关键组件,它能够有效地管理数据的传输速度和带宽。
随着数码产品的普及和互联网的快速发展,内存接口芯片市场需求进一步增加。
本文将对内存接口芯片市场规模进行分析。
市场概况当前,内存接口芯片市场主要由几大主要公司主导,包括英特尔、三星、美光等。
这些公司拥有先进的技术和广泛的市场渠道,占据了市场的主导地位。
此外,半导体行业竞争激烈,新兴厂商也在不断涌现,为市场增加了一定的竞争力。
市场增长因素内存接口芯片市场的增长受到以下几个重要因素的推动:1.技术进步:随着科技的不断进步,内存容量和速度要求越来越高,需要更先进的内存接口芯片来满足需求,这推动市场的增长。
2.云计算和大数据:随着云计算和大数据的兴起,对于内存接口芯片的需求也进一步增加。
云计算和大数据需要高速的数据传输和存储,内存接口芯片能够提供所需的高速率和大带宽。
3.智能手机市场的增长:智能手机销量不断增加,对内存接口芯片的需求也在增加。
智能手机中的高清视频、大型游戏和多任务处理等都需要更高品质的内存接口芯片。
市场规模预测根据市场研究数据和趋势分析,预计未来几年内存接口芯片市场将持续增长。
以下是市场规模预测的几个关键点:1.2019年: 内存接口芯片市场规模约为X亿美元。
2.2020年-2022年:市场规模预计将以每年X%的复合年增长率增长。
3.2023年: 预计市场规模将达到X亿美元。
4.市场细分:目前,DDR4接口芯片是市场的主导类型,占据了大部分的市场份额。
然而,随着DDR5和LPDDR5接口的推出,预计这些新接口的市场份额将逐渐增加。
市场竞争态势内存接口芯片市场竞争激烈,主要公司之间进行着激烈的竞争。
竞争的关键因素包括以下几点:1.技术优势:公司能否提供先进的内存接口技术和高质量的产品是市场竞争的关键。
2.市场份额:市场份额能够反映公司在市场上的竞争力。
3.价格策略:由于市场竞争激烈,公司之间的价格竞争也非常激烈。
IDT扩展PCIExpressGen交换解决方案领导地位
IDT 扩展PCI Express Gen 交换解决方案领导地位IDT 扩展PCI Express Gen2 交换解决方案领导地位致力于丰富数字媒体数字媒体体验、提供领先的混合信号混合信号半导体解决方案供应商IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)推出两款新的PCI Express (PCIe) Gen2 交换解决方案,扩展了公司的产品和技术领导地位。
新的解决方案专为计算和嵌入式应用嵌入式应用而优化,基于成熟、强大的IDT 交换架构和技术,支持提高系统资源利用率的多播功能。
??这两款新器件是业界最广泛的PCIe Gen2 交换解决方案产品组合的最新成员。
新的解决方案为32 通道、8 端口和48 通道、12 端口器件,还体现了IDT 通过集成先进功能,最大限度降低功耗、优化每瓦性能、降低总拥有成本和热设计复杂性器件的公司宗旨。
此外,这些新的功能还通过利用现有IDT PCIe Gen2 交换器交换器成熟的IDT 交换和接口技术,以缩短上市时间上市时间并减少系统验证测试。
??这两款器件可支持PCIe 多播功能,有助于任何交换端口同时将相同的数据发送给两个或两个以上交换器端口,通过降低之前要求的、以循环方式发送数据的软硬件开销来提高系统资源利用率。
PCIe 标准的扩展确保了多个系统单元间数据和表信息的一致性,将PCIe 扩展到要求强大数据一致性和共享的新兴企业计算和嵌入式应用。
??IDT Gen2 PCIe 交换器完全符合基于PCI-SIG PCIe 2.0 规范,为客户的先进设计提供将现有PCIe 通道提升至每秒5 Gb数据传输吞吐量带宽,或将支持更具成本效益设计的链路吞吐量要求的PCIe 通道数和电路线迹减少一半。
??每个IDT PCIe 交换解决方案都有一个器件测试和分析、系统仿真的专用评估和开发套件。
每个套件都包括一个代表上行和下行连接的硬件评估板,以及IDT 开发的帮助设计人员调整系统和器件配置来满足系统要求的基于GUI 的软件环境。
半导体材料IDT的开发与应用
半导体材料IDT的开发与应用半导体材料是当今信息时代的基础,它的应用广泛且日益增长。
随着科技的不断发展,半导体材料也在不断创新和进步,特别是在集成电路和微电子学领域,半导体材料的发展和应用已经成为了现代科技中不可或缺的一部分。
IDT是一个专业的半导体材料制造商,专注于高性能、低功耗、高可靠性的半导体技术。
作为半导体材料制造商,IDT的发展和进步不仅依赖于自身的技术创新和研发能力,还需要不断借用和引进国内外最新的科技和发展成果。
下面,我们将详细介绍IDT半导体材料的开发与应用。
一、IDT半导体材料的研发历程IDT半导体材料的研发历程可以追溯到上个世纪八十年代初。
那时,IDT公司主要研制的是RAM芯片,后来才逐步发展为更广泛的半导体领域。
IDT公司从一开始就注重技术创新和研发能力。
经过多年的不断发掘和探索,IDT已经掌握了多种重要的半导体技术,比如电源管理技术、计时技术和通信技术等。
在这个过程中,IDT还进行了多次战略投资和收购,以扩大其业务范围和市场份额。
例如,2008年,IDT收购了ZettaCom Inc.,以获得更多的网络和通信领域的专业技术和经验。
随后,IDT公司推出了一系列新产品,包括高速互联芯片和异步SRAM等。
从成立至今,IDT公司始终秉持着技术创新的精神,不断推出新产品,打破传统,引领变革。
今天,IDT公司已经成为半导体行业中的领导者之一,其产品广泛应用于多个领域,如消费电子、计算机和通信等。
二、IDT半导体材料的领域应用IDT半导体材料大量应用于电子通信和网络领域,包括高速以太网、无线网络和光纤通信等。
IDT的高可靠性和低功耗的产品,比如晶体振荡器和时钟源等,常用于跨越长距离的数据和信息传输中。
此外,IDT还在计算机和存储器领域推出了很多新产品。
比如,IDT的SRAM存储器,容量大、速度快,是很多高性能计算机和服务器的首选。
同时,IDT的电源管理芯片也得到越来越广泛的应用,能够有效降低耗能,提高设备性能和寿命。
IDT推出业界首款NVM Express企业级闪存控制器
美 开 发 出无 缺 陷 半导 体 纳 米 晶体 薄膜
据物 理学 家组 织 网近 日报道 ,美 国麻省理 工 学
存储 和 服务 器 原 始设 备 制造 商 克 服传 统 S SS T A /A A
bsd的 S D设计 所 固有 的延 迟 和吞 吐量 瓶颈 。 ae S
结合 。 ( 自 C I 来 SA)
部 遗 传 学 教 科 书 的 内 容 存 储 到 1微 微 克 ( i ga 相 当 于 万亿 分之 一 克 ) N 中 , pc rm, o D A 这一 技
术 上 的突破很 可 能会革命 性 的提 升人类 存储 信息 的
能力 。
过 去 ,有 些研 究 团队一 直试 图 向活细胞 中的基 因组 写入 数 据 , 但是 这 种方 式 有 一些 不 足 之处 。首 先 ,细胞会 死亡 ,这并 不是 你存储 学 期论 文 的好 方 法 。另外 , 细胞 还会 分 裂 、 复制 , 中会 不 断发 生 变 其 异 , 而改 变数据 的内容 。 ( 自 C I 从 来 SA)
路 由的 一个 优 势 。A G 26和 A G 2 7多 路 复用 D 50 D 50 器是 A I 司开 关 和 多 路 复 用 器保 护 产 品 系列 的 D公 最新 成 员 , 该保 护 产 品系 列还 包 括具 有 业 界 最低 电
荷 注 入 和 低 泄 漏 性 能 的 防 闩 锁 四 通 道 开 关
T 推 出最 小 型 1 8 A I . 有刷 D C电机 驱 动器
日前 , 德州 仪器 ( I 宣布推 出业界最 小型 1 T) .A 8
A 推 出多 路 复用 器 确 保 无 闩锁 现 象 D I
美高森美凭借24G SAS和PCle Gen 4三模式存储控制器技术引领行业创新
解 决方 案 ,该 方 案 可 帮助 开发 人员 在 一 天 内连接 并 er by LinearTM LT8708/一1,这款效率达 98%的双 向降 运 行物 联 网应 用 ,且 无需 进行 软件 开 发 。Silicon Labs 压 一升 压 型 开 关 稳 压 控 制 器 在 丽 个 具 有 相 同 电压
系 统 (ADAS) 产 品 预 警 系 统 通 过 了 国 内 JT/rr
883—2014的测试 。JT厂r 883—2014是交通运输部发
近 日,美高 森 美 充分 利 用 其 在 24G SAS和 PCIe
布 并 于 2014年 9月 1日起 实 施 的交 通 运 输 行 业标 Gen 4三模 式控制器技术方面 的行业领先地位 ,发
毫米 波雷达解决方案
0X02A10的动 态 范 围可达 1 10dB,同时保 证 了 LED 脉冲的捕获 ,使相机在所有的光照条件下均能发挥 最 出色 的摄像 功能 。这使 得 车载 摄像 头能 够 同时捕 获 明 暗两种 场景 ,即使在 最苛 刻 的光 照条 件下 也能 保证 优质 的图像 效果 。
L一 业界要闻
恶 【!j
能 存 储堆 栈 的价值 ,包 括公认 的可靠 性 、全 面 的存 储 管理 工具 和基 于 maxCrypto控制 器 的加 密功 能 。(来 自美 高森 美 )
一 条 高 品质 生产 线 ,包 括 GaN/硅 异 质外 延 工 序 ,计 划 2020年前 在 法 国图尔 前 工 序 晶 圆厂 进 行 首 次 生 产 。(来 自意法半导体 )
为驾驶员提供全景视图和停车全景视野 。OXO1AIO 根据驾驶员进行灵活设置。 (来 自英特尔 )
和 0X02A10已经实 现 量产 ,并 已经成 为 了众 多 高端
李庆明:打造高端存储设备领头羊——PCIe_PXIe接口外置高速大容量存储设备
李庆明:打造高端存储设备领头羊——PCIe/PXIe接口外置高速大容量存储设备发布时间:2022-10-26T07:06:24.220Z 来源:《中国科技信息》2022年第6月12期33卷作者:陈璐[导读] 在社会经济及科学技术发展的支持下,我国高端存储设备及技术已经得到了完善作者:陈璐单位:藤曼科技发展有限公司邮编:518116在社会经济及科学技术发展的支持下,我国高端存储设备及技术已经得到了完善,促进了我国高端存储领域发展。
李庆明作为沃易升科技(北京)有限公司高速大容量存储项目经理,兼任公司总经理,一直从事高端存储设备研发工作,对我国未来的高端存储市场充满信心,他认为“基于PCIe/PXIe接口的外置高速大容量存储设备”具有非常广阔的市场前景,能够打破国内高端存储市场被国外品牌垄断的僵局。
高端存储市场现状EMC、IBM、NetApp、HP等国外品牌在国内高端存储市场占据主导地位。
在国内与同行业技术水平相当的外国品牌还有NAS和SAN 等,使国内高端存储市场处于群雄争霸的状态。
国内市场占有率较高的国内品牌为华为、浪潮、曙光。
根据IDC预测,全球数据总量将从2018年的33ZB增长至2025年的175ZB。
面临数据的爆发式增长,市场需要更多的存储器承载海量的数据。
参与重大项目李庆明2014年加入沃易升科技(北京)有限公司,担任总经理。
他曾负责高速大容量存储设备项目,产品已完成开发、小批中试工作。
经过两年的潜心钻研,李庆明带领团队于2015年7月正式发布了基于PCIe/PXIe接口的外置高速大容量存储设备,此产品一举填补了国内的市场空白。
紧盯高端存储领域痛点及难点大力创新产品李庆明认为“对于中小科技企业,尤其是投入开发外部存储设备而言,一定要谋求差异化定义,细分市场”。
他指出目前的Block/NAS/SAN网络存储设备并不能很好的解决特定客户需求,这主要体现在:一是存储速率不够高,不能满足用户的刚性存储带宽要求,如实现5GB/s以上的存储速率;二是价格极其昂贵,如EMC满足相关需求的存储设备价格高达七位数人民币以上;三是设备占用空间大,都是以FC和IP存储作为当前主要解决方案,需要配置多余的交换设备作为代价。
CPS-1848 Datasheet - 2012-june8
GENERAL DISCLAIMER
Integrated Device Technology, Inc. (“IDT”) reserves the right to make changes to its products or specifications at any time, without notice, in order to improve design or performance. IDT does not assume responsibility for use of any circuitry described herein other than the circuitry embodied in an IDT product. Disclosure of the information herein does not convey a license or any other right, by implication or otherwise, in any patent, trademark, or other intellectual property right of IDT. IDT products may contain errata which can affect product performance to a minor or immaterial degree. Current characterized errata will be made available upon request. Items identified herein as “reserved” or “undefined” are reserved for future definition. IDT does not assume responsibility for conflicts or incompatibilities arising from the future definition of such items. IDT products have not been designed, tested, or manufactured for use in, and thus are not warranted for, applications where the failure, malfunction, or any inaccuracy in the application carries a risk of death, serious bodily injury, or damage to tangible property. Code examples provided herein by IDT are for illustrative purposes only and should not be relied upon for developing applications. Any use of such code examples shall be at the user's sole risk.
IDT推出全新Serial Rapid IO Gen2扩大行业领先的交换器产品组合
换 器 将 数据 速 率加 倍 提 升 到 2 G p ,在 降 低 功 耗 0 bs 4% 的 同时将直 通交换模式延迟 缩短到 10 0 0 纳秒 。 最 先面市 的产 品包括具有 20 b s 4 G p 无阻塞 带宽 、 于大 用
型处理器 集群或 背板 的 C S 1 4 8 道交换器 , P一88 通 4 具
还将 共 同推 广 新 的完 整 S T .P Y 和控 制器 I A A3 H 0 P 解决 方案 。
机都根据项 目特有的性能 、O连接 和环境要求 进 I /
行 组装 。
R o p n n s最 新 推 出设 计 资 源 平 S Cm o e t 台 ,创 建 与 工 程 师 沟通 的顺 畅 通 道
近 日, 世界 领 先 的电 子 、 电以及 电子 工 业 产 品 机
IT 推 出全 新 S r a R p l@ G n D e a iI i e2 d0
扩 大 行 业领 先 的 交换 器 产 品组 合
日前 , I 公 司在 上海宣 布推 出业界 领先 的 D
他表示 各有 各 的优 势 ,建议 客户 针对 不 同的应用 来 选 择 采用 哪 种技 术 , 无线 方 面 , aiI 的表 现将 在 R pdO
CV E A和 M S s携 手 oy 提 供 完 整 S T . 解 决 方 案 I AA30 P
CV E A公 司 与 Moy 公 司合作 为 芯片 厂商 提 供 Ss
T —T D L E等方 面都会 有很 好 的应用 。 借新 的 Sr 凭 ei l a
方 案 。该 集 成 式 解 决 方 案 利 用 Moy Ss的 6 b s G p Sre H eD s Y和 C V 的 S T . 制器 I,充分 P EA A A30控 P 发 挥 下 一代 嵌 入 式 6 b s A A接 口的全 部 潜 力 。 G p T S
IDT推出全球最高性能的Gen 3 PCI Express交换器件用于SSD存储阵列和云计算应用
IDT推出全球最高性能的Gen 3 PCI Express交换器件用于
SSD存储阵列和云计算应用
佚名
【期刊名称】《电子设计工程》
【年(卷),期】2011(19)20
【摘要】IDT公司(Integrated Device Technology)发布全球最高性能的Gen 3 PCI Express(PCIe)交换芯片系列,用于固态硬盘(SSD)存储阵列和云计算
应用。
新的交换芯片系列以占据领导地位的IDT高性能、可升级的PCIe Gen1和Gen2交换芯片为基础。
支持多达64通道和16端口的容量,并支持更多协议,
以改善效率和降低功耗。
【总页数】1页(P147-147)
【正文语种】中文
【中图分类】TN915.05
【相关文献】
1.IDT推出业界首款用于RapidIOGen2协议转换网桥的PCI Express Gen2产品,用于x86处理器 [J],
2.IDT推出全球最高性能的Gen 3 PCI Express交换器件用于SSD存储阵列和云计算应用 [J],
3.IDT推出首款用于S-RIO的PCI Express Gen2协议转换网桥Gen2产品 [J],
4.IDT推出业界首个可管理高密度刀片系统中所有交换互连功能的PCI Express互连器件 [J],
5.IDT扩展PCI Express Gen2交换解决方案 [J],
因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
功耗降90%,Intel发现半导体新材料
功耗降90%,Intel发现半导体新材料
佚名
【期刊名称】《《微型计算机》》
【年(卷),期】2009(000)013
【摘要】Intel公司日前透露,他们在半导体新材料的研究上又取得了重大突破,使用混合元素材料制造出了硅基P—Channel晶体管。
该混合材料又被称为GroupⅢ-Ⅴ材料,因为它包含化学元素周期表中Ⅲ族到Ⅴ族的多种元素,而传统的硅(Ⅳ族元素)晶体管也凶此被称为GroupⅣ材料。
现在新材料P-Channel晶体管的诞生标志着Intel已经可以使用GroupⅢ-Ⅴ新材料制造实际电路。
【总页数】1页(P24)
【正文语种】中文
【中图分类】TP332
【相关文献】
1.美发现石墨纳米带可取代硅成为半导体新材料 [J], 谭智实;
2.IBM和特许半导体向90纳米通用平台提供ARM Artisan低功耗IP及高速PHY 系列产品 [J],
3.Intel将采用新型半导体材料替代传统半导体硅材料 [J],
4.意法半导体(ST)推出新款超低功耗STM32微控制器,更大的存储容量和更低的功耗提升产品价值 [J],
5.安森美半导体基于超低功耗的RSL10 SIP提供能量采集蓝牙低功耗开关 [J],因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
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IDT公司跨越低功耗PCIe Gen3缓冲器300万颗出货量里程碑
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美国加利福尼亚州圣何塞,2015年1月16日 – IDT公司(IDT®)(NASDAQ:IDTI)今天宣布已出货1亿多颗PCIe缓冲器和超过300万颗低功耗PCIe Gen3缓冲器芯片,巩固了IDT公司作为领先的x86和基于ARM的CPU以及芯片组供应商的重要支持和验证合作伙伴的地位。
IDT公司的低功耗PCIe Gen3缓冲器采用IDT公司经过长期验证、并获得专利的低功耗HCSL (LP-HCSL)技术来解决客户关注的三个主要问题。
PCIe Gen3缓冲器降低了运营成本(大大降低了功耗),节省了电路板空间(去除了高达76个分立终端电阻,也缓解了电路板布线),并支持更长的PCIe连接拓扑结构(在长距离互连中具有更好的信号完整性)。
IDT公司定时和RF事业部副总裁兼总经理Dave Shepard 介绍说:“这些里程碑凸显了IDT公司通过提供满足客户需求的创新解决方案,已经取得了PCIe定时市场领导地位的事实。
我们将继续开发新的PCIe技术,应对我们客户面对的不断变化的挑战,并在此过程中不断达到新的里程碑。
”
9ZXL产品系列可满足x86数据中心应用经常遇到的PCIe Gen3和QPI要求,这些器件可以6,8,12,15,和19路输出的变体供货。
IDT公司的9DBU和9DBV SoC友好型PCIe Gen3缓冲器具有与9ZXL相同的PCIe性能,但具有更小的占位面积和更低的功耗。
SoC友好型PCIe Gen3缓冲器同时支持电池供电运行,保持了在更长PCIe连接拓扑下较好的信号完整性,适合于x86服务器和x86/ ARM微型服务器应用。
9DBU和9DBV产品系列可以2,4,5,6,7,8,和9路输出供货,可用于任何系统的PCIe Gen3 应用。
About IDT
Integrated Device Technology, Inc., develops system-level solutions that optimize its customers’ applications. IDT uses its market leadership in timing, serial switching and interfaces, and adds analog and system expertise to provide complete application-optimized, mixed-signal solutions for the communications, computing and consumer segments. Headquartered in San Jose, Calif., IDT has design, manufacturing, sales facilities and distribution partners throughout the world. IDT stock is traded on the NASDAQ Global Select Stock Market® under the symbol “IDTI.” Additional information about IDT is accessible at . Follow IDT on Facebook, LinkedIn, Twitter, YouTubeand Google+.。